JPS6115584B2 - - Google Patents
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- JPS6115584B2 JPS6115584B2 JP54123370A JP12337079A JPS6115584B2 JP S6115584 B2 JPS6115584 B2 JP S6115584B2 JP 54123370 A JP54123370 A JP 54123370A JP 12337079 A JP12337079 A JP 12337079A JP S6115584 B2 JPS6115584 B2 JP S6115584B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に
その素子保護用のパツシベーシヨン膜の形成方法
に関するものである。
その素子保護用のパツシベーシヨン膜の形成方法
に関するものである。
第1図は従来のパツシベーシヨン膜を施した半
導体装置の断面図、第2図はその要部拡大断面図
である。図において、1は半導体素子基体、2は
その中に形成された内部配線、3は外部接続のた
めのボンデイングパツド、4はパツケージ台、5
はこのパツケージ台4に取りつけられた外部接続
ピン、6は半導体素子基体1の上に形成されリン
ガラス(PSG)膜からなるパツシベーシヨン膜、
7はボンデイングパツド3と外部接続ピン5とを
接続するボンデイングワイヤ、8は上記各部を外
部から保護するプラスチツクモールドである。
導体装置の断面図、第2図はその要部拡大断面図
である。図において、1は半導体素子基体、2は
その中に形成された内部配線、3は外部接続のた
めのボンデイングパツド、4はパツケージ台、5
はこのパツケージ台4に取りつけられた外部接続
ピン、6は半導体素子基体1の上に形成されリン
ガラス(PSG)膜からなるパツシベーシヨン膜、
7はボンデイングパツド3と外部接続ピン5とを
接続するボンデイングワイヤ、8は上記各部を外
部から保護するプラスチツクモールドである。
以上のように、半導体素子基体1は、まずPSG
膜からなるパツシベーシヨン膜6で覆つた後に、
更にプラスチツクモールド8によつて保護されて
いる。
膜からなるパツシベーシヨン膜6で覆つた後に、
更にプラスチツクモールド8によつて保護されて
いる。
しかし、この従来の装置では、上述のような構
造にしても外部接続ピン5とプラスチツクモール
ド8との境界部の僅かのすきまから水分などが浸
入し、ボンデイングワイヤ7およびボンデイング
パツド3などの金属部を腐食させることがあつ
た。これは、特にボンデイングパツド3部での内
部配線材料が直接プラスチツクモールド8のモー
ルド材に接しており、一たん、モールド8内に浸
入した水分などは内部配線材料に直接接触し、腐
食を生ぜしめるものと考えられる。
造にしても外部接続ピン5とプラスチツクモール
ド8との境界部の僅かのすきまから水分などが浸
入し、ボンデイングワイヤ7およびボンデイング
パツド3などの金属部を腐食させることがあつ
た。これは、特にボンデイングパツド3部での内
部配線材料が直接プラスチツクモールド8のモー
ルド材に接しており、一たん、モールド8内に浸
入した水分などは内部配線材料に直接接触し、腐
食を生ぜしめるものと考えられる。
この発明は上述のような点に鑑みてなされたも
ので、内部配線は勿論、外部接続ピンとの接続も
完了し、プラスチツクモールドを施す前の段階
で、その組立体の全表面に機械的強度および疎水
性のすぐれたパツシベーシヨン膜を形成し、もつ
て半導体装置の耐水性および耐湿性を向上させる
方法を提供することを目的としている。
ので、内部配線は勿論、外部接続ピンとの接続も
完了し、プラスチツクモールドを施す前の段階
で、その組立体の全表面に機械的強度および疎水
性のすぐれたパツシベーシヨン膜を形成し、もつ
て半導体装置の耐水性および耐湿性を向上させる
方法を提供することを目的としている。
第3図はこの発明を適用して製造された半導体
装置の一例を示す要部断面図で、第1図および第
2図の従来例と同様な構成の半導体装置で、この
従来例と同一部分は同一符号で示し、その説明を
省略する。図において、9はPSGからなる第1の
パツシベーシヨン膜6およびボンデイングパツド
3と外部接続ピン5との間のボンデイングワイヤ
7を施した後に、全面に形成したプラズマ重合高
分子膜からなる第2のパツシベーシヨン膜であ
る。プラスチツクモールド8はこの第2のパツシ
ベーシヨン膜9を形成した後に施す。
装置の一例を示す要部断面図で、第1図および第
2図の従来例と同様な構成の半導体装置で、この
従来例と同一部分は同一符号で示し、その説明を
省略する。図において、9はPSGからなる第1の
パツシベーシヨン膜6およびボンデイングパツド
3と外部接続ピン5との間のボンデイングワイヤ
7を施した後に、全面に形成したプラズマ重合高
分子膜からなる第2のパツシベーシヨン膜であ
る。プラスチツクモールド8はこの第2のパツシ
ベーシヨン膜9を形成した後に施す。
第4図はプラズマ重合高分子膜を形成するため
のプラズマ処理装置の構成例を示す断面図で、1
1はチヤンバ、12はチヤンバ11内を低圧に保
つ真空ポンプ、13は反応ガス導入口、14およ
び15は高周波電極、16は高周波電源、17は
試料、18は試料載置台である。
のプラズマ処理装置の構成例を示す断面図で、1
1はチヤンバ、12はチヤンバ11内を低圧に保
つ真空ポンプ、13は反応ガス導入口、14およ
び15は高周波電極、16は高周波電源、17は
試料、18は試料載置台である。
第3図で説明したように、パツケージ台4に半
導体素子基体1をマウントし、PSGからなる第1
のパツシベーシヨン膜を施し、さらにボンデイン
グパツド3と外部接続ピン5との間のボンデイン
グワイヤ7を施した段階の試料17をチヤンバ1
1内の試料載置台18上に置き、チヤンバ11内
を真空ポンプ12で排気しながら、反応ガス導入
口13からC4F8などの過フツ素化合物を導入
し、チヤンバ11内を0.1〜2.0Torrの比較的低圧
に保ち、高周波電極14および15間に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させる。このように
すると、C4F8などのフツ素化合物は重合して高
分子膜を試料17の表面に形成する。この時、水
素(H2)ガスなどの還元性のガスを添加するとさ
らに重合し易くなる。
導体素子基体1をマウントし、PSGからなる第1
のパツシベーシヨン膜を施し、さらにボンデイン
グパツド3と外部接続ピン5との間のボンデイン
グワイヤ7を施した段階の試料17をチヤンバ1
1内の試料載置台18上に置き、チヤンバ11内
を真空ポンプ12で排気しながら、反応ガス導入
口13からC4F8などの過フツ素化合物を導入
し、チヤンバ11内を0.1〜2.0Torrの比較的低圧
に保ち、高周波電極14および15間に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させる。このように
すると、C4F8などのフツ素化合物は重合して高
分子膜を試料17の表面に形成する。この時、水
素(H2)ガスなどの還元性のガスを添加するとさ
らに重合し易くなる。
この重合高分子膜は密着強度にすぐれ、また高
度の疎水性を示し、一般に耐酸性をも有してい
る。そして、低圧下で重合させて試料17の表面
に形成するので、その被覆性にもすぐれ、第3図
に示すようにボンデイングパツド3のボンデイン
グワイヤ7周辺の凹部をもよく覆うことができ
る。このようにして、プラズマ重合高分子膜から
なる第2のパツシベーシヨン膜9は、その後に施
すプラスチツクモールド8のモールド材と配線用
部材との直接接触を防止するので、上記モールド
材からしみ込む水によつて腐蝕を生じ、半導体装
置の性能低下をきたすことがなくなる。
度の疎水性を示し、一般に耐酸性をも有してい
る。そして、低圧下で重合させて試料17の表面
に形成するので、その被覆性にもすぐれ、第3図
に示すようにボンデイングパツド3のボンデイン
グワイヤ7周辺の凹部をもよく覆うことができ
る。このようにして、プラズマ重合高分子膜から
なる第2のパツシベーシヨン膜9は、その後に施
すプラスチツクモールド8のモールド材と配線用
部材との直接接触を防止するので、上記モールド
材からしみ込む水によつて腐蝕を生じ、半導体装
置の性能低下をきたすことがなくなる。
なお、上例ではプラスチツクモールドの場合に
ついて述べたが、セラミツクシールパツケージな
ど、他のパツケージ方式の場合にも内部保護に用
いて同様の効果を奏する。なお、プラズマ重合高
分子膜形成用の過フツ素化合物としてはC4F8の
他にC2F6、C3F8、C6F10などを用いることもでき
る。
ついて述べたが、セラミツクシールパツケージな
ど、他のパツケージ方式の場合にも内部保護に用
いて同様の効果を奏する。なお、プラズマ重合高
分子膜形成用の過フツ素化合物としてはC4F8の
他にC2F6、C3F8、C6F10などを用いることもでき
る。
以上説明したように、この発明では半導体素子
組立体を過フツ素化合物ガスに還元性ガスを混入
したガス中でプラズマ処理して、その組立体の表
面に被覆性がよく、付着強度の大きいプラズマ重
合高分子膜を効率よく形成し、上記組立体の金属
部分をもこの膜で被覆した後に、組立体をパツケ
ージングまたはプラスチツクモールデイングする
ようにしたので、浸入水分によつて組立体特に金
属部分が腐蝕されることがなくなり、耐湿性のす
ぐれた半導体装置が得られる。
組立体を過フツ素化合物ガスに還元性ガスを混入
したガス中でプラズマ処理して、その組立体の表
面に被覆性がよく、付着強度の大きいプラズマ重
合高分子膜を効率よく形成し、上記組立体の金属
部分をもこの膜で被覆した後に、組立体をパツケ
ージングまたはプラスチツクモールデイングする
ようにしたので、浸入水分によつて組立体特に金
属部分が腐蝕されることがなくなり、耐湿性のす
ぐれた半導体装置が得られる。
第1図は従来の半導体装置の断面図、第2図は
その要部拡大断面図、第3図はこの発明を適用し
て製造された半導体装置の一例を示す要部断面
図、第4図はプラズマ重合高分子膜を形成するた
めのプラズマ処理装置の構成例を示す断面図であ
る。 図において、1は半導体素子基体、3はボンデ
イングパツド、4はパツケージ台、5は外部接続
ピン、6はPSGからなる第1のパツシベーシヨン
膜、7はボンデイングワイヤ、8はプラスチツク
モールド、9はプラズマ重合高分子膜からなる第
2のパツシベーシヨン膜である。なお、図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
その要部拡大断面図、第3図はこの発明を適用し
て製造された半導体装置の一例を示す要部断面
図、第4図はプラズマ重合高分子膜を形成するた
めのプラズマ処理装置の構成例を示す断面図であ
る。 図において、1は半導体素子基体、3はボンデ
イングパツド、4はパツケージ台、5は外部接続
ピン、6はPSGからなる第1のパツシベーシヨン
膜、7はボンデイングワイヤ、8はプラスチツク
モールド、9はプラズマ重合高分子膜からなる第
2のパツシベーシヨン膜である。なお、図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体素子組立体を過フツ素化合物ガスに還
元性のガスを混入したガス中でプラズマ処理して
上記組立体表面上にプラズマ重合高分子膜を形成
した後に上記組立体をパツケージングまたはプラ
スチツクモールデイングすることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 2 還元性のガスに水素を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12337079A JPS5646550A (en) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12337079A JPS5646550A (en) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5646550A JPS5646550A (en) | 1981-04-27 |
JPS6115584B2 true JPS6115584B2 (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=14858896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12337079A Granted JPS5646550A (en) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5646550A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60245178A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP3750012B2 (ja) | 1999-05-10 | 2006-03-01 | 忠 萩原 | 流体容器のノズル及びそれを備えた流体容器 |
JP5545274B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | パッケージの製造方法 |
-
1979
- 1979-09-25 JP JP12337079A patent/JPS5646550A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5646550A (en) | 1981-04-27 |
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