JPS61150184A - Memory device - Google Patents
Memory deviceInfo
- Publication number
- JPS61150184A JPS61150184A JP59277095A JP27709584A JPS61150184A JP S61150184 A JPS61150184 A JP S61150184A JP 59277095 A JP59277095 A JP 59277095A JP 27709584 A JP27709584 A JP 27709584A JP S61150184 A JPS61150184 A JP S61150184A
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- circuit
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- output
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は随時書き込み読み出しメモリ装置c以下R五M
と略す)に関し、多ボートメモリの動作を行なわせるだ
めの回路構成を提供するものである。 ・
従来の技術
従来のRAMでは、入力されたアドレス信号を列アドレ
ス信号と行アドレス信号に分離し、それそれにおいて唯
一のアドレスを与えることにより唯一のビットをセレク
トしその内容を出力していた。従4て、多ボートメモリ
の動作を行なわせるだめには、メモリセルを多ボート構
造のものにする(例えiz IEKICJOUNALO
F 5OLID−8TATICCIRCUIT8 Vo
l、 5c−17/Fli5 、 Oct、 1982
人New Register 1Fila 5truc
ture For The HighSpaed Mi
croprocessorに関る)か又は通常のRAM
を複数個用い外部の制御回路によって多ボート動作を行
なわせる様にしていた。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention is applicable to any-time write/read memory devices below R5M.
The present invention provides a circuit configuration for operating a multi-vote memory. - Prior Art In conventional RAMs, an input address signal is separated into a column address signal and a row address signal, and a unique address is given to each signal, thereby selecting a unique bit and outputting its contents. Therefore, in order to perform multi-vote memory operation, the memory cells should have a multi-vote structure (for example, IEKIC JOUNALO
F 5OLID-8TATICCIRCUIT8 Vo
l, 5c-17/Fli5, Oct, 1982
PersonNew Register 1Fila 5truc
True For The High Spaed Mi
related to croprocessor) or normal RAM
Multiple boards were used to perform multi-vote operations using an external control circuit.
発明が解決しようとする問題点
前者の場合は、3ポ一ト以上になるとメモリセルの構成
が複雑になると共にセル面積が増大して高集積化が困難
になる。さらに、各々の出力ボートが増えるに従ってワ
ードラインの本数も増大しワードラインの選択回路が複
雑になると考えられる。一方、後者の場合は、ポート数
と同数のメモリが必要とな#)(但し1ビツト構成のR
AMを用いた場合)、さらに外部回路が複雑になるとい
う欠点がある。Problem to be Solved by the Invention In the former case, when there are three or more points, the structure of the memory cell becomes complicated and the cell area increases, making it difficult to achieve high integration. Furthermore, as the number of output ports increases, the number of word lines also increases, making the word line selection circuit more complex. On the other hand, in the latter case, the same number of memories as the number of ports are required (however, the R
(When AM is used), there is a further drawback that the external circuit becomes complicated.
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、複雑なメモ
リセルや複雑な外部回路を用いずに多ポートメモリの動
作を行なわせる為の回路構成を与えることを目的として
いる。The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a circuit configuration for operating a multi-port memory without using complicated memory cells or complicated external circuits.
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、データ入力回路を
制御信号及びアドレス信号により入カデータを1つまた
は複数のメモリセルへ分配することが可能なものとし、
データ出力回路を制御信号及びアドレス信号により1つ
または複数のデータを選択しさらに保持することが可能
なものとし。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides a data input circuit capable of distributing input data to one or more memory cells by control signals and address signals,
The data output circuit is capable of selecting and holding one or more pieces of data using a control signal and an address signal.
これらを制御回路で制御することによって多ポート動作
を行なわせるものである。By controlling these with a control circuit, multi-port operation can be performed.
作用
本発明は上記した構成により、複雑なメモリセルや複雑
な外部回路を用いずに多ポートメモリの動作を行なわせ
ることができる。Function: With the above-described configuration, the present invention can operate as a multi-port memory without using complicated memory cells or complicated external circuits.
実施例
第1図に本発明の一実施例におけるメモリ装置の概略構
成を示す。第1図において、1はメモリセルアレイ、2
はセンスアンプ回路、3はデータ出力回路、4はデータ
入力回路、5はアドレスデコード回路、6は制御回路、
7はデータ入出力端子。Embodiment FIG. 1 shows a schematic configuration of a memory device in an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a memory cell array, 2 is a memory cell array, and 2 is a memory cell array.
is a sense amplifier circuit, 3 is a data output circuit, 4 is a data input circuit, 5 is an address decode circuit, 6 is a control circuit,
7 is a data input/output terminal.
8はアドレス入力端子、9は制御信号入力端子である。8 is an address input terminal, and 9 is a control signal input terminal.
。 .
第1図の装置の動作を第2図を用いて説明する。The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be explained using FIG. 2.
ここでは4ボ一ト動作について説明する。Here, a four-vote operation will be explained.
(1)書き込み動作
まず制御信号を入力することによって制御回路6からデ
ータ入力回路4及びアドレスデコード回路5に4ポート
書き込み動作であることを知らせる。そこでデータ入力
回路4は1つのデータを4つのビットに同時に書き込む
様に指示を受け、アドレスデコード回路は行アドレスを
4ボート用に切シ換える゛指示を受ける。即ち行アドレ
スを4ビット単位で与える様にする。以上の制御が完了
するとデータが入力されデータ入力回路4を経由してメ
モリセル内へ書き込まれる。例えば列アビレフ1番地1
行アドレスn番地、n+1番地、n+2番地、n+3番
地に全て同じ入力データが書き込まれることになる。(1) Write operation First, by inputting a control signal, the control circuit 6 notifies the data input circuit 4 and address decode circuit 5 that it is a 4-port write operation. Therefore, the data input circuit 4 receives an instruction to write one data into four bits at the same time, and the address decode circuit receives an instruction to switch the row address for four ports. That is, the row address is given in units of 4 bits. When the above control is completed, data is input and written into the memory cell via the data input circuit 4. For example, column Abilev 1 1
The same input data is written to all row addresses n, n+1, n+2, and n+3.
第2図には列アドレス1番地1行アドレスn〜n+a番
地にデータ″11′を1列アドレスj番地1行アドレス
n −n + 3 %地にデータ″0′を1列アドレス
に番地、行アドレスnNn+3査地にデータ″0′を1
列アドレス1番地、行アドレスn ’−n + s番地
にデータ′″1′を書き込んだ例を示している。この様
子を多ポートのメモリとして見ると1行アドレスn −
n + 3番地はまとめてN番地であると考えることが
でき。In Figure 2, data ``11'' is placed in column address 1, row 1, addresses n to n+a, and data ``0'' is placed in column address j, 1 row address n - n + 3%, and data ``0'' is placed in column address 1, row 1, address n - n + 3%. Set data ``0'' to address nNn+3 as 1
An example is shown in which data ``''1'' is written to column address 1 and row address n' - n + s. If this situation is viewed as a multi-port memory, one row address n -
Addresses n + 3 can be collectively considered to be addresses N.
n番地、n+1番地、n+2番地、n+3番地は各々そ
の第1.第2.第3.第4のボートと考えることができ
る。Address n, address n+1, address n+2, and address n+3 are the first . Second. Third. You can think of it as a fourth boat.
?)読み出し動作
まず制御信号を入力することによって制御回路6からデ
ータ出力回路3及びアドレスデコード回路6に4ポート
読み出し動作であることを知らせる。そこでデータ出力
回路3は4ビツトのデータを1つのかたまりとして扱い
、読み出されたデータを行アドレスに従って順にラッチ
する様に指示を受ける。またアドレスデコード回路5に
は4つのアドレスが連続して与えられるため、4つの列
アドレスを生成すると共に4ビット単位の行アドレスと
その行アドレスの中のどのポートを選択するかという情
報を含むアドレスを生成する。続いてワードラインがア
クセスされデータがビットラインに読み出されセンスア
ンプ回路2を経由してデータ出力回路3の中の指示され
た出力ポートにラッチされると共にデータ入出力端子7
へと出力される。以上の動作を第2図の例に従って説明
する。ここでは、ある1つの行アドレス(N番地)に対
して4つの異なる列アドレス(i、j 、に、l)が与
えられ各々第1.第2.第3.第4のポートから出力す
るという指示が与えられているとする。列アドレスiに
よli番地の列のデータがビットラインに読み出されセ
ンスアンプ回路2を経由してデータ出力回路3へと送ら
れる。一方データ出力回路3は行アドレスN番地の第1
のポートから出力する指示が与えられているため1行ア
ドレスN番地の第1ポートのみにラッチされると共に出
力される。続いて列アドレスjによりj番地の列のデー
タが読み出されN番地の第2ボートから出力される。以
下同様に第3ボート、第4ポートから出力される。尚デ
ータ出力回路3がラッチ機能を持っているのは必要なポ
ートのデータが全てそろうまで先に読み出されたデータ
を保持するためである。またここでは4つの異なる列ア
ドレスを例として用いたが、異なる必要はなく同一であ
ってもよい。? ) Read Operation First, by inputting a control signal, the control circuit 6 notifies the data output circuit 3 and the address decoding circuit 6 that it is a 4-port read operation. Therefore, the data output circuit 3 receives an instruction to treat the 4-bit data as one block and to latch the read data in order according to the row address. Furthermore, since four addresses are consecutively given to the address decoding circuit 5, it generates four column addresses, as well as an address containing a row address in units of 4 bits and information on which port to select from among the row addresses. generate. Subsequently, the word line is accessed, data is read out to the bit line, and is latched to the specified output port in the data output circuit 3 via the sense amplifier circuit 2, as well as to the data input/output terminal 7.
is output to. The above operation will be explained according to the example shown in FIG. Here, four different column addresses (i, j, l) are given to one row address (address N), and the first . Second. Third. Assume that an instruction to output from the fourth port is given. Data in the column at address li is read out to the bit line by column address i and sent to data output circuit 3 via sense amplifier circuit 2 . On the other hand, the data output circuit 3 outputs the first
Since an instruction to output from the port is given, the signal is latched and output only to the first port of the first row address N. Subsequently, data in the column at address j is read out using column address j and output from the second port at address N. Thereafter, the signals are output from the third port and the fourth port in the same manner. The reason why the data output circuit 3 has a latch function is to hold previously read data until all necessary port data is available. Furthermore, although four different column addresses are used here as an example, they do not need to be different and may be the same.
また別の実施例として読み出すデータを常にワード単位
で扱う構成も考えられる。その−例を第3図に示す。動
作は第2図の例と同様であるが、行アドレスが必要なく
なるため、必要なポートをセレクトするだけでよく規模
は小さくなる。Furthermore, as another embodiment, a configuration may be considered in which data to be read is always handled in units of words. An example of this is shown in FIG. The operation is similar to the example shown in FIG. 2, but since the row address is no longer required, the scale is reduced by simply selecting the required port.
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、従来の様に複
雑な多ボート構造のメモリセルを用いたり1通常のRA
Mを複数個用いて外部の制御回路によって多ポート動作
を行なわせることなく多ポート動作可能なRAMを実現
することができ、実用的に極めて有用である。また1本
発明のメモリ装置は各部分が全て同一半導体基板上に集
積回路として形成できるものであシ、各部分、各配線を
半導体基板上に集積化してオンチップ化し各端子を集積
回路の端子とすることが可能である。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, instead of using a memory cell with a complicated multi-board structure as in the past,
By using a plurality of M, it is possible to realize a RAM capable of multi-port operation without using an external control circuit to perform multi-port operation, which is extremely useful in practice. In addition, in the memory device of the present invention, each part can be formed as an integrated circuit on the same semiconductor substrate, and each part and each wiring are integrated on the semiconductor substrate and made on-chip, and each terminal is a terminal of the integrated circuit. It is possible to do so.
第1図は本発明の一実施例のメモリ装置の概略構成図、
第2図は第1図の装置の動作を説明するための図、第3
図は本発明の他の実施例の概略構成図である。
1・・・・・・メモリセルアレイ、2・・・・・・セン
スアンプ回路、3・・・・・・データ出力回路、4・・
・・・・データ入力回路、5・・・・・・アドレスデコ
ーダ回路、6・・・・・・制御回路、7・・・・・・デ
ータ入出力端子、8・・・・・・アドレス入力端子、9
・・・・・・制御信号入力端子。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
・4・ζ−〜
第3図FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a memory device according to an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a diagram for explaining the operation of the device shown in Fig. 1;
The figure is a schematic configuration diagram of another embodiment of the present invention. 1...Memory cell array, 2...Sense amplifier circuit, 3...Data output circuit, 4...
...Data input circuit, 5...Address decoder circuit, 6...Control circuit, 7...Data input/output terminal, 8...Address input terminal, 9
......Control signal input terminal. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
Figure 4 ζ-~ Figure 3
Claims (1)
リセルアレイと、メモリセルアレイから読み出したデー
タを検知するセンスアンプ回路と、制御信号及びアドレ
ス信号により少なくとも1つのデータを選択し保持する
機能を有するデータ出力回路と、制御信号及びアドレス
信号により入力されたデータを少なくとも1つのメモリ
セルへ分配することが可能なデータ入力回路と、制御信
号により1つまたは複数のワードをシーケンシャルにア
クセスする機能を有するアドレスデコード回路と、装置
外部とのデータの入出力のためのデータ入出力端子と、
アドレス入力端子と、制御信号入力端子と、前記データ
出力回路と前記データ入力回路と前記アドレスデコード
回路と前記データ入出力端子と前記アドレス入力端子の
各々に制御信号を送出して各部の機能を制御する制御回
路を持ち、前記データ入出力端子は前記データ入力回路
を経由して、前記メモリセルアレイのビット線か、前記
データ出力回路の出力部の少なくともいずれか一方に接
続され、前記メモリセルアレイのビット線は前記センス
アンプ回路を経由して前記データ出力回路の入力部に接
続され、前記アドレス入力端子は前記アドレスデコード
回路を経由して前記データ入力回路と前記データ出力回
路と前記メモリセルアレイに並列的に接続され、前記制
御信号入力端子を前記制御回路に接続してなるメモリ装
置。A memory cell array that can write, read, and hold data, a sense amplifier circuit that detects data read from the memory cell array, and a data output circuit that has the function of selecting and holding at least one piece of data using a control signal and an address signal. , a data input circuit capable of distributing input data to at least one memory cell in accordance with a control signal and an address signal, and an address decoding circuit having a function of sequentially accessing one or more words in accordance with a control signal. and a data input/output terminal for inputting and outputting data to and from the outside of the device.
A control signal is sent to each of the address input terminal, the control signal input terminal, the data output circuit, the data input circuit, the address decode circuit, the data input/output terminal, and the address input terminal to control the functions of each part. The data input/output terminal is connected to at least one of a bit line of the memory cell array or an output section of the data output circuit via the data input circuit, and the data input/output terminal is connected to the bit line of the memory cell array or the output section of the data output circuit. The line is connected to the input section of the data output circuit via the sense amplifier circuit, and the address input terminal is connected in parallel to the data input circuit, the data output circuit, and the memory cell array via the address decode circuit. A memory device, wherein the control signal input terminal is connected to the control circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59277095A JPS61150184A (en) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | Memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59277095A JPS61150184A (en) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | Memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61150184A true JPS61150184A (en) | 1986-07-08 |
Family
ID=17578702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59277095A Pending JPS61150184A (en) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | Memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61150184A (en) |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59277095A patent/JPS61150184A/en active Pending
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