JPS6114690B2 - - Google Patents

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JPS6114690B2
JPS6114690B2 JP56026454A JP2645481A JPS6114690B2 JP S6114690 B2 JPS6114690 B2 JP S6114690B2 JP 56026454 A JP56026454 A JP 56026454A JP 2645481 A JP2645481 A JP 2645481A JP S6114690 B2 JPS6114690 B2 JP S6114690B2
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JP
Japan
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transistor
main switching
base
emitter
switching transistor
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JP56026454A
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Japanese (ja)
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JPS57141125A (en
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Yoshio Suzuki
Ryoji Saito
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Origin Electric Co Ltd
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Origin Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6114690B2 publication Critical patent/JPS6114690B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダーリントン接続してなるトランジス
タのターンオフ時間を短縮し得るターンオフ方法
に係る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a turn-off method capable of shortening the turn-off time of a Darlington-connected transistor.

一般にNPN型トランジスタを2個ダーリント
ン接続したトランジスタ回路としては第1図に示
す様なものが代表的であり、斯かる回路はダーリ
ントン接続された主スイツチングトランジスタ
Q1、駆動段トランジスタQ2、これらトランジス
タのベース・エミツタ間に夫々接続された抵抗
R1,R2、及び駆動信号端子Tdに接続された抵抗
R0とからなつている。この様な構成のトランジ
スタ回路においては、トランジスタQ2,Q1のタ
ーンオフ時に逆バイアス電圧が印加されることが
なく、従つて温度特性も含めてターンオフ特性を
向上させることが出来ない。
In general, a typical transistor circuit in which two NPN transistors are Darlington connected is shown in Figure 1, and such a circuit consists of two Darlington connected main switching transistors.
Q 1 , drive stage transistor Q 2 , and resistors connected between the base and emitter of these transistors, respectively.
R 1 , R 2 , and a resistor connected to the drive signal terminal Td
It consists of R 0 . In a transistor circuit having such a configuration, no reverse bias voltage is applied when turning off the transistors Q 2 and Q 1 , and therefore the turn-off characteristics including the temperature characteristics cannot be improved.

第1図に示す様なトランジスタ回路のターンオ
フ特性を向上させるものとして、第2図に示す様
に主スイツチングトランジスタQ1のベース・エ
ミツタ間にチヨークLと抵抗R3とを直列接続し
たアームを接続したトランジスタ回路が既に提案
されている。この回路の動作を説明すると、駆動
信号端子Tdから駆動電流が除去されても駆動段
トランジスタQ2はその蓄積時間中導通状態にあ
り、この状態では主スイツチングトランジスタ
Q1も勿論導通している。そして駆動段トランジ
スタQ2の蓄積時間が経過し、そのフオールタイ
ムに移行するに伴いトランジスタQ2のコレクタ
電流が減少し始め、チヨークLを流れる電流が減
少を始めると、そのインダクタンス作用により主
スイツチングトランジスタQ1のベース・エミツ
タ間に逆バイアス電圧が印加されるために、主ス
イツチングトランジスタQ1もターンオフする。
In order to improve the turn-off characteristics of the transistor circuit as shown in Fig. 1, as shown in Fig. 2, an arm in which a chain yoke L and a resistor R3 are connected in series between the base and emitter of the main switching transistor Q1 is used. Connected transistor circuits have already been proposed. To explain the operation of this circuit, even if the drive current is removed from the drive signal terminal Td, the drive stage transistor Q2 remains conductive during its accumulation time; in this state, the main switching transistor
Of course, Q1 is also conducting. Then, as the storage time of the drive stage transistor Q 2 passes and the transition to its full time occurs, the collector current of the transistor Q 2 begins to decrease, and when the current flowing through the choke L begins to decrease, the main switch Since a reverse bias voltage is applied between the base and emitter of the switching transistor Q1 , the main switching transistor Q1 is also turned off.

この様に、駆動段トランジスタQ2のターンオ
フ時にそのベース・エミツタ間に逆バイアス電圧
が印加されない場合には、主スイツチングトラン
ジスタQ1のターンオフ特性が良好であつても、
ダーリントン接続してなるトランジスタ回路のタ
ーンオフ特性としては駆動段トランジスタQ2
ターンオフ特性に大きく依存してしまい、トラン
ジスタ回路のターンオフ時間をあまり短縮するこ
とは出来ない。また主スイツチングトランジスタ
Q1のターンオフ時に駆動段トランジスタQ2のベ
ース・エミツタ間が逆バイアス電圧状態に無いの
で、トランジスタQ1のターンオフに伴うそのコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEの上昇によりトラン
ジスタQ2のコレクタ・ベース間容量を介して電
流が流れることによつてトランジスタQ2が再導
通することがあり、好ましくない。
In this way, if no reverse bias voltage is applied between the base and emitter of the drive stage transistor Q 2 when it is turned off, even if the turn-off characteristics of the main switching transistor Q 1 are good,
The turn-off characteristics of the Darlington-connected transistor circuit greatly depend on the turn-off characteristics of the drive stage transistor Q2 , and the turn-off time of the transistor circuit cannot be reduced much. Also the main switching transistor
Since there is no reverse bias voltage between the base and emitter of the driving stage transistor Q 2 when Q 1 is turned off, the voltage between the collector and emitter of transistor Q 2 increases due to the increase in the voltage V CE between the collector and emitter of transistor Q 1 as it turns off. Transistor Q 2 may become conductive again due to current flowing through the capacitor, which is undesirable.

また図示していないが、第2図のトランジスタ
回路において、同様に駆動段トランジスタQ2
ベース・エミツタ間にもチヨークLとは別体のチ
ヨークと抵抗との直列接続体を付加することも考
えられるが、この場合、駆動段トランジスタQ2
のターンオフ時にはそのベース・エミツタ間に逆
バイアス電圧が印加されるものの、主スイツチン
グトランジスタQ1のターンオフ時には駆動段ト
ランジスタQ2のベース・エミツタ間を逆バイア
ス電圧状態から解放してしまうことがあるので好
ましくないことが分つている。
Although not shown, in the transistor circuit shown in Fig. 2, it is also possible to add a series connection body between the base and emitter of the drive stage transistor Q 2 , which is a series connection of a chain yoke and a resistor, which is separate from the chain yoke L. In this case, the drive stage transistor Q 2
When the main switching transistor Q 1 is turned off, a reverse bias voltage is applied between its base and emitter, but when the main switching transistor Q 1 is turned off, the base and emitter of the drive stage transistor Q 2 may be released from the reverse bias voltage state. So I know it's not good.

本発明は前述のすべての欠点を除去すべく、主
スイツチングトランジスタと駆動段トランジスタ
のベース・エミツタ間をインダクタンスにより互
いに誘導的に結合し、駆動段トランジスタのター
ンオフの際に前記インダクタンスの作用によりそ
のベース・エミツタ間を逆バイアス電圧状態にす
ると共に、主スイツチングトランジスタがターン
オフするまで前記インダクタンスの作用により、
駆動段トランジスタのベース・エミツタ間を逆バ
イアス状態に保持し、且つ主スイツチングトラン
ジスタのベース・エミツタ間にも逆バイアス電圧
を印加することを特徴としている。
In order to eliminate all the above-mentioned drawbacks, the present invention inductively couples the base-emitters of the main switching transistor and the drive stage transistor to each other through an inductance, and when the drive stage transistor is turned off, the inductance is turned off. While putting the base-emitter in a reverse bias voltage state, due to the action of the inductance, until the main switching transistor is turned off,
It is characterized by maintaining the base and emitter of the drive stage transistor in a reverse bias state, and also applying a reverse bias voltage between the base and emitter of the main switching transistor.

以下に本発明の実施例を説明する。 Examples of the present invention will be described below.

先ず第3図乃至第7図において、第1図及び第
2図で示した記号と同一の記号はこれら部材に相
当する部材を示す。第3図におけるチヨークLは
同一のコアに互いに密に巻装された第1、第2の
巻線N1,N2を有し、その第1の巻線N1は抵抗R3
と直列接続されて主スイツチングトランジスタ
Q1のベース・エミツタ間に接続され、第2の巻
線N2は抵抗R4と直列接続されて駆動段トランジ
スタQ2のベース・エミツタ間に接続されてい
る。従つてトランジスタQ1,Q2のベース・エミ
ツタ間は単一のチヨークLにより互いに誘導的に
結合されている。
First, in FIGS. 3 to 7, the same symbols as those shown in FIGS. 1 and 2 indicate members corresponding to these members. The yoke L in FIG. 3 has first and second windings N 1 and N 2 closely wound around the same core, and the first winding N 1 has a resistor R 3 .
The main switching transistor is connected in series with
The second winding N 2 is connected in series with a resistor R 4 and connected between the base and emitter of the drive stage transistor Q 2 . Therefore, the bases and emitters of transistors Q 1 and Q 2 are inductively coupled to each other by a single chain yoke L.

次に斯かる回路の動作を説明しながら、本発明
に係るターンオフ方法の一実施例を説明する。
Next, an embodiment of the turn-off method according to the present invention will be described while explaining the operation of such a circuit.

先ず駆動信号端子Tdに駆動ベース電流Ibが供
給され、駆動段トランジスタQ2及び主スイツチ
ングトランジスタQ1がターンオフする。これら
トランジスタQ1,Q2のベース・エミツタ間順電
圧VBE1,VBE2は、その導通定常状態では一定で
ある。
First, the drive base current Ib is supplied to the drive signal terminal Td, and the drive stage transistor Q2 and the main switching transistor Q1 are turned off. The base-emitter forward voltages V BE1 and V BE2 of these transistors Q 1 and Q 2 are constant in their steady state of conduction.

この際、チヨークLの第1、第2の巻線の巻数
が等しいとすると、第1の巻線N1を流れる電流I1
は VBE1/R・(1−e−R・R/R+R
・1/Lt)になり、 L0/R・R/R+Rの時定数で増加し、一方
、第2巻 線N2を流れる電流I2は、 VBE2/R・(1−e−R・R/R+R
・1/Lt)になり、 L0/R・R/R+R の時定数で増加する。そして電流IN1,IN2
夫々、VBE1/R3,VBE2/R4の電流値で一定にな
る。尚、L0はチヨークLのインダクタンスであ
る。
At this time, assuming that the number of turns of the first and second windings of the yoke L is equal, the current I 1 flowing through the first winding N 1
is V BE1 /R 3・(1-e-R 3・R 4 /R 3 +R 4
・1/L 0 t) and increases with a time constant of L 0 /R 3・R 4 /R 3 +R 4 , while the current I 2 flowing through the second winding N 2 is V BE2 /R 4・(1-e-R 3・R 4 /R 3 +R 4
・1/L 0 t), and increases with the time constant of L 0 /R 3 ·R 4 /R 3 +R 4 . The currents I N1 and I N2 become constant at current values of V BE1 /R 3 and V BE2 /R 4 , respectively. Note that L 0 is the inductance of the chain yoke L.

次に駆動信号電流Ibが遮断されると、チヨーク
Lの第2の巻線N2を図示矢印の方向に流れてい
た電流は駆動段トランジスタQ2のエミツタ・ベ
ースを介して逆電流として流れ、該トランジスタ
Q2のベース・エミツタ接合における蓄積キヤリ
アを強制的に掃引するので、その蓄積時間は充分
に短縮される。そして蓄積キヤリアの消滅に伴い
フオールタイムに移行すると、後記理由から駆動
段トランジスタQ2が少くとも確実にターンオフ
するまではチヨークLの第2の巻線N2が駆動段
トランジスタQ2のベース・エミツタ間を確実に
逆バイアス電圧状態に保持するので、トランジス
タQ2のフオールタイムをも短縮できる。つまり
駆動段トランジスタQ2のターンオフ時間は大幅
に短縮される。
Next, when the drive signal current Ib is cut off, the current flowing in the direction of the arrow shown in the second winding N2 of the yoke L flows as a reverse current through the emitter-base of the drive stage transistor Q2 . the transistor
Since the storage carrier at the base-emitter junction of Q 2 is forcibly swept, the storage time is sufficiently shortened. Then, when the storage carrier disappears and transitions to fall time, the second winding N2 of the yoke L is connected to the base of the drive stage transistor Q2 until the drive stage transistor Q2 is at least reliably turned off for reasons described later. Since the emitter is reliably maintained in a reverse bias voltage state, the fall time of transistor Q2 can also be shortened. In other words, the turn-off time of the drive stage transistor Q2 is significantly shortened.

他方、駆動段トランジスタQ2がフオールタイ
ムに移行すると、トランジスタQ2のコレクタ電
流が減少すると共に主スイツチングトランジスタ
Q1のベース電流の供給量も減少し、同時にチヨ
ークLの第1巻線N1を通流している電流IN1も減
少を始める。電流IN1が減少を始めると、チヨー
クLの第1、第2の巻線N1,N2はその極性を示
す黒点側を負、反対側を正とする電圧を誘起し、
これら電圧がトランジスタQ1,Q2のベース・エ
ミツタ間を夫々逆バイアスする。従つてチヨーク
Lの第1の巻線N1に誘起される電圧が、主スイ
ツチングトランジスタQ1のターンオフ完了まで
そのベース・エミツタ間に逆バイアスを与え得る
様に、各部材の定数を設定しておくことにより主
スイツチングトランジスタQ1のターンオフ時間
も確実且つ大幅に短縮できる。また第1、第2の
巻線N1,N2Bは同一コアに互いに密に巻装されて
おり、前述から主スイツチングトランジスタQ1
がターンオフするまで駆動段トランジスタQ2
ベース・エミツタ間には逆バイアス電圧が印加さ
れるので、駆動段トランジスタQ2のフオールタ
イムを確実且つ大幅に短縮できるため主スイツチ
ングトランジスタQ1のフオールタイムも大幅に
短縮出来る。
On the other hand, when the drive stage transistor Q 2 transitions to full time, the collector current of the transistor Q 2 decreases and the main switching transistor
The amount of base current supplied to Q 1 also decreases, and at the same time, the current I N1 flowing through the first winding N 1 of the chain yoke L also begins to decrease. When the current I N1 starts to decrease, the first and second windings N 1 and N 2 of the yoke L induce a voltage whose polarity is negative on the black dot side and positive on the opposite side,
These voltages reverse bias the bases and emitters of transistors Q 1 and Q 2 , respectively. Therefore, the constants of each member are set so that the voltage induced in the first winding N1 of the main switching transistor Q1 can provide a reverse bias between the base and emitter of the main switching transistor Q1 until the turn-off is completed. By doing so, the turn-off time of the main switching transistor Q1 can be reliably and significantly shortened. Further, the first and second windings N 1 and N 2 B are tightly wound around the same core, and as described above, the main switching transistor Q 1
Since a reverse bias voltage is applied between the base and emitter of the drive stage transistor Q 2 until it turns off, the fall time of the drive stage transistor Q 2 can be reliably and significantly shortened . The overall time can also be significantly shortened.

従つて斯かる実施例によればダーリントン接続
タイプのトランジスタ回路のターンオフ時間、特
にフオールタイムを確実かつ大幅に短縮できる。
Therefore, according to this embodiment, the turn-off time, especially the fall time, of the Darlington connection type transistor circuit can be reliably and significantly shortened.

次に第4図に示すトランジスタ回路は、PNP
型、NPN型トランジスタを夫々主スイツチング
トランジスタQ1、駆動段トランジスタQ2として
相補的にダーリントン接続し、これらトランジス
タのベース・エミツタ間にチヨークLの同一コア
に互いに密に巻装せる第1、第2の巻線N1,N2
を夫々接続したものである。第1の巻線N1の極
性は、駆動段トランジスタQ2のフオールタイム
の移行に伴つて巻線N1を流れる電流が減少する
とき、主スイツチングトランジスタQ1のベース
側を正、エミツタ側を負とする逆バイアス電圧を
印加する様に設定されている。尚、この回路にお
いて、Q3は駆動信号電流Ibを開、閉するトラン
ジスタ、E0は駆動用直流電源である。
Next, the transistor circuit shown in Figure 4 is a PNP
A first transistor, in which the main switching transistor Q 1 and the driving stage transistor Q 2 are connected in complementary Darlington type and NPN type transistors, respectively, and the base and emitters of these transistors are tightly wound around the same core of the yoke L. Second winding N 1 , N 2
are connected to each other. The polarity of the first winding N 1 is such that when the current flowing through the winding N 1 decreases with the transition of the fall time of the driving stage transistor Q 2 , the base side of the main switching transistor Q 1 is positive, the emitter It is set to apply a reverse bias voltage with negative side. In this circuit, Q 3 is a transistor that opens and closes the drive signal current Ib, and E 0 is a driving DC power supply.

次に第5図は本発明を実施し得る別のトランジ
スタ回路を示し、主スイツチングトランジスタが
互いに並列接続された2個のトランジスタQ1
Q′1からなり、チヨークLの第1の巻線N1はこれ
らトランジスタQ1,Q′1のベース・エミツタ間に
共通のものとして接続されている。
Next, FIG. 5 shows another transistor circuit in which the present invention can be implemented, in which the main switching transistors include two transistors Q 1 , connected in parallel with each other.
Q' 1 , and the first winding N 1 of the yoke L is commonly connected between the base and emitters of these transistors Q 1 and Q' 1 .

第4図、第5図のトランジスタ回路にあつて
は、主スイツチングトランジスタと駆動段トラン
ジスタとが相補関係にあつても、ターンオフ時に
両方のトランジスタに対し充分良好な逆バイアス
電圧を印加することが出来る。
In the transistor circuits shown in FIGS. 4 and 5, even if the main switching transistor and the drive stage transistor are in a complementary relationship, it is difficult to apply a sufficiently good reverse bias voltage to both transistors at turn-off. I can do it.

第6図のものは駆動段トランジスタとして相補
的にダーリントン接続したトランジスタQ2,Q′2
を用いており、斯かる構成のダーリントントラン
ジスタ回路はその飽和電圧の低いことが知られて
いる。この様な3段のダーリントントランジスタ
回路においても、駆動段トランジスタQ2,Q′2
両者共に、チヨークLの巻線N1〜N3の作用によ
つて自己のターンオフ動作へ移行した時点から主
スイツチングトランジスタQ1がターンオフを完
了するまで、ベース・エミツタ間が逆バイアス電
圧状態に保持される。従つてトランジスタQ′2
Q2及びQ1共にその蓄積時間とフオールタイムが
短縮され、トランジスタ回路としてのターンオフ
時間は大幅に短縮される。
The one in Fig. 6 has transistors Q 2 and Q′ 2 connected complementary to Darlington as drive stage transistors.
It is known that the Darlington transistor circuit having such a configuration has a low saturation voltage. Even in such a three-stage Darlington transistor circuit, both drive-stage transistors Q 2 and Q' 2 are turned off from the moment they shift to their own turn-off operation due to the action of the windings N 1 to N 3 of the yoke L. The reverse bias voltage between the base and emitter is maintained until the switching transistor Q1 completes turn-off. Therefore, the transistor Q′ 2 ,
The storage time and fall time of both Q 2 and Q 1 are shortened, and the turn-off time as a transistor circuit is significantly shortened.

次に第7図のトランジスタ回路はチヨークLの
第1の巻線N1の作用によつて、主スイツチング
トランジスタQ1と第1の駆動段トランジスタQ′2
のベース・エミツタ間に逆バイアス電圧を与える
様にしたものである。斯かる構成の回路におい
て、駆動信号端子Tdから駆動電流が除去されて
もその直後は主スイツチングトランジスタQ1
導通状態にあるので、第1の巻線N1の電圧は直
流的にほぼ零であり、従つて第1の駆動段トラン
ジスタQ′2の蓄積キヤリアは抵抗R′4を介して掃引
される。そして第1の駆動段トランジスタQ′2
ベース・エミツタ間は主スイツチングトランジス
タQ1のターンオフの際に巻線N1に誘起される電
圧により充分逆バイアスされる。斯かる構成によ
れば、2つの巻線を有するチヨークを用いること
が出来るので経済上有利である。又、チヨークの
巻線の共用は第2の駆動段トランジスタQ2を除
去してトランジスタQ1とQ′2とを第3図の様にダ
ーリントン接続してなるトランジスタ回路にも適
用できる。
Next, in the transistor circuit of FIG. 7, the main switching transistor Q 1 and the first drive stage transistor Q' 2 are connected by the action of the first winding N 1 of the yoke L.
A reverse bias voltage is applied between the base and emitter of the device. In a circuit with such a configuration, even if the drive current is removed from the drive signal terminal Td, the main switching transistor Q1 is in a conductive state immediately after that, so the voltage of the first winding N1 is approximately zero in DC terms. , and the stored carriers of the first drive stage transistor Q'2 are therefore swept through the resistor R'4 . The base-emitter of the first drive stage transistor Q' 2 is sufficiently reverse biased by the voltage induced in the winding N 1 when the main switching transistor Q 1 is turned off. Such a configuration is economically advantageous since it is possible to use a chain having two windings. Further, the common use of the winding of the chiyoke can also be applied to a transistor circuit formed by removing the second driving stage transistor Q 2 and connecting the transistors Q 1 and Q' 2 to Darlington as shown in FIG.

以上述べた様に本発明によれば、ダーリントン
接続してなる主スイツチングトランジスタと駆動
段トランジスタのベース・エミツタ間をチヨーク
により誘導的に結合しているので、夫々のトラン
ジスタのターンオフ時にそのベース・エミツタ間
に逆バイアス電圧を確実に印加でき、しかも主ス
イツチングトランジスタのターンオフ時に必らず
駆動段トランジスタのベース・エミツタ間を逆バ
イアス状態に保持できるので、簡単な構成である
にも拘らず、斯かるトランジスタ回路のターンオ
フ時間を確実かつ大幅に短縮できると共に、ター
ンオフ動作期間、特にフオールタイムに入つてか
らの再導通を防止できるなどの効果を奏する。
As described above, according to the present invention, since the base and emitter of the main switching transistor connected to Darlington and the drive stage transistor are inductively coupled by the chain yoke, when each transistor is turned off, the base and emitter of the main switching transistor and the drive stage transistor are inductively coupled. Although it has a simple configuration, it is possible to reliably apply a reverse bias voltage between the emitters and maintain the reverse bias state between the base and emitters of the drive stage transistor without fail when the main switching transistor is turned off. The turn-off time of such a transistor circuit can be reliably and significantly shortened, and it is also possible to prevent re-conduction during the turn-off operation period, especially after entering the fall time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は従来のトランジスタ回路の
ターンオフ方法を説明するための図、第3図乃至
第7図は本発明によるトランジスタ回路のターン
オフ方法を夫々実施するためのトランジスタ回路
を示す図である。 Q1,Q′1……主スイツチングトランジスタ、
Q2,Q′2……駆動段トランジスタ、L……チヨー
ク、N1,N2,N′2……チヨークの巻線、R0,R1
R′1,R2,R′2,R3,R′3.R4,R′4……抵抗、Td…
…駆動信号端子。
1 and 2 are diagrams for explaining a conventional transistor circuit turn-off method, and FIGS. 3 to 7 are diagrams showing transistor circuits for carrying out the transistor circuit turn-off method according to the present invention, respectively. be. Q 1 , Q′ 1 ……main switching transistor,
Q 2 , Q' 2 ... Drive stage transistor, L... Chiyoke, N 1 , N 2 , N' 2 ... Winding of chiyoke, R 0 , R 1 ,
R′ 1 , R 2 , R′ 2 , R 3 , R′ 3 .R 4 , R′ 4 ...Resistance, Td...
...Drive signal terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 主スイツチングトランジスタと駆動段トラン
ジスタとをダーリントン接続してなるトランジス
タ回路の駆動方法において、前記主スイツチング
トランジスタと駆動段トランジスタのベース・エ
ミツタ間を抵抗を介してインダクタンスにより誘
導的に互いに結合し、前記主スイツチングトラン
ジスタ及び駆動段トランジスタのオン時に前記イ
ンダクタンスにエネルギを蓄積し、前記駆動段ト
ランジスタのターンオフ時に前記インダクタンス
に蓄積されたエネルギにより駆動段トランジスタ
のベース・エミツタ間を逆バイアスすると共に、
前記主スイツチングトランジスタのターンオフ時
には前記インダクタンスに蓄積されたエネルギの
作用により前記主スイツチングトランジスタ及び
駆動段トランジスタのベース・エミツタ間を逆バ
イアス状態に保持することを特徴とするトランジ
スタ回路のターンオフ方法。
1. A method for driving a transistor circuit in which a main switching transistor and a drive stage transistor are connected in Darlington, in which the bases and emitters of the main switching transistor and the drive stage transistor are inductively coupled to each other by inductance via a resistor. , storing energy in the inductance when the main switching transistor and the driving stage transistor are turned on, and reverse biasing between the base and emitter of the driving stage transistor by the energy stored in the inductance when the driving stage transistor is turned off;
A method for turning off a transistor circuit, characterized in that when the main switching transistor is turned off, the base and emitters of the main switching transistor and the drive stage transistor are maintained in a reverse bias state by the action of energy stored in the inductance.
JP56026454A 1981-02-25 1981-02-25 Turning-off method of transistor circuit Granted JPS57141125A (en)

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JPH0616293U (en) * 1992-08-05 1994-03-01 前田工繊株式会社 Simple water tank

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