JPS61151199A

JPS61151199A - カルボン酸アミド誘導体

Info

Publication number: JPS61151199A
Application number: JP27691284A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Tsuda; 可彦津田; Yoshiaki Tsuda; 津田　嘉章
Original assignee: Otsuka Pharmaceutical Factory Inc
Current assignee: Otsuka Pharmaceutical Factory Inc
Priority date: 1984-12-26
Filing date: 1984-12-26
Publication date: 1986-07-09
Also published as: JPH0419236B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】る。

本発明のカルボン酸アミド誘導体は、文献未載の新規化
合物である。

本発明は、後記するように医薬品として有用な化合物を
提供することを目的とする。

本発明によれば、一般式〔式中Ｒ及びＲはそれぞれ水素原子、アルキル基、シク
ロールキル基、ジフェニル低級アロ子、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アルコキシ基、低級
アルコキシカルボニル基、低級アルキル基、ハロゲン置
換低級アルキル基、シアノ基、カルボキシル基又は水酸
基を、Ａは低級アルキレン基を、ｌは０又は１を示す。

またＲ１及びＲ２は之等が結合する窒素原子と共に、窒
素原子又は酸素原子を介するか介することなく互いに結
合して、複素環基を形成してもよく、該複素環基は低級
アルキル基、フェニル低級アルキル基又は置換基として
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子もし
くはハロゲン置換低級アルキレ基金有することのあるフ
ェニル基で置換されていてもよい。Ｒ８は水素原子、ア
ルキル基又はフェニル低級アルキル基を示す。Ｒ４は低
級アルキル基又はフェニル基を示す。Ｘは酸素原子又は
硫黄原子を示す。〕で表わされるカルボン酸アミド誘導体が提供される。

上記一般式（１）において示される各基としては、具体
的にはそれぞれ以下の各基を例示できる。

アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル基等を例示できる。

シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等を例示でき
る。

ハロゲン原子としては、弗素原子、塩素原子、臭素原子
、沃素原子を例示できる。

低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキ
シ基等を例示できる。

低級アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシジカルボニル、
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等を例示できる。

低級アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、
ヘキシル基等を例示できる。

ハロゲン置換低級アルキル基としては、トリフルオロメ
チル、トリクロロメチル、２．２．２−　）リフルオロ
エチル基等を例示できる。

ジフェニル低級アルキル基としては、ジフェニルメチル
、２．２−ジフェニルエチル、３．３−ジフェニルプロ
ピル、４．４−ジフェニルブチル基等を例示できる。

フェニル低級アルキル基としては、ベンジル、ａ−フェ
ネチル、β−フェネチル、３−フェニルプロピル、４−
フェニルブチル、２−メチル−２−フェニルエチル、２
−メチル−３−フェニルプロピル基等を例示できる。

ｌ壬錫アル専しン某、ｌ−してけ−メチレンーエチレン
、メチルメチレン、１−メチルエチレン、トリメチレン
、２−メチルプロピレン、テ・トラメチレン基等を例示
できる。

置換基として低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
ゲン原子もしくはハロゲン置換低級アルキル基を有する
ことのあるフェニル基としては、フェニル、４−メチル
フェニル、３−トリフルオロメチルフェニル、３．４−
ジメチルフェニル、３゜４．５−）ジメチルフェニル、
２−エチルフ５エニル、４−トリクロロメチルフェニル
、２−メトキシフェニル、３．４−ジメトキシフェニル
、３．４．５−）ジメトキシフェニル、３−エトキシフ
ェニル、４−メトキシフェニル、４−クロロフェニル、
３．４−シクロロフエニル、　２．６−ジクロロフェニ
ル、３．４．５−）ジクロロフェニル、３．４−ジブロ
モフェニル、４−フルオロフェニル、２−フルオロフェ
ニル、２−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−
クロロ−２−メチルフェニル、３．４−ジメトキシ−２
−クロロフェニル基等を例示できる。

＾上記例示のフェニル基及びａ換フェニル基の他、４−ニ
トロフェニル、２−ニトロフェニル、２−メトキシカル
ボニルフェニル、２−ヒドロキシ−４−エトキシカルボ
ニルフェニル、４−シアノフェニル、２−シアノフェニ
ル、２−カルボキシフェニル、４−カルボキシフェニル
、２−ヒドロキシフェニル、４−ヒドロキシフェニル、
２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル、４−メトキシカ
ルボニルフェニル基を例示できる。

ベンジル、α−フエネル、・β−フエネ′ル、３−フェ
ニルプロピル、４−フェニルブチル、４−メチルベンジ
ル、２．５−ジメチルベンジル、３−トリフルオロメチ
ルベンジル、２−エチルベンジル、４−トリクロロメチ
ルベンジル、α−（２−メトキシフェニル）エチル、β
−（３，４−ジメトキシフェニル）エチル、３−エトキ
シベンジル、４−メトキシベンジル、４−クロロベンジ
ル、２．４−ジクロロベンジル、β−（２，６−ジクロ
ロフェニル）エチル、３．４−ジブロモベンジル、α−
（４−フルオロフェニル）エチル、２−フルオロベンジ
ル、２−クロロベンジル、３．４−ジメトキシ−２−ク
ロロベンジル、２−ニトロベンジル、３−（４−ニトロ
フェニル）プロピル、４−ニトロベンジル基等を例示で
きる。

□　結合する窒素原子と共に、酸素原子又は窒素原子を
介するか介することなく互いに結合して形成ベリジノ、
１−ピペラジニル、モルホリノ基等を例示できる。

低級アルキル基、フェニル低級アルキル基又は置換基と
して低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
もしくはハロゲン置換低級アルキル基を有することのあ
るフェニル基で置換された上記複素環基としては、４−
メチル−１−ピペラジニル、４−エチル−１−ピペラジ
ニル、４−　ｔｅｒｔ−フチルー１−ピペラジニル、４
−フェニル−１−ピペラジニル、４−ベンジル−１−ピ
ペラジニル、４−（２−メトキシフェニル）−１−ピペ
ラジニル、４−（３−エトキシフェニル）−１−ピペラ
ジニル、４−（４−メトキシフェニル）−１−ピペラジ
ニル、４−（４−クロロフェニル）−１−ピペラジニル
、４−（２−フルオロフェニル）−１−ピペラジニル、
４−（４−ブロモフェニル）−１−ピペラジニル、４−
（４−フルオロフェニル）−１−）’ぺ丹リニル−４−
Ｃ２−メチルフエニル）−１−ピペラジニル、４−（４
−エチルフェニル）−１−ピペラジニル、４−（３−ト
リフルオロフェニル）−１−ピペラジニル、４−（β−
フェネチル）−１−ピペラジニル、４−メチルピペリジ
ノ、４−フェニルピペリジノ基等を例示できる。

上記一般式（１）で表わされる本発明の化合物は、優れ
た抗炎症作用、カルシウム拮抗作用を有し、抗炎症剤及
び狭心症、心筋梗塞症、不整脈症の如き虚血性心疾患及
び高血圧症の予防並びに治療剤として有用である。

本発明化合物は、種々の方法により製造することができ
、その代表的方法を下記反応式−１〜−６に示す。

反応式−１カルボン酸誘導体（１）とアミン類（１）とを縮合させ
る方法〔Ｉ〕〔鳳〕（Ｉａ）反応式−２カルボン酸誘導体（１）を混合酸無水物にして、アミン
類（１）と反゛応させる方法（Ｉａ）反応式−３ハロアミド誘導体（ｆｆ）に亜リン酸エステル類（Ｄを
反応させる方法（ＩＶ）　　　　　　　ＣＤ（ｌａ）反応式−４にハロゲン化アルキル類〔■〕を反応させる方法（Ｉｂ
）（■〕（Ｉｃ）反応式−５カルボン酸アミド誘導体（Ｉａ）に三硫化ニリン〔■〕
を反応させる方法〇一１ワ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　どｖＩＦ）（ｌｄ）反応式−６カルボン酸エステル（Ｉｅ）を塩基で加水分解する方法（ｌｅ）（Ｉｆ）〔上記反応式−１〜−６に示す各式中、Ｒ〜Ｒ４及びＸ
は前記に同じ。Ｙ及び２はそれぞれハロゲン原子を、Ｒ
６′は低級アルコキシカルボニル基を示す。〕反応式−１に示す反応において、縮合剤としては従来公
知の縮合剤を広（使用でき、具体的には、Ｎ、Ｉ−ジシ
クロへキシルカルボジイミド、１−ヒドロキシベンゾト
リアゾール、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド、ジエチル
リン酸シアニド、ジフェニルリン酸アジド等を例示でき
る。これらのうちジエチルリン酸シアニドをトリエチル
アミンと共に用いるのが有利である。反応は公知の非プ
ロトン性溶媒中、特に好ましくはＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）中で概ね水冷下〜室温付近の温度下
、０．５〜２時間時間子行なわれる。化合物（１）と化
合物（１）との使用割合は、特に限定されず広い範囲内
から適宜選択できるが、通常前者に対して後者を等モル
へ過剰量、好ましくは等モル程度とするのがよい。又、
縮・合剤、特にジエチルリン酸シアニドとトリエチルア
ミンは、化合物（１）に対して等モルへ過剰量、好まし
くは少過剰量用いるのが好ましい。

反応式−２に示す混合酸無水物を経る反応は、一般に、
混合酸無水物を形成し得るカルボン酸ハライド類又はス
ルホン酸ハライド類を、脱酸剤共存下で用いて実施され
る。上記カルボン酸ハライド類及びスルホン酸ハライド
類としては、通常のもの、例えばクロル炭酸エチル、ク
ロル炭酸イソフチル、ｐ−トルエンスルホン酸クロリド
、ベンゼンスルホン酸クロリド等を用い得る。これらの
うちでクロル炭酸エチルは好適である。脱酸剤としては
反応に悪影響を及ぼさない公知のものをいずれも使用で
き、好ましくはトリエチルアミン、ピリジン、ジエチル
アニリン、Ｎ−メチ、ルモルホリン等の三級アミン類を
使用できる。該反応は、−語１１−外俟坩出１鍔ｔｐ−
ｈ杓　炊研ル１１丁神ベンゼン、トルエン、キシレン、
石油エーテル等の芳香族ないし脂肪族炭化水素類、エチ
ルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（
ＴＨＦ）、ジオキサン等の鎖状ないし環状エーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、アセトフェノン等のケ
トン類、クロロホルム、四塩化炭素、１．２−ジクロル
エタン等のハロゲン化炭化水素層が用いられる。化合物
（１）と化合物（１）との使用割合は、特に限定されな
いが、通常前者に対して後者を等モルへ過剰量用いるの
がよい。また前記カルボン酸へ−ライド類及びスルホン
酸パライト類と脱酸剤とは、夫々化合物（１）に対して
等モルへ少過剰量用いるのが好ましい。反応は冷却下、
室温下及び加熱下のいずれでも進行するが、通常室温〜
溶媒の還流温度範囲とするのがよく、一般に０．５〜５
時間程度で終了する。

反応式−３に示す反応は、反応に悪影響を及ぼさない溶
媒、例えば低級アルコール類、芳香族ないし脂肪族炭化
水素類、ＤＭＦ等の溶媒中でも行なわれるが、通常無溶
媒で行なわれるのが好ましい。化合物ＣＤは、通常化合
物（ｆｆ）に対して過剰量用いられる。反応温度は約１
３０〜１８０℃、好ましくは約１４０−％−１５０℃と
され、反応時間は、化合物ＩＪ）の種類により異なるが
、通常約０、５〜３時間程翼とされる。

反応式−４に示す反応において塩基としては、従来公知
の塩基性化合物を広く使用できる。その具体例としては
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、水
素化カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキ
シド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド等の
無機塩基を例示できる。これらのうちでは水素化ナトリ
ウム、水素化カリウム等の金属水素化物が好適である。

反応は通常適当な溶媒中で行なわれる。溶媒としては例
えばベンゼン、トルエン、キシレン、石油エーテル等の
芳香族ないし脂肪族炭化水素類、エチルエーテル、メチ
ルフェニルエーテル、ＴＨＦ。

ジオキサン等の鎖状ないし環状エーテル類、メタノール
、エタノール、イソプロパツール等の低級アルコール類
等が、用いられる塩基の掴類、■料物質の性状、その他
の反応条件に応じて適宜選択使用される。本反応におい
て化合物（Ｉｂ）と化合物ＣＭ）との使用割合は特に限
定されないが、通常前者に対して後者を等モルへ過剰量
、好ましくは等モル程度とするのがよい。塩基の使用割
合は化合物（Ｉｂ）に対して等モルへ少過剰量程度とす
るのが好ましい。反応は冷却下、室温下及び加熱下のい
ずれでも進行するが、通常室温〜溶媒の還流温度の温度
条件゛とするのがよく、一般に１〜６時間程度で完了す
る。

反応式−５に示す反応蔽こおいて、化合物（Ｉａ）と三
硫化ニリン〔■〕との使用割合は特に限定されず広い範
囲内で適宜選択すればよいが、通常前者に対して後者を
等モルへ過剰量、好ましくは１．５〜２．５倍モル程度
とするのがよい。尚化合物（Ｉａ）は前記反応式−１、
−２、−３又は−４に示す方法により得られる。本反応
は一般に非プロトン性溶媒中にて有利に進行する。かか
る溶媒としては、例えばピリジン、トリエチルアミン、
ジメチルアニリン等の三級アミン類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル等
をあげることができ、好ましくはベンゼンとピリジンの
混合溶媒を用いるのがよい。その混合割合は特に限定さ
れないが、通常前者を後者に対して４〜５倍にするのが
よい。また反応は通常室温〜溶媒の還流温度、好ましく
は７０〜９０℃程度にて、２〜ｌＯ時間程度で終了する
。

本発明のカルボン酸アミド誘導体中Ｒ２がｒ＾八へアルコキシカルボニル）基である化合物（Ｉｅ）を塩基
で加水分解することにより得られる。該化合物（１６）
は、前記反応式−１〜−５に示すいずれかの方法により
得られる。上記加水分解反応に用いられる塩基としては
具体的には水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ・金属水酸化物を例示できる。該
塩基は化合物（Ｉｅ）に対して通常過剰量用いられる。

反応は溶媒、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
パツール等の低級アルコール類と水との混合溶媒中、冷
却下、室温又は加熱下、好ましくは室温下に、約２〜Ｉ
Ｏ時間を要して行なわれる。　゛か（して得られる本発明の化合物は、慣用の分離手段、
例えば溶媒抽出、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフ
ィー、プレパラテイブ薄贋クロマトゲラフイー等により
容易曇ζ単離精製できる。

以下、本発明化合物の製造例を実施例として掲げる。

実施例１４−ジェトキシホスフィニルメチル安息香酸１．３６Ｆ
（５ミリモル）とベンジルアミン０．５４Ｆ（５ミリモ
ル）とを、乾燥ＤＭＦ　１５　ｍｌ　ＩＣ溶解し、水冷
攪拌下、ジエチルリン酸シアニド１．００９　（５，５
ミリモル）ノ乾燥ＤＭＦ２ｍＪ溶液を滴下する。次いで
トリエチルアミン０．５６　ｆ（６，５ミリモル）の乾
燥ＤＭＦ１ｍＪ溶液を５分間を要して滴下し、水冷下に
３０分攪拌後、室温で１時間攪拌する。反応混合物中に
水３０　ｍｌを加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を水
で２回洗浄する。芒硝上で乾燥後、溶媒を留去する。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホル
ム−酢酸エチルエ１：１で溶出）に付し、４−ジェトキ
シホスフィニルメチル−Ｎ−ベンジルベンズアミドを得
る。ベンゼン−ｎ−ヘキサンより再結晶し、無色針状晶
１．６Ｏｆを得る。ＩＩ）９９−１００℃。

実施例２〜３４上記実施例１と同様にして下記第１表に記載の各化合物
を得る。尚第１表中性状の項には融点（”Ｃ）と再結晶
溶媒とを掲げるか、油状のものでは”）（−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣＩ　、　内部標準ＴＭＳ　）分析結果（δ値；ｐｐ
ｍ）を掲げる。また第１表には、上記実施例１で得た化
合物をも併記する。

実施例３５４−ジェトキシホスフィニルメチル安息香酸１．３６ｆ
（５ミリモル）とトリエチルアミン０．５６　Ｆ　（５
，５ミリモル）とを乾燥ＴＨＦ　１５ｍｌに溶解し、水
冷攪拌下に、クロル炭酸エチル０．６０　ｆ　（５，５
ミリモル）の乾燥ＴＨＦ２ｍｌ溶液をゆっくり滴下する
。水冷下で３０分攪拌した後、アンモニアガスをゆっく
り１５分間吹き込む。

室温で２時間攪拌した後、反応混合物中に水３０ｔｌｌ
ｌを加え、クロロホルムで抽出する。芒硝上で乾燥し、
溶媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（クロロホルム−メタノール＝１０：１で溶出）
に付し、４−ジェトキシホスフィニルメチルベンズアミ
ドを得る。クロロホルム−ベンゼンより再結晶し、無色
板状晶０．８゜ｆを得る。ｍｐ　１７７．０−１７７．
５℃。

実施例３６及び３７実施例３５においてアンモニアガスに代え、３゜３−ジ
フェニルプロピルアミン（実施例３６）及びモルホリン
（実施例３７）の夫々を用い、４５分間反応させる以外
は、同様にして第２表に示す各化合物を得る。第２表に
おける性状の項の記載は第１表と同様である。

実施例３８４−ジェトキシホスフィニルメチル−Ｎ−（２−メトキ
シカルボニルフェニル）ベンズアミド０．７３　ｆ　（
１，８ミリモル）をエタノ−７１ｚｌＱ７ＦＪｌに溶解
し、水冷攪拌下、ＩＮ水酸化ナトリウム１０　ｍｌをゆ
っくり滴下する。室温で５時間攪拌した後、反応混合物
中に２Ｎ塩酸１０　ｍｌを加えクロロホルムで抽出する
。芒硝上で乾燥し、溶媒を留去する。結晶残渣をベンゼ
ンより再結晶し、４−ジェトキシホスフィニルメチル−
Ｎ−（２−カルボキシフェニル）ベンズアミドの無色板
状晶０、６０１を得る。ｍｐ１７１−１７２℃。

実施例３９４−ブロモメチル−Ｎ−（２−メトキシカルボニルフェ
ニル）ベンズアミド１．０７ｆ（８，１ｔ’Ｊモル）を
亜リン酸トリエチル５　ｍｌに懸濁させ、１４０〜１５
０℃で３０分加熱攪拌する。過剰の亜リン酸トリエチル
を減圧留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（クロロホル　　　礪ムーメタノール＝１＝１
で溶出）に付し、４−ジＯウエトキシホスフィニルメチル−Ｎ−（２−メトキシカル
ボニルフェニル）ベンズアミドを得る。べ　　　昧ンゼ
ンーｎ−ヘキサンより再結晶し、無色針状晶１．２０ｆ
を得る。　ｍｐ　１１１．５−１１２．５℃。

実施例４０〜４８上記実施例３９と同様にして下記第３表に記載の各化合
物を得る。第３表における性状の項の記載方法は第１表
・のそれと同様とする。

実施例４９４−ジェトキシホスフィニルメチル−Ｎ−（４水素化ナ
トリウム（６０％、油性）０．０７Ｆ（１，６ｔリモル
）を少量ずつ加える。水冷下に３０分攪拌した後、ベン
ジルプロミド０．２３１（１，３ミリモル）の乾燥テト
ラヒドロフラン２ｍｌ溶液を滴下する。室温で５時間攪
拌した後、反応混合物中に水３０　ｍｌを加え、クロロ
ホルムで抽出する。芒硝上で乾燥し、溶媒を留去する。

残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホ
ルム−酢酸エチル＝１：１で溶出）に付し、４−ジェト
キシホスフィニルメチル−Ｎ−ベンジル−Ｎ−（４−ク
ロロフェニル）ベンズアミドを得る。ベンゼン−ｎ−ヘ
キサンより再結晶し、無色柱状晶０．４０ｆを得る。ｍ
ｐ８１−８２℃。

実施例５０〜６４上記実施例４９と同様にして下記第４表に記載の各化合
物を得る。第４表における注状の項の記載方法は第１表
のそれと同じである。

実施例６５４−ジェトキシホスフィニルメチル−Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルベンズアミド０．４０　ｆ　（１，１ミリモル
）と三硫化ニリン０．５６ｆ（２，５ミリモル）とを、
無水ベンゼン２０　ｍｌと脱水ピリジン５ｍｌとの混合
溶媒に懸濁させ、７時間加熱還流する。室温まで放冷し
た後、反応混合物を氷水５０ｍ１中に添加する。水層を
４Ｎ塩酸で酸性にして、クロロホルムで抽出する。芒硝
上で乾燥し、溶媒を留去する。残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィー（ベンゼン−酢酸エチル＝１：ｌで溶出）
に付し、４−ジェトキシホスフィニルメチル−Ｎ−メチ
ル−Ｎ−フェニルチオベンズアミドを得る。ベンゼン−
ｎ−ヘキサンより再結晶し黄色針状晶０．２３ｆを得る
。ｍｐ６Ｇ、５−６１．５℃。

実施例６６〜７０上記実施例６５と同様にして下記第５表に記載の各化合
物を得る。第５表における性状の項の記載方法は第１表
のそれと同じである。

実施例７１及び７２実施例１と同様にして下記第６表に記載の各化合物を得
る。

第　　６　　表実施例７３実施例３８と同様にして下記第７１こ記載の化合物を得
る。

第　　７　　表実施例７４及び７５実施例４９と同様にして下記第８表に記載の化合物を得
る。

第　　８　　表（以上）手続補正書（自相昭和６０年４月３０日昭和、５９年特　許　願第２７６９１２　　号２、　発
明ｏ名ｖｓ　力、＄、酸アエアニド誘導体補正をする者事件との関係　特許出願人株式金社　大板製薬工場４、代理人大阪市東区平野町２の１０沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１　Ｃ代）自　　発６、補正により増加する発明の数な　　　し７°　補正０対象明細書中「発明の詳細な説明」の環２
補　　正　　の　　内　　容１　明細書第９頁第１行に「α−フエネル、β−フエネ
ル」とあるを「α−フェネチル、β−フェネチル」と訂
正する。

２　明細書第２７頁に記載の第１表中、実施例番号７の
性状の項に「ｌ今４．５−１４５．５Ｊとあるをｒ　１
４４．５−１４５．５　（分解）」と訂正する。

３　明細書第４６頁に記載の第４表中、実施例番号５２
の性状の項に「３．Ｑ５　（ｚａｃｋｄ　、　Ｊ−２２
，０Ｈｚ　、　ｔａｔａｌｌＷ２Ｈ）　Ｊとあるをｒ３
．０５（ｚｔｓｅｌｔ　ｄ　、　Ｊｍｌ’ｌ、、　ＱＨ
ｘ、　ｔｏｔａｌｌｌ　２Ｈ）　ｊと、また「５．０６
（ｔａｃｋ　ｚ　、　ｔｏｔａｌｌｌ　２Ｍ　）　Ｊと
あるを［５，Ｑ６（ｔｔｓｃｋ　ｚ　、　　ｌｏｇａｌ
ｌｌ　２Ｈ）　Ｊと夫々証する。

今　明細書第４７頁に記載の第４表中、実施例番号５３
の性状の項に［５，１６、５，１９（ｔｔｌｃｋｌ　。

ｔｏｔｔｔｌｌｙ　２Ｈ）Ｊとあるを「５．１６，５．
１９（ｔａｃｋ　ｘ　、　　ｔｏｔａｌｌｙ　２Ｈ）　
Ｊと訂正する。

５　明細書第４８頁に記載の第４表中、実施例番号５８
の性状の項に「今、８　、５．３　（ｔａｃｋ　ｂｒ。

ｘ　、　　ｔｔｓｔａｌｌｙ　２Ｈ）　Ｊとあるを「今
、８，５．３（ｅａｃｈ　ｂｒ、ｓ　、　　ｔｏｔａｌ
ｌｙ　２Ｈ）　Ｊと訂正する。

６　明細書第５７頁に記載の第６表中、Ｒ１の項に［Ｍ
ｔａＫ＝ＸＪとあるを［Ｈ，Ｃ０ＸＮ　　Ｊと訂正し、
また性状の項にｒ　１．２９　（ｚ、　６Ｍ、　７−７
、　ＯＥＭ　）、　３．３３（ｄ、　２Ｍ、　／−２１
，５Ｈ１）Ｊとあるをｒ　１．２９（ｊ、　Ｊ−７，０
Ｈ１，６＃）、　３．３３（ｄ、　／−２１，５Ｈｚ、
　２＃）　Ｊと訂正する。

７　明細書第５８頁に記載の第７表中、性状の項にｒ　
１．２０（１，６Ｍ、　／−７，０＃ｊ　）、　３．０
６（４，２Ｍ。

／−２２，０ｉｌ　）Ｊとあるをｒｌ、２０（ｔ、／−
７，０＃ｊ、６＃）、３、０６（ｄ、　／−２２，０Ｈｚ、２Ｈン」と訂正する。

８　明細書第５９頁に記載の第８表中、性状の項にｒ　
１．２０ＣＩ、　６Ｈ，／−７，０Ｈ１）、　３．２０
（ｄ、　２Ｈ。

Ｊ−２１，５Ｍｇ　）Ｊ　　とあるを［１，２０（ｔｌ
　／−７，０ＨＩ。

６Ｍ＞、　３．２０（ｄ、　Ｊ−２１，５Ｈ１，２Ｈ）
　Ｊと訂正する。

９　明細書第６０頁に記載の第９表中、性状の項にｒ　
１．２８（ｊ、　６Ｍ、　／−７，０ＨＪ　Ｌ　３．５
２（ｄ、　２Ｍ。

／−２２，０＃Ｍ　）Ｊとあるをｒ　１．２８（ｔＩ　
Ｊ−７，０ｇ１ｅ６Ｈ）、３．５２（ｄ、　／−２２，
０＃ｇ、　２＃）Ｊと訂正する。

（以　上）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれ水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、ジフェニル低級アルキル基又は
基▲数式、化学式、表等があります▼を示す。該基においてＲ＾５、Ｒ＾６及びＲ＾７はそれぞ
れ水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アルコキシ
基、低級アルコキシカルボニル基、低級アルキル基、ハ
ロゲン置換低級アルキル基、シアノ基、カルボキシル基
又は水酸基を、Ａは低級アルキレン基を、ｌは０又は１
を示す。またＲ＾１及びＲ＾２は之等が結合する窒素原
子と共に、窒素原子又は酸素原子を介するか介すること
なく互いに結合して、複素環基を形成してもよく、該複
素環基は低級アルキル基、フェニル低級アルキル基又は
置換基として低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
ゲン原子もしくはハロゲン置換低級アルキル基を有する
ことのあるフェニル基で置換されていてもよい。Ｒ＾３
は水素原子、アルキル基又はフェニル低級アルキル基を
示す。Ｒ＾４は低級アルキル基又はフェニル基を示す。Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示す。〕で表わされるカルボン酸アミド誘導体。