JPS61160716A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPS61160716A
JPS61160716A JP151585A JP151585A JPS61160716A JP S61160716 A JPS61160716 A JP S61160716A JP 151585 A JP151585 A JP 151585A JP 151585 A JP151585 A JP 151585A JP S61160716 A JPS61160716 A JP S61160716A
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JP
Japan
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liquid crystal
electric field
substrate
display device
crystal display
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JP151585A
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English (en)
Inventor
Junichiro Kanbe
純一郎 神辺
Kazuo Yoshinaga
和夫 吉永
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1亙豆j 本発明は、液晶表示装置に関し、特に電界付与手段を有
するメモリー型の液晶表示装置に関する。
LLL芳 メモリー性を有する画像表示装置としては1例えばエレ
クトロクロミック現象、熱発色現象等を利用するものが
提案されているが、速度、iM久性、解像度等の観点で
実用的ではない、また、近年、スメクティック液晶の層
転移を利用した熱書込み型の液晶表示装置が盛んに開発
されているが、液晶の熱感度がそれ程高くないため、書
込み熱源であるレーザーが大型化したり、或いは書込み
に多大の時間を必要としたりする欠点がある。
光」LΩJIJ 本発明の目的は、前述の欠点を解消したメモリー型の液
晶表示装置を提供することにある。
本発明のより特定の目的は、高速応答性を有し且つ高解
像度のメモリー型の液晶表示装置を提供することにある
本発明の他の目的は、上記のような特性を有し且つ小型
で耐久性に優れたメモリー型の液晶表示装置を提供する
ことにある。
本発明の液晶表示装置は、上述の目的を達成するために
開発されたものであり、偏光板、該偏光板と逆側に透明
導電層を有し且つ透明な第1の基板、電界に応じて偏光
特性を変化させ且つメモリー性を右する液晶層、第2の
基板および電界付与手段を、この順序で有することを特
徴とするものである。
以下、本発明を、実施例について図面を参照しつつ、更
に詳細に説明する。
■       明1m−dt%!F(内容に変更ない
「第1図に、未発・明の液晶表示装置の一実施例の模式
側断面図を示す。
この実施例において、表示装置は、偏光板11、該偏光
板11と逆側に透明導電層13を有し且つ透明な第1の
基板12.電界に応じて偏光特性を変化させ且つメモリ
ー性を有する液晶層14、第2の基板15.電界付与手
段16および光源17を、この順序で配置してなる。こ
のうち第1の基板12から第2の基板15までの部分は
、特に図示しないが、周縁部を接着剤により固定し、適
宜液晶層14中にスペーサを配置した液晶セル構造をな
している。
液晶層14を構成する液晶としては、高速応答性と電界
に対する双安定性(メモリー性)を有する。カイラルス
メクティックC相(SmC”)またはH相(SmH”)
の液晶をはじめとする強誘電性液晶が好ましく用いられ
る。このような強誘電性液晶は、′ル、ジュルナル、ド
、フィズイク、レトルズ” 3B  (L−89) +
975. r強誘電性液晶」 (LE JOURNAL
 DE PHYSIQUE LETTER9”叩訃^の
;γ町内容に変更なし) 3B  (L−89)  1975  、  r  F
erroelectric  LiquidCryst
alsJ ) ;”アプライド、フィズイクス。
レターズ°°井(11) 1980.  r液晶のサブ
・マイクロ秒双安定スイッチング」 (”Applie
d PhysicsLetters ” 3B (11
) 198G、r Submicro 5econdB
i−5table Electrooptic Swi
tching in LiquidCrystals 
J )  ;”固体物理″18(141)  1981
「液晶」等に記載されており1本発明ではこれらに開示
された強誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシ・ベンジリデン−P′−
アミノ−2−メチルブチルシンナメー) (DOBAM
BC)、ヘキシルオキシベンジリデン−p′−アミノ−
2−クロロプロビルシンナメ−ト(HOBACPC)お
よび4−o−(2−メチル)−プチルレゾルシリデンー
4′−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる
。 この種の強誘電性液晶の電界下での挙動は、基本的
には例えばクラークとラガバルが、米国特許第436明
細ト浄T!!(内容に変更なし) 7924号明細書で開示している通りであり、要は、こ
れら強誘電性液晶の層に電界が作用すると、その電界が
液晶層によって定まる閾値を越える場合のみ、該液晶層
を構成する液晶分子の双極(以下余白) 応じて液晶分子は第1または第2の安定状態をとる。そ
してこの安定状態は1次に逆向きで閾値以上の電界が作
用するまで維持される。また第1と第2の安定状態では
偏光作用(複屈折効果)が異なるので、この差異を利用
して表示材料として用いられる。上述した双極子モーメ
ントと電界との相互作用による高速応答性と、メモリー
性を与える双安定性とにより強誘電性液晶は、優れた表
示材料となるものである。
本発明においては、このような強誘電性液晶に、例えば
その0.5〜8重量%の直線二色性の染料を添加して、
いわゆるゲスト−ホスト型の液晶組成物により液晶層1
4を構成することが特に好ましい、その理由は、次の通
りである。
強誘電性液晶の電界による動作は、基本的には複屈折モ
ードであり、表示装置を構成するには液晶層前後に各1
枚の偏光板が必要となる。ところが、通常、偏光板の厚
さは0.5mm程度と厚いものであるため、例えば第1
図に示す構成において、偏光板(図示せず)ならびに基
板15を介して電界付与手段16により液晶層14に電
界を付与する場合、実効的に液晶層に作用する電界が極
端に弱まり、実用的でない、これに対し上述したように
、ゲスト−ホスト型の液晶材料を用いて、第1図に示す
ように、基板15と電界付与手段16の間の偏光板を省
略し、逆側の偏光板11のみにより表示を行なえば、液
晶層14に印加される実効電界を高く保つことできる。
同様な理由により、第2の基板15の厚さは可能な限り
薄いことが好ましく1通常0.3mm以下、特に0.1
5mm以下のガラス板、あるいは厚さが2〜200IL
m程度のプラスチックフィルム等が好ましく用いられる
また上述した強誘電性液晶とともに用いてゲスト−ホス
ト型の液晶材料を与える二色性染料の代表例は下記のと
おりである。
本発明では、これらの二色性染料の他に、少なくとも1
つの発色団部分と少なくとも1つの光学活性部分を単一
分子中に含むヘリクロミックな二色性染料を用いること
ができる。具体的な発色団としてはアゾ、アゾ−スチル
ベン、ベンゾチアゾリルポリアゾ、アゾメチン、メチン
、メロシアニン、アントラキノン、メチンーアリーデン
、テトラジン、オキサジアジンカルバゾール−アゾなど
を用いることができる。また、光学活性部分は不斉炭素
原子を有する有機基で、具体的には(+)−2−メチル
アルキル基、(+)−3−メチルアルキル基、(+)−
2−メチルアルコキシ基、(+)−3−メチルアルコキ
シ基、(+)−3−メチルシクロヘキシル、  (+)
−α−メチルベンジル、(+)−2−メチルブチルビフ
ェニル)−2−メチルブチルフェニルチオ、(+)−N
−2−メチルブチルアミノナフタレンなどを挙げること
ができる.代表的なヘリクロミックな二色性染料を下記
に示す.これらの合成法は、特開昭59−93777号
公報に開示されている。
しrts 電界付与手段16としては、例えば特開昭54−781
34号、特公昭5B−35874号各公報等に記載され
ているようなイオン発生器ないしイオン流供給源が好ま
しく使用できる。
このイオン発生器の概要を第2図(a)および(b)を
参照して説明する.第2図(&)は、1!ね,光源17
ならびにそのフードを除いて,右方より見た電界付与手
段16の一例としてのイオン発生器18Aの拡大部分平
面図であり、第2図(b)はその断面を、その駆動電源
ならびに液晶セルの断面とともに示す説明図である。
このイオン発生器16Aでは、絶縁層23の一面に設け
た電極21 (21a、  2 l b、21c、21
 d)に交流高電圧を印加し、逆側に設けた電極22(
22a、22b、22c、、、)との間に生じた電界に
より絶縁層23を充放電する。これにより電極22の開
口部24には、正または負のイオン源が形成される。か
くして形成されたイオンを電極22に加えるパルス電圧
と、該電極22からスペーサ25により一定の間隔を保
たれた電極26との間の電圧により1選択的に正または
負のイオンを取りだし、液晶セルの対向電極13との間
での直流電界により、液晶セルの基板15にイオン流を
照射する。かくして電極22にデジタル画像信号に応じ
た信号電圧を印加することにより、基板15上にはイオ
ン電荷像(本例では負電荷像)が形成され、これと対向
基板13との間に形成された電界により、上述したよう
な液晶の配向状態の変換が行なわれる。
第2図に示すイオン発生器16Aにおいては。
開口部24のそれぞれが1画素に相当するものであり、
イオン発生器16Aが液晶セルに対して相対的に第2図
の左方に移動することを前提として、第2図(a)の上
下方向の配列密度を高めるために、各列毎に斜めに4個
の電極21 a721dが配列され、この列が液晶セル
の巾方向に相当して第2図(a)の上下方向に繰返し配
列されることにより、上下方向に延長した一種のイオン
発生素子アレイが形成されている。したがって、このイ
オン発生器16Aを、矢印AAに示すように左方に移動
しつつ、電極21への交流印加電圧と電極22への信号
印加電圧との間でマトリクス駆動を行なうことにより、
少ない開口部ならびに駆動素子数で、液・基セル全面へ
の画像状電圧印加が可能になる。
上述したように、第2図に示すようなイオン発生器ない
しイオン流供給源は、本発明において用いる電界付与手
段として特に適したものであるが、これ以外にも針電極
その他の公知手段により第2の基板15に電荷を与え、
これにより液晶に電界を作用させることもできる。更に
、イオン発生器等により電荷を基板に与えることなく、
その代わりに基板に近接した電極等の電界付与手段を用
い、これとセル中の透明導電層との間で生じさせた電界
によって、直接液晶を動作させることも可能である。
11五A」 上述したように、本発明によれば、電界に応じて偏光特
性を変化さ゛せ且つメモリー性を有する液晶層と、外部
電界付与手段と、該外部電界付与手段とは液晶層を介し
て反対側に設けた偏光板の組合せにより、高速応答性を
有し且つ高解像度であるだけでなく、小型で耐久性に優
れたメモリー型の液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例にかかる液晶表示装置の模式
側断面図、第2図(a)はそれに用いられる電界付与手
段の好ましい一例としてのイオン流供給源の部分平面図
、第2図(b)は該イオン流供給源と液晶セルとの組合
せ状態における部分断面図である。 11@−・偏光板 12・・・第1の基板 13・・・透明導電層 14・・・液晶層 15@・会第2の基板 16・・・電界付与手段 (16A・・イオン流供給源) 17・・拳光源 幻J:第1図 第1因 第2図 手続補正書(方幻 昭和80年5月29日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、偏光板、該偏光板と逆側に透明導電層を有する第1
    の基板、電界に応じて偏光特性を変化させ且つメモリー
    性を有する液晶層、第2の基板および電界付与手段を、
    この順序で有することを特徴とする液晶表示装置。 2、前記液晶層が、染料を含有する強誘電性液晶よりな
    る特許請求の範囲第1項に記載の液晶表示装置。 3、前記第2の基板の液晶層とは反対側に光源を有する
    特許請求の範囲第1項または第2項に記載の液晶表示装
    置。 4、前記第1の基板および第2の基板のうち、少なくと
    も第2の基板がプラスチック製である特許請求の範囲第
    1項ないし第3項のいずれかに記載の液晶表示装置。 5、前記電界付与手段がイオン流供給源である特許請求
    の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の液晶表示
    装置。 6、前記電界付与手段が可動電極である特許請求の範囲
    第1項ないし第4項のいずれかに記載の液晶表示装置。
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