JPS61155255A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS61155255A JPS61155255A JP59278178A JP27817884A JPS61155255A JP S61155255 A JPS61155255 A JP S61155255A JP 59278178 A JP59278178 A JP 59278178A JP 27817884 A JP27817884 A JP 27817884A JP S61155255 A JPS61155255 A JP S61155255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- mol
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野°〕
本発明は非還元性誘電体磁器組成物に係り、特に高誘電
率でかつ誘電率の温度変化が少く、誘′屯体損失が小さ
く、比抵抗の高い特性を有する誘電体磁器組成物および
その製造方法に関する。
率でかつ誘電率の温度変化が少く、誘′屯体損失が小さ
く、比抵抗の高い特性を有する誘電体磁器組成物および
その製造方法に関する。
例えばチタン酸バリウムにニオブ酸コバルト、又はタン
タル、サマリウム、又はスズ酸ビスマス。
タル、サマリウム、又はスズ酸ビスマス。
ジルコン酸ビスマスとタンタル、二□オブ等を添加する
ことにより、高誘電率でかつその誘電率の温変質化が少
なく、しかも損失の小さい誘電体磁器組成物が得られて
いる。これ等の誘電体材料を使用することにより小型で
大容緻の積層セラミック・コンデンサを製造することか
できる。そしてこのようにして製造された８層セラミッ
ク・コンデンサは通信機、電子計算機、テレビ受像機等
においてＩＣ回路素子等に広く使用されている。
ことにより、高誘電率でかつその誘電率の温変質化が少
なく、しかも損失の小さい誘電体磁器組成物が得られて
いる。これ等の誘電体材料を使用することにより小型で
大容緻の積層セラミック・コンデンサを製造することか
できる。そしてこのようにして製造された８層セラミッ
ク・コンデンサは通信機、電子計算機、テレビ受像機等
においてＩＣ回路素子等に広く使用されている。
従来、積層手ラミック・コンデンサを製造する方法は大
別して印刷法およびシート法がある。前者の方法によれ
ば誘電体のスラリーを作ったのちこれを例えばスクリー
ン印刷により所定形に印刷し、乾燥後その上に電極ペー
ストを印刷し、この電極ペーストが乾燥したのちに次の
誘電体スラリーを印刷するという方法を繰返すことによ
り誘電体層と内部電極層を積層するものである。そして
後者の方法によれば誘電体シートを例えばドクターブレ
ード法で作成し、その上に電極ペーストを印刷し、これ
を複数枚積み重ねて熱圧着し、積層化する。このように
して適当な方法により積層化したものを自然雰囲気中で
１２５０℃〜】４００℃で焼成して焼結体を作り、内部
電極と導通する外部引出電極をこれに焼付けることによ
り積層セラミック・コンデンサを得ていた。
別して印刷法およびシート法がある。前者の方法によれ
ば誘電体のスラリーを作ったのちこれを例えばスクリー
ン印刷により所定形に印刷し、乾燥後その上に電極ペー
ストを印刷し、この電極ペーストが乾燥したのちに次の
誘電体スラリーを印刷するという方法を繰返すことによ
り誘電体層と内部電極層を積層するものである。そして
後者の方法によれば誘電体シートを例えばドクターブレ
ード法で作成し、その上に電極ペーストを印刷し、これ
を複数枚積み重ねて熱圧着し、積層化する。このように
して適当な方法により積層化したものを自然雰囲気中で
１２５０℃〜】４００℃で焼成して焼結体を作り、内部
電極と導通する外部引出電極をこれに焼付けることによ
り積層セラミック・コンデンサを得ていた。
この場合、コンデンサの電極きなる内部電極と誘電体を
同時に焼成するため、内部電極の材料としては誘電体か
焼結する温度内で電極が形成できること、および自然雰
囲気中で上記の温度に加熱しても酸化したりあるいは誘
電体さ反応しないことが必要であり、このためにこれら
の条件を満すものとして白金やパラジウムなどの貴金属
か主に使用されていた。しかしながらこれらの貴金属は
非常に安定ではあるが、高価であって積層セラミック・
コンデンサのコストに占める割合が２０〜５０チ程度と
非常に大きく、そのコストアップの最大の原因になって
いた。
同時に焼成するため、内部電極の材料としては誘電体か
焼結する温度内で電極が形成できること、および自然雰
囲気中で上記の温度に加熱しても酸化したりあるいは誘
電体さ反応しないことが必要であり、このためにこれら
の条件を満すものとして白金やパラジウムなどの貴金属
か主に使用されていた。しかしながらこれらの貴金属は
非常に安定ではあるが、高価であって積層セラミック・
コンデンサのコストに占める割合が２０〜５０チ程度と
非常に大きく、そのコストアップの最大の原因になって
いた。
このような問題に対処するために、安価な卑金属を電極
として使用する試みか従来から行われている。しかしな
がら卑金属としてニッケルを使用すれば、ニッケルは酸
化性雰囲気中で加熱されたときに酸化し、誘電体と反応
して電極形成が不可能となる。それ酸ニッケルの酸化を
防止するために中性あるいは還元性雰囲気中で焼成する
ことになるか、今度はｇ電体材料が還元され、比抵抗が
非常に低いものになってコンデンサ用誘電体材料として
使用できない。
として使用する試みか従来から行われている。しかしな
がら卑金属としてニッケルを使用すれば、ニッケルは酸
化性雰囲気中で加熱されたときに酸化し、誘電体と反応
して電極形成が不可能となる。それ酸ニッケルの酸化を
防止するために中性あるいは還元性雰囲気中で焼成する
ことになるか、今度はｇ電体材料が還元され、比抵抗が
非常に低いものになってコンデンサ用誘電体材料として
使用できない。
このような欠点を改善するための誘電体磁器組成物を本
願特許出願人は先に特許５８−２１６６９５号として出
願した。しかしこの誘電体磁器組成物はその温度特性か
やや太きかったり、非通線性を示すという問題点かあっ
た。
願特許出願人は先に特許５８−２１６６９５号として出
願した。しかしこの誘電体磁器組成物はその温度特性か
やや太きかったり、非通線性を示すという問題点かあっ
た。
本発明は、前記の如き、中性あるいは還元性雰囲気中で
焼成したとき還元されて比抵抗が非常に低いものとなり
、コンデンサ用の誘電体材料としては使用できないとい
う問題点および温度特性に対する問題点を解決するもの
である。
焼成したとき還元されて比抵抗が非常に低いものとなり
、コンデンサ用の誘電体材料としては使用できないとい
う問題点および温度特性に対する問題点を解決するもの
である。
前記の問題点を解決するため、本発明では、組成式が
（Ｂａ０１−、ｒ・（ＣａＯｘ）αＴｉＯ２＋ｙＢａＺ
ｒＯｓ＋αＭ、Ｏ＋β５ｉ０２で示される組成物におい
て、” ＋ ！／ ｅα、及びα、βが次の範囲、すな
わち、２５＜ｘ≦５０（７Ｗ”ｔ’％）、１０≦ｙ≦１
８（ｙａＯＪａ係、１．０００≦α≦１．０１５．０．
１≦α≦１．０（ｗｔ％）、０．０５≦β≦０．４（ｗ
ｔ％）の範囲にある組成物の誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
（Ｂａ０１−、ｒ・（ＣａＯｘ）αＴｉＯ２＋ｙＢａＺ
ｒＯｓ＋αＭ、Ｏ＋β５ｉ０２で示される組成物におい
て、” ＋ ！／ ｅα、及びα、βが次の範囲、すな
わち、２５＜ｘ≦５０（７Ｗ”ｔ’％）、１０≦ｙ≦１
８（ｙａＯＪａ係、１．０００≦α≦１．０１５．０．
１≦α≦１．０（ｗｔ％）、０．０５≦β≦０．４（ｗ
ｔ％）の範囲にある組成物の誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
本発明の一実施例を説明する。
出発原料としてＢＨＣＯ，、ＣａｂＯ，、ＴｉＯ２。
ＺｒＯ２、ＭｎＣ０’５ 、８ｉ０２を用い、仮焼成後
の組成か各々（Ｒａ０１−ｘ″ｃａｏｘ ）ａＴｉ０２
＋ＭｒＬｏ＋５ｉ０２及びＢ２Ｏ”ＺｒＯ２となるよう
に別々に秤量して混合せしめ、脱水乾燥後１０００〜１
２４０℃で２時間保持して仮焼せしめ、その後の仮焼成
体を微粉砕して（Ｂａ０ｒ−、ｚ：０ＣａＯｃ ）αＴ
ｉＯ２＋ＭｒＬＯ＋８ｉ０２゜ＢａＯ・ｚｒｏ２の微粉
末を得た。
の組成か各々（Ｒａ０１−ｘ″ｃａｏｘ ）ａＴｉ０２
＋ＭｒＬｏ＋５ｉ０２及びＢ２Ｏ”ＺｒＯ２となるよう
に別々に秤量して混合せしめ、脱水乾燥後１０００〜１
２４０℃で２時間保持して仮焼せしめ、その後の仮焼成
体を微粉砕して（Ｂａ０ｒ−、ｚ：０ＣａＯｃ ）αＴ
ｉＯ２＋ＭｒＬＯ＋８ｉ０２゜ＢａＯ・ｚｒｏ２の微粉
末を得た。
これ等の微粉末を最終的焼結後に第１表に示す組成にな
る様に混合せしめ、脱水、乾燥して粉末とした。
る様に混合せしめ、脱水、乾燥して粉末とした。
このようにして得られた粉末に適当量の有機ノくインダ
ーを加え、１６．５ψＸ０．６ｍの円板に加圧成型した
。これをジルコニア板の上にのせ匣鉢の中に入れて５０
０℃まで自然雰囲気中で有機バインダーを焼成し、その
後Ｎ２中又はＮ２ ＋Ｈ２中で１２５０℃〜１３５０℃
で２時間焼成した。
ーを加え、１６．５ψＸ０．６ｍの円板に加圧成型した
。これをジルコニア板の上にのせ匣鉢の中に入れて５０
０℃まで自然雰囲気中で有機バインダーを焼成し、その
後Ｎ２中又はＮ２ ＋Ｈ２中で１２５０℃〜１３５０℃
で２時間焼成した。
このようにして得たサンプルにＩｒＬ−Ｇａ電極を塗布
して比誘電率（ε、）、誘電体損失（ｔａミル、り）（
測定周波数Ｉ ＫＨｚ ） 、絶縁抵抗（Ｉ ＲＪ”Ｌ
ｃｍ ）、および１２５℃で絶縁抵抗（ＩＲ，ｆｌ・ｃ
ｒｎ）をそれぞれ測定したところ、第１表に示す如き値
が得られた。
して比誘電率（ε、）、誘電体損失（ｔａミル、り）（
測定周波数Ｉ ＫＨｚ ） 、絶縁抵抗（Ｉ ＲＪ”Ｌ
ｃｍ ）、および１２５℃で絶縁抵抗（ＩＲ，ｆｌ・ｃ
ｒｎ）をそれぞれ測定したところ、第１表に示す如き値
が得られた。
なお第１表におけるｘ、ｙ、ａ及びα、βは前記組成式
にεけるｘ、ｙ、ａ、α、βをそれぞれ示す。
にεけるｘ、ｙ、ａ、α、βをそれぞれ示す。
以下余白 □
この第１表において本印の付与されているものは本発明
の範囲外のものであり、本発明の実施例のものと比較の
ため提示した。
の範囲外のものであり、本発明の実施例のものと比較の
ため提示した。
第１表より明らかな如く、本発明のものは比誘電率か２
５００〜４３００と高く、−２５℃から８５℃における
比誘電率の変化率か小さく、ｔａミルは０．３〜０．９
％と小さな値を示していることかわかる。
５００〜４３００と高く、−２５℃から８５℃における
比誘電率の変化率か小さく、ｔａミルは０．３〜０．９
％と小さな値を示していることかわかる。
かかる特徴のある誘電体磁器組成物は、組成式％式％
β５ｉＱ２で示される組成物において、” ＋ ｙ＋α
及びα、βか ２５＜ｘ≦５０ （ｍｏｌ％） １０≦ｙ≦１ｓ（ｍＯｚ％） １．０００≦α≦１．０１５ ０．１≦α≦１．０（Ｗ１％） ０．０５≦β≦０．４（ｗｔ％） の範囲にある組成により得られる。
及びα、βか ２５＜ｘ≦５０ （ｍｏｌ％） １０≦ｙ≦１ｓ（ｍＯｚ％） １．０００≦α≦１．０１５ ０．１≦α≦１．０（Ｗ１％） ０．０５≦β≦０．４（ｗｔ％） の範囲にある組成により得られる。
次にこのような本発明の各数値限定の理由について説明
する。
する。
Ｘか２５ ｎＬＯ４ｔｌｌより小では比誘電率の変化率
か大きくなる。また５ ０ ｍｏｔ％を超えると比誘電
率か小さくなる。
か大きくなる。また５ ０ ｍｏｔ％を超えると比誘電
率か小さくなる。
ｙか１０ｍ０１％以下では一２５℃での比誘電率の変化
率か大きくなり１８ ｍａｔ ｑ６を超えると＋８５℃
での比誘電率の変化率か大きくなる。
率か大きくなり１８ ｍａｔ ｑ６を超えると＋８５℃
での比誘電率の変化率か大きくなる。
αか１より小では絶縁抵抗か悪くなり、１．０１５を超
えると焼結性か悪くなる。
えると焼結性か悪くなる。
αか０．１ｗｔ％より小では絶縁抵抗が低下し、また１
、０ｗｔ％を超えると１２５℃での絶縁抵抗か劣化する
と同時に比誘電率の変化率（８５℃）か大きくなる。
、０ｗｔ％を超えると１２５℃での絶縁抵抗か劣化する
と同時に比誘電率の変化率（８５℃）か大きくなる。
βか０．００５１１１１ｔ％より小では焼結性が悪くな
り比誘電率も低下する。また０．４ｗｔ％を超すと比誘
電率か低下するとともに１２５℃の絶縁抵抗か劣化する
。
り比誘電率も低下する。また０．４ｗｔ％を超すと比誘
電率か低下するとともに１２５℃の絶縁抵抗か劣化する
。
また添付図面に本発明の実施例である第１表の試料ｌＩ
＆Ｌ２ 、Ｎａ７及びＮａ１２における比誘電率ε。
＆Ｌ２ 、Ｎａ７及びＮａ１２における比誘電率ε。
及び誘電体損失ｔαルδに対する温度特性図を示す。
これにより明らかな如く、これらのものの温度変化か通
常の使用範囲ではあまり大きくないことかわかる。しか
も誘電体損失ｔａルδの温間変化はほぼ直線状であるこ
とかわかる。
常の使用範囲ではあまり大きくないことかわかる。しか
も誘電体損失ｔａルδの温間変化はほぼ直線状であるこ
とかわかる。
ところで本発明において、ＢａＺｒＯ３を他と別々に合
成する理由は、ＢａＺｒＯ３が完全に固溶するき比誘電
率の温度変化率が大きくなるので、これを別添加するこ
とにより固溶の程度を制御し、この変化率を小さくする
ことかできる。
成する理由は、ＢａＺｒＯ３が完全に固溶するき比誘電
率の温度変化率が大きくなるので、これを別添加するこ
とにより固溶の程度を制御し、この変化率を小さくする
ことかできる。
なお前記実施例では、Ｂａ 、 ｃａ 、Ｍｎは炭酸塩
を使用し、Ｔ ｔ ＋ Ｚ ｒ ＋ Ｓ ｚはＴｉＯ２
、ＺｒＯ２＊５ｉ０２を用いたか、勿論他の形のもので
も本発明で使用できることは明らかである。
を使用し、Ｔ ｔ ＋ Ｚ ｒ ＋ Ｓ ｚはＴｉＯ２
、ＺｒＯ２＊５ｉ０２を用いたか、勿論他の形のもので
も本発明で使用できることは明らかである。
本発明によれば、中性又は還元性雰囲気中で焼成しても
、比誘電率か高く、誘電体損失が小さく、しかもこれら
比誘電率や誘電体損失の温度変化か少く、また絶縁抵抗
か高く、シたかって高信頼性の誘電体磁器組成物を得る
ことかできる。
、比誘電率か高く、誘電体損失が小さく、しかもこれら
比誘電率や誘電体損失の温度変化か少く、また絶縁抵抗
か高く、シたかって高信頼性の誘電体磁器組成物を得る
ことかできる。
添付図面は本発明の実施例における比ｇ電率及び誘電体
損失の温度特性図である。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人 弁理
士 山 谷 晧 栄 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５９年特許願第２７８１７８号２
、発明の名称 誘電体磁器組成物及びその製造方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号氏名 （３
０６）ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳 寛 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補正の
内容 別紙のとおり 補正の内容 １、明細書第５頁第９行の「非通線性」を「非直線性」
と補正する。 ２、同頁第１９行の１（Ｂａｏｌ−Ｘ・ （ｃａ。 ｘ）ａＪをｒ （ＢａＯ＋−ｘ−ＣａＯｘ）ａＪと補正
する。 ３、同第７頁第８行の「絶縁抵抗（ＴＲ，ΩｃｌＩ＋）
」を［絶縁抵抗（ＩＲ，Ω・ｃｍ）Ｊと補正する。 以上
損失の温度特性図である。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人 弁理
士 山 谷 晧 栄 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５９年特許願第２７８１７８号２
、発明の名称 誘電体磁器組成物及びその製造方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号氏名 （３
０６）ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳 寛 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補正の
内容 別紙のとおり 補正の内容 １、明細書第５頁第９行の「非通線性」を「非直線性」
と補正する。 ２、同頁第１９行の１（Ｂａｏｌ−Ｘ・ （ｃａ。 ｘ）ａＪをｒ （ＢａＯ＋−ｘ−ＣａＯｘ）ａＪと補正
する。 ３、同第７頁第８行の「絶縁抵抗（ＴＲ，ΩｃｌＩ＋）
」を［絶縁抵抗（ＩＲ，Ω・ｃｍ）Ｊと補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）組成式が（ＢａＯ＿１−ｘＣａＯｘ）ａ・ＴｉＯ
＿２＋ｙＢａＺｒＯ＿３＋αＭｎＯ＋βＳｉＯ＿２で示
される組成物において、ｘ、ｙ、ａ、α、βが下記の範
囲にあることを特徴とする非還元性の誘電体磁器組成物
。 ２５＜ｘ≦５０（ｍｏｌ％） １０≦ｙ≦１８（ｍｏｌ％） １．０００≦α≦１．０１５ ０．１≦α≦１．０（ｗｔ％） ０．０５≦β≦０．４（ｗｔ％） （２）（ＢａＯ＿１−ｘＣａＯｘ）ａＴｉＯ＿２＋αＭ
ｎＯ＋βＳｉＯ＿２とＢａＺｒＯ＿３を別々に合成した
後、微粉砕し、これ等を用いて所定の組成物に混合し、
所定の形状に成型して中性又は還元性雰囲気中で焼成す
ることを特徴とする、組成式が（ＢａＯ＿１−ｘＣａＯ
ｘ）ａ・ＴｉＯ＿２＋ｙＢａＺｒＯ＿３＋αＭｎＯ＋β
ＳｉＯ＿２であつてｘ、ｙ、ａ、α、βが下記の範囲に
あることを特徴とする非還元性の誘電体磁器組成物の製
造方法。 ２５＜ｘ≦５０（ｍｏｌ％） １０≦ｙ≦１８（ｍｏｌ％） １．０００≦ａ≦１．０１５ ０．１≦α≦０．５（ｗｔ％） ０．０５≦β≦０．４（ｗｔ％）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278178A JPS61155255A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278178A JPS61155255A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155255A true JPS61155255A (ja) | 1986-07-14 |
Family
ID=17593672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59278178A Pending JPS61155255A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786036B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | Dielectric porcelain composition, and method for manufacturing capacitor using the same |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59278178A patent/JPS61155255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7786036B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | Dielectric porcelain composition, and method for manufacturing capacitor using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3039397B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPS61250905A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造法 | |
| JPS6287456A (ja) | 誘電体磁器用セラミツク組成物 | |
| KR100201201B1 (ko) | 모놀리딕 세라믹 커패시터 | |
| US5264402A (en) | Non-reducible dielectric ceramic composition | |
| KR920007019B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 | |
| CN104003711A (zh) | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 | |
| JPS62256422A (ja) | 積層型磁器コンデンサ | |
| JPH0825795B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6136170A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造法 | |
| JPS61155255A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPH0766693B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04260665A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3179119B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR0165557B1 (ko) | 자기 조성물 | |
| JPS61251563A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS62278163A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6256605B2 (ja) | ||
| JP2002037667A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2576605B2 (ja) | 磁器組成物の製造方法 | |
| JPS63156062A (ja) | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS61101460A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0782775B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH04237902A (ja) | 誘電体磁器組成物 |