JPS61153620A - 薄膜非線形抵抗素子 - Google Patents
薄膜非線形抵抗素子Info
- Publication number
- JPS61153620A JPS61153620A JP59276397A JP27639784A JPS61153620A JP S61153620 A JPS61153620 A JP S61153620A JP 59276397 A JP59276397 A JP 59276397A JP 27639784 A JP27639784 A JP 27639784A JP S61153620 A JPS61153620 A JP S61153620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- electrode
- patterned
- film
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁体基板上に下金属・絶縁体−土金属の三
層構造を形成して得られる薄膜非線形抵抗素子ｃ以下ｒ
ｎｘｕ素子Ｊと呼称する〕忙関するものである。
層構造を形成して得られる薄膜非線形抵抗素子ｃ以下ｒ
ｎｘｕ素子Ｊと呼称する〕忙関するものである。
ＭＩＭ素子は、その非線形抵抗特性を利用１−．７ｔス
イツチング素子として現在研究が進められており、その
液晶表示体への応用などが既に報告されている（ １１
Ｒ，Ｂａ５ａ、ｆｆ、ｅｔａｉ、 Ｓより’８０
ＤＩＧＴ！ＪＳＴ。
イツチング素子として現在研究が進められており、その
液晶表示体への応用などが既に報告されている（ １１
Ｒ，Ｂａ５ａ、ｆｆ、ｅｔａｉ、 Ｓより’８０
ＤＩＧＴ！ＪＳＴ。
Ｐ、２００． １９８０）。掌２図に従来のＭ工、Ｍ素
子の断面図を示す。従来のＭＩＭ素子は、絶縁に板上に
下部電極６ｆパターン形成後、その上尾絶縁体７をパタ
ーン形成、透明電極８をパターン形成、最後忙上ｍ ｗ
、極９ｆパターン形成する構造であり、よって、信号電
流は下部［Ｌ絶縁体、上部Ｗ、 ＊、透、明電極を通り
液晶忙達する。
子の断面図を示す。従来のＭＩＭ素子は、絶縁に板上に
下部電極６ｆパターン形成後、その上尾絶縁体７をパタ
ーン形成、透明電極８をパターン形成、最後忙上ｍ ｗ
、極９ｆパターン形成する構造であり、よって、信号電
流は下部［Ｌ絶縁体、上部Ｗ、 ＊、透、明電極を通り
液晶忙達する。
しかし前述の従来技術では、この絶縁体と透明電極とを
結ぶ上部電極が絶縁体のｆｌＡ（テーパ一部）でキレが
生じやすく、またその部分の金属模のつ＃まわりが悪い
九めに１Ｍ工Ｍ素子の発Ｐ覗象がその部分で起こ９１Ｍ
工Ｍ素子が破壊されるという現象を廟こすという問題点
を有する。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、電極のキレやＭ工Ｍ
素子の熱的破壊を防ぐ構造を持ったＭ工Ｍ素子を提供す
るところにある。
結ぶ上部電極が絶縁体のｆｌＡ（テーパ一部）でキレが
生じやすく、またその部分の金属模のつ＃まわりが悪い
九めに１Ｍ工Ｍ素子の発Ｐ覗象がその部分で起こ９１Ｍ
工Ｍ素子が破壊されるという現象を廟こすという問題点
を有する。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、電極のキレやＭ工Ｍ
素子の熱的破壊を防ぐ構造を持ったＭ工Ｍ素子を提供す
るところにある。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは１Ｍ工Ｍ素子内部の絶縁体と透
明電ｒＡｆ：結ぶ金属電極中にテーパー構造を持たない
Ｍ１輩素子を提供するところにある。本発明は、ＭｒＭ
素子の構造において、最初に絶縁体と透明電極間を結ぶ
下金属電極をパターン形成後、透明電極を形成し、その
上に下金属と交差するよう忙絶縁体と金属′電極をパタ
ーン形成し、それをおおう厚い絶縁体をパターン形成す
ることＫよりテーパー構造を特定ないことｔ−特徴とす
る。
その目的とするところは１Ｍ工Ｍ素子内部の絶縁体と透
明電ｒＡｆ：結ぶ金属電極中にテーパー構造を持たない
Ｍ１輩素子を提供するところにある。本発明は、ＭｒＭ
素子の構造において、最初に絶縁体と透明電極間を結ぶ
下金属電極をパターン形成後、透明電極を形成し、その
上に下金属と交差するよう忙絶縁体と金属′電極をパタ
ーン形成し、それをおおう厚い絶縁体をパターン形成す
ることＫよりテーパー構造を特定ないことｔ−特徴とす
る。
本発明の上記の構成忙よれば、Ｍ工Ｍ素子内部の絶縁体
と透明電極を結ぶ金属電極中和テーパー構造金持念ない
ので単一な面の入で接触し、金属電極のテーパ一部での
キレが防がれ、また電極が均一の厚さで付くためＭ工Ｍ
素子の熱破壊を防ぐことである。
と透明電極を結ぶ金属電極中和テーパー構造金持念ない
ので単一な面の入で接触し、金属電極のテーパ一部での
キレが防がれ、また電極が均一の厚さで付くためＭ工Ｍ
素子の熱破壊を防ぐことである。
第１図は、本発明の実施例にかけるＭＩＭ素子の断面構
造を示す図である。
造を示す図である。
まず最初、
１、絶縁基板上にＯｒ ＋ Ａ％などの金属をスパッタ
法や蒸着法などで皮膜しパターニングすること忙より下
部金属電極１を形成する。
法や蒸着法などで皮膜しパターニングすること忙より下
部金属電極１を形成する。
２、 金属Ｍ極上に一部かさなるよ５に透明ＩＥ極２を
パターン形成する。
パターン形成する。
３、 下部金属電極１上に交差する上うに、ＴαＸ０Ｓ
ｋどの絶縁体膜３を反応性スパヅタ法、イオンブレーテ
ィング法、陽極酸化法などで皮膜しパターン形成する。
ｋどの絶縁体膜３を反応性スパヅタ法、イオンブレーテ
ィング法、陽極酸化法などで皮膜しパターン形成する。
４、 絶縁体５上にＴｃｃなどの金属を皮膜パターニン
グし上部金属電極４を形成する。
グし上部金属電極４を形成する。
５、 上部金属電極４上に５ｊＯｔなどの絶縁体５を厚
く皮嗅形成しパターニングする。
く皮嗅形成しパターニングする。
以上のような構造で形成され７ｔＭ工Ｍ素子でけ信号電
流は上部金属電極、絶縁体、下部金属電極、透明電極を
通り、液晶に達する。従って、Ｍ工Ｍ素子のもとどなる
絶縁体と透明電極を結ぶ金属電極で電極の切れの原因や
Ｍ工Ｍ素子の熱破壊の原因となるテーパ一部を持定ない
。
流は上部金属電極、絶縁体、下部金属電極、透明電極を
通り、液晶に達する。従って、Ｍ工Ｍ素子のもとどなる
絶縁体と透明電極を結ぶ金属電極で電極の切れの原因や
Ｍ工Ｍ素子の熱破壊の原因となるテーパ一部を持定ない
。
以上述べたように本発明によればＭ工Ｍ素子内部に電極
切れやＭ工Ｍ素子の熱破壊の原因となるテーパ一部を持
たないので絶縁体と透明電極を結ぶ金Ｊｉｉｔ極のキレ
、Ｍ工Ｍ素子の熱破壊を防ぐという効果を有する。
切れやＭ工Ｍ素子の熱破壊の原因となるテーパ一部を持
たないので絶縁体と透明電極を結ぶ金Ｊｉｉｔ極のキレ
、Ｍ工Ｍ素子の熱破壊を防ぐという効果を有する。
重たＭ工Ｍ素子？厚い絶縁体で回り全おおうので、ＭＩ
Ｍ素子を機械的な衝撃から守ることができるとＶ）う効
果も有する。
Ｍ素子を機械的な衝撃から守ることができるとＶ）う効
果も有する。
第１図は本発明の薄膜非線形抵抗素子の一実施例を示す
断面図である。 １・・・・・・下部金属′Ｈ極 ２・・・・・・透明電極 ３・・・・・・絶縁体 ４・・・・・・上部金属電極 ５・・・・・・絶縁体 第２図は従来技術における薄膜非線形抵抗素子の実施例
を示＋断面図である。 ６・・・・・・下部金属電極 ７・・・・・・絶縁体 ８・・・・・・上部金属電極 ９・・・・・・透明電極 以 上 出願人 株式会社 諏訪゛精゛工舎 第１図 第２図
断面図である。 １・・・・・・下部金属′Ｈ極 ２・・・・・・透明電極 ３・・・・・・絶縁体 ４・・・・・・上部金属電極 ５・・・・・・絶縁体 第２図は従来技術における薄膜非線形抵抗素子の実施例
を示＋断面図である。 ６・・・・・・下部金属電極 ７・・・・・・絶縁体 ８・・・・・・上部金属電極 ９・・・・・・透明電極 以 上 出願人 株式会社 諏訪゛精゛工舎 第１図 第２図
Claims (1)
- 絶縁基板上に金属電極を形成・パターニングし、つづい
て絶縁体と金属電極を下金属電極のパターニング形状と
交差する形状にパターニングし、絶縁体と上部金属電極
をおおう厚い絶縁体膜を形成することにより、テーパー
構造を持たないことを特徴とする薄膜非線形抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276397A JPS61153620A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 薄膜非線形抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276397A JPS61153620A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 薄膜非線形抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153620A true JPS61153620A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17568835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276397A Pending JPS61153620A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 薄膜非線形抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967214A (en) * | 1986-06-04 | 1990-10-30 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Camera on which a front converter can be mounted |
| KR100455001B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2004-11-06 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막저항소자 및 그의 제조방법 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59276397A patent/JPS61153620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967214A (en) * | 1986-06-04 | 1990-10-30 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Camera on which a front converter can be mounted |
| KR100455001B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2004-11-06 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막저항소자 및 그의 제조방법 |
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