JPS61154090A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61154090A JPS61154090A JP27751884A JP27751884A JPS61154090A JP S61154090 A JPS61154090 A JP S61154090A JP 27751884 A JP27751884 A JP 27751884A JP 27751884 A JP27751884 A JP 27751884A JP S61154090 A JPS61154090 A JP S61154090A
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- JP
- Japan
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- beams
- laser
- electrode
- monitor
- diode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオード（ＬＤ）の光出力をモニタで
きるモニタ素子付きの半導体発光装置の構造に関する。
きるモニタ素子付きの半導体発光装置の構造に関する。
従来はＬＤの２つの端面から出射されるどちらかの光を
検出器に受けてモニタしていたが、最近はモニタをＬＤ
と同一基板上に形成したモノリシック化が行われるよう
になった。
検出器に受けてモニタしていたが、最近はモニタをＬＤ
と同一基板上に形成したモノリシック化が行われるよう
になった。
さらにＬＤをモジエールとして集積化する場合はモニタ
を組込む必要が生じる。
を組込む必要が生じる。
この場合、モニタにはレーザ出力光自身を使用するため
、モニタすることによる反射や、出力変動が問題となる
ことが多い。
、モニタすることによる反射や、出力変動が問題となる
ことが多い。
〔従来の技術〕。
第４図は従来例によるモノリシックのモニタ付きＬＤの
断面図である。
断面図である。
図において、１はｎ型アルミニウムガリウム砒素（ｎ−
ＡＩＧａＡｓ）層、２は活性層でガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓ （ｐ−ＡＩＧａＡｓ）
層、４は金／金ゲルマニウム（Ａｕ／ＡｕＧｅ、分母が
下地）よりなるｎ型側電極（ｎ−電極）、５と６は金／
亜鉛／金（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）よりなるｐ型側電極（ｐ
−電極）である。
ＡＩＧａＡｓ）層、２は活性層でガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）層、３はｐ型ＡｌＧａＡｓ （ｐ−ＡＩＧａＡｓ）
層、４は金／金ゲルマニウム（Ａｕ／ＡｕＧｅ、分母が
下地）よりなるｎ型側電極（ｎ−電極）、５と６は金／
亜鉛／金（Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕ）よりなるｐ型側電極（ｐ
−電極）である。
７はリアクティブイオンエツチング（ＲＩ Ｅ）により
掘られた溝で、基板を左右に分離し、左側はＬＤを、右
側はモニタ用の受光素子としてＰＩＮダイオードを構成
する。
掘られた溝で、基板を左右に分離し、左側はＬＤを、右
側はモニタ用の受光素子としてＰＩＮダイオードを構成
する。
この場合はＬＤと、ＰＩＮダイオードは同一活性層を用
い、ＬＤに順方向にバイアスを加えて活性層より出射し
た光を、溝７を介して逆方向にバイアスされたＰＩＮダ
イオードの活性層に受けてモニタを行う。
い、ＬＤに順方向にバイアスを加えて活性層より出射し
た光を、溝７を介して逆方向にバイアスされたＰＩＮダ
イオードの活性層に受けてモニタを行う。
このようにして形成されたＬＤの一方の端面はＲＩ Ｅ
）により掘られた溝７の側壁を使用するため、他方の端
面のへき開面のように平坦な面が得られないため、レー
ザ出力の低下や、経時変化を伴う場合が多い。
）により掘られた溝７の側壁を使用するため、他方の端
面のへき開面のように平坦な面が得られないため、レー
ザ出力の低下や、経時変化を伴う場合が多い。
またレーザ出力光の１部を取り出してモニタ光としてい
るため、前述のようにモニタすることにより生ずる反射
等によって出力変動が起こる。
るため、前述のようにモニタすることにより生ずる反射
等によって出力変動が起こる。
従来のモノリシックのモニタ付きＬＤでは、レーザ出力
の低下や、経時変化を伴う場合が多い。
の低下や、経時変化を伴う場合が多い。
上記問題点の解決は、レーザストライプバター２に接近
して１個以上のオーミック電極を設け、該レーザストラ
イプパターンの横方向に漏れる光か、電流注入に伴う該
レーザストライプパターンの横方向への拡散電荷のいず
れか、あるいは両方により該オーミック電極と背面電極
間、あるいは該オーミック電極間の抵抗を変化させるこ
とにより相対的にレーザ出力光の変化をモニタする構造
を有する本発明による半導体発光装置により達成される
。
して１個以上のオーミック電極を設け、該レーザストラ
イプパターンの横方向に漏れる光か、電流注入に伴う該
レーザストライプパターンの横方向への拡散電荷のいず
れか、あるいは両方により該オーミック電極と背面電極
間、あるいは該オーミック電極間の抵抗を変化させるこ
とにより相対的にレーザ出力光の変化をモニタする構造
を有する本発明による半導体発光装置により達成される
。
本発明では、横モード（軸モード以外の光）の光を積極
的に発生させてレーザチフブ内でロスさせ、この際レー
ザストライプパターンの横方向へ放射される光を、レー
ザストライプパターンに近接して配置されたモニタ素子
により検出するものである。
的に発生させてレーザチフブ内でロスさせ、この際レー
ザストライプパターンの横方向へ放射される光を、レー
ザストライプパターンに近接して配置されたモニタ素子
により検出するものである。
またレーザを発振させるための注入電流はレーザストラ
イプパターンより横方向に拡散して広が・ る、このよ
うにして生じた拡散電荷をレーザストライプパターンに
近接して配置されたモニタ素子により検出するものであ
る。
イプパターンより横方向に拡散して広が・ る、このよ
うにして生じた拡散電荷をレーザストライプパターンに
近接して配置されたモニタ素子により検出するものであ
る。
第１図（ａ）、 Ｑ））はそれぞれ本発明のよる第１の
実施例を示すモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図と
断面図である。
実施例を示すモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図と
断面図である。
図において、ｌはｎ−ＡｌＧａＡｓ層、２は活性層でＧ
ａＡｓ層、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ層、４はＡｕ／ＡｕＧ
ｅよりなるＬＤとＰＩＮダイオード共通のｎ−電極、５
と６はそれぞれＡｕ／Ｚｎ／ＡｕよりなるＬＤとＰＩＮ
ダイオードのｐ−電極である。
ａＡｓ層、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ層、４はＡｕ／ＡｕＧ
ｅよりなるＬＤとＰＩＮダイオード共通のｎ−電極、５
と６はそれぞれＡｕ／Ｚｎ／ＡｕよりなるＬＤとＰＩＮ
ダイオードのｐ−電極である。
レーザストライプパターン、即ちｐ−電極５は屈曲部を
設けて横方向への光の放射を増やし、この横方向への光
を受けやすいようにレーザストライプパターンの屈曲部
に沿って、かつ近接してＰＩＮダイオードのｐ−電極６
が設けられている。
設けて横方向への光の放射を増やし、この横方向への光
を受けやすいようにレーザストライプパターンの屈曲部
に沿って、かつ近接してＰＩＮダイオードのｐ−電極６
が設けられている。
レーザストライプパターンの幅Ｌ３は１０〜１５μｍで
、屈曲はストライプが直線で左右に貫通する幅ｌが３〜
６μｍになるようにして行う。
、屈曲はストライプが直線で左右に貫通する幅ｌが３〜
６μｍになるようにして行う。
この場合もＬＤと、ＰＩＮダイオードは同一活性層を用
い、ＬＤに順方向にバイアスを加えて活性層より横方向
に漏れた光を、逆方向にバイアスされたＰＩＮダイオー
ドの活性層に受けてモニタを行う。
い、ＬＤに順方向にバイアスを加えて活性層より横方向
に漏れた光を、逆方向にバイアスされたＰＩＮダイオー
ドの活性層に受けてモニタを行う。
このようにして形成されたＬＤはモニタ素子に関係なく
両方の端面はへき開面で形成できるため、レーザ出力の
低下や、経時変化を起こすことはない。
両方の端面はへき開面で形成できるため、レーザ出力の
低下や、経時変化を起こすことはない。
また発振光の横方向へ漏れた光をモニタ光としているた
め、モニタすることにより生ずる反射や、出力変動が起
こらない。
め、モニタすることにより生ずる反射や、出力変動が起
こらない。
第２図は本発明のよる第２の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
である。
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
である。
図において、５はＡｕ／Ｚｎ／ＡｕよりなるＬＤのｐ−
電極、６，８．９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕよりなるモニタ用
の電極である。
電極、６，８．９はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕよりなるモニタ用
の電極である。
レーザストライプパターンは直線であるが、横方向への
光の放射と、電流注入による拡散電荷とによる電極６と
８、あるいは８と９間の抵抗変化によりレーザの出力を
モニタする。
光の放射と、電流注入による拡散電荷とによる電極６と
８、あるいは８と９間の抵抗変化によりレーザの出力を
モニタする。
第３図は本発明のよる第３の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
である。
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
である。
図において、５はＡｕ／Ｚｎ／ＡｕよりなるＬＤのｐ−
電極、６，８はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕよりなるモニタ用の電
極である。
電極、６，８はＡｕ／Ｚｎ／Ａｕよりなるモニタ用の電
極である。
レーザストライプパターンは屈曲させて、ストライプの
横方向への光の放射を増やし、この光の放射と、電流注
入による拡散電荷とによる電極６と８間の抵抗変化によ
りレーザの出力をモニタする。
横方向への光の放射を増やし、この光の放射と、電流注
入による拡散電荷とによる電極６と８間の抵抗変化によ
りレーザの出力をモニタする。
以上詳細に説明したように本発明によるモノリシックの
モニタ付きＬＤでは、簡単にモニタ素子を組込め、しか
もそれによるレーザ発振への影響がない。即ち、レーザ
出力の低下や、経時変化がない。
モニタ付きＬＤでは、簡単にモニタ素子を組込め、しか
もそれによるレーザ発振への影響がない。即ち、レーザ
出力の低下や、経時変化がない。
第１図（ａｌ、 （ｂ）はそれぞれ本発明のよる第１の
実施例を示すモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図と
断面図、 第２図は本発明のよる第２の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
、 第３図は本発明のよる第３の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
、 第４図は従来例によるモノリシックのモニタ付きＬＤの
断面図である。 図において、 工はｎ −ＡＩＧａＡｓ層、 ２は活性層でＧａＡｓ
層、３はｐ −ＡＩＧａＡｓ層、 ４はｎ−電極、５は
ＬＤのｐ−電極、 ６．８．９はモニタ素子の電極。 ７は溝
実施例を示すモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図と
断面図、 第２図は本発明のよる第２の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
、 第３図は本発明のよる第３の実施例を示す半絶縁性基板
上に作成されたモノリシックのモニタ付きＬＤの平面図
、 第４図は従来例によるモノリシックのモニタ付きＬＤの
断面図である。 図において、 工はｎ −ＡＩＧａＡｓ層、 ２は活性層でＧａＡｓ
層、３はｐ −ＡＩＧａＡｓ層、 ４はｎ−電極、５は
ＬＤのｐ−電極、 ６．８．９はモニタ素子の電極。 ７は溝
Claims (1)
- レーザストライプパターンに接近して１個以上のオーミ
ック電極を設け、該レーザストライプパターンの横方向
に漏れる光か、電流注入に伴う該レーザストライプパタ
ーンの横方向への拡散電荷のいずれか、あるいは両方に
より該オーミック電極と背面電極間、あるいは該オーミ
ック電極間の抵抗を変化させることにより相対的にレー
ザ出力光の変化をモニタする構造を有することを特徴と
する半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27751884A JPS61154090A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27751884A JPS61154090A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154090A true JPS61154090A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17584710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27751884A Pending JPS61154090A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
| JP2011165712A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体光増幅器モジュール |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27751884A patent/JPS61154090A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
| JP2011165712A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体光増幅器モジュール |
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