JPS61139101A - マイクロ波電力合成器 - Google Patents
マイクロ波電力合成器Info
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- JPS61139101A JPS61139101A JP25987584A JP25987584A JPS61139101A JP S61139101 A JPS61139101 A JP S61139101A JP 25987584 A JP25987584 A JP 25987584A JP 25987584 A JP25987584 A JP 25987584A JP S61139101 A JPS61139101 A JP S61139101A
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- JP
- Japan
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- mode
- cylindrical cavity
- circular waveguide
- microwave power
- output line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はマイクロ波に関わる固体増幅器などの電力合
成器ならびに分配器に関するものである。
成器ならびに分配器に関するものである。
(従来の技術〕
近年、半導体技術の進展により、マイクロ波領域におい
ても、FET(フィール、ド効果トランジスタ)、イン
バットダイオードなどを用いた固体増幅器の高電力化が
進んでいる。しかし半導体1個当りの出し得る電力には
限界があるため、一般に電力合成器を用いて複数個の半
導体を動作させたり、複数個の固体増幅器の出力を回路
で合成して高電力化を図っている。
ても、FET(フィール、ド効果トランジスタ)、イン
バットダイオードなどを用いた固体増幅器の高電力化が
進んでいる。しかし半導体1個当りの出し得る電力には
限界があるため、一般に電力合成器を用いて複数個の半
導体を動作させたり、複数個の固体増幅器の出力を回路
で合成して高電力化を図っている。
電力合成器は第2図のように、同じ特注を有するN個の
増幅器から1つの負荷抵抗に電力を供給するための回路
である。N個の端子を持つ電力合成器の必要条件は、 (1)合成器の内部損失ができるだけ少ないこと。
増幅器から1つの負荷抵抗に電力を供給するための回路
である。N個の端子を持つ電力合成器の必要条件は、 (1)合成器の内部損失ができるだけ少ないこと。
すなわちできる限り各増幅器の電力の総和が負荷抵抗に
供給されること。
供給されること。
(11N個のうち任意の端子から合成器をみたインピー
ダンスが、他の熾子に接続するインピーダンスに無関係
で且つ整合インピーダンスとなること。すなわちN個の
端子間の相互結合を無くすること。
ダンスが、他の熾子に接続するインピーダンスに無関係
で且つ整合インピーダンスとなること。すなわちN個の
端子間の相互結合を無くすること。
以上2つの必要条件のうち後者が満足されないと、増幅
器の出力が相互に干渉して増幅器の出力インピーダンス
が不整合となるため、増幅器の動作が不安定となったり
、場合によって探固体増幅器の半導体を破壊するにいた
る。
器の出力が相互に干渉して増幅器の出力インピーダンス
が不整合となるため、増幅器の動作が不安定となったり
、場合によって探固体増幅器の半導体を破壊するにいた
る。
第3図に電力合成器の構成の概要を示す。この合成器の
N端子の回路網(受動回路とする)のインピーダンスマ
トリックス(Z)を用い、電圧と電流の関係を表わすと
、その一般式は、 電力合成器は可逆対称回路であり、N個の各端子を対等
とすると、 のように表わすことができる0 この回路の解析に固有値、固有ベクトルを用いて説明す
る。N端子の対称回路の固有ベクトルinは、 1n=(1,θjna ej2na、 11・11 6
j(N−1)na)(8゜n=0.1. ・・・・・
、(lf−1〕た。”x(11axg’π/N また固有値をλ。とすれば (Z)(in)−λ。〔1n〕 (4
)たソし 電力合成器の必要条件(1)を満足するためには、第(
2)式かられかるように2マトリックス要素z12をz
12=0とすることが要求される。これが満たされると
第(4)式は 20、(ln) =籍(in]
(6)となるので 籍=20□
())の関係が得られる。
N端子の回路網(受動回路とする)のインピーダンスマ
トリックス(Z)を用い、電圧と電流の関係を表わすと
、その一般式は、 電力合成器は可逆対称回路であり、N個の各端子を対等
とすると、 のように表わすことができる0 この回路の解析に固有値、固有ベクトルを用いて説明す
る。N端子の対称回路の固有ベクトルinは、 1n=(1,θjna ej2na、 11・11 6
j(N−1)na)(8゜n=0.1. ・・・・・
、(lf−1〕た。”x(11axg’π/N また固有値をλ。とすれば (Z)(in)−λ。〔1n〕 (4
)たソし 電力合成器の必要条件(1)を満足するためには、第(
2)式かられかるように2マトリックス要素z12をz
12=0とすることが要求される。これが満たされると
第(4)式は 20、(ln) =籍(in]
(6)となるので 籍=20□
())の関係が得られる。
これかられかる通り、理想的な酸刀合成器を実現するに
は、211を整合インピーダンスに等しくして、すべて
の固有ベクトルに対する固有値λ。
は、211を整合インピーダンスに等しくして、すべて
の固有ベクトルに対する固有値λ。
(n=Q、1.・・・・・、(N−1))の値を回路の
整合インピーダンス2□□(= Ro)に等しくなるよ
うに合成器の回路構成を考える必要がある。
整合インピーダンス2□□(= Ro)に等しくなるよ
うに合成器の回路構成を考える必要がある。
従来用いられている合成器の構造例を第4図に示す。同
軸コネクター2に増幅器を接続する。出力は同軸線路7
から取り出す。こ\でにN=4の場合を示すが、各端子
間の相互結合を無くする丸めにスリット8を設はスリッ
トの内部に吸収体を挿入している。
軸コネクター2に増幅器を接続する。出力は同軸線路7
から取り出す。こ\でにN=4の場合を示すが、各端子
間の相互結合を無くする丸めにスリット8を設はスリッ
トの内部に吸収体を挿入している。
第(3)式から第1の固有ベクトルは、各端子の電流が
同一振幅同一位相に対応するので、この場合は正常な電
力合成の動作時と同じである。円筒空胴1の内部磁界が
円周方向成分のみであり半径方向の磁界成分が無いので
、スリット吸収体8での電力損は零、出力電力は同軸線
路7を伝搬して行く。次に第2の固有ベクトル(第3も
第4も同様)では、各端子の電流位相が同一とならない
ので半径方向の磁界が生じ、スリット吸収体8で電力が
消費される。
同一振幅同一位相に対応するので、この場合は正常な電
力合成の動作時と同じである。円筒空胴1の内部磁界が
円周方向成分のみであり半径方向の磁界成分が無いので
、スリット吸収体8での電力損は零、出力電力は同軸線
路7を伝搬して行く。次に第2の固有ベクトル(第3も
第4も同様)では、各端子の電流位相が同一とならない
ので半径方向の磁界が生じ、スリット吸収体8で電力が
消費される。
(発明が解決しようとする問題点)
上述の構造での問題点は次の通りである。
(1) 周波数が高くなると(約10 GHz以上)
出力の同軸線路フの銅損が増加するので、実効的に合成
損失が増大する。
出力の同軸線路フの銅損が増加するので、実効的に合成
損失が増大する。
(■)従来のマイクロ波合成器では、すべての固有ベク
トルに対する固有値を等しくするための調整部分く具体
的にはスリン))がなかったので、各入力線路端子間の
相互結合を無くする事がむずかしかった。
トルに対する固有値を等しくするための調整部分く具体
的にはスリン))がなかったので、各入力線路端子間の
相互結合を無くする事がむずかしかった。
(問題を解決するための手段〕
本発明の目的は上述の従来の欠点を除去し、比較的簡単
な構成で合成損失の少ないマイクロ波電力合成器を提供
するものである。
な構成で合成損失の少ないマイクロ波電力合成器を提供
するものである。
すなわち本発明マイクロ波電力合成器は、円筒空胴に複
数個の入力線路を接続し、当該円筒空胴の中心部に設け
た出力線路から出力信号をとり出すよう構成したマイク
ロ波電力合成器において、前記円筒空胴においては、T
Mモードの信号波を発生するように構成するとともに、
前記出力線路に、TE11モードの°信号波を阻止する
フィルタを設けたことを特徴とするものである。
数個の入力線路を接続し、当該円筒空胴の中心部に設け
た出力線路から出力信号をとり出すよう構成したマイク
ロ波電力合成器において、前記円筒空胴においては、T
Mモードの信号波を発生するように構成するとともに、
前記出力線路に、TE11モードの°信号波を阻止する
フィルタを設けたことを特徴とするものである。
(作用)
従来技術の項でも記述したように、損失の少ない理想的
なマイクロ波電力合成器を実現するためには、合゛成器
の内部損失を可胃巨な限り少なくし、複数の入力電子の
任意の端子から合成器をみたインピーダンスが、他の端
子に接続するインピーダンスに無関係で且つ整合インピ
ーダンスになるよう合成器を構成することである。
なマイクロ波電力合成器を実現するためには、合゛成器
の内部損失を可胃巨な限り少なくし、複数の入力電子の
任意の端子から合成器をみたインピーダンスが、他の端
子に接続するインピーダンスに無関係で且つ整合インピ
ーダンスになるよう合成器を構成することである。
以下実施例において図面を参照し本発明の詳細な説明す
る。
る。
(実施例)
まず第4図のように出方電力を取り出す導波路として同
軸線路7を用いると、周波数が10 GHz以上でμ銅
損による電力損失が増加する。従って合成器から負荷ま
での同軸線路の線路長を長くする事は好ましくない。
軸線路7を用いると、周波数が10 GHz以上でμ銅
損による電力損失が増加する。従って合成器から負荷ま
での同軸線路の線路長を長くする事は好ましくない。
本発明の前段実施例でに原則として損失が大きくなシ易
い同軸線路の代わりに出力線路として円形導波管を用い
たものと対象とする。
い同軸線路の代わりに出力線路として円形導波管を用い
たものと対象とする。
第1図に本発明の第1の実施例を示すが、図で合成器を
構成する円筒空胴1の高さは2/2より小さくする。こ
こでλは動作周波数に対する自由空間の波長である。
構成する円筒空胴1の高さは2/2より小さくする。こ
こでλは動作周波数に対する自由空間の波長である。
次に円形導波管8の直径t−Tl1[0、モードを伝搬
させT E11モードが遮断域になるように選ぶ。この
よりにすると円筒空胴1円の電磁界FX、TMモードが
支配的さな夛、円形導波管3にTE、モードとTMo□
モードだけが伝搬モードとなる。
させT E11モードが遮断域になるように選ぶ。この
よりにすると円筒空胴1円の電磁界FX、TMモードが
支配的さな夛、円形導波管3にTE、モードとTMo□
モードだけが伝搬モードとなる。
第(3)式の第1の固有ベクトルに対しては、先に述べ
たよりに円筒空胴1内の磁界は円周方向のぺクトル成分
を有し、半径方向のベクトル成分を有しないので円筒空
胴1円の電磁界はTMono(n−1)モードが支配的
で、これに結合する円形導波管3にはTMo、モードが
結合して出力として伝搬する。円形導波管8の中を伝搬
し得るモードとしてはTMo、モードの他にTE11モ
ードがあるが、第1の固有ベクトルに対してはTE11
、モードは存在しない。こ\で円筒空胴内のモードをT
Mrnmモードと呼ぶとき、rは円周方向CI)に波
ののる数、nは半径方向(ρ)に波ののる数、mに高さ
方向(ZJに波ののる数を表わす。
たよりに円筒空胴1内の磁界は円周方向のぺクトル成分
を有し、半径方向のベクトル成分を有しないので円筒空
胴1円の電磁界はTMono(n−1)モードが支配的
で、これに結合する円形導波管3にはTMo、モードが
結合して出力として伝搬する。円形導波管8の中を伝搬
し得るモードとしてはTMo、モードの他にTE11モ
ードがあるが、第1の固有ベクトルに対してはTE11
、モードは存在しない。こ\で円筒空胴内のモードをT
Mrnmモードと呼ぶとき、rは円周方向CI)に波
ののる数、nは半径方向(ρ)に波ののる数、mに高さ
方向(ZJに波ののる数を表わす。
次に第2.第8.・・・・・、第(N−1)の固有ベク
トルで励振すれば、円筒空胴1内には半径方向のベクト
ル成分をもった電磁界が生じ、円形導波管3に[TE□
□モードが伝搬して行く。円形導波管8に接続する負荷
はTMo、モードに対するものであるから、TE11モ
ードが出力側へ伝搬して行くのに好ましくない。そこで
本実施例では第1図のようにスリット4を設け、条件に
よっては抵抗体を挿入したTM用モードフィルタ(TM
o、−f7−ドは無損失で通し、TE11モードは減衰
させる〕により TR:11モードを吸収している。な
お円筒空胴1には、第4図のごときスリット8を設け、
条件によってはフェライトなどからなる抵抗体を挿入し
、第2.第3.・・・・・、第(N−1)の固有ベクト
ルに対し電力を吸収する。さらに第1図の結合孔5に円
筒空胴lと円形導波管3の整合をとるためのものである
。
トルで励振すれば、円筒空胴1内には半径方向のベクト
ル成分をもった電磁界が生じ、円形導波管3に[TE□
□モードが伝搬して行く。円形導波管8に接続する負荷
はTMo、モードに対するものであるから、TE11モ
ードが出力側へ伝搬して行くのに好ましくない。そこで
本実施例では第1図のようにスリット4を設け、条件に
よっては抵抗体を挿入したTM用モードフィルタ(TM
o、−f7−ドは無損失で通し、TE11モードは減衰
させる〕により TR:11モードを吸収している。な
お円筒空胴1には、第4図のごときスリット8を設け、
条件によってはフェライトなどからなる抵抗体を挿入し
、第2.第3.・・・・・、第(N−1)の固有ベクト
ルに対し電力を吸収する。さらに第1図の結合孔5に円
筒空胴lと円形導波管3の整合をとるためのものである
。
次の実施例としては、第1図の構造でTK11モードを
完全に遮断するため第5図のようにTE11□モード阻
止フィルタ9を竹刀口した構造でおる(N=8の場合)
0 こ\で円形導波管3のA区間には第1図と同じくスリッ
ト4が設けてあり、フィルタ9の高さBはB (’/2
にとる。
完全に遮断するため第5図のようにTE11□モード阻
止フィルタ9を竹刀口した構造でおる(N=8の場合)
0 こ\で円形導波管3のA区間には第1図と同じくスリッ
ト4が設けてあり、フィルタ9の高さBはB (’/2
にとる。
さらにまた第6図のように円筒空胴1と円形導波管3の
間に別に円筒空胴10を設け、インピーダンス整合の調
整機構を設ける事もできる。こ\で円筒空胴10には第
6図中)のようにTEモードを吸収しTMo、モードを
通過せしめるモードフィルタのスリット1を設ける。
間に別に円筒空胴10を設け、インピーダンス整合の調
整機構を設ける事もできる。こ\で円筒空胴10には第
6図中)のようにTEモードを吸収しTMo、モードを
通過せしめるモードフィルタのスリット1を設ける。
以上のように本発明では第1図、第5図、第6図のよう
に電力合成器の出力用導波器として円形導波管aを使用
し、この円形導波管a内をTMoMo−ドが伝搬しTE
11モードが出力の負荷には行かないように、円筒空胴
1と円形導波管8の接合部近くにTMo、モードのモー
ドフィルタ用のスリット4を設けている。またこのTE
11モードの減衰効果を更に強くするためTE11モー
ド阻止フィルタ9(第5図)を設ける構造も他の方法と
して示した。
に電力合成器の出力用導波器として円形導波管aを使用
し、この円形導波管a内をTMoMo−ドが伝搬しTE
11モードが出力の負荷には行かないように、円筒空胴
1と円形導波管8の接合部近くにTMo、モードのモー
ドフィルタ用のスリット4を設けている。またこのTE
11モードの減衰効果を更に強くするためTE11モー
ド阻止フィルタ9(第5図)を設ける構造も他の方法と
して示した。
以上が出力の導波器として円形導波管を用いた場合であ
る。
る。
次の実施例として出力の導波器として同軸線路を用いた
場合、各固有ベクトルの動作姿態に対して固有値を整合
インピーダンスに近づけるため調整機構を設けた実施例
について述べる。
場合、各固有ベクトルの動作姿態に対して固有値を整合
インピーダンスに近づけるため調整機構を設けた実施例
について述べる。
最初のものは、従来の構造例第1図の円筒空胴は七のま
\利用するものとし、出力の同軸線路の部分に工夫をほ
どこし友ものである。これを第7図に示す。工夫した部
分に円筒空胴1と接合する同軸線路を11と12のよう
に直径を変えたことである。すなわち同軸線路12の直
径は同軸のT E、モードを伝搬させるようにしてあり
、同軸線路11はTEXモード以外の高次モードはすべ
て遮断するような寸法に選んである。
\利用するものとし、出力の同軸線路の部分に工夫をほ
どこし友ものである。これを第7図に示す。工夫した部
分に円筒空胴1と接合する同軸線路を11と12のよう
に直径を変えたことである。すなわち同軸線路12の直
径は同軸のT E、モードを伝搬させるようにしてあり
、同軸線路11はTEXモード以外の高次モードはすべ
て遮断するような寸法に選んである。
なお同軸線路12にはスリン)14を設け、条件によっ
ては抵抗体を挿入してTEモードを吸収するようにしで
ある0こうすると第2.第8゜・・・・・g(N−1)
の固有ベクトルの励振により同軸線路12に生じたTE
11モードが吸収されるので、同軸線路12の長さC2
よび吸収抵抗を調整して各固有値を所望の値にもって行
く事ができる。
ては抵抗体を挿入してTEモードを吸収するようにしで
ある0こうすると第2.第8゜・・・・・g(N−1)
の固有ベクトルの励振により同軸線路12に生じたTE
11モードが吸収されるので、同軸線路12の長さC2
よび吸収抵抗を調整して各固有値を所望の値にもって行
く事ができる。
次の実施例として第8図がある。これは出力をとり出す
同軸線路15と対向する側に特別な円形導波管16を設
ける。この特別な円形導波管16の直径はTE11モー
ドを伝搬させるが’1’Mo、モードは遮断域としであ
る。この円形導波管16の端面は短絡し、導波管の中に
はマイクロ波電力を吸収する抵抗体18を挿入する。こ
のLうにすれば、第2.第3.・・・・・、第(N−1
)の固有ベクトルに対する電磁界は、円形導波管16の
中にTI11モードを励振し、このTE11モードの電
磁波は抵抗体18で吸収される。そこで各固有値が所望
の値となるよう結合孔17および抵抗体18の導電率、
円形導波管の長さなどt−fJ4整すればよい。
同軸線路15と対向する側に特別な円形導波管16を設
ける。この特別な円形導波管16の直径はTE11モー
ドを伝搬させるが’1’Mo、モードは遮断域としであ
る。この円形導波管16の端面は短絡し、導波管の中に
はマイクロ波電力を吸収する抵抗体18を挿入する。こ
のLうにすれば、第2.第3.・・・・・、第(N−1
)の固有ベクトルに対する電磁界は、円形導波管16の
中にTI11モードを励振し、このTE11モードの電
磁波は抵抗体18で吸収される。そこで各固有値が所望
の値となるよう結合孔17および抵抗体18の導電率、
円形導波管の長さなどt−fJ4整すればよい。
矢に第9図は第8図に対し円形導波管16の部分で調整
用空胴19を付加して各固有値が所望の値となるよう調
整機構を設けたものである。
用空胴19を付加して各固有値が所望の値となるよう調
整機構を設けたものである。
第10図、第11図はこれまで述べてきた合成器または
その考え万の適用できる分配器の応用例を示したもので
、第1θ図には円筒空胴と円形導波管の組合せを、第1
1図には円筒空胴と同軸線路の組合ぜを示している。な
お第10図の阻止フィルタ23は第5図の阻止フィルタ
9と同じ作用をするものである。これらはFITを用い
た固体増幅器に関するもので、このように縦続に接続し
ていけば多段の固体増幅器が効率よく小形で簡易に実現
できる。
その考え万の適用できる分配器の応用例を示したもので
、第1θ図には円筒空胴と円形導波管の組合せを、第1
1図には円筒空胴と同軸線路の組合ぜを示している。な
お第10図の阻止フィルタ23は第5図の阻止フィルタ
9と同じ作用をするものである。これらはFITを用い
た固体増幅器に関するもので、このように縦続に接続し
ていけば多段の固体増幅器が効率よく小形で簡易に実現
できる。
(発明の効果)
出力の導波路に円形導波管を用いる実施例では、円形導
波管を用いることにより、合成器から負荷までの線路が
長い場合には同軸線路に比し伝送損失が少ないので、電
力合成損失の低減に役立つ。
波管を用いることにより、合成器から負荷までの線路が
長い場合には同軸線路に比し伝送損失が少ないので、電
力合成損失の低減に役立つ。
また円形導波管と円筒空胴の接合部近くにTMモードの
モードフィルタを設け、さらに調整機構もあるので、電
力合成器の必要条件を満足するための各固有ベクトルに
対するインピーダンスの調整が容易となり理想的な電力
合成器が実現できる。
モードフィルタを設け、さらに調整機構もあるので、電
力合成器の必要条件を満足するための各固有ベクトルに
対するインピーダンスの調整が容易となり理想的な電力
合成器が実現できる。
さらにまた出力の導波路に同軸線路を用いる実施例では
、円筒空胴と出力の同軸線路の接合部あるいは同軸線路
と対向する部分に設けた特別な円形導波管の部分に、T
Eモードを吸収する吸収体を設け、さらに調整機構もあ
るので各固有ベクトルに対するインピーダンスの調整も
容易となり、理想的な電力合成器が実現できる。
、円筒空胴と出力の同軸線路の接合部あるいは同軸線路
と対向する部分に設けた特別な円形導波管の部分に、T
Eモードを吸収する吸収体を設け、さらに調整機構もあ
るので各固有ベクトルに対するインピーダンスの調整も
容易となり、理想的な電力合成器が実現できる。
また本発明を応用した第10図、第11図の多段の固体
増幅器では小形簡易で効率がよく、とくに衛星搭載用の
電力増幅器のように小形軽量が要求される場合には効果
がある。
増幅器では小形簡易で効率がよく、とくに衛星搭載用の
電力増幅器のように小形軽量が要求される場合には効果
がある。
第1図(a)、Φ)は本発明第1の実施例を示すマイク
ロ波電力合成器の構造の側面の断面図と側面図、第2図
はN個の電力増幅器の電力合成を示す図、第3図は電力
合成器の基本構成を示す図、第4図(al 、 (b)
は従来の電力合成器の構造を示す側面の断面図と上方か
らみた平面図、 第5図(at 、 (b)は本発明第2の実施例を示す
合成器の構造の側面の断面図と上方からみた平面図(阻
止フィルタ9は省略してbる)、 第6図(a) 、 (b)は本発明第8の実施例を示す
合成器の構造の側面の断面図と側面図、 第7図(a)、 (b)は本発明第4の実施例を示す合
成器の構造の側面の断面図と側面図、 第8図、第9図にそれぞれ本発明第5および第6の実施
例を示す合成器の構造の側面の断面図、第10図、第1
1図は本発明第1および第2の応用例を示す多段型固体
増幅器の断面図である。 第1図 (a) ? ・ (b) 第4図 (a) (b) 第5図 (a) (b) 第6図 (a) (b) 第10図 23:TEnそF 四j≦lttダ 第11図 30.31:同@掴しト
ロ波電力合成器の構造の側面の断面図と側面図、第2図
はN個の電力増幅器の電力合成を示す図、第3図は電力
合成器の基本構成を示す図、第4図(al 、 (b)
は従来の電力合成器の構造を示す側面の断面図と上方か
らみた平面図、 第5図(at 、 (b)は本発明第2の実施例を示す
合成器の構造の側面の断面図と上方からみた平面図(阻
止フィルタ9は省略してbる)、 第6図(a) 、 (b)は本発明第8の実施例を示す
合成器の構造の側面の断面図と側面図、 第7図(a)、 (b)は本発明第4の実施例を示す合
成器の構造の側面の断面図と側面図、 第8図、第9図にそれぞれ本発明第5および第6の実施
例を示す合成器の構造の側面の断面図、第10図、第1
1図は本発明第1および第2の応用例を示す多段型固体
増幅器の断面図である。 第1図 (a) ? ・ (b) 第4図 (a) (b) 第5図 (a) (b) 第6図 (a) (b) 第10図 23:TEnそF 四j≦lttダ 第11図 30.31:同@掴しト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、円筒空胴に複数個の入力線路を接続し、当該円筒空
胴の中心部に設けた出力線路から出力信号をとり出すよ
う構成したマイクロ波電力合成器において、前記円筒空
胴においては、TMモードの信号波を発生するように構
成するとともに、前記出力線路に、TE_1_1モード
の信号波を阻止するフィルタを設けたことを特徴とする
マイクロ波電力合成器。 2、前記入力線路が同軸線路、前記出力線路が円形導波
管または同軸線路であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のマイクロ波電力合成器。 3、前記TE_1_1モードの信号波を阻止するフィル
タとして、前記出力線路を構成する円形導波管の長さ方
向にスリットを設けることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のマイクロ波電力合成器。 4、前記TE_1_1モードの信号波を阻止するフィル
タとして、前記出力線路を構成する円形導波管に空胴を
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマ
イクロ波電力合成器。 5、前記TE_1_1モードの信号波を阻止するフィル
タとして、前記円筒空胴と前記出力線路との間に、前記
TE_1_1モードの磁界方向と平行なスリットを有す
る空胴を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のマイクロ波電力合成器。 6、前記出力線路を同軸線路とし、前記円筒空胴に接続
する部分を、前記TE_1_1モードの信号波が伝送さ
れうるような太さに構成し、さらに前記TE_1_1モ
ードの信号波の磁界方向と平行なスリットを設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波電
力合成器。 7、前記TE_1_1モードを阻止するフィルタとして
、前記円筒空胴の出力線路と対向する側にTE_1_1
モードのみを吸収する空胴を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のマイクロ波電力合成器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59259875A JPH0646681B2 (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | マイクロ波電力合成器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59259875A JPH0646681B2 (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | マイクロ波電力合成器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61139101A true JPS61139101A (ja) | 1986-06-26 |
JPH0646681B2 JPH0646681B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=17340160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59259875A Expired - Lifetime JPH0646681B2 (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | マイクロ波電力合成器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0646681B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63500559A (ja) * | 1985-10-03 | 1988-02-25 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 積分モ−ドフィルタを有した非リアクタンス放射線電力分割器/結合器 |
JPH1174097A (ja) * | 1997-04-22 | 1999-03-16 | Applied Materials Inc | 効率が良くコンパクトなリモートマイクロ波プラズマ発生用の装置及び方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5479540A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-25 | Hughes Aircraft Co | Power combining unit |
JPS59176904A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Fujitsu Ltd | 電力分配合成器 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP59259875A patent/JPH0646681B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5479540A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-25 | Hughes Aircraft Co | Power combining unit |
JPS59176904A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Fujitsu Ltd | 電力分配合成器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63500559A (ja) * | 1985-10-03 | 1988-02-25 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 積分モ−ドフィルタを有した非リアクタンス放射線電力分割器/結合器 |
JPH1174097A (ja) * | 1997-04-22 | 1999-03-16 | Applied Materials Inc | 効率が良くコンパクトなリモートマイクロ波プラズマ発生用の装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0646681B2 (ja) | 1994-06-15 |
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