JPS61146795A - 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライト - Google Patents
高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライトInfo
- Publication number
- JPS61146795A JPS61146795A JP59269759A JP26975984A JPS61146795A JP S61146795 A JPS61146795 A JP S61146795A JP 59269759 A JP59269759 A JP 59269759A JP 26975984 A JP26975984 A JP 26975984A JP S61146795 A JPS61146795 A JP S61146795A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permeability
- ferrite
- composition
- crystal ferrite
- single crystal
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メタルテープ等の高抗磁力テープ対応用ＶＴ
Ｒヘッド材料に適する高透磁率Ｍ ｎ −Ｚ ｎ系単結
晶フェライトに関するものである。
Ｒヘッド材料に適する高透磁率Ｍ ｎ −Ｚ ｎ系単結
晶フェライトに関するものである。
従来の技術
従来から、ＶＴＲ映像記録再生用磁気ヘッド材料として
、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトが用いられてきた。そ
れは磁気ヘッドとして一般的に要求される特性、即ち透
磁率μが大きいこと、飽和磁束密度Ｂｓが大きいこと、
抗磁力ｆ（ｃが小さいこと、キュリ一温度Ｔｃが高いこ
と、それに加え精密加工に耐え、耐摩耗性に優れている
こと、および、ヘッド化した時の摺動ノイズ領域が使用
帯域外にあることなどにおいてＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトは満足すべき特性を備えていることによるもので
ある。
、Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトが用いられてきた。そ
れは磁気ヘッドとして一般的に要求される特性、即ち透
磁率μが大きいこと、飽和磁束密度Ｂｓが大きいこと、
抗磁力ｆ（ｃが小さいこと、キュリ一温度Ｔｃが高いこ
と、それに加え精密加工に耐え、耐摩耗性に優れている
こと、および、ヘッド化した時の摺動ノイズ領域が使用
帯域外にあることなどにおいてＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェ
ライトは満足すべき特性を備えていることによるもので
ある。
しかし、最近高記録密度用として、メタル系テープが注
目されるようになった。メタル系テープは、Ｈａが１２
００〜２０００ （θ０）と大きいため、ヘッドとして
も飽和磁束密度の高い材料が必要となる。Ｍｎ−Ｚｎ系
単結晶フェライトの飽和磁束密度は、Ｆｅ２Ｏ３のモル
数にかなり依存し、従来使用されていたヘッド材料は、
Ｆ Ｏ２０ｓが５１〜５６ ｍｏＪ％で飽和磁束密度は
４５００〜５０００（Ｇａｕβ）であった。それに対し
、メタル系テープ対応として、Ｆｅ２Ｏ３が６０〜６４
ｍｏ１％、その他がＭｎＯとＺｎＯからなるＭｎ−Ｚｎ
系単結晶フェライトが、最近試作されるようになり、そ
の特性定数等も詳細に研究されるようになったＮａ ｔ
ｉ ｏｎａ ＩＴｅｃｈ Ｒｅｐｔ ｖｏｌ ２Ｂ
／、 ６ Ｐ、１５１９８２ ）。飽和磁束密度は５８
００〜６４００ （Ｇａｕβ）である。従ってこの材料
を使用して、メタル系テープに記録を行うことにより極
めて効率の良い記録が可能となる。
目されるようになった。メタル系テープは、Ｈａが１２
００〜２０００ （θ０）と大きいため、ヘッドとして
も飽和磁束密度の高い材料が必要となる。Ｍｎ−Ｚｎ系
単結晶フェライトの飽和磁束密度は、Ｆｅ２Ｏ３のモル
数にかなり依存し、従来使用されていたヘッド材料は、
Ｆ Ｏ２０ｓが５１〜５６ ｍｏＪ％で飽和磁束密度は
４５００〜５０００（Ｇａｕβ）であった。それに対し
、メタル系テープ対応として、Ｆｅ２Ｏ３が６０〜６４
ｍｏ１％、その他がＭｎＯとＺｎＯからなるＭｎ−Ｚｎ
系単結晶フェライトが、最近試作されるようになり、そ
の特性定数等も詳細に研究されるようになったＮａ ｔ
ｉ ｏｎａ ＩＴｅｃｈ Ｒｅｐｔ ｖｏｌ ２Ｂ
／、 ６ Ｐ、１５１９８２ ）。飽和磁束密度は５８
００〜６４００ （Ｇａｕβ）である。従ってこの材料
を使用して、メタル系テープに記録を行うことにより極
めて効率の良い記録が可能となる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、Ｆｅ２Ｏ３が６０〜６４ ｍｏ１！％の組成範
囲では極めて、透磁率の組成依存性が大きく、例えば−
次の結晶磁気異方性定数に１と二次の結晶磁気異方性定
数に２の関係かに１＋に２／９＝ｏを満足する組成で透
磁率が極めて大きくなることが知られている。室温付近
ではに１＋に２／９＝ｏの条件を満足する組成はＦｅ２
Ｏ３が６０ｍｏ１％付近である。
囲では極めて、透磁率の組成依存性が大きく、例えば−
次の結晶磁気異方性定数に１と二次の結晶磁気異方性定
数に２の関係かに１＋に２／９＝ｏを満足する組成で透
磁率が極めて大きくなることが知られている。室温付近
ではに１＋に２／９＝ｏの条件を満足する組成はＦｅ２
Ｏ３が６０ｍｏ１％付近である。
しかし、この組成範囲から少し離れた場合の透磁率の減
少傾向がかなり大きいということが問題となっていた。
少傾向がかなり大きいということが問題となっていた。
本発明は、上記問題を解決するものでＭ ｎ −Ｚ ｎ
系単結晶フェライトにおいて、Ｋ１＋に２／９＝Ｏの条
件を満促するような組成範囲を広くすることにより広い
組成範囲で高透磁率を可能にならしめることを目的とす
る。
系単結晶フェライトにおいて、Ｋ１＋に２／９＝Ｏの条
件を満促するような組成範囲を広くすることにより広い
組成範囲で高透磁率を可能にならしめることを目的とす
る。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記目的を達成するもので、Ｆｅ２Ｏ３を６０
〜６４ ｍｏ１％含むＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトに
、さらに１ ｍｏ１％以下のＣｏ Ｏｔ Ｔ ｉ Ｏ２
ｔｖ２０６のいずれかを添加したことを特徴とする高透
磁率ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを提供するものであ
る。
〜６４ ｍｏ１％含むＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトに
、さらに１ ｍｏ１％以下のＣｏ Ｏｔ Ｔ ｉ Ｏ２
ｔｖ２０６のいずれかを添加したことを特徴とする高透
磁率ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトを提供するものであ
る。
作用
本発明は、上記構成によりＰ” ６２０ｓが６０〜６４
ｍｏ１％の組成のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトにおい
て、無添加の場合における高透磁率組成、Ｋ１＋に２／
９＝０の条件を満足する組成以外の組成においても、Ｃ
ｏｏを添加することによりに１＋に２／９＝０の条件を
満足ならしめたものであり、広い組成範囲に亘り高透磁
率を達成するようにしたものである。
ｍｏ１％の組成のＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトにおい
て、無添加の場合における高透磁率組成、Ｋ１＋に２／
９＝０の条件を満足する組成以外の組成においても、Ｃ
ｏｏを添加することによりに１＋に２／９＝０の条件を
満足ならしめたものであり、広い組成範囲に亘り高透磁
率を達成するようにしたものである。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第２図は、Ｆｅ２ｏ３が６４ ｍｏ１％、残りがＭｎＯ
とＺｎＯからある組成におけるに１．に２の温度依存性
の測定結果であり、ａはに１＋に２／９＝０となる温度
である。組成が変わるとａの点も左右に移動するがこの
組成においては、約１８０℃に位置している。この組成
に添加物としてＣｏｏを１ ｒｎｏ１％程度添加すると
、Ｋ１．に２の温度依存性は第１図のようＫなる。即ち
に１ ＋に２／９ ｍｏとなる点ａは、約３０℃に位置
し、室温付近で極めて大きな透磁率を得ることができた
。ＣｏＬ）無添加の場合に比べ、１ｍＨｚ における透
磁率が３倍近く増大した。
とＺｎＯからある組成におけるに１．に２の温度依存性
の測定結果であり、ａはに１＋に２／９＝０となる温度
である。組成が変わるとａの点も左右に移動するがこの
組成においては、約１８０℃に位置している。この組成
に添加物としてＣｏｏを１ ｒｎｏ１％程度添加すると
、Ｋ１．に２の温度依存性は第１図のようＫなる。即ち
に１ ＋に２／９ ｍｏとなる点ａは、約３０℃に位置
し、室温付近で極めて大きな透磁率を得ることができた
。ＣｏＬ）無添加の場合に比べ、１ｍＨｚ における透
磁率が３倍近く増大した。
第二の実施例として、Ｋ １＋ Ｋ ２／９ ＝＝Ｏと
なる点が１３０’ＣにあるＦｅ２Ｏ３が６２ｍｏＪ％、
残りがＭｎＯと ＺｎＯからなる組成の単結晶フェライ
トに添加物として、ＣｏＱを０．５ ｒｎｏ１％程度入
れた。第１の実施例同様、Ｋ１．に２の温度依存性が変
化しに１＋に２／９＝０となる点は、約２５℃に移動し
、室温付近で極めて大きな透磁率を得ることができた。
なる点が１３０’ＣにあるＦｅ２Ｏ３が６２ｍｏＪ％、
残りがＭｎＯと ＺｎＯからなる組成の単結晶フェライ
トに添加物として、ＣｏＱを０．５ ｒｎｏ１％程度入
れた。第１の実施例同様、Ｋ１．に２の温度依存性が変
化しに１＋に２／９＝０となる点は、約２５℃に移動し
、室温付近で極めて大きな透磁率を得ることができた。
これに対し、Ｆ ＠ ２０３が６５ ｍｏ １％、残り
がＭｎＯとＺｎＯから成り、Ｋ１＋に２／９＝ｏとなる
点が２１５℃にある単結晶フェライトで、Ｃｏｏを２．
８ ｍｏｌ ％添加してに１＋に２／９＝０の点を室温
に移動して透磁率を測った結果、実用に供せるような大
きさを得ることはできなかった。従って、実用的に使用
できる組成範囲は、Ｆ ｅ ２０３が６０〜６４ ｍｏ
１％で、添加するＣｏｏの量は１ｍｏ１％以下であると
考えられる。Ｆｅ２Ｏ３が６０ ｍｏ１％を下まわる組
成ではに、は室温で正であり、−十に２／９ ＝Ｏは、
殆んどが室温以下にあるため、Ｋ１に対し正に寄与する
Ｃｏｏを添加しても効果は得られない。
がＭｎＯとＺｎＯから成り、Ｋ１＋に２／９＝ｏとなる
点が２１５℃にある単結晶フェライトで、Ｃｏｏを２．
８ ｍｏｌ ％添加してに１＋に２／９＝０の点を室温
に移動して透磁率を測った結果、実用に供せるような大
きさを得ることはできなかった。従って、実用的に使用
できる組成範囲は、Ｆ ｅ ２０３が６０〜６４ ｍｏ
１％で、添加するＣｏｏの量は１ｍｏ１％以下であると
考えられる。Ｆｅ２Ｏ３が６０ ｍｏ１％を下まわる組
成ではに、は室温で正であり、−十に２／９ ＝Ｏは、
殆んどが室温以下にあるため、Ｋ１に対し正に寄与する
Ｃｏｏを添加しても効果は得られない。
一方、上記実施例と同様の実験をＴｉＯ２，ｖ２０５添
加についても行った結果、Ｃｏｏと同様の効果が得られ
た。
加についても行った結果、Ｃｏｏと同様の効果が得られ
た。
発明の効果
以上要するに本発明は、Ｆｅ２Ｏ３を６０〜６４ｍｏ１
％含むＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトに、１ｍｏ１％以
下のＣｏ０２Ｔｉ０２．ｖ２ｏ６のいずれかを添加する
もので、かかる添加によりに１及びに２の温度依存性を
変化させ、それぞれの組成で室温付近のに１とに２の関
係かに１＋に２／９＝０となるように調整することが可
能となり、透磁率を極めて高くすることができ、その効
果は顕著である。
％含むＭｎ−Ｚｎ系単結晶フェライトに、１ｍｏ１％以
下のＣｏ０２Ｔｉ０２．ｖ２ｏ６のいずれかを添加する
もので、かかる添加によりに１及びに２の温度依存性を
変化させ、それぞれの組成で室温付近のに１とに２の関
係かに１＋に２／９＝０となるように調整することが可
能となり、透磁率を極めて高くすることができ、その効
果は顕著である。
第１図は本発明の一実施例におけるＣｏｏ添加の単結晶
フェライトのに１．に２の温度依存性の測定結果を示す
図、第２図はその比較例としての無添加の単結晶フェラ
イトのに１．に２の温度依存性の測定結果を示す図であ
る。 １・・・・・・−次の結晶磁気異方性定数に１の温度依
存性曲線、２・・・・・・二次の結晶磁気異方性定数に
２の温度依存性曲線、９・・・・・・Ｋ１＋に２／９
＝Ｏとなる点。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
フェライトのに１．に２の温度依存性の測定結果を示す
図、第２図はその比較例としての無添加の単結晶フェラ
イトのに１．に２の温度依存性の測定結果を示す図であ
る。 １・・・・・・−次の結晶磁気異方性定数に１の温度依
存性曲線、２・・・・・・二次の結晶磁気異方性定数に
２の温度依存性曲線、９・・・・・・Ｋ１＋に２／９
＝Ｏとなる点。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- ６０〜６４ｍｏｌ％のＦｅ＿２Ｏ＿３を含み、さらに１
ｍｏｌ％以下のＣｏＯ、ＴｉＯ＿２、Ｖ＿２Ｏ＿５のい
ずれかを添加したことを特徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系単結晶フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269759A JPS61146795A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269759A JPS61146795A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146795A true JPS61146795A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17476752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269759A Pending JPS61146795A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系単結晶フエライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117997A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-21 | Tokin Corp | 単結晶フエライト |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP59269759A patent/JPS61146795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117997A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-21 | Tokin Corp | 単結晶フエライト |
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