JPS6115588Y2 - - Google Patents

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JPS6115588Y2
JPS6115588Y2 JP3388381U JP3388381U JPS6115588Y2 JP S6115588 Y2 JPS6115588 Y2 JP S6115588Y2 JP 3388381 U JP3388381 U JP 3388381U JP 3388381 U JP3388381 U JP 3388381U JP S6115588 Y2 JPS6115588 Y2 JP S6115588Y2
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JP
Japan
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frequency
heating chamber
reception port
rotating disk
guided
Prior art date
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JP3388381U
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JPS57147596U (ja
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
この考案は低誘電体からなる基板上に金属片を
配設して励振口を形成してなる回転円板が加熱室
の高周波受入口に設けられた高周波加熱装置の改
良に関する。 第1図および第2図は従来の高周波加熱装置、
例えば電子レンジ全体の概略構成を示すもので、
1は本体である。この本体1内には加熱室2およ
びマグネトロン(高周波発振器)3が収納されて
いる。この加熱室2の天井板2aには円形の高周
波受入口4が設けられており、この高周波受入口
4を上方から被うように空胴箱5が天井板2aに
取付けられている。この空胴箱5は前記マグネト
ロン3から出力された高周波を導く連結部6に連
結され、この連結部6とともに導波管を構成する
ものである。また、加熱室2の高周波受入口4に
は、この高周波受入口4より若干小さい回転円板
7が設けられている。この回転円板7は低誘電体
からなる円形の基板8とこの基板8上に配設され
た扇形の4枚の金属片9……とから構成されてお
り、これらの各金属片9……は所定間隔離間して
配置され、各金属片9……間の間隙によつて略十
字状の励振口10が形成されている。そして、こ
の回転円板7は空胴箱5に取付けられた回転軸1
1によつて回転自在に支持されているとともに、
上面には図示しない風受部が立設されており、例
えばマグネトロン3を冷却する冷却風が空胴箱5
内に導かれ、この冷却風によつて回転駆動される
ようになつている。 そして、マグネトロン3から出力された高周波
は導波管を通じて高周波受入口へ導かれ、各金属
片9……の表面で略全反射され、主に励振口10
を通じて加熱室2内へ導入されることになり、励
振口10は回転円板7の回転にともない回転され
るので、加熱室2内に導入される高周波エネルギ
の分布を良好な状態に調整することができるよう
になつている。 ところで、回転円板7は回転駆動されるもので
あるため、加熱室2の高周波受入口4周縁部位2
bと回転円板7との間にはリング状の間隙部12
が形成されており、空胴箱5内に導かれた高周波
がこの間隙部12を通つて加熱室2内に漏洩する
こともあつた。この場合、間隙部12を通つて加
熱室2内に導かれる高周波はマグネトロン3から
の距離に応じて強さが異なる。例えば、第3図に
示すように間隙部12のうちマグネトロン3に近
い部位Aとマグネトロン3から遠い部位Bとの間
隔がλ/2×n程度(λはマグネトロン3から出力さ れる高周波の波長で約120mm、nは整数)である
場合には、マグネトロン3に近い部位Aから加熱
室2内に導かれる高周波の方がマグネトロン3か
ら遠い部位Bから加熱室2内に導かれる高周波よ
りも強くなる。そのため、加熱室2内に導かれる
高周波エネルギの分布が不均一になる問題があ
り、加熱室2内に載置された食品等が均一に加熱
されない欠点があつた。 この考案は上記事情を考慮してなされたもの
で、その目的は、加熱室内に導かれる高周波エネ
ルギの分布を良好な状態にすることができ、加熱
室内に載置された食品等を均一に加熱室すること
ができる高周波加熱装置を提供することにある。 以下、この考案の一実施例を第4図および第5
図を参照して説明する。第4図は高周波加熱装
置、例えば電子レンジの要部構成を示すもので、
第1図乃至第3図と同一部分には同一の符号を付
してその説明を省略する。すなわち、この考案は
加熱室2の高周波受入口4周縁部位21と回転円
板7との間に形成される間隙部22に、この間隙
部22を通過して加熱室2内へ導かれる高周波の
分布状態を整えるスリツト列23を設けたことを
特徴とするものである。前記加熱室2の天井板2
4は金属製のもので、円形の高周波受入口4の周
縁部位21には回転軸11に向けて切込溝25…
…が放射状に並設されており、これらの切込溝2
5……によつて前記スリツト列23が形成されて
いる。 そこで、上記構成のものにあつては、マグネト
ロン3から出力された高周波は空胴箱5内に導か
れたのち、大部分のものは回転円板7の励振口1
0を通つて加熱室2内へ導入される。また、空胴
箱5内に導かれた高周波のうち一部分は加熱室2
の高周波受入口4周縁部位21と回転円板7との
間の間隙部22を通つて加熱室2内に導入され
る。この場合、高周波受入口4の周縁部位21に
はスリツト列23が形成されているので、間隙部
22を通る高周波はスリツト列23によつて略回
転軸11に向かう方向に照射されるように調整さ
れる。したがつて、高周波受入口4を通つて加熱
室2内へ導入された高周波のうち、間隙部22を
通過して加熱室2内へ導かれたものも、スリツト
列23によつて高周波エネルギが均一に分布され
るので、加熱室2内に導かれた高周波は従来のよ
うに不均一になるおそれが少ない。出願人は次の
実験によつてこのことを確認した。 第5図において、26は加熱室2内に載置され
た棚板で、この棚板26の横寸法をW、奥行き寸
法をDとする。また、それぞれ100c.c.の水を収容
した5個の容器27a〜27eを用意し、まず棚
板26の中央に容器27aを配置し、この容器2
7aの横方向両側にW/4の間隔を設けるとともに、 奥行き方向両側にD/4の間隔を設けた位置に4個の 容器27b〜27eをそれぞれ配置する。この状
態でマグネトロン3を2分間動作させて各容器2
7a〜27e内の水の温度上昇値を調べる。最小
温度上昇値(MIB上昇値)と最大温度上昇値
(MAX上昇値)との比(水分布率)から加熱室2
内に導入される高周波エネルギの分布状態を調べ
るようにしたものである。 ここで、 水分布率()=MIN上昇値/MAX上昇値×100
(%) とする。そして、同じ条件で従来構成のもの(ス
リツト列なしの場合)と本考案の構成のもの(ス
リツト列23を設けた場合)とでそれぞれ実験を
行なつた。 実験結果を表に示す。(サンプル数n=5)
【表】 この表からも明らかなように、従来構成のもの
に比べて本考案の構成のものは水分布率()の
値が大きくなるので、各容器27a〜27e内の
水の温度上昇値のばらつきが小さいことがわか
る。したがつて、間隙部22にスリツト列23を
設けた場合、高周波受入口4から加熱室2内に導
入される高周波エネルギは従来よりも均一に分布
されていることになる。 かくして、加熱室2の高周波受入口4周縁部位
21と回転円板7との間の間隙部22に設けたス
リツト列23によつて、空胴箱5内から加熱室2
内に導かれる高周波のうち、間隙部22を通過す
るものも高周波エネルギの分布が良好な状態に調
整されるので、加熱室2内に導かれる高周波のイ
ンピーダンスおよび出力が安定化して、加熱室2
内に収容された食品等を均一に加熱することがで
きる。 なお、この考案は上記実施例に限定されるもの
ではない。例えば、第6図に示すように回転円板
31の4枚の金属片32……の各外周部位33…
…に回転軸34に向けて切込溝35……をそれぞ
れ並設することにより、スリツト列36を形成す
る構成であつてもよい。このような構成のものに
あつても前記実施例と同様の効果を得ることがで
きるうえ、この場合には加熱室2の天井板37に
は格別な加工を施す必要がないので、回転円板3
1を高周波受入口38内に装着する際、高周波受
入口38と回転円板31との位置決めを容易に行
なうことができる。また、第7図に示すように加
熱室41の高周波受入口42周縁部位43に第1
のスリツト列44を設けるとともに、回転円板4
5の4枚の金属片46……の各外周部位47……
に第2のスリツト列48を設ける構成にしてもよ
い。この場合には、加熱室41内に導かれる高周
波エルルギの分布を前記各実施例よりも一層良好
な状態にすることができる。 以上説明したように、この考案は低誘電体から
なる基板上に励振口を形成する金属片が配設され
てなる回転円板を加熱室の高周波受入口に配設し
た高周波加熱装置におて、前記加熱室の高周波受
入口周縁部位と前記回転円板との間に形成される
間隙部にスリツト列を設けたことを特徴とするも
のであり、したがつて、高周波受入口を通つて加
熱室内に導入される高周波のうち、前記間隙部を
通過して加熱室内へ導入される高周波の照射方向
を前記スリツト列によつて調整できるので、加熱
室内に導入される高周波の分布を良好な状態に調
整することができ、加熱室内に載置される食品等
を均一に加熱できるという実用上優れた効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は従来例を示すもので、第1
図は全体の概略構成を示す平面図、第2図は第1
図の−線断面図、第3図は第2図の−線
断面図、第4図および第5図はこの考案の一実施
例を示すもので、第4図は要部構成を示す横断面
図、第5図は棚板上の容器の配置状態を示す平面
図、第6図および第7図はそれぞれ異なる別の実
施例の要部構成を示す平面図である。 2……加熱室、3……マグネトロン(高周波発
振器)、4,38,42……高周波受入口、5…
…空胴箱(導波管)、6……連結部(導波管)、
7,31,45……回転円板、8……基板、9,
32,46……金属片、10……励振口、22…
…間隙部、23,36……スリツト列、44……
第1のスリツト列、48……第2のスリツト列。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高周波発振器から出力された高周波を導波管
    を介して加熱室内へ導くとともに、低誘電体か
    らなる基板上に金属片を配設して励振口を形成
    した回転円板を前記加熱室の高周波受入口に配
    設した高周波加熱装置において、前記加熱室の
    高周波受入口周縁部位と前記回転円板との間に
    形成される間隙部に、この間隙部を通過して前
    記加熱室内へ導かれる高周波の分布状態を整え
    るスリツト列を設けたことを特徴とする高周波
    加熱装置。 (2) スリツト列は加熱室の高周波受入口周縁部位
    に形成したことを特徴とする実用新案登録請求
    の範囲第(1)項記載の高周波加熱装置。 (3) スリツト列は回転円板の金属片の外周部位に
    形成したことを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第(1)項記載の高周波加熱装置。 (4) スリツト列は加熱室の高周波受入口周縁部位
    と回転円板の金属片の外周部位とにそれぞれ形
    成したことを特徴とする実用新案登録請求の範
    囲第(1)項記載の高周波加熱装置。
JP3388381U 1981-03-11 1981-03-11 Expired JPS6115588Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP3388381U JPS6115588Y2 (ja) 1981-03-11 1981-03-11

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JP3388381U JPS6115588Y2 (ja) 1981-03-11 1981-03-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57147596U JPS57147596U (ja) 1982-09-16
JPS6115588Y2 true JPS6115588Y2 (ja) 1986-05-14

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ID=29831219

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