JPS61138226A - 投影露光用のアライメント光学系 - Google Patents
投影露光用のアライメント光学系Info
- Publication number
- JPS61138226A JPS61138226A JP59260528A JP26052884A JPS61138226A JP S61138226 A JPS61138226 A JP S61138226A JP 59260528 A JP59260528 A JP 59260528A JP 26052884 A JP26052884 A JP 26052884A JP S61138226 A JPS61138226 A JP S61138226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical system
- alignment
- alignment optical
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影露光用のアライメント光学系に関し、特K
IC、LSI−等の電子回路の製造においてマスクと
ウェハを高精度に位置合わせすることのできる投影露光
用のアライメント光学系に関するものである。
IC、LSI−等の電子回路の製造においてマスクと
ウェハを高精度に位置合わせすることのできる投影露光
用のアライメント光学系に関するものである。
従来よりIC、LSI等の製造においては多くの場合列
えば特開昭56−110234号で提案されているよう
に第1図に示すような投影露光用の光学系が用いられて
いる。同図において1は超高圧水銀灯の光源で、この光
源1からの放射される例えば波長405 nHの光束で
コンデンサーレンズzt−介して投影用のマスク4を照
明する。
えば特開昭56−110234号で提案されているよう
に第1図に示すような投影露光用の光学系が用いられて
いる。同図において1は超高圧水銀灯の光源で、この光
源1からの放射される例えば波長405 nHの光束で
コンデンサーレンズzt−介して投影用のマスク4を照
明する。
−マスク4上の回路パターンは投影レンズ6によシフオ
ドレジスト等の感光材料が塗布されているウェハ7面上
に投影される。3,3′は感光材料に不感性の光束でマ
スク4上のアライメント用マークを照明し、マスク4と
ウェハ7の位置合わせ即ちアライメントを観察しながら
行う観察光学系である。5,5′は投影レンズ6と共K
iマスクとウェハ7のアライメントを行う為のアライメ
ント光学系である。8はウェハ7の載置台であり、X+
Yr%方向に調整可能に取付けられている。
ドレジスト等の感光材料が塗布されているウェハ7面上
に投影される。3,3′は感光材料に不感性の光束でマ
スク4上のアライメント用マークを照明し、マスク4と
ウェハ7の位置合わせ即ちアライメントを観察しながら
行う観察光学系である。5,5′は投影レンズ6と共K
iマスクとウェハ7のアライメントを行う為のアライメ
ント光学系である。8はウェハ7の載置台であり、X+
Yr%方向に調整可能に取付けられている。
投影レンズ6はマスク4上の数μという微細な回路パタ
ーンをウニ凸面7上に投影する為に感光材料及び光源1
0発光スペクトルの波長に対して、的えば405 nm
若しくは436 n@ という不可視光に近い波長に対
して高精度に収差補正がなされている。
ーンをウニ凸面7上に投影する為に感光材料及び光源1
0発光スペクトルの波長に対して、的えば405 nm
若しくは436 n@ という不可視光に近い波長に対
して高精度に収差補正がなされている。
又マスク4とウニ・・7の位置合わせは投影レンズ6の
収差補正の対象となった波長と異った主に可視域の光束
でなされる。この為第1図に示す光学系においてアライ
メント光学系5 + 5’を用いて収差補正を行なわな
いと投影レンズ6の色収差の影響でアライメントの際に
ピットズレや倍率ズレを生じてしまう。この結果アライ
メント精度を著ろしく低下させてしまう。
収差補正の対象となった波長と異った主に可視域の光束
でなされる。この為第1図に示す光学系においてアライ
メント光学系5 + 5’を用いて収差補正を行なわな
いと投影レンズ6の色収差の影響でアライメントの際に
ピットズレや倍率ズレを生じてしまう。この結果アライ
メント精度を著ろしく低下させてしまう。
本発明は投影レンズと共に併用しマスクとウェハとの位
置合わせを高精度に行うことのできる投影露光用のアラ
イメント光学系の提供金目的とする。
置合わせを高精度に行うことのできる投影露光用のアラ
イメント光学系の提供金目的とする。
本発明の目的を達成する為の投影露光用のアライメント
光学系の主たる特徴は、マスク上ノ回路パターンをウニ
凸面上に投影する為の投影レンズト前記投影レンズとマ
スクとの間であっテ前記投影レンズの光軸外に配置した
アライメント光学系とにより前記マスクとウェハの位置
合わせを行うようにした投影露光用のアライメント光学
系において、前記アライメント光学系を前記投影レンズ
側より順に正の屈折力の第1v 7 X’ ト負の屈折
力の@2レンズの2つのレンズで構成したことでめる〇 この二うに本発明では正の屈折力と負の屈折力の2つの
レンズよりアライメント光学系全構成し収差補正を良好
に行うこと罠より高精度のアライメントを行っている。
光学系の主たる特徴は、マスク上ノ回路パターンをウニ
凸面上に投影する為の投影レンズト前記投影レンズとマ
スクとの間であっテ前記投影レンズの光軸外に配置した
アライメント光学系とにより前記マスクとウェハの位置
合わせを行うようにした投影露光用のアライメント光学
系において、前記アライメント光学系を前記投影レンズ
側より順に正の屈折力の第1v 7 X’ ト負の屈折
力の@2レンズの2つのレンズで構成したことでめる〇 この二うに本発明では正の屈折力と負の屈折力の2つの
レンズよりアライメント光学系全構成し収差補正を良好
に行うこと罠より高精度のアライメントを行っている。
特に正と負の屈折力の2つのレンズで構成することによ
り球面収差に相当するアライメント光学系の光軸上の収
差をバランス良く補正すると共に1アライメントマーク
の存在する範囲でノ像面湾曲を少なくしてマスク4上の
アライメントマーク全体にわたシ良好なる観察を可能と
している。
り球面収差に相当するアライメント光学系の光軸上の収
差をバランス良く補正すると共に1アライメントマーク
の存在する範囲でノ像面湾曲を少なくしてマスク4上の
アライメントマーク全体にわたシ良好なる観察を可能と
している。
そして本発明においては正の屈折力と負の屈折力の2つ
のレンズのうち少なくとも一方のレンズを光軸上可動と
することによりアライメント像のピント調整及び倍率調
整を容易に行っている。
のレンズのうち少なくとも一方のレンズを光軸上可動と
することによりアライメント像のピント調整及び倍率調
整を容易に行っている。
特に本発明においては投影レンズをテレ七ノドリック光
学系で構成し、アライメント光学系を光軸と垂直方向に
移動可能としておけば、移動量t−調整することにより
アライメント位置の変化に対応出来、アライメント位置
変化即ち像高の変化による結像倍率の変化を容易忙補正
することができる。
学系で構成し、アライメント光学系を光軸と垂直方向に
移動可能としておけば、移動量t−調整することにより
アライメント位置の変化に対応出来、アライメント位置
変化即ち像高の変化による結像倍率の変化を容易忙補正
することができる。
次に本発明の実施例で用いた投影レンズの数1赦実施例
金表−1にアライメント光学系の数値実施例1.−2−
.3t−表−2、表−3、表−4に示す。
金表−1にアライメント光学系の数値実施例1.−2−
.3t−表−2、表−3、表−4に示す。
各数値実施列においてウェハ面側からR1は第1番目の
レンズ面の曲率半径、Diは第1番目のレンズ厚及び空
気間隔である。8I02は溶融石英、CAF2は螢石で
ある。
レンズ面の曲率半径、Diは第1番目のレンズ厚及び空
気間隔である。8I02は溶融石英、CAF2は螢石で
ある。
表−に投影レンズの数値実施例
R1Di
1 1181825 13.0O5IO221
09,6761&75 3 166.812 2&50 5IO24−
102J74 0.20 7 911471 1t50 CA
F28 32λ651 L94 9 6 LO472L50 CAP210
39&578 15.00 8I021
1 3L577 17.06216
−6LO47L94 17 −32λ651 14L50 C
AP218 −9&471 LO5
519356,7611400CAF2 20 −15瓜165 α2021
10L874 2a5O5IO222−1648
121L75 23 −10’1.676 1λ00S■02
24 −1182h825 倍像倍率:×LO F@:lO 画面サイズ: φ28 表−2:アライメント光学系の数値実施例IRD 1 −136.605 2 3I
O22−47,29120 3461,54428IO2 439,112 !!!−a:アライメント光学系の数値実施例2RD 1 29.689 5 8 I
O22−8L108 10 3 −64701 2 8IO
2412,93 表−4=アライメント光学系の数11%施例3RD 1 140 5 5IO2
2−90,615 3−2L532 2 8I024
7.06 SIO□ の波長24&5 n7Flと637.8
n@における屈折率は各々L52113 、1.457
23、 CAF2の波長24&5 nmと632J n
mにおける屈折率は各々L46334 、 L4329
1である。
09,6761&75 3 166.812 2&50 5IO24−
102J74 0.20 7 911471 1t50 CA
F28 32λ651 L94 9 6 LO472L50 CAP210
39&578 15.00 8I021
1 3L577 17.06216
−6LO47L94 17 −32λ651 14L50 C
AP218 −9&471 LO5
519356,7611400CAF2 20 −15瓜165 α2021
10L874 2a5O5IO222−1648
121L75 23 −10’1.676 1λ00S■02
24 −1182h825 倍像倍率:×LO F@:lO 画面サイズ: φ28 表−2:アライメント光学系の数値実施例IRD 1 −136.605 2 3I
O22−47,29120 3461,54428IO2 439,112 !!!−a:アライメント光学系の数値実施例2RD 1 29.689 5 8 I
O22−8L108 10 3 −64701 2 8IO
2412,93 表−4=アライメント光学系の数11%施例3RD 1 140 5 5IO2
2−90,615 3−2L532 2 8I024
7.06 SIO□ の波長24&5 n7Flと637.8
n@における屈折率は各々L52113 、1.457
23、 CAF2の波長24&5 nmと632J n
mにおける屈折率は各々L46334 、 L4329
1である。
レンズ最終面からレチクル面までの距離は1&365
m 、補正光学系の倍率は1、補正像高は9.8■、補
正レンズの有効FナンバーFeは40 である。
m 、補正光学系の倍率は1、補正像高は9.8■、補
正レンズの有効FナンバーFeは40 である。
本実施列において焼付波長24&5 nmとアライメン
ト波長63λ8nmKおけろ諸数筐は表−5の如くであ
る。
ト波長63λ8nmKおけろ諸数筐は表−5の如くであ
る。
表−5:焼付波長とアライメント波長における#a値値
付付波長アライメント波長によるピントのズレは423
2 tea もあり倍率誤差は像高 9.8 mで0.
2413mもある。本実施列ではこれらのピント調整と
倍率調整t−第1レンズ若しくは第2レンズの少なくと
も一方を移動させて補正している。
付付波長アライメント波長によるピントのズレは423
2 tea もあり倍率誤差は像高 9.8 mで0.
2413mもある。本実施列ではこれらのピント調整と
倍率調整t−第1レンズ若しくは第2レンズの少なくと
も一方を移動させて補正している。
例えばアライメント光学系の数11%施列1゜2.3に
おいて像高9゜81EI11で結像倍率1μmを補正す
るKは第1レンズか第2レンズのいずれか一方t−0,
03、、0,1順、 0.07龍移動させれば良い。
おいて像高9゜81EI11で結像倍率1μmを補正す
るKは第1レンズか第2レンズのいずれか一方t−0,
03、、0,1順、 0.07龍移動させれば良い。
アライメント光学系の数値実施%J1.2.3における
投影レンズの最終レンズ面とアライメント光学系の第1
レンズ面との空気間隔は各々以上のように本発明によれ
ばマスクとクエハの位置合わせを高精度に行うことが出
来、しかもアライメント光学系のピン)%整や倍率調整
を容易に行うことの出来る投影露光用のアライメント光
学系を達成することができる。
投影レンズの最終レンズ面とアライメント光学系の第1
レンズ面との空気間隔は各々以上のように本発明によれ
ばマスクとクエハの位置合わせを高精度に行うことが出
来、しかもアライメント光学系のピン)%整や倍率調整
を容易に行うことの出来る投影露光用のアライメント光
学系を達成することができる。
第1図は従来の投影露光用の光学系の概略図、第2図は
投影レンズに本発明の数IIi実施列1のアライメント
光学系を配置したと色のレノズ断本発明のアライメント
光学系の数値実施列1゜2.3を配置したときの横収差
図である。 図中1は光源、2はコンデンサーレンズ、3は照明用光
学系、4はマスク、5はアライメント光学系、6は投影
レンズ、7はウエノ1でおる。 %許出願人 キャノン株式会社 第1図 第 2 回 第 5 面 箋4図 第5図 Y襲1今
投影レンズに本発明の数IIi実施列1のアライメント
光学系を配置したと色のレノズ断本発明のアライメント
光学系の数値実施列1゜2.3を配置したときの横収差
図である。 図中1は光源、2はコンデンサーレンズ、3は照明用光
学系、4はマスク、5はアライメント光学系、6は投影
レンズ、7はウエノ1でおる。 %許出願人 キャノン株式会社 第1図 第 2 回 第 5 面 箋4図 第5図 Y襲1今
Claims (2)
- (1)マスク上の回路パターンをウェハ面上に投影する
為の投影レンズと前記投影レンズとマスクとの間であつ
て前記投影レンズの光軸外に配置したアライメント光学
系とにより前記マスクとウェハの位置合わせを行うよう
にした投影露光用のアライメント光学系において、前記
アライメント光学系を前記投影レンズ側より順に正の屈
折力の第1レンズと負の屈折力の第2レンズの2つのレ
ンズで構成したことを特徴とする投影露光用のアライメ
ント光学系。 - (2)前記第1レンズ若しくは前記第2レンズの少なく
とも一方を光軸方向へ移動させることによりアライメン
ト像の倍率調整若しくはピント調整を行つたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の投影露光用のアライ
メント光学系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59260528A JPS61138226A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 投影露光用のアライメント光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59260528A JPS61138226A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 投影露光用のアライメント光学系 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61138226A true JPS61138226A (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=17349213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59260528A Pending JPS61138226A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 投影露光用のアライメント光学系 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61138226A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4890509A (en) * | 1987-05-27 | 1990-01-02 | Nissan Motor Company, Ltd. | Transfer unit for four wheel drive automotive vehicle drive train |
JP2009536373A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学レンズ系 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59260528A patent/JPS61138226A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4890509A (en) * | 1987-05-27 | 1990-01-02 | Nissan Motor Company, Ltd. | Transfer unit for four wheel drive automotive vehicle drive train |
JP2009536373A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学レンズ系 |
KR101402449B1 (ko) * | 2006-05-05 | 2014-06-03 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 광학 렌즈 시스템 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7023561B2 (en) | Exposure apparatus with interferometer | |
US5689377A (en) | Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same | |
US7079314B1 (en) | Catadioptric optical system and exposure apparatus equipped with the same | |
US6750948B2 (en) | Projection optical system, projection exposure apparatus having the projection optical system, projection method thereof, exposure method thereof and fabricating method for fabricating a device using the projection exposure apparatus | |
US4492459A (en) | Projection printing apparatus for printing a photomask | |
US5943172A (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus | |
US8009271B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, exposure system, and exposure method | |
EP0803755B1 (en) | Projection optical system and exposure apparatus with the same | |
JP3925576B2 (ja) | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JPH10242048A (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
US5856884A (en) | Projection lens systems | |
JP3258382B2 (ja) | 構成要素レンズ間にギャップを有する屈折レンズアセンブリを含む光学投射システム | |
JPS60223122A (ja) | 投影露光装置 | |
US4906080A (en) | Optical arrangement for projection exposure | |
JPH0245324B2 (ja) | ||
US6600550B1 (en) | Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same | |
US5594587A (en) | Illumination device with allowable error amount of telecentricity on the surface of the object to be illuminated and exposure apparatus using the same | |
US5986824A (en) | Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography | |
KR100992302B1 (ko) | 광학계, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100386870B1 (ko) | 투영광학계및노광장치 | |
JPS61138226A (ja) | 投影露光用のアライメント光学系 | |
JP3019505B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
JP2002118053A (ja) | 投影光学系,該投影光学系を備えた露光装置,及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JP4547714B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
JP2591582B2 (ja) | 投影型露光装置 |