JPS6114765A - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ - Google Patents
絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタInfo
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- JPS6114765A JPS6114765A JP13445184A JP13445184A JPS6114765A JP S6114765 A JPS6114765 A JP S6114765A JP 13445184 A JP13445184 A JP 13445184A JP 13445184 A JP13445184 A JP 13445184A JP S6114765 A JPS6114765 A JP S6114765A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7836—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with a significant overlap between the lightly doped extension and the gate electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、特に横型
の電界効果トランジスタの構造Iこ関するものである。
の電界効果トランジスタの構造Iこ関するものである。
従来のこの種の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
第1図は最も一般的なポリシリコンゲート・セルファラ
インの横型の電界効果トランジスタの断面構造図である
。本構造は、例えばP型シリコン基体を用い、その表面
を酸化し、8IO1膜を形成する0次にSiO*膜上に
ポリシリコンを形成する。その後周知の写真処理技術並
びに工、チング技術を用いて、所望の形状とする。
インの横型の電界効果トランジスタの断面構造図である
。本構造は、例えばP型シリコン基体を用い、その表面
を酸化し、8IO1膜を形成する0次にSiO*膜上に
ポリシリコンを形成する。その後周知の写真処理技術並
びに工、チング技術を用いて、所望の形状とする。
しかる後、このポリシリコンをマスクとし、周知の方法
でA1と81がオーミック接合できる高濃度(2X 1
0”個/−以上)のn+屑の拡散を行なうことで得られ
る(図ではA I %、極は省略されている)。
でA1と81がオーミック接合できる高濃度(2X 1
0”個/−以上)のn+屑の拡散を行なうことで得られ
る(図ではA I %、極は省略されている)。
かかる構造でドレイン5に逆方向に電圧を印加した場合
、空乏層はゲート電極がある場合、その端部がおさえら
れてしまい、ゲート酸化膜厚(以下dox)が200n
m以下である場合、ソース・ドレイン間逆方向降伏電圧
(BVDS)は45V以上にはならない。(参考文献:
原、名取、堀内共著rMO8)ランジスタの動作理論J
P73〜77.1980近代科学社)そこで耐圧を上げ
るために従来考えられていることは、1つIこdoxを
大きくすることであるが、doxを大きくすると闇値電
圧(以下vth)が高く利得(以下gm) が小さくな
り、トランジスタの性能を極端に悪くする。又、模型の
電界効果トランジスタで耐圧を上げる1つの構造として
オフセットゲートと称される構造が用いられている。第
2図にオフセットゲート型模型電界効果トランジスタの
断面構造図を示す。この構造はドレイン領域5のn 層
をゲート電極3直下より離し、新たにn 45’(オ
フセットゲートと称す)を形成する。この層の単位面積
当りの深さ方向に積算された合計の不純物量(以下QT
)は1.5 X 10 個/−以下に設計される。即
ちソース4−ドレイン5間の降伏が生じる前(45■以
下)にn一層5′が完全に空乏化する(以下ピンチオフ
と称す)ように設計される。こうすることでゲート電極
3による影響は完全に除去され、高耐圧が実現する。し
かし、以上の理論思想にもとづくとn一層5′のQTを
大きくできないためIこ、Ranが大きくなる欠点があ
る。(オフセットゲート構造の11+onはチャネル部
の抵抗(Reh)とオフセットゲートの抵抗(Roff
set)の直列でありRoffsetはQTと概略逆比
例の関係にある。)更に他の構造としてドレイン領域に
低濃度拡散を持っLDDと称される構造でその断面構造
図を第3図に示す。これは、ゲート電極3直下にオーミ
ック用の浅い高濃度層n 5をもうけ、その周辺にn1
i5を形成し、ドレインとするものである。n一層5が
ある為ドレイン側に空乏層が拡がりやすく、その分電界
集中が緩和さね、耐圧が土がる。しかし耐圧の上昇分は
せいぜい1〜2■高くなるのみで顕著な向上は得られて
いない(参考文献:第31回応用物理学関係連合講演会
予稿集31 P−V−1〜31 P−V−101984
春)。
、空乏層はゲート電極がある場合、その端部がおさえら
れてしまい、ゲート酸化膜厚(以下dox)が200n
m以下である場合、ソース・ドレイン間逆方向降伏電圧
(BVDS)は45V以上にはならない。(参考文献:
原、名取、堀内共著rMO8)ランジスタの動作理論J
P73〜77.1980近代科学社)そこで耐圧を上げ
るために従来考えられていることは、1つIこdoxを
大きくすることであるが、doxを大きくすると闇値電
圧(以下vth)が高く利得(以下gm) が小さくな
り、トランジスタの性能を極端に悪くする。又、模型の
電界効果トランジスタで耐圧を上げる1つの構造として
オフセットゲートと称される構造が用いられている。第
2図にオフセットゲート型模型電界効果トランジスタの
断面構造図を示す。この構造はドレイン領域5のn 層
をゲート電極3直下より離し、新たにn 45’(オ
フセットゲートと称す)を形成する。この層の単位面積
当りの深さ方向に積算された合計の不純物量(以下QT
)は1.5 X 10 個/−以下に設計される。即
ちソース4−ドレイン5間の降伏が生じる前(45■以
下)にn一層5′が完全に空乏化する(以下ピンチオフ
と称す)ように設計される。こうすることでゲート電極
3による影響は完全に除去され、高耐圧が実現する。し
かし、以上の理論思想にもとづくとn一層5′のQTを
大きくできないためIこ、Ranが大きくなる欠点があ
る。(オフセットゲート構造の11+onはチャネル部
の抵抗(Reh)とオフセットゲートの抵抗(Roff
set)の直列でありRoffsetはQTと概略逆比
例の関係にある。)更に他の構造としてドレイン領域に
低濃度拡散を持っLDDと称される構造でその断面構造
図を第3図に示す。これは、ゲート電極3直下にオーミ
ック用の浅い高濃度層n 5をもうけ、その周辺にn1
i5を形成し、ドレインとするものである。n一層5が
ある為ドレイン側に空乏層が拡がりやすく、その分電界
集中が緩和さね、耐圧が土がる。しかし耐圧の上昇分は
せいぜい1〜2■高くなるのみで顕著な向上は得られて
いない(参考文献:第31回応用物理学関係連合講演会
予稿集31 P−V−1〜31 P−V−101984
春)。
以上、従来の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの耐圧
向上のための構造は他の特性に悪影響を及ぼしたり、顕
著な効果が得られないなどの欠点を有していた。本発明
は以上の従来構造の欠点を解決し、オン時の抵抗(Ra
n)が小さく、且つ、逆方向降伏電圧(BVda)を向
上する簡単で有効な構造を得ることを目的とする。
向上のための構造は他の特性に悪影響を及ぼしたり、顕
著な効果が得られないなどの欠点を有していた。本発明
は以上の従来構造の欠点を解決し、オン時の抵抗(Ra
n)が小さく、且つ、逆方向降伏電圧(BVda)を向
上する簡単で有効な構造を得ることを目的とする。
以下、本発明を図面によって詳述する。
第4図は本発明の実施例を示す断面構造図である。半導
体基体1の一表面、即ち図において上面に半導体基体1
の導電型Pと逆の導電型nを有するソース領#4及び4
゛及びドレイン領域5及び5°を形成し、絶縁膜2(こ
こではStO。
体基体1の一表面、即ち図において上面に半導体基体1
の導電型Pと逆の導電型nを有するソース領#4及び4
゛及びドレイン領域5及び5°を形成し、絶縁膜2(こ
こではStO。
膜を用いた)を有するゲート雷、極3でドレイン領域5
°の表面の一部をお七っている。又、絶縁膜2と接する
n−導電型のドレイン領域の表面層の不純物濃度を5X
10’/aJ以下で基体1の不純物濃度以上に選んでい
る。又、その表面層は少くと6100nmを超えるよう
に構成することが必要である。第4図においてはドレイ
ン領域5°即ちn−導電型領域を前記の不純物濃度範H
に入れている。しかしながら、前記の不純物濃度範囲の
表面層は厚さが1100n以上あればよ(,1100n
に満たない厚さの場合には耐圧尋の特性面で悪影響を及
ぼす。
°の表面の一部をお七っている。又、絶縁膜2と接する
n−導電型のドレイン領域の表面層の不純物濃度を5X
10’/aJ以下で基体1の不純物濃度以上に選んでい
る。又、その表面層は少くと6100nmを超えるよう
に構成することが必要である。第4図においてはドレイ
ン領域5°即ちn−導電型領域を前記の不純物濃度範H
に入れている。しかしながら、前記の不純物濃度範囲の
表面層は厚さが1100n以上あればよ(,1100n
に満たない厚さの場合には耐圧尋の特性面で悪影響を及
ぼす。
このような構造ζこより低Roaで高耐圧の絶縁ゲート
型電界効果トランジスタを得ることができた。不純物濃
度の前記の数値限定は空乏層の拡がりとの関係等を勘案
し、本発明の目的、効果をしめす化適する範囲を実験に
より求めた。
型電界効果トランジスタを得ることができた。不純物濃
度の前記の数値限定は空乏層の拡がりとの関係等を勘案
し、本発明の目的、効果をしめす化適する範囲を実験に
より求めた。
更に本発明を第3図の従来型の製作jこおける対比によ
り説明する。第3図のLDDと称される構造ではn一層
5に1×10 ドーズのイオン打込後熱拡散し、ドレイ
ン接合深さく以下XI)4 am (n+層5はlnm
)とした、doxは120nmという条件で試作したが
、ゲート電極3が2X10’cm”以上の高濃度n 層
5にわずかにかぶっている為、BVDSは37Vであっ
た。これに対し、ゲート電極3をn 層5から離しゲー
ト電極3端下のドレイン層表面の濃度を前記せる本発明
の範囲であるlXl0個/−となるようにした所BVD
890Vにも上り、それにもかかわらずR,onは約0
.50と非常に小さくできた。即ち、ゲート電極3の下
の絶縁[I2と接するドレイン領域5°の表面層を前記
せる本発明の不純物濃度範囲とすることにより、低Ro
nで高耐圧を達成し得た。
り説明する。第3図のLDDと称される構造ではn一層
5に1×10 ドーズのイオン打込後熱拡散し、ドレイ
ン接合深さく以下XI)4 am (n+層5はlnm
)とした、doxは120nmという条件で試作したが
、ゲート電極3が2X10’cm”以上の高濃度n 層
5にわずかにかぶっている為、BVDSは37Vであっ
た。これに対し、ゲート電極3をn 層5から離しゲー
ト電極3端下のドレイン層表面の濃度を前記せる本発明
の範囲であるlXl0個/−となるようにした所BVD
890Vにも上り、それにもかかわらずR,onは約0
.50と非常に小さくできた。即ち、ゲート電極3の下
の絶縁[I2と接するドレイン領域5°の表面層を前記
せる本発明の不純物濃度範囲とすることにより、低Ro
nで高耐圧を達成し得た。
次に本発明の他の実施例をしめず断面構造図を第5図に
しめし、製法例と共に説明する。
しめし、製法例と共に説明する。
(11ゲート酸化−ポリ&形成を周知の方法で行なう(
例えば熱酸化−CVDポ’J S i−写真−プラズマ
エッチ)。
例えば熱酸化−CVDポ’J S i−写真−プラズマ
エッチ)。
(2)写真処理をほどこし、レジストを形成する。
この時レジスト膜はドレイン側(7近傍)をおおうよう
にする。
にする。
(3) ポリSi及びレジストをマスクとしてリンを
1l11度にイオン打込みする。例えば打込エネルギー
30KeVドーズ1)5X10’/cJ(4)第7図の
構造は前記レジストを除去した後、周知のアニール並び
に拡散処理を行なった。
1l11度にイオン打込みする。例えば打込エネルギー
30KeVドーズ1)5X10’/cJ(4)第7図の
構造は前記レジストを除去した後、周知のアニール並び
に拡散処理を行なった。
この段階でのアニール並びに拡散は特に必要とするもの
ではないが、他の実験と条件を合せる目的で実施した。
ではないが、他の実験と条件を合せる目的で実施した。
(5) 次にポリ8iをマスクとしてリンを200K
eVの高エネルギーで打込んだ打込ドーズ量は3X10
/−である、その後のアニールを行ない活性化させ
る。こうすることによりゲート電極直下のSi表面7で
はリン濃度が約lXl0’/−と低く、最もINIII
Iの高い部分6は約2X10”/−で表から約250n
m深く入った所に埋込まれた形となる。
eVの高エネルギーで打込んだ打込ドーズ量は3X10
/−である、その後のアニールを行ない活性化させ
る。こうすることによりゲート電極直下のSi表面7で
はリン濃度が約lXl0’/−と低く、最もINIII
Iの高い部分6は約2X10”/−で表から約250n
m深く入った所に埋込まれた形となる。
本実施例の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは耐圧的
70V、Ron約05Ωであった。
70V、Ron約05Ωであった。
更に本発明の他の実施例をしめず断面構造図を第6図に
しめし、製法例と共に説明する。
しめし、製法例と共に説明する。
(+) N型半導体基体に周知の方法でゲート酸化喚を
形i戊し、しかるイ疑ポリシリコンをCVD装f、1で
ヤ;及し、poc 11を用いてポリシリコンにPの気
相拡散を行なった。
形i戊し、しかるイ疑ポリシリコンをCVD装f、1で
ヤ;及し、poc 11を用いてポリシリコンにPの気
相拡散を行なった。
(2)周知の写真技術とエツチング技術を用いてポリ8
iのゲート3を形成した。
iのゲート3を形成した。
(3)シかる後、ボロンの拡散を行ないソース4、ドレ
イン領域5のP+lilを形成した。
イン領域5のP+lilを形成した。
(4) しかる後1100℃の水蒸気雰囲気中で1時間
の熱酸化を行なう。これにより、ゲート層fIji3端
部よりゲート下2へも一部酸化が進みその結果ゲート直
下のドレイン領域5のボロンは酸化模8に吸い取られ表
面濃度が下る。
の熱酸化を行なう。これにより、ゲート層fIji3端
部よりゲート下2へも一部酸化が進みその結果ゲート直
下のドレイン領域5のボロンは酸化模8に吸い取られ表
面濃度が下る。
この表面の濃度を確認した結果は約3×10/−であり
、そのときの電界効果トランジスタ特性は耐圧的60V
、Ran約0.4Ωでありた0以上のように本発明は要
旨の範囲内において種々の変形をなしうるものである。
、そのときの電界効果トランジスタ特性は耐圧的60V
、Ran約0.4Ωでありた0以上のように本発明は要
旨の範囲内において種々の変形をなしうるものである。
蘂1゜
−+(1)
一−ユ゛−一、°−
?や例えば、半導体基体内に複数の
島領域をつくり、これら島領域を前記半導体基体1とみ
なし、本発明と等価な構造を形成したり単に実施例の導
電型を夫々逆にした構造などは本発明の範囲に含まれる
のは当然である。前述のごとく、本発明の絶縁ゲート型
電界効果トランジスダは高耐圧で且つRonの小さい優
れた性能を得ることが容易な構造であり、又、絶縁膜厚
を薄くでき、集積度を上げ得るなど、実用上極めて効果
大なるものである。
なし、本発明と等価な構造を形成したり単に実施例の導
電型を夫々逆にした構造などは本発明の範囲に含まれる
のは当然である。前述のごとく、本発明の絶縁ゲート型
電界効果トランジスダは高耐圧で且つRonの小さい優
れた性能を得ることが容易な構造であり、又、絶縁膜厚
を薄くでき、集積度を上げ得るなど、実用上極めて効果
大なるものである。
第1図、第2図及び第3図は従来の絶縁ゲート型電界効
果トランジスタをしめず断面構造図、第4図、第5図及
び第6図は本発明の実施例をしめず断面構造図である。 1は半導体基体、2は絶巌膜、3はゲートit極、4は
ソース領竣、5.5°はドレイン領域、5′はオフセッ
トゲート領域、6はドレイン領域の高濃度埋込層、7は
ドレイン領域の低濃度表面層、8は酸化膜である。
果トランジスタをしめず断面構造図、第4図、第5図及
び第6図は本発明の実施例をしめず断面構造図である。 1は半導体基体、2は絶巌膜、3はゲートit極、4は
ソース領竣、5.5°はドレイン領域、5′はオフセッ
トゲート領域、6はドレイン領域の高濃度埋込層、7は
ドレイン領域の低濃度表面層、8は酸化膜である。
Claims (3)
- (1)半導体基体の一表面に該半導体基体と逆の導電型
を有するソース及びドレイン領域等を形成し、該ドレイ
ン領域の一部を絶縁膜を有するゲート電極でおおい、該
絶縁膜と接するドレイン領域の表面層の不純物濃度を5
×10^1^6/cm^3以下から該半導体基体の不純
物濃度以上とし、且つ、該表面層の厚さを100nm以
上としたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタ。 - (2)絶縁膜と接するドレイン領域の表面層以外のドレ
イン領域内に該表面層の不純物と同じ導電型で、且つ該
表面層よりも高濃度の領域を形成した特許請求の範囲第
(1)項記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 - (3)表面層を不純物拡散層とし、且つ、高濃度の領域
を拡散又はイオン打込み埋込み層とした特許請求の範囲
第(2)項の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13445184A JPS6114765A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13445184A JPS6114765A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6114765A true JPS6114765A (ja) | 1986-01-22 |
Family
ID=15128648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13445184A Pending JPS6114765A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6114765A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5168776A (en) * | 1974-12-06 | 1976-06-14 | Ibm | Doreinryoikigako oyobi teifujunbutsunodobukaranaru denkaikokatoranjisuta |
JPS5267963A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor unit |
JPS5286086A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Hitachi Ltd | Field effect transistor |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP13445184A patent/JPS6114765A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5168776A (en) * | 1974-12-06 | 1976-06-14 | Ibm | Doreinryoikigako oyobi teifujunbutsunodobukaranaru denkaikokatoranjisuta |
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