JPS61156414A - 流体の流れの量を制御する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は管を通る流体流量を制御する装置に関し、前記
装置は弁！！素を有している制御弁を備えており、前記
弁要素に属する弁座に対する弁要素の位置が管を通る流
体流量を直接又は間接的に決定し、前記弁要素は弁座に
対して１方の方向にプログレジイブ（ｐｒｏｇｒｅｓｓ
ｉｖｅ　）スプリングによって１方の側に可動であり、
且つ弁座に対して反対方向にスプリングの力に抗して制
御可能な作動要素によって他方の側に可動である。

従来の技術及び発明が解決しようとする問題点電磁的に
、気体作動的に、ピエゾ電気的に、又は熱的に制御され
る制御弁を有することのような装置はそれ自体公知であ
る。例えば電磁的に制御される、流体流れ管内に直接配
置されるこのような制御弁の場合には、弁要素は電磁石
によって作動され、この電磁石がそれに供給される電流
の強さに比例する力を弁要素に加えることができる。

弁要素が、例えば弁ステム（ＶａｌＶｅ　Ｓｔｅｍ＞の
ような、弁要素に固定した部分と一緒に＃！擦なく懸垂
されれば、このような弁によってうまく制御できるよう
に思われる。

このような弁の第１の決定は作動要素が弁要素に制限さ
れた力のみを加えることができるという事実から生ずる
。電磁的に制御された弁の場合には、最大の電流は、一
方において、′Ｒ磁石構成自身の機械的な制限のため、
他方においては、制御Ｉ！流を供給するのに必要である
電気的制御回路によって設定される制限のため、電磁石
によって制限される。この制限された最大の電流のため
に、Ｉｔ電磁石持ち上げる力も制限される。このような
１１京はまた気体作動的に、ピエゾ電気的に、又は熱的
に！１１制御される弁にも適用される。以下に基本とし
て取り上げた実施例は電磁的に制御される弁であるが、
本発明はそれに限定されない。

入口圧力が弁要素の外側に作用する型式の弁の一場合に
は、特定の最大圧力差において電磁石は従ってもはや弁
要素を弁座から持ち上げることができない。従って高い
圧力差によって弁は閉じたままとなる。弁要素が弁座か
ら持ち上げられるように入口圧力が働く型式の弁の場合
には、特定の最大圧力差において、電磁石は弁要素を弁
座の方′にもはや動かすことができず、従って高い圧力
差において弁は連続的に広く開いたままである。

第２の決定は、弁座の最適通路直径が入口圧力、出口圧
力、又は双方に依存しているという事実から生ずる。一
般的に弁上の圧力差の増加と共により小さい直径の通路
が使用されなければならない。

実際上は、通路の直径は予期されるべき最少圧力差（及
び最大流体流量）に基づいて一般に選択され、その゛結
果、多くの場において弁の実際の制御範囲内でこの通路
の直径は実際に大きすぎ、このことは弁の制御性能に非
常に悪い影響を与えることを意味している。

実際上は、このような制御弁が使用されるべき制御シス
テムでは、特定の弁によって制御されることができるよ
りも大きな圧力差をしばしば生ずる。許される′ｉＩｉ
流の強さ、従って最大の持ち上げる力を増加するために
対策をとることができるが、これは、一方においては、
一般的に重い、且つかさばった弁構成となり、一方高い
最大の電流の強さを供給できなければならない制御可能
な電流源もまたはるかに高い必要要件を満たさなければ
ならない。他方において、最大電流の強さを同じに保ち
ながら、高圧力差においてなお調節を可能にするために
、弁座の通路の直径は減少することができるが、これは
しばしば最大流体流量の好ましくない制限となる。

本発明の目的はこの問題の解決法を提示することであり
、そして詳細には、広い範囲の入口及び出口圧力を考慮
して、管を通る流体流量の正確な制御が達成されること
ができる方法を示すことである。

問題点を解決するための手段 この目的は前文に述べた型式の装置を有する本発明によ
って達成される、従って本装置は減圧弁を備えており、
その弁要素が作動機構によって制御され、この作動ｉ構
に第１の制御弁の上流及び下流の圧力又はそれに比例す
る圧力に対応する信号が、第１の制御弁上の圧力差が一
定に保たれるように供給される。

制御弁上の圧力差を一定に保つことによって、作動要素
、例えば電磁石及び電磁石によって制御電流の供給のた
めの付属（ａｃｃＯｌｌｌｐａｎｙ）スイッチに最適の
ディメンションを与えることを可能にし、このようにし
て弁要素は弁ディスクに対して任意の所望の位置に動か
されることができる。特定の最大値に対して電磁石によ
る電流の強さのｖ１限によって生じた、上に明記した公
知の電磁制御弁の制限は従って克服される。同じことが
既述の他の型式の作動要素に適用される。

制御弁上の一定の圧力差によって、弁の通路の直径もま
た更により最適な値に選択されることができ、従って本
発明による装置は公知の制御弁に比べてより改良された
制御性能を有している。

以下に詳細に説明する如く、弁座の通路の直径の最適な
選択はしばしば制御弁上の圧力差に依存するばかりでな
く、制御弁の下流側上の圧力にも依存する。本発明によ
る装置の好ましい実ｍ態様は従って、減圧弁の作動機構
がまた第１の制御弁の下流の圧力、又はそれに比例する
圧力に対応する信号を供給され、そして減圧弁の弁要素
筒１の制御弁上の圧力差と第１の制御弁の下流の圧力と
の積が一定に保たれるように制御されることを特徴とし
ている。これは装置の上流及び下流の圧力変化に関係な
く、ｖｔＮに最適な制御性能を提供する。

この原理に基づいて、本発明の更に他の実施態様は減圧
弁の作動機構がまた１又はそれ以上の他の圧力に対応す
る信号を供給され、そして第１の制御弁上の圧力差と他
の上記の圧力との積が一定に保たれるように減圧弁の弁
要素が制御されることを特徴としてい゛る。この方法で
は、弁のＩＩＩ　ｍは、上記の利点によって、例えば、
制御システムにおいて広く行なわれている任意の圧力に
依存して行なわれることができる。

弁要素に属する弁座に対する制御弁の弁要素の位置が管
を通る流体の流量を直接又は間接的に決。

定することは前文において述べられている。この位置が
管を通る流体の流量を直接決定する実ｍ態様では、制御
弁は減圧弁と直列に流体流れ管内に直接組み入れられ、
そして減圧弁が制御弁の上流及び下流の圧力に対応する
信号によつ、て制御される。

弁要素に属する弁座に対する制御弁の弁要素の位置が管
を通る流体の流量を間接的に決定する実１！Ｍ態様は本
発明によれば、一方の側において弁要素に属する弁座に
対してスプリングによって圧力が加えられ、そして他方
の側において２つのチャシバ間に位置づけされたダイア
フラムに連結されている弁要素を有する第３の制御弁が
流体の流れ管内に組み入れられており、上記２つのチャ
ンバの中の第１のチャンバが流体流れ管の上流部分に直
接連結されており、−力筒２のチャンバが該第３の制御
弁の上流側及び下流側の流体流れ管の支管間に走ってい
るｌＩＩｗＪライン内に設けられており、前記制御ライ
ンが第２のチャンバの上流に流れ制限！！素を備えてお
り、且つ第２のチャンバの下流に第１の制御弁を備えて
いることを特徴としている。

この最後に説明した実ＭＭ様では、従って第１の制御弁
はパイロット弁として役立ち、このパイロット弁によっ
て第３の制御弁が作動される。このパイロット配置によ
って、第１の制御弁の電磁石に供給されなければならな
い′Ｉ１ｍの強ざはそれ自身既に大きく制限され、換言
すれば、比較的小ざい電流の強さによって広範囲の圧力
差がカバーされ、そして比較的大きな流量が制御される
ことができる。このパイロット配置は、しかし乍ら、差
動圧力に依存しており、差動圧力に依存する全装置の性
能となるパイロット弁の制御性能に対する解決を提供し
ない。第７の＄り御弁上の差動圧力が再び一定に保たれ
るように減圧弁の追加及びその制御によって、この相対
的配置においてパイロット弁として作用する第１の制御
弁は最適なように寸法が定められ、且つまた最適な制御
性能を提供することができる。このことは全体の制＠装
置の制（社）性能がまた最適化されることを意味してい
る。

パイロット弁配置を有するこの４ｉ置の好ましい実施態
様では、減圧弁はｗ４１の制御弁と直列に第２のチャン
バの上流の制御ライン内に取付けられ、そして減圧弁は
第１の制御弁の上流及び下流の圧力に対応する信号によ
ってＩｌｌ　ｍされる。

しかし乍ら、また、減圧弁は、制御ラインが分岐し、且
つ第３の制御弁が取付けられている流体の流れ管の部分
と直列に流体流れ管内に取付けられることも可能であり
、そして減圧弁が上記の部分の上流及び下流の圧力に対
応する信号によって制御されることも可能である。この
最後に述べた実施態様では、従って減圧弁は第１の制御
弁の上流及び下流の圧力に対応する信号によって直接制
却されないが、圧力と直線関係を有している信号によっ
て制御される。

本発明の更に他の詳細、利点及び好ましい実施態様を図
を参照して更に以下に論述する。

実　　施　　例 第１図は従来技術から公知であり、且つ電磁石によって
作動される弁を概略的に示している。この公知の弁は入
口ボート２、出口ポート３、通路用口９を有する弁座と
を有するハウジング１と、アーマチャー５に連結されて
いる弁要素４と、弁要素４及びハウジング１に連結した
プログレッシブ（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｖｅ　）スプリン
グ１０と、そして端子７及び８を有する電磁ソレノイド
６とを備えている。入口圧力はＰｌであり、出口圧力は
Ｐ２であり、従フて弁上にはＰ−Ｐｉ−Ｐ２の圧力差が
ある。弁ディスクを持上げるための垂直上方への力Ｆは
電磁石のコイル６を通るエネルギーの流れ■及び弁上の
圧力差ΔＰによって決定される。弁士の圧力差、持上げ
力、及び弁座の通路の直径間の関係は： １／　４．［、ｄ”　、　ΔＰ−Ｆ。

によって決定される。

一旦弁座の通路開口９の直径ｄが選択され、そしてまた
電磁石コイルを通る最大電流がどの位であるかが決定さ
れると、最大圧力差ΔＰもまた規定される。最大圧力差
は電流を増加するか−これは機械的な観点あるいは制迎
工学上の考察からしばしば望ましくない−又は通路の直
径ｄを減少するかのいづれかによってのみ増加されるこ
とができるが、これは弁からの最大流量が減少されるこ
とを意味しており、これもまたしばしば望ましくない。

公知の如く、弁座直径ｄと弁に対する所ＩＫＶ値との間
には関係がある。ＫＶ値は下記の式によって表わされる
： （ａ　）ガスに対して： ２５７、　Ｐｌ ＜ｂ　＞液体に対して： （ｃｕ、　　　ｍ／ｈ　　） ρｎ−９０℃、１気圧における密度 （Ｊｌ／ｃｕ、　ｒａ　） Ｔ一温度（Ｋ＞ Ｐｌ−人口圧力（バール） Ｐ２−出口圧力（バール） ΔＰ−圧力差（バール） θＶ−液体流量（ｃｕ、　ｍ、／ｈ　）ρ−密ａ　　（
ｋｇ／ｃｕ１ｍ　　） 変化した圧力差によって、あるいは入口又は出口圧力の
変化によってＫＶ値も変化することがこれ等の式から明
らかであり、従って実際に通路の他の直径ｄもまた弁座
に対して各々の場合に選択されなければならない。同じ
ガス又は液体の流れにより圧力差を変化する過程におい
て、１つのＫＶ値のみが従って実際に最適値である。殆
んどの場合に、最低圧力、又は最低圧力差に６ける弁座
のＫＶ値、即ち通路の直径ｄを選択する。これは、高い
圧力、又は高い圧力差のとき、ＫＶ値は実際に高すぎ（
通路の直径ｄが大きすぎ）、これは制御性能を悪くする
。

第２ａ図及び第２ｂ図は本発明による制ｗＪ装置の２つ
の実ｙ＆態例を概略的な形式で示している。

同じ参照番号が双方の図に使用されている。この２つの
装置は、第１図に実施例として示されている型式の直列
配置の制御弁１１と、流体流れ導管１３内に取付けた減
圧弁１２とを備えている。第２８図において、減圧弁１
２は制御弁１１の上流に取付けられている。減圧弁１２
は、圧力差ΔＰ−Ｐ　１−Ｐ２ニヨクＴｉｔｌＪＩ１機
能１４を経て、コｆ）圧力差（少くともほぼ）一定を保
つように作動される。弁が臨界未満の範囲で作動するよ
うな値に△Ｐもまた維持されれば、上記の式（１）から
、Ｐ２が一定であると仮定すると、ＫＶ値は実際に一定
値であることは明らかであり、これは弁座の通路の直径
ｄがその最適値に選択されることができることを意味し
ている。従ってＫＶ値は更に入゛　力圧力Ｐ’Ｍに関係
がなく、そして出口圧力Ｐ２が変化を示しても、公知の
ＩＩＪ　ｔｌｌｌ弁と比較してその影響は非常に減少さ
れる。

第２ｂ図の実施態様においては制御弁１１は減圧弁１２
の上流にある。この場合には、全ユニットの機能は第２
図の機能と実際に同じである。しかし乍ら、第２ａ図は
少くともほぼ一定の出力Ｐ２に基づいており、−力筒２
ｂ図は少くともほぼ一定の入口圧力Ｐ１に基づいている
。流体制御弁１１上の圧力差ΔＰは一定に保たれるので
、その場合には流体制御弁の出口圧力Ｐ２もまた減圧弁
１２の下流の圧力Ｐ２”に関係なくほぼ一定であり・従
って・この実！！！！様でも、ＫＶ値は一定値を有して
おり、従って弁座の通路の直径ｄは最適値に選択される
ことができる。

入口圧力Ｐ１及び出口圧力Ｐ２の双方が非常に大きく変
化できる制御システムでは、減圧弁の制御において出口
圧力Ｐ２をも考慮する異なる実施！Ｂｉｂを使用するの
が好ましい。その実施例が第３ａ図及び第３ｂ図に示さ
れている。この第３ａ図ではＩ＋７御弁１１は減圧弁１
２の下流にある。圧力差ΔＰ−Ｐ２−Ｐｉは制御機能１
４に供給されるＰ２及びＰｌの双方によって再び一定に
保たれる。制ｗ機能１４からの出力信号は一第２図の如
く一減圧弁１２のための制御信号として直接使用されな
いが、制御弁１１の出口圧力Ｐ２及び例えば、標準大気
圧を有することができる一定の基準圧力信号ＰＯと一緒
に更に他の制御機能１５に供給される。この第２の制ｍ
＋機能１５からの出力信号は積ΔＰ−Ｐ２が一定に保た
れるように減圧弁１２のための制御信号として使用され
る。上記の式（１）から、ΔＰ−Ｐ２を一定に保つこと
によって、ＫＶ値は、いかなる変化する入口圧力Ｐ１及
び／又は変化する出口圧力Ｐ２に関係なく、すべての情
況において一定であることは明らかである。このような
制御装置では、従って装置を通る流体の流量は変化する
入口又は出口圧力に関係なく、最適な方法で調節される
ことができる。

第３ｂ図は流体！１節器１１の下流に圧力３１節器１２
を有する他の実施態様を示している。この実施態様の機
能は上記に従い更に説明を要しない。

本発明を使って達成される改良を数値的実施例によって
以下に説明する。

下記のデータが基礎として採用される：ΔＰａ１ｎ讃１
バール Ｐｌ−１０−４００バール Ｐ２−０−３９９バール θＶｎ−５１４１ｎ／ｈ） ρｎ　　＝　１　、　２５ｋｇ／ｃｕ、　　ｍ、　ＣＭ
東Ｎ　ｔ　　）Ｔ−３００に 本発明によるΔＰ補償のない従来技術（第１図の実施態
様参照）から公知の制御弁に対しては、従って下記を適
用する： Ｐｌ−１０パール及びＰ２−０バールにあける鰻大ＫＶ
値 ２５７ｘＰ１　　２５７ｘ１０ Ｐｌ−４００及びＰ２−０バールにおける最小ＫＶ値 この最大及び最小ＫＶ値からオーバディメンジョニング
ファクタ（ｏｖｅｒｄｉｍｅｎｓｉｏｎｉｎｇ　ｆａｃ
ｔｏｒ　）が計算されることができる： ＫＶ２　９．７Ｘ１０−’ ガスの流れが臨界未満の領域にあるようにΔＰが選択さ
れていると仮定している、第２ａｌｌ又は第２ｂ図に例
示された如き本発明による装置の実施態様に対してニ ーＰ１−１０バー）Ｌｔ及ＵＰ２−１０−１−９バール
における最大ＫＶ値 −Ｐｉ−４００バール及びＰ２−９９バールにおける最
小ＫＶ値 この最大及び最小ＫＶ値からオーバディメンジョニング
ファクタが再び計算される゛ことができる：第２ａ図又
は第２２ｂ１による△Ｐ補償によって、このようにして
このオーバディメンジョニングファクタの明らかな改良
が達成され、これは大きく改良された制御性能によって
実際に表わされる。

第３ａ図及び第３ｂ図の実施態様は大きな改良をも与え
ており、且つ原則的にオーバディメンジョニングファク
タを１に減少する。

第４図は第２ｂ図の実Ｍ態様に対応している、本発明に
よる制御り装置のより実際的な実施！！！ｉ様を非常に
概略的に示している。制御弁は本図９左側に示されてお
り、そしてその部分は第１図と同じ参照番号を有してい
る。減圧弁が右側に示されており、この減圧弁はハウジ
ングの島部分２８と共に働く弁要素２４を含んでいるハ
ウジング２０を備えている。弁要素２４は弁ステム２５
に連結されており、その他端はハウジング２０内に張力
下に保たれているダイアフラム２６に取付けられている
。スプリング２７がダイアフラム２６とハウジングの内
方に突出している部分との間に作用している。ライン３
０及びハウジング２０の連結ソケット２１を経て、減圧
弁は制御弁の出口側に連結されている。ライン２９及び
ハウジング２０の入口ソケット２２を経て、装置の入口
圧力Ｐ１は減圧弁に伝えられる。ハウジング２０の出口
ソケット２３はまた装置の出口を形成する。

第２ｂ図の説明により、この実施態様の作動方法は更に
説明しなくても明らかであろう。

第５図は第３ａ図の装置のより実際的な実施態様の概略
図を示している。同じ参照番号によって示されている第
１図の制御弁が再び本図の右側に示されている。△Ｐ補
償及びＰ２補償の双方を行なう減圧弁が左側にある。

この減圧弁は座部弁３２を有するハウジング３１を備え
ている。弁ステム３４を有する弁要素３３がこのハウジ
ング内に配置されており、この弁ステム３４は２点にお
いてダイアフラム３５及び３６に連結されている。スプ
リング３７によフて、ダイアフラム３５は下方に押され
ている。

この装置の出口圧力Ｐ２はライン３８を通り、ダイアフ
ラム３５とダイアフラム３６との間のチャンバに供給さ
れる。基準圧力、この場合には大気圧力ＰＯはダイアフ
ラム３６の頂部側にあり、そして流体は導管３９を経て
圧力Ｐ１−で装置内に流入する。

第３ａ図の説明により、この実施態様の作用方法はまた
明らかであり、そして更に説明する必要はないであろう
。

第６図は間接的に制御された弁装置の実ａＳ様を例示し
ている。弁４１が流れ主管内に配置されており、その弁
要素の位置はダイアフラムチャンバ４３内に配置された
ダイアフラム４２によって調節される。スプリング４７
がまたダイアフラムチャンバ４３の頂部側に配置されて
いる。このダイアフラムチャンバ４３の底部側は入って
くる流体の管４ｏに直接連結されており、そしてダイア
フラムチャンバ４３の頂部側は−それ自体公知の−圧力
制限要素４４によって、入口管４０に連結されている。

ダイアフラムチャンバ４３の頂部側はまたソレノイド４
６によって制御される制御可能な弁４５によって、出口
管５３に連結されている。

入口圧力はＰｌに等しく、出口圧力はＰ２に等しく、そ
してダイアフラムチャンバの頂部側の圧力はＰ３によっ
て示される。弁４５が閉止され、゛従って流体が圧力制
限要素４４を通り流れていなければ１．ダイアフラムチ
ャンバ４３内のスプリング４７は弁４１が閉止を保つの
を保証し、そしてこの場合にはＰｉ−Ｐ３であり、従っ
て持ち上げる力はダイアフラムに加わらない。

ソノイド４６を経て弁４５が開かれると、流体が圧力制
限要素４４、ダイアフラムチャンバ４３及び弁４５を経
て出口管に流れ始める。この流体の流れは、圧力制限要
素を通って圧力降下を受けるので、Ｐ３はＰｌよりも小
さくなる。圧力差Ｐｉ−Ｐ３のため、スプリング４７の
力よりも大きい持ち上げる力が生づるので、ダイアフラ
ム４２、従って弁４１の弁要素４１は動かされることが
できるので、流れ主導管４０〜５３は大きい範囲に又は
小ざい範囲に開かれることができる。

弁４５を通る流れを制御することによって、ダイアフラ
ム上の持ち上げる力、従って弁４１を通る流路は制御さ
れることができる。

このような試験的な構成の利点はコイル４６を通る比較
的小さい電流の強さによって、例えば第１図に例示され
た如き直接制御される弁により可能であるよりもより広
い制御範囲が達成されることができることである。しか
し乍らこの装置でも、制御弁４５上の変化する圧力差Δ
Ｐ−Ｐ３−Ｐ２があり、これが理想的でない１ｉｌｌｌ
［ｌプロセスを生ずる。特定の状態によって、減圧弁が
種々の方法で本発明により加えられることができ、これ
によって制御弁４５上の圧力差が（はとんど完全に）一
定に保たれる。

第７ａ図は第６図の制御弁４５が破線４８内で第２ｂ図
に例示された型式の制御ユニットによりて置き換えられ
ている概略的な実ＭＢ様を示している。その異なる部分
はもはや個々に言及しない。

更に詳細に論述しなくても、この実ｔＳＳ様において大
きな改良されたｙ４節が得られることは明らかであろう
。第３ａ図又は第３ｂ５Ｊによる実施態様が破線４８内
に使用されれば、更に他の改良が得られる。

第７ｂ図は減圧弁４９が弁４１の出口管５３内に配置さ
れている実施態様を例示している。ライン５２を経て圧
力Ｐ２が、そしてライン５１を経て圧力Ｐ１が制御機能
５０に供給され、そして減圧弁は再びΔＰ−Ｐｉ−Ｐ２
を一定に保とうとする。制限要素４４上の圧力の小ざい
降下によって制御弁４５を通る圧力差ΔＰ−−Ｐ３−Ｐ
２もまた（はとんど完全に）一定に保たれて、全体とし
て装置の改良された制御性能となる。

第２−図から類推して、第７ｂ図の減圧弁は弁４１の上
流に配置されることができることは明かである。また第
７ｂ図においてΔＰ−Ｐ２補償も第３ａ図又は第３ｂ図
から類推して実廠されることができる。

第８図は、調節装置がΔＰ　（Ｐａ　、　Ｐｂ　、　Ｐ
ｃ・・・）を一定に保とうとするように制御される減圧
弁を備えた、本発明の更に他の開発（ｄｅｖｅｌ−ｏｐ
ｍｅｎｔ　）を概略的に示しており、この場合にＰａ。

Ｐｂ、ＰＣ・・・制ｍ＋装置が反応しなければならない
任意の圧力である。上記では実施例として圧力Ｐ２が与
えられる。

第５図に示された実際の実施態様では、減圧弁は、Ｐｌ
−に依存する調節のためのダイアフラム３５に加えて、
第２のダイアフラム３６を有しており、この第２のダイ
アフラム３６によって装置の調節がまたＰ２に依存する
。この第２のダイアフラムが隔離したチャンバを生じ、
このチャンバに圧力Ｐ２が供給される。更に他のダイア
フラムを加えることによって、更に他のチャンバが加え
られることができ、このチャンバに更に圧力が供給され
ることができる。これによって上記のΔＰ。

（ｐａ、　Ｐｂ　、　Ｐｃ　・・・）制御が達成される
ことができることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術から公知である電磁的に作動される制
御弁を概略的に示している。 第２図はΔＰ調節を有する本発明による装置のダイアグ
ラムを示している。 第３図はΔＰ−Ｐ２１１１５を有する本発明によるｔｉ
ｋＨのダイアグラムを示している。 第４図は第２ｂ図からの＠置の実際上の実施態様を概略
的に示している。 第５図は第３ａ図からの装置の実際上の実ｊｉＭ様を概
略的に示している。 第６図はバイロット弁配置を有する装置のダイアグラム
を示している。 第７図は第６図の装置と共に使用される本発明による装
置のダイアグラムを示している。 第８図はΔＰ、（Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ　）調１１！する本
発明による装置のダイアグラムを示している。 １．２０・・・ハウジング ４、２４　・　・　・弁　　要　　素 ６・・・電磁石ソレノイド。 １１・・・制　御　弁 １２．４９・・・減　圧　弁 １３・・・流体流れ管（又は導−管） １４．１５・・・副部機能 ３５．３６．４２・・・ダイアフラム ４３・・・ダイアフラムチャンバ ４４・・・制限要素 ４５・・・制　御　弁 特許出願人　プロンクホルスト・ハイー累チク・ベー・
ブイ　　　　　　−８、 ５日−日す ら日−ろ１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、弁要素を有している制御弁を備えており、該弁要素
   に属する弁座に対する該弁要素の位置が管を通る流体流
   量を直接又は間接的に決定し、該弁要素が該弁座に対し
   て１方の方向にプログレシイブスプリングによって１方
   側に可動であり、且つ該弁座に対して反対の方向に該ス
   プリングの力に抗して制御可能な作動要素によって他方
   の側に可動である、管を通る流体の流れの量を制御する
   装置において、 該装置がまた減圧弁を備えており、その弁要素が作動機
   構によって制御され、該作動機構に対して、第１の制御
   弁上の圧力差が一定に保たれるように、該第１の制御弁
   の上流及び下流又はこれに比例する圧力に対応する信号
   が供給されることを特徴とする装置。 ２、該減圧弁の作動機構がまた該第１の制御弁の下流の
   圧力、又はこれに比例する圧力に対応する信号を供給さ
   れ、そして該減圧弁の弁要素が該第１の制御弁上の圧力
   差と、該第１の制御弁の下流の圧力との積が一定に保た
   れるように制御される特許請求の範囲第１項記載の装置
   。 ３、該減圧弁の作動機構がまた１又はそれ以上の他の圧
   力に対応する信号を供給され、そして該減圧弁の弁要素
   が、該第１の制御弁上の圧力差と、該他の上記の圧力と
   の積が一定に保たれるように制御される特許請求の範囲
   第１項又は第２項記載の装置。 ４、該制御弁が該減圧弁と直列に該流体流れ管内に直接
   組み込まれており、そして該減圧弁が該制御弁の上流及
   び下流の圧力に対応する信号によって制御される特許請
   求の範囲第１〜３項のいづれか１つの項に記載の装置。 ５、弁要素を有する第３の制御弁が該流体流れ管内に組
   み込まれており、該弁要素がそれに属する弁座に対して
   スプリングによって１方の側に圧力がかけられ、そして
   他方の側において２つのチャンバ間に位置づけされたダ
   イアフラムに連結されており、その中の第１のチャンバ
   が該流体流れ管の上流部分に直接連結されており、一方
   第２のチャンバが該第３の制御弁の上流及び下流の該流
   体流れ管の支管の間を走っている制御ライン内に設けら
   れており、該制御ラインが第２のチャンバの上流に流れ
   制限要素を、そして該第２のチャンバの下流に該第１の
   制御弁を備えている特許請求の範囲第１〜３項のいづれ
   か１つの項に記載の装置。 ６、該減圧弁が該第１の制御弁と直列に該第２のチャン
   バの上流の制御ライン内に取付けられており、そして該
   減圧弁が該第１の制御弁の上流及び下流の圧力に対応す
   る信号によって制御される特許請求の範囲第５項記載の
   装置。 ７、該減圧弁は、制御ラインが分岐しており、そして第
   ３の制御弁が取付けられている該流体流れ管の部分に直
   列に該流体流れ管内に取付けられており、そして該減圧
   弁が上記部分の上流及び下流の圧力に対応する信号によ
   って制御される特許請求の範囲第５項記載の装置。