JPS61145911A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS61145911A JPS61145911A JP26909184A JP26909184A JPS61145911A JP S61145911 A JPS61145911 A JP S61145911A JP 26909184 A JP26909184 A JP 26909184A JP 26909184 A JP26909184 A JP 26909184A JP S61145911 A JPS61145911 A JP S61145911A
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- JP
- Japan
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- vhf
- uhf
- negative feedback
- gate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯をカバーするＡＧＣ端子付
き低歪の集積回路、特に広帯域増幅器に係る。その王な
利用分野はＣＡＴＶコンバータ。
き低歪の集積回路、特に広帯域増幅器に係る。その王な
利用分野はＣＡＴＶコンバータ。
ＶＴＲブースタやあるいは、通信器などである。
従来の技術
ＧａＡｓ Ｆ ＥＴのドレインから、ゲートに抵抗で負
帰還をかけた負帰還増幅器は、１０川〜３ ＧＨｚにわ
たる広帯域をカバーする低雑音アンプを与えることが知
られている。デュアルゲートＦＥＴのドレインから第１
ゲートに負帰還をかけたＡＧＣ端子付きの広帯域増幅器
もすでに報告されている。
帰還をかけた負帰還増幅器は、１０川〜３ ＧＨｚにわ
たる広帯域をカバーする低雑音アンプを与えることが知
られている。デュアルゲートＦＥＴのドレインから第１
ゲートに負帰還をかけたＡＧＣ端子付きの広帯域増幅器
もすでに報告されている。
この増幅器の回路を第４図に示す。点線内力εａＡｓの
単一チップ上に構成されている。チョークコイル、バイ
アス抵抗ＲＧ１ ｔ ＲＧ２ ’カブプリングコンデン
サ、バイパスコンデンサなどは外付は回路で構成されて
いる。ＦＥＴ１のゲート幅を１０００μｍゲート長を１
μｍとし、活性層濃度をＧａＡｓ Ｆ ＥＴで一役的な
１〜２×１ｏｃＩｎ−という値にしくｇｍ＝１００ｍｓ
）、帰還抵抗ＲｆＶ ｆ ３００Ωとした負帰還増幅
器において、５０Ｍ〜２０００＞ｌｈにわたって、利得
１２ｄＢ、ＮＦ≦２．ｓｄＢという性能が得られている
。入出力インピーダンスは６０〜７６Ωになっている。
単一チップ上に構成されている。チョークコイル、バイ
アス抵抗ＲＧ１ ｔ ＲＧ２ ’カブプリングコンデン
サ、バイパスコンデンサなどは外付は回路で構成されて
いる。ＦＥＴ１のゲート幅を１０００μｍゲート長を１
μｍとし、活性層濃度をＧａＡｓ Ｆ ＥＴで一役的な
１〜２×１ｏｃＩｎ−という値にしくｇｍ＝１００ｍｓ
）、帰還抵抗ＲｆＶ ｆ ３００Ωとした負帰還増幅
器において、５０Ｍ〜２０００＞ｌｈにわたって、利得
１２ｄＢ、ＮＦ≦２．ｓｄＢという性能が得られている
。入出力インピーダンスは６０〜７６Ωになっている。
直流阻止用ダイオード２の使用状態における逆方向容量
は２０ＰＦである。また第２ゲートを使って、５ｏｄＢ
の利得制御が可能である。
は２０ＰＦである。また第２ゲートを使って、５ｏｄＢ
の利得制御が可能である。
発明が解決しようとする問題点
ところで、このような回路構成をＴ Ｖ／Ｖ Ｔ Ｒ用
チューナなどのＲＦアンプとして用いる場合、ＶＩ（Ｆ
借用とＵＨＦ帯それぞれで要求される性能が極めて高く
単一の回路構成で、ＵＨＦ帯、ＵＨＦ帯の要求性能を同
時に満足することが難しくなる。
チューナなどのＲＦアンプとして用いる場合、ＶＩ（Ｆ
借用とＵＨＦ帯それぞれで要求される性能が極めて高く
単一の回路構成で、ＵＨＦ帯、ＵＨＦ帯の要求性能を同
時に満足することが難しくなる。
特に、ＵＨＦ帯で負帰還アンプの利得制御時の歪特性を
良くしようとすると、ゲート長を長くした、 り、活
性層濃度を高くして入力ゲート容にを大きくする必要が
あるが、こうすると、ＵＨＦ帯で１ｓｄＢ以上の利得を
得ることは困難であり、ＵＨＦ帯で良好な性能を得るこ
とができない。
良くしようとすると、ゲート長を長くした、 り、活
性層濃度を高くして入力ゲート容にを大きくする必要が
あるが、こうすると、ＵＨＦ帯で１ｓｄＢ以上の利得を
得ることは困難であり、ＵＨＦ帯で良好な性能を得るこ
とができない。
ＵＨＦ帯、ＵＨＦ帯それぞれで最適設計した２系列の広
帯域アンプＩＣを構成してもよいが、機器の小形化の点
で問題がある。
帯域アンプＩＣを構成してもよいが、機器の小形化の点
で問題がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、要約するに、第１ゲート長の鴇なる複数のデ
ュアルゲート電界効果トランジスタが、それぞれのドレ
インと前記第１ゲートとの間に負帰還結合手段を介して
結合されて、単一基板上に形成された集積回路である。
ュアルゲート電界効果トランジスタが、それぞれのドレ
インと前記第１ゲートとの間に負帰還結合手段を介して
結合されて、単一基板上に形成された集積回路である。
作 用
この構成により、第１ゲート長の長いデュアルゲート電
界効果トランジスタで、負帰還量を大きく設定した側の
増幅器をＶＨＦ帯域で用い、他方、第１ゲート長の短い
デュアルゲート電界効果トランジスタで、負帰還量を小
さく設定した側の増幅器をＵＨＦ帯域で用いることがで
き、ＶＨＦ〜Ｕ）ＩＦ帯の広帯域アンプが単一の能動素
子を利用して形成可能になる。
界効果トランジスタで、負帰還量を大きく設定した側の
増幅器をＶＨＦ帯域で用い、他方、第１ゲート長の短い
デュアルゲート電界効果トランジスタで、負帰還量を小
さく設定した側の増幅器をＵＨＦ帯域で用いることがで
き、ＶＨＦ〜Ｕ）ＩＦ帯の広帯域アンプが単一の能動素
子を利用して形成可能になる。
実施例
本発明を、実施例をもとに説明する。
第１図は、ＧａＡｓを用いて構成した本発明の実施例で
ある。点線内がＧａＡｇの単一チップ上に構成されてい
る。点線の外は、外付は回路で構成しである。本ＩＣは
４ ＵＨＦＨＦ帯域ＨＦＨＦ帯域れぞれ最適化された負
帰還アンプと、ＶＨＦ 。
ある。点線内がＧａＡｇの単一チップ上に構成されてい
る。点線の外は、外付は回路で構成しである。本ＩＣは
４ ＵＨＦＨＦ帯域ＨＦＨＦ帯域れぞれ最適化された負
帰還アンプと、ＶＨＦ 。
ＵＨＦのバンド切り換え用のダイオード３，４とが、Ｇ
ａＡｓ単一チツブ上に構成されている。負帰還アンプの
入出力インピーダンスは４００〜１ｋｇと高インピーダ
ンスに設計されており、入力側には、ＶＨＦ 、ＵＨＦ
それぞれに同調回路が設けである。ＶＨＦ 、ＵＨＦの
バンド切り換えは、ＢＶＨＦｔ ＢＵＨＦの一方をＯＮ
、他方−１ＯＦＦにしておこなう。
ａＡｓ単一チツブ上に構成されている。負帰還アンプの
入出力インピーダンスは４００〜１ｋｇと高インピーダ
ンスに設計されており、入力側には、ＶＨＦ 、ＵＨＦ
それぞれに同調回路が設けである。ＶＨＦ 、ＵＨＦの
バンド切り換えは、ＢＶＨＦｔ ＢＵＨＦの一方をＯＮ
、他方−１ＯＦＦにしておこなう。
ＶＨＦ用の広帯域アンプは、歪を良くするために、第１
ゲート長を３μｍにしである。第２ゲート長は２μｍゲ
ート幅は１０００μｍであるつ帰還抵抗ＲｆＶは８００
〜２０００Ωに設計しである。
ゲート長を３μｍにしである。第２ゲート長は２μｍゲ
ート幅は１０００μｍであるつ帰還抵抗ＲｆＶは８００
〜２０００Ωに設計しである。
またＵＨＦ用の広帯域アンプは、利得をあげるために、
第１ゲート長は１μｍＳ帰マ・ｖ抵抗ＲｔＵはＶＨＦ用
より負帰還量を少くして８にΩ〜２０にΩに設計されて
いる。ゲート幅、第２ゲート長は、ＶＨＦと同じになっ
ている。ＤＣカット用のダイオードは、使用バイアス状
態でＶＨＦＨＦ帯域ＰＦ。
第１ゲート長は１μｍＳ帰マ・ｖ抵抗ＲｔＵはＶＨＦ用
より負帰還量を少くして８にΩ〜２０にΩに設計されて
いる。ゲート幅、第２ゲート長は、ＶＨＦと同じになっ
ている。ＤＣカット用のダイオードは、使用バイアス状
態でＶＨＦＨＦ帯域ＰＦ。
ＵＨＦＨＦ帯域ＰＦ になるように設計されている。
バンド切り換え用のダイオードは、全面積がＩ Ｘ２５
０μｍとなるように、ショットキーダイオードで構成さ
れている。このＩＣのマスクツくターンを第２図に示す
。活性層の濃度は２×１０１７１−３である。また、シ
ョットキーメタルはＴｉ／Ａｌ。
０μｍとなるように、ショットキーダイオードで構成さ
れている。このＩＣのマスクツくターンを第２図に示す
。活性層の濃度は２×１０１７１−３である。また、シ
ョットキーメタルはＴｉ／Ａｌ。
オーミックはＡｎＧｅ／Ｎｉ ／Ａ ｎを用いている。
このチップは、第３図にコムパターンを示したプラスチ
ックパッケージに封止されている。このコムパターンは
高周波特性を劣化させるソースインダクタンスが小さく
なるように工夫されている。
ックパッケージに封止されている。このコムパターンは
高周波特性を劣化させるソースインダクタンスが小さく
なるように工夫されている。
また端子間のカップリングが問題となるＵＨＦＨＦ帯域
ンプは、入力ゲート端子と出力ドレイン端子の間に無結
線のコムリードパターンＮＣを設けて、入出力のカップ
リング容量を低減しである。
ンプは、入力ゲート端子と出力ドレイン端子の間に無結
線のコムリードパターンＮＣを設けて、入出力のカップ
リング容量を低減しである。
このＩＣを用いることにより、ＵＨＦ 、ＶＨＦ共、利
得１６ｄＢ〜２０ｄＢ、ＮＦ≦２ｄＢ混変調歪は全利得
制御範囲で１チ混変調歪を起すに必要な妨害信号レベル
が９０ｄＢμＶ以上と、両バンド共で良好なチューナ用
ＲＦアンプが実現できた。
得１６ｄＢ〜２０ｄＢ、ＮＦ≦２ｄＢ混変調歪は全利得
制御範囲で１チ混変調歪を起すに必要な妨害信号レベル
が９０ｄＢμＶ以上と、両バンド共で良好なチューナ用
ＲＦアンプが実現できた。
発明の効果
以上述べたごとく、本発明によれば、ＶＨＦ。
ＵＨＦそれぞれのバンドで優れた歪特性と、利得、ＮＦ
特性を実現するアンプが、１チツプ上で実現されており
、実用上極めて、価値が高い。
特性を実現するアンプが、１チツプ上で実現されており
、実用上極めて、価値が高い。
第１図は本発明のＧａ、Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ広帯域アンプ
回路図、第２図は、本発明のＧａＡｓ Ｉ Ｃのマスク
・パターンを示す図、第３図は、本発明のＧａＡｓ Ｉ
Ｃ組立図、第４図は従来のＡＧＣ端子付きＧａＡｓ負
帰還増幅器の回路図である。 １・・・・・・デュアルゲート電界効果トランジスタ、
２・・・・・・直流阻止用ダイオード、３，４・・印・
バント切換用ダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図
回路図、第２図は、本発明のＧａＡｓ Ｉ Ｃのマスク
・パターンを示す図、第３図は、本発明のＧａＡｓ Ｉ
Ｃ組立図、第４図は従来のＡＧＣ端子付きＧａＡｓ負
帰還増幅器の回路図である。 １・・・・・・デュアルゲート電界効果トランジスタ、
２・・・・・・直流阻止用ダイオード、３，４・・印・
バント切換用ダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図
Claims (2)
- （１）第１ゲート長の異なる複数のデュアルゲート電界
効果トランジスタが、それぞれのドレインと前記第１ゲ
ートとの間に負帰還結合手段を介して結合されて、単一
基板上に形成された集積回路。 - （２）負帰還結合手段が、それぞれに、負帰還量の異な
る構成に設定された特許請求の範囲第１項に記載の集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26909184A JPS61145911A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26909184A JPS61145911A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145911A true JPS61145911A (ja) | 1986-07-03 |
Family
ID=17467544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26909184A Pending JPS61145911A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007193321A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Itt Manufacturing Enterprises Inc | 光ファイバスクリーンを使用した暗視装置内におけるインジケータライトの表示 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26909184A patent/JPS61145911A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007193321A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Itt Manufacturing Enterprises Inc | 光ファイバスクリーンを使用した暗視装置内におけるインジケータライトの表示 |
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