JPS61163507A - 導電性ゴム組成物 - Google Patents
導電性ゴム組成物Info
- Publication number
- JPS61163507A JPS61163507A JP217285A JP217285A JPS61163507A JP S61163507 A JPS61163507 A JP S61163507A JP 217285 A JP217285 A JP 217285A JP 217285 A JP217285 A JP 217285A JP S61163507 A JPS61163507 A JP S61163507A
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- Japan
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- rubber composition
- transition metal
- metal nitride
- conductive rubber
- conductive
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はキースイッチ、コネクター、半導体などの電子
部品用接点や電気導体、圧力センサー、静電防止体等に
使用するための導電性ゴム組成物に関するものである。
部品用接点や電気導体、圧力センサー、静電防止体等に
使用するための導電性ゴム組成物に関するものである。
この種導電性コ９ムは通常シリコ−ノコ９ムナトにカー
ゲンブラック、金属などの粉末、繊維などを高濃度に混
和したものであシ、導電性は上記混和物の接触や原子オ
ーダの近接状態によって発現する。
ゲンブラック、金属などの粉末、繊維などを高濃度に混
和したものであシ、導電性は上記混和物の接触や原子オ
ーダの近接状態によって発現する。
この金属としては経時的な特性劣化のないＡｕ 、 Ａ
ｇなどの貴金属が用いられるが高価なためその用途は限
定されている。このため実用に供する導電性コ９ムの大
半はカーボンブラ、りやカーがンファイバーを使用して
いる。なおその導電性能としては体積抵抗率が５〜１０
４Ωα程度のものである。従ってこれらの導電性ゴムは
微弱電流の用途に限定されているものであ夛。
ｇなどの貴金属が用いられるが高価なためその用途は限
定されている。このため実用に供する導電性コ９ムの大
半はカーボンブラ、りやカーがンファイバーを使用して
いる。なおその導電性能としては体積抵抗率が５〜１０
４Ωα程度のものである。従ってこれらの導電性ゴムは
微弱電流の用途に限定されているものであ夛。
例えばＩＣＣタケ）Ｋ使用する場合素子の高集積大容量
化に伴って実用上の制約をうけるとか或はキースイッチ
用接点においても大きな導体抵抗は見掛けの接触抵抗増
となシ設計上の制約をうけ易い欠点があった。
化に伴って実用上の制約をうけるとか或はキースイッチ
用接点においても大きな導体抵抗は見掛けの接触抵抗増
となシ設計上の制約をうけ易い欠点があった。
本発明は高度の導電性能を長時間にわたり安定して発揮
し５る導電性ゴム組成物を開発したものである。
し５る導電性ゴム組成物を開発したものである。
本発明はゴムに遷移金属ナイトライドを含有せしめたこ
とを特徴とする導電性ゴム組成物である。
とを特徴とする導電性ゴム組成物である。
又遷移金属ナイトライドとして貴金属にて被覆したもの
を使用することが望ましく且つ遷移金属ナイトライドの
配合量を５〜６０ ｖｔ％の範囲に配合することが好ま
し−い。
を使用することが望ましく且つ遷移金属ナイトライドの
配合量を５〜６０ ｖｔ％の範囲に配合することが好ま
し−い。
この遷移金属ナイトライドは遷移金属とＮとの化合物か
らなるものであシ、例えばＣｓＮ 。
らなるものであシ、例えばＣｓＮ 。
ＮｄＮｒ ＰｒＮ Ｉ Ｉ）７１’Ｊ 、 ＬｕＮ ＋
ＵＮ ＋ ＴｔＮ ＊ ＺｒＮ ＃ＨｆＮ 、 Ｖ、
Ｎ 、 ＶＮ 、 Ｎｂ２Ｎ 、 ＮｂＮ 、 Ｔａ２
Ｎ 、 ＴａＮ 。
ＵＮ ＋ ＴｔＮ ＊ ＺｒＮ ＃ＨｆＮ 、 Ｖ、
Ｎ 、 ＶＮ 、 Ｎｂ２Ｎ 、 ＮｂＮ 、 Ｔａ２
Ｎ 、 ＴａＮ 。
Ｃｒ２Ｎ １Ｍ０２Ｎなどの粉末状、ファイバー、フレ
ーク状のものを使用する。この遷移金属ナイトライドの
抵抗率を他の物質と比較すると第１表に示す如くである
。
ーク状のものを使用する。この遷移金属ナイトライドの
抵抗率を他の物質と比較すると第１表に示す如くである
。
第 １ 表
遷移金属ナイトライド １０〜５００μΩ
−副カーボンプラック １０５〜１０’ μ
Ω−１炭化ケイ素 １０〜１０ Ａ
Ｑ−ｃｗｔグラファイト １０〜１０
μΩ−−カーゲンファイバー ７０
０ Ｎ１８０００μΩ−譚このように遷移金属ナイトラ
イドは優れた導電性を有し、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｌ 、
ステンレスなどの金属に比較して何等遜色のないもので
ある。
−副カーボンプラック １０５〜１０’ μ
Ω−１炭化ケイ素 １０〜１０ Ａ
Ｑ−ｃｗｔグラファイト １０〜１０
μΩ−−カーゲンファイバー ７０
０ Ｎ１８０００μΩ−譚このように遷移金属ナイトラ
イドは優れた導電性を有し、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｌ 、
ステンレスなどの金属に比較して何等遜色のないもので
ある。
又遷移金属ナイトライドは機械的差に化学的に極めて安
定な物質であ〕、Ａｕ ＋ Ｐｄなどの貴金属にて被覆
することによシ遷移金属ナイトライドの導電性を一層高
度に安定化せしめることができる。なお貴金属によシ被
覆層の厚さは１００Ｘ以上あればよく通常０．０５μ（
ｓｏｏＸ）〜０．２μ（２０００Ｋ）程度である。
定な物質であ〕、Ａｕ ＋ Ｐｄなどの貴金属にて被覆
することによシ遷移金属ナイトライドの導電性を一層高
度に安定化せしめることができる。なお貴金属によシ被
覆層の厚さは１００Ｘ以上あればよく通常０．０５μ（
ｓｏｏＸ）〜０．２μ（２０００Ｋ）程度である。
この遷移金属ナイトライドとゴム弾性体例えばシリコー
ンゴｈ 、 ｇＶＡ ％ＩＪＡ 、 ＥＩＢＡなどに混
合するものであるが、その配合量には特に限定されるも
のではなく、要求される導電性によって異るものである
。しかし特に高い導電性を必要とする電子部品において
は遷移金属ナイトライドな５〜６０ ｖｔ％配合するこ
とにより実用的な導電性とゴム状諸特性を有する。なお
５ ｗｔ％未満の場合には導電性が低下するものであり
又６０ｖｔチを超えた場合にはゴム状弾性並に強化が低
下する。
ンゴｈ 、 ｇＶＡ ％ＩＪＡ 、 ＥＩＢＡなどに混
合するものであるが、その配合量には特に限定されるも
のではなく、要求される導電性によって異るものである
。しかし特に高い導電性を必要とする電子部品において
は遷移金属ナイトライドな５〜６０ ｖｔ％配合するこ
とにより実用的な導電性とゴム状諸特性を有する。なお
５ ｗｔ％未満の場合には導電性が低下するものであり
又６０ｖｔチを超えた場合にはゴム状弾性並に強化が低
下する。
なお本発明においてはゴムに加硫剤、酸化防止剤、紫外
線防止剤等を配合してもよい。
線防止剤等を配合してもよい。
（１） シリコーンゴムに加硫剤として２，５−ツメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルｔ！−オキシ）へキサン
１ ｗｔＴｏを添加した混和物に、第２表に示す如き遷
移金属ナイトライドを配合した後、２２０℃にて４ Ｈ
ｒ加硫を行って本発明導電性ゴム組成物をえた。
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルｔ！−オキシ）へキサン
１ ｗｔＴｏを添加した混和物に、第２表に示す如き遷
移金属ナイトライドを配合した後、２２０℃にて４ Ｈ
ｒ加硫を行って本発明導電性ゴム組成物をえた。
なお本発明ゴム組成物と比較するために上記の混和物に
規定量以外の遷移金属ナイトライド又はアセチレンブラ
ック、Ａｇ粉を添加した後、上記と同様の条件にて加硫
を行って比較例ゴム組成物をえた。
規定量以外の遷移金属ナイトライド又はアセチレンブラ
ック、Ａｇ粉を添加した後、上記と同様の条件にて加硫
を行って比較例ゴム組成物をえた。
斯くして得た本発明導電性コ９ム組成物及び比較例導電
性コ９ム組成物について、その性能を試みるために体積
固有抵抗、引張強さ及び伸びＫついて夫々試験を行った
。その結果は第２表に併記し、た通りである。
性コ９ム組成物について、その性能を試みるために体積
固有抵抗、引張強さ及び伸びＫついて夫々試験を行った
。その結果は第２表に併記し、た通りである。
なお体積固有抵抗の試験方法は、本発明導電性ゴム組成
物及び比較例導電性ゴム組成物について長期の劣化試験
を行うため、Ｈ２Ｓ １００ ｐｐｎｂ 。
物及び比較例導電性ゴム組成物について長期の劣化試験
を行うため、Ｈ２Ｓ １００ ｐｐｎｂ 。
ＣＬ２２０１）Ｐｂ 、 Ｎｏ２２００ ｐｐｂ 、
６０℃、８０ＲＨの雰囲気中に１００Ｈｒ放置した後行
ったものである。
６０℃、８０ＲＨの雰囲気中に１００Ｈｒ放置した後行
ったものである。
上表より明らかな如く本発明導電性ゴム組成物は従来の
カーゲン系ゴム組成物よ９１０〜１００倍高導電性を有
し又Ａｇ系フコ９ムも導電性にりいて遜色なく且高度の
安定性を有するものである。
カーゲン系ゴム組成物よ９１０〜１００倍高導電性を有
し又Ａｇ系フコ９ムも導電性にりいて遜色なく且高度の
安定性を有するものである。
又実施例（５）及び（６）の如く遷移金属ナイトライド
に貴金属を被覆したものを使用することにより，遷移金
属ナイトライド単独のものく比して機械的性能に同等影
響を及ｔ！すことなく導電性を著しく改良することを示
した。
に貴金属を被覆したものを使用することにより，遷移金
属ナイトライド単独のものく比して機械的性能に同等影
響を及ｔ！すことなく導電性を著しく改良することを示
した。
以上詳述した如く本発明導電性ゴム組成物によれば、導
電性及び機械的性能に優れているため広範囲にわたり使
用することができ、特にコネクター、キースイッチなど
の接点材料として使用子る場合抵抗損なく、より大きな
電流を流しうるので応用範囲が拡がシ且つ電気回路の設
計を容易に行うことができる。例えば従来のカー＆ン系
ゴム組成物においてはコネクターの許容電流は５ ｍＡ
以下とされているが、本発明ゴム組成物においてはこれ
を１０倍以上向上することができる。又卑金属系ゴム組
成物に比して電気特性の劣化が著しく小さく、他方貴金
属系ゴム組成物に比して安価に製造し５ると共に機械的
性能に優れている等顕著な効果を有する。
電性及び機械的性能に優れているため広範囲にわたり使
用することができ、特にコネクター、キースイッチなど
の接点材料として使用子る場合抵抗損なく、より大きな
電流を流しうるので応用範囲が拡がシ且つ電気回路の設
計を容易に行うことができる。例えば従来のカー＆ン系
ゴム組成物においてはコネクターの許容電流は５ ｍＡ
以下とされているが、本発明ゴム組成物においてはこれ
を１０倍以上向上することができる。又卑金属系ゴム組
成物に比して電気特性の劣化が著しく小さく、他方貴金
属系ゴム組成物に比して安価に製造し５ると共に機械的
性能に優れている等顕著な効果を有する。
Claims (4)
- （１）ゴムに遷移金属ナイトライドを含有せしめたこと
を特徴とする導電性ゴム組成物。 - （２）遷移金属ナイトライドとして貴金属にて被覆した
ものを使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の導電性ゴム組成物。 - （３）遷移金属ナイトライドとしてＣｅＮ、ＮｄＮ、Ｐ
ｒＮ、ＤｙＮ、ＬｕＮ、ＵＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ
、Ｖ＿３Ｎ、ＶＮ、Ｎｂ＿２Ｎ、ＮｂＮ、Ｔａ＿２Ｎ、
ＴａＮ、Ｃｒ＿２Ｎ、Ｍｏ＿２Ｎからなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の導電性ゴム組成物。 - （４）遷移金属ナイトライドの配合量として５ｗｔ％〜
６０ｗｔ％の範囲にしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の導電性ゴム組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217285A JPS61163507A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 導電性ゴム組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP217285A JPS61163507A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 導電性ゴム組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163507A true JPS61163507A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11521944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP217285A Pending JPS61163507A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 導電性ゴム組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163507A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112266506A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 深圳市市政设计研究院有限公司 | 一种纳米TiN导电橡胶复合材料以及一种传感器及其制备方法 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP217285A patent/JPS61163507A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112266506A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 深圳市市政设计研究院有限公司 | 一种纳米TiN导电橡胶复合材料以及一种传感器及其制备方法 |
| WO2022083414A1 (zh) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 深圳市市政设计研究院有限公司 | 一种纳米TiN导电橡胶复合材料以及一种传感器及其制备方法 |
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