JPS6113502A - 絶縁性組成物用の出発混合物並びにそれを用いたシルク・スクリーン印刷用インク - Google Patents
絶縁性組成物用の出発混合物並びにそれを用いたシルク・スクリーン印刷用インクInfo
- Publication number
- JPS6113502A JPS6113502A JP60134401A JP13440185A JPS6113502A JP S6113502 A JPS6113502 A JP S6113502A JP 60134401 A JP60134401 A JP 60134401A JP 13440185 A JP13440185 A JP 13440185A JP S6113502 A JPS6113502 A JP S6113502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- lead
- volume
- glass phase
- screen printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明む；１、アルミナ（八７！２ｏ１）、シリカ（Ｓ
ｉＯｚ）、酸化ホウ素（１１，４１い＋、７ 、ｌって
形成されると占’ｂ（＝″、−″酸化鉛（円）０）を；
”ｆ ｈするカラス１１１を含む勅酸化度が２ ｉｌ−
人：１．１それ以１−の酸ＩＩｓ鉛の一伸またＩｔ複数
種を１５１体扶−（１″Ｘンんでなる１’） ｋｌ、
１７１Ｘ、ｌｌ構成すｊのたν］の出発混ｎ物に関する
。
ｉＯｚ）、酸化ホウ素（１１，４１い＋、７ 、ｌって
形成されると占’ｂ（＝″、−″酸化鉛（円）０）を；
”ｆ ｈするカラス１１１を含む勅酸化度が２ ｉｌ−
人：１．１それ以１−の酸ＩＩｓ鉛の一伸またＩｔ複数
種を１５１体扶−（１″Ｘンんでなる１’） ｋｌ、
１７１Ｘ、ｌｌ構成すｊのたν］の出発混ｎ物に関する
。
また本発明し；１そのような組成物から形成されたシル
ク・スクリーン印刷用インクに関する。
ク・スクリーン印刷用インクに関する。
最終的には、本発明は、上記インクを「カプセル封緘」
と呼ばれる保護用として使用することをも含んで、セラ
ミック基板上にハイブリッドマイクロ回路を製造する方
法に関するものである。
と呼ばれる保護用として使用することをも含んで、セラ
ミック基板上にハイブリッドマイクロ回路を製造する方
法に関するものである。
交互に入り電性と絶縁性とを有するシルク・スクリーン
印刷用インクの層によってセラミック基板１−に所謂ハ
イブリッド技術でマイクロ回路を製作Ｊ−ること（Ｊ知
られている。セラミック基板と親和＋’ｌのあるシルク
・スクリーン印刷用導電性インク番、（特に英国１＋ｊ
詐第１／１８９０３１ 号明細書によって公知であ勾、
また該導電性インクと親和性のあるシルク・スイノリー
ン印刷用絶縁性インクは米国特許第４１５２２１１２
号明細書によって既知である。さらに、ｌ’；、４ ！
’ｉｌｌされた１１（抗の、１−うなエレメントは例え
ば米国時、！り第４４２ｆ１３３１１号明細書で知られ
ているような電気１１ｔＩｉＣ性インクに、ｌ゛ってえ
られる。上記特許はずべ′ｒ本出出願人名−へである。
印刷用インクの層によってセラミック基板１−に所謂ハ
イブリッド技術でマイクロ回路を製作Ｊ−ること（Ｊ知
られている。セラミック基板と親和＋’ｌのあるシルク
・スクリーン印刷用導電性インク番、（特に英国１＋ｊ
詐第１／１８９０３１ 号明細書によって公知であ勾、
また該導電性インクと親和性のあるシルク・スイノリー
ン印刷用絶縁性インクは米国特許第４１５２２１１２
号明細書によって既知である。さらに、ｌ’；、４ ！
’ｉｌｌされた１１（抗の、１−うなエレメントは例え
ば米国時、！り第４４２ｆ１３３１１号明細書で知られ
ているような電気１１ｔＩｉＣ性インクに、ｌ゛ってえ
られる。上記特許はずべ′ｒ本出出願人名−へである。
１−７かり、 ｆ、Ｉ’から、上記インクによって製造
された回路は、全Ｍｉｌ用ｉｌ１間に亘ってその性能を
保Ｒ？ Ｉ−７なければならない。したがって、シルク
・スクリーン印刷した成分、特に抵抗について、その使
用１１′；ｆ境から生ずる（環１＋：Ｑ的また番３１化
学的影響に対ずろイ１１′。
された回路は、全Ｍｉｌ用ｉｌ１間に亘ってその性能を
保Ｒ？ Ｉ−７なければならない。したがって、シルク
・スクリーン印刷した成分、特に抵抗について、その使
用１１′；ｆ境から生ずる（環１＋：Ｑ的また番３１化
学的影響に対ずろイ１１′。
護層が必要である。該１″Ｎ護層は、一方で番１１、ｌ
ｊ！ｌ ｊｌｏにを構成する４４ Ｍ’ｌとｔｌｌ、和
Ｍがなしｊれぽならず、他ノｆではそれら４４１’ｌの
豐造力法、！：調和１．．．２（りればなＣニーない。
ｊ！ｌ ｊｌｏにを構成する４４ Ｍ’ｌとｔｌｌ、和
Ｍがなしｊれぽならず、他ノｆではそれら４４１’ｌの
豐造力法、！：調和１．．．２（りればなＣニーない。
ハイ１１２１回路上に保護層を１１１作するだめの最も
明快な解決法番、１゛、シルク・スクリーン印刷される
保護層を提供することである。
明快な解決法番、１゛、シルク・スクリーン印刷される
保護層を提供することである。
ところで、このような保護層を設けると、それを設ける
回路に補足的な焼成が必要となることに注目すべきであ
る。回路を形成する導体および絶縁体はそれらの組成が
多層体製造用に作られているために再焼成に対して比較
的鈍感であるが、抵抗についてはそうではない。
回路に補足的な焼成が必要となることに注目すべきであ
る。回路を形成する導体および絶縁体はそれらの組成が
多層体製造用に作られているために再焼成に対して比較
的鈍感であるが、抵抗についてはそうではない。
事実、例えば前掲の米国特許第４４２０３３８号明細書
で知られている抵抗は、金属水ホウ化物とガラスフリッ
トとの混合物で実質的に構成されている。
で知られている抵抗は、金属水ホウ化物とガラスフリッ
トとの混合物で実質的に構成されている。
抵抗値は、ガラス相と六ボウ化物との間の反応に、１−
って形成された粒界物質の量に依存する。上記の物質の
！ｄは誼かに焼成条件すなわち時間および温度条イ？日
、二可成り依存する。前記抵抗について実／１１１・し
た１１已＋Ｉａ成の経験によれば、再焼成中の抵抗値の
変化Ｃ３１、再焼成温度が低いと溝かに小さいことが明
白吉思われる。
って形成された粒界物質の量に依存する。上記の物質の
！ｄは誼かに焼成条件すなわち時間および温度条イ？日
、二可成り依存する。前記抵抗について実／１１１・し
た１１已＋Ｉａ成の経験によれば、再焼成中の抵抗値の
変化Ｃ３１、再焼成温度が低いと溝かに小さいことが明
白吉思われる。
熱！み応１１１の回路エレメント例えば抵抗に対するこ
のような再焼成の影響をできるだけ制限するために、カ
プセル封緘層として選ばれたシルク・スクリーン印刷用
インクは先ず第一に６００°Ｃよりも低い焼成温度を具
えていなければならず、該温度の値は、実験を実施して
いる間、上限として定められる。
のような再焼成の影響をできるだけ制限するために、カ
プセル封緘層として選ばれたシルク・スクリーン印刷用
インクは先ず第一に６００°Ｃよりも低い焼成温度を具
えていなければならず、該温度の値は、実験を実施して
いる間、上限として定められる。
他方、カプセル封緘層の機能を満たすために、前記イン
クは密封性を有し、できるだけ緻密な層を形成しなけれ
ばならず、同時に電気的に絶縁性すなわちできる限り低
い導電率を有しなければならない。
クは密封性を有し、できるだけ緻密な層を形成しなけれ
ばならず、同時に電気的に絶縁性すなわちできる限り低
い導電率を有しなければならない。
最後に、前記カプセル封緘層は、ハイブリッドマイクロ
回路を構成するために前記の引用文献に従って形成され
る他の導電性お、Ｌび絶縁性の層、と親和性でなければ
４１′らない。該層ｔｉｔ Ｊ＋−酸ＩＩ、 （７＋雰
囲気下で焼成してｊｌｌｌ ！９＋！ Ｊり体の酸化を
防１にする、二とができる性質を１１する。この条（’
Ｉで、望ましいカブセフ１／封１１↓層＋；＋：ｒ：た
１、１１酸化性雰１１１１ 気下テｊ＋’ｔ 成すｌ得
る性質を有し１．（ｉｌればならない。したがっ′ζカ
プセル封緘形成用の＆、ｌ＋成物は成力れｎ体該３．ｌ
成力が分散している有１幾質キャリアの燃焼に必須であ
る酸素を、焼成中の分解によって、供給し得る酸化物を
含有する必要があり、このようにして」―記焼成処理中
炭素残留物の形成が回避される。
回路を構成するために前記の引用文献に従って形成され
る他の導電性お、Ｌび絶縁性の層、と親和性でなければ
４１′らない。該層ｔｉｔ Ｊ＋−酸ＩＩ、 （７＋雰
囲気下で焼成してｊｌｌｌ ！９＋！ Ｊり体の酸化を
防１にする、二とができる性質を１１する。この条（’
Ｉで、望ましいカブセフ１／封１１↓層＋；＋：ｒ：た
１、１１酸化性雰１１１１ 気下テｊ＋’ｔ 成すｌ得
る性質を有し１．（ｉｌればならない。したがっ′ζカ
プセル封緘形成用の＆、ｌ＋成物は成力れｎ体該３．ｌ
成力が分散している有１幾質キャリアの燃焼に必須であ
る酸素を、焼成中の分解によって、供給し得る酸化物を
含有する必要があり、このようにして」―記焼成処理中
炭素残留物の形成が回避される。
そこで、技術的問題点は次の通りである。
セラミック基板上に形成されたハイブリッド回路、特に
抵抗を保護するためには、次の特性を具えたカプセル封
緘用シルク・スクリーン印刷インクを提供することが適
当である。
抵抗を保護するためには、次の特性を具えたカプセル封
緘用シルク・スクリーン印刷インクを提供することが適
当である。
Ｏ低い焼成温度、ずなわち６００°Ｃより遥かに低い温
度。
度。
○セラミックに近い膨張係数。
Ｏ高い緻密性。
○できる１１１１り小さい導電率。
○中性雰囲気下における焼成可能性。
有１！！！質キャリアに分散することによって聖母し得
る出発混合物は、次の特性を具えたシルク・スクリーン
印刷１用インクである。
る出発混合物は、次の特性を具えたシルク・スクリーン
印刷１用インクである。
０５５０℃のｊ尭成温度。
○電気絶縁層として使用し得る程小さい導電率。
○中性雰囲気下の焼成可能性は、本出願人名義の欧州特
許＾２公開第６８５６５号の先行技術によって公知であ
る。
許＾２公開第６８５６５号の先行技術によって公知であ
る。
前記混合物は、一方では次のモル％の酸化物すなわち、
アルミナ （＾Ｌｚ０３） ５〜１５％シリカ
（Ｓｉ（ｈ） ２５〜４５％酸化ホウ素（Ｉ
１２０３） ０〜１０％、および−酸化鉛 （
ＰｂＯ） ４０〜６０％によって構成されたガ
ラス質部分と、他方では、容量％でアルミン酸ランタン
（１、ａＡ １．０３） １〜１０％、および二酸化
鉛（ＰｂＯｚ） １５〜１％の如きセラミック相とを含
んでなり、ここでガラス相は容量比率約８５％で存在す
る１）のである。
（Ｓｉ（ｈ） ２５〜４５％酸化ホウ素（Ｉ
１２０３） ０〜１０％、および−酸化鉛 （
ＰｂＯ） ４０〜６０％によって構成されたガ
ラス質部分と、他方では、容量％でアルミン酸ランタン
（１、ａＡ １．０３） １〜１０％、および二酸化
鉛（ＰｂＯｚ） １５〜１％の如きセラミック相とを含
んでなり、ここでガラス相は容量比率約８５％で存在す
る１）のである。
しかしながら、前記出発１１１．合物から出発１−、
゛（ｉｊ’ｊられたインクし１、：１−人：、ＩｆＶｌ
ｌされるべき［−１ｒ白１１勿、！： Ｌ：ｌ相客れな
いも０）、！：２１’る性質、特に、○はうろう引きし
たシート状金属基板に適合するがアルミナ基板に対して
は遥かに大き過ぎる熱膨張係数を有し、 ○それが電気絶縁相を実現するために研究されたもので
あってカプセル封緘の相のためではないという事実によ
ってガラス化（はうろう化）が不充分である、 という性質を表わす。
゛（ｉｊ’ｊられたインクし１、：１−人：、ＩｆＶｌ
ｌされるべき［−１ｒ白１１勿、！： Ｌ：ｌ相客れな
いも０）、！：２１’る性質、特に、○はうろう引きし
たシート状金属基板に適合するがアルミナ基板に対して
は遥かに大き過ぎる熱膨張係数を有し、 ○それが電気絶縁相を実現するために研究されたもので
あってカプセル封緘の相のためではないという事実によ
ってガラス化（はうろう化）が不充分である、 という性質を表わす。
従って、上記の欠点を回避し技術上の問題点を解決せん
がために、本発明は、ガラス相がさらに亜鉛の酸化物（
ＺｎＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）および銅の酸化物
（ＣｕＯ）をも含み、かつ前記ガラス相が混合物の７０
〜８０容量％であるとともに、酸化度が２またはそれ以
上の鉛酸化物が混合物の３０〜２゜容量％であることを
特徴とする本書冒頭に記載したような出発混合物を提案
するものである。
がために、本発明は、ガラス相がさらに亜鉛の酸化物（
ＺｎＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）および銅の酸化物
（ＣｕＯ）をも含み、かつ前記ガラス相が混合物の７０
〜８０容量％であるとともに、酸化度が２またはそれ以
上の鉛酸化物が混合物の３０〜２゜容量％であることを
特徴とする本書冒頭に記載したような出発混合物を提案
するものである。
Ｏ
４に発明の特定例においては、前記混合物は２またＬｌ
ｌそれ以１−のｊバＩＲ，された酸化度の酸化物が二酸
化鉛（円＋０２）であることを特徴とする。
ｌそれ以１−のｊバＩＲ，された酸化度の酸化物が二酸
化鉛（円＋０２）であることを特徴とする。
好適例において番よ、前記混合物は、ガラス相がモル比
で次の酸化物、すなわち、 アルミナ （八ｊ！２０３） ５％シリカ （
ＳｉＯ２）４０％ 酸化ホウ素（Ｂ２０３） ２０％−酸化鉛 （
ｒ’ｈＯ） ２２％酸化カルシウム（ＣａＯ）
３％酸化亜鉛 （ＺｎＯ） ８％酸
化銅 （ＣｕＯ） ２％から構成されてい
ることを特徴とする。
で次の酸化物、すなわち、 アルミナ （八ｊ！２０３） ５％シリカ （
ＳｉＯ２）４０％ 酸化ホウ素（Ｂ２０３） ２０％−酸化鉛 （
ｒ’ｈＯ） ２２％酸化カルシウム（ＣａＯ）
３％酸化亜鉛 （ＺｎＯ） ８％酸
化銅 （ＣｕＯ） ２％から構成されてい
ることを特徴とする。
最後に、」二記好適例においては」二記混合物は、ガラ
ス相が鉱物質相の７５容量％であり、二酸化鉛が２５容
量％を占める。
ス相が鉱物質相の７５容量％であり、二酸化鉛が２５容
量％を占める。
これらの条件で上記組成物を有機質キャリアに分散する
ことによって得られたインクは、それが次の性質を表わ
す事実によって、技術的問題点の解決を可能ならしめる
のである。
ことによって得られたインクは、それが次の性質を表わ
す事実によって、技術的問題点の解決を可能ならしめる
のである。
０５５０ °（：３−二い・） ン’？ Ｌ、 ＜
イ１（い灯ｔｒルｌｌに、ｌｌ＋’、Ｑ 。
イ１（い灯ｔｒルｌｌに、ｌｌ＋’、Ｑ 。
００℃と焼成温度との間におしするセラミ・７りの膨張
係数に適合した膨張係数、それによって冷却時の＋ＴＶ
！ｌ？ｉならびに変形が避ＬＪられる。
係数に適合した膨張係数、それによって冷却時の＋ＴＶ
！ｌ？ｉならびに変形が避ＬＪられる。
Ｏ極めて良好な封緘性。
○非常に低い勇電率。
○窒素ガス中での焼成の可能性。
○抵抗について焼成後の視覚制御およびレーザーによる
調節を容易にする緑色の着色。
調節を容易にする緑色の着色。
以下、添付図面を参照しつつ、実施例によって本発明を
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
本発明方法によれば、ここでカプセル封緘の機能を充分
に果たすためのシルク・スクリーン印刷用インクの出発
混合物は、酸化度が２に等しいかそれよりも高い一種（
または複数種）の酸化鉛を粉末状で添加した鉛ガラスで
形成される。
に果たすためのシルク・スクリーン印刷用インクの出発
混合物は、酸化度が２に等しいかそれよりも高い一種（
または複数種）の酸化鉛を粉末状で添加した鉛ガラスで
形成される。
好適例においては、二酸化鉛（ＰｈＯ２）を、第１表に
組成比率を示した次の酸化物によってえられるフリット
ガラスと一緒に使用する。
組成比率を示した次の酸化物によってえられるフリット
ガラスと一緒に使用する。
第１
前述の先行技術からもわかるように、ガラス相の形成に
一酸化鉛（ＰｂＯ）を使用することによって、ガラスの
融点を下げ、従ってインクの焼成温度を下げることが可
能となる。前記文献によると、ガラス相中のＰｂＯが４
０〜６０モル％の範囲にあるガラス相を８５容量％含む
混合物にさらに５〜１５％の酸化鉛を添加すれば、同様
の目的を達成する役割を果たして、インクの焼成温度は
５５０℃まで低下する。
一酸化鉛（ＰｂＯ）を使用することによって、ガラスの
融点を下げ、従ってインクの焼成温度を下げることが可
能となる。前記文献によると、ガラス相中のＰｂＯが４
０〜６０モル％の範囲にあるガラス相を８５容量％含む
混合物にさらに５〜１５％の酸化鉛を添加すれば、同様
の目的を達成する役割を果たして、インクの焼成温度は
５５０℃まで低下する。
上記温度はまさに技術上の問題点を解決するのに充分で
ある。しかしながら、極めて高い酸化鉛の比率によって
温度低下が可能となった一方、同時に、上記混入物で作
られる層は大きい膨張係数を示すという結果となった。
ある。しかしながら、極めて高い酸化鉛の比率によって
温度低下が可能となった一方、同時に、上記混入物で作
られる層は大きい膨張係数を示すという結果となった。
そこで、この膨張係数を減少せしめることに対し努力が
傾注された。実際には、前記文献の教示に従って製造さ
れたインクがほうろう加工した板の基板に適合したが、
−古本発明のインクは、より膨張係数の小さいセラミッ
クの基板に必ず適合する。
傾注された。実際には、前記文献の教示に従って製造さ
れたインクがほうろう加工した板の基板に適合したが、
−古本発明のインクは、より膨張係数の小さいセラミッ
クの基板に必ず適合する。
本発明によれば、３つの変性剤、すなわち酸化カルシウ
ム（ＣａＯ） 、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および酸化銅（Ｃ
ｏｏ）をガラス相に添加することによって上記の難点は
解決される。これらの酸化物は、前記文献で推奨された
点について、酸化鉛の比率を増大させる必要をなくすの
みならず、その低下を可能ならしめ、同時に極めて低い
焼成温度と所望の膨張係数とが取得されるのである。注
目すべきことは、酸化銅は、はうろう質部分を緑色に着
色し、そのため回路製作の最終段階でセラミック基板を
切断するのに使用されるレーザー光線エネルギーをより
良く吸収することができるようになるという副次的利点
があることである。最後に注目すべきことは、前記混合
物から作られたインクによって製造された層は高度の緻
密性と完全な封緘性とを示すことである。
ム（ＣａＯ） 、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および酸化銅（Ｃ
ｏｏ）をガラス相に添加することによって上記の難点は
解決される。これらの酸化物は、前記文献で推奨された
点について、酸化鉛の比率を増大させる必要をなくすの
みならず、その低下を可能ならしめ、同時に極めて低い
焼成温度と所望の膨張係数とが取得されるのである。注
目すべきことは、酸化銅は、はうろう質部分を緑色に着
色し、そのため回路製作の最終段階でセラミック基板を
切断するのに使用されるレーザー光線エネルギーをより
良く吸収することができるようになるという副次的利点
があることである。最後に注目すべきことは、前記混合
物から作られたインクによって製造された層は高度の緻
密性と完全な封緘性とを示すことである。
しかしながら、鉛ガラスを使用してインクを構成すると
、４５０℃のオーダーの温度における酸化鉛（Ｐｈｉ）
の還元に由来する急速な分解のために、インクは中性雰
囲気、例えば窒素中での加熱に耐えられないという事実
により、依然として解決を要する別の難点が残されてい
る。引用した文献は、酸化度が２以上の酸化物、例えば
二酸化鉛（Ｐ、ｂＯ２）を粉体状で添加することを推奨
しており、それによって焼成時に酸素を放出し、ガラス
相に含有された、−酸化鉛（ＰｂＯ）の還元を防ぐとと
もに有機質キャリアは炭素残渣を残すことなく燃焼する
。
、４５０℃のオーダーの温度における酸化鉛（Ｐｈｉ）
の還元に由来する急速な分解のために、インクは中性雰
囲気、例えば窒素中での加熱に耐えられないという事実
により、依然として解決を要する別の難点が残されてい
る。引用した文献は、酸化度が２以上の酸化物、例えば
二酸化鉛（Ｐ、ｂＯ２）を粉体状で添加することを推奨
しており、それによって焼成時に酸素を放出し、ガラス
相に含有された、−酸化鉛（ＰｂＯ）の還元を防ぐとと
もに有機質キャリアは炭素残渣を残すことなく燃焼する
。
しかしながら、粉体状で混合物中に合体させられた酸化
度が２に等しいかまたはより高い酸化鉛は、焼成中に一
酸化鉛（ＰｂＯ）の形でガラス相によって溶解させられ
、焼成温度の価と膨張係数の価との間の平衡を破壊する
危険がある。
度が２に等しいかまたはより高い酸化鉛は、焼成中に一
酸化鉛（ＰｂＯ）の形でガラス相によって溶解させられ
、焼成温度の価と膨張係数の価との間の平衡を破壊する
危険がある。
この主旨で、混合物の成分として第１表に記した数値の
比率を提案することにより、本発明はすべての問題を一
時に有効に解決することを可能ならしめるものである。
比率を提案することにより、本発明はすべての問題を一
時に有効に解決することを可能ならしめるものである。
本発明のインクの製造方法を実施例で示す。
第１表に示す比率のガラス組成物をボールミル中で６４
時間粉砕１２、二酸化鉛（Ｐｌ＋Ｏｚ）と、ガラス相７
５容量％、二酸化物２５容量％の比率で充分に混Ｇ 合した。濾過乾燥後、得られた粉末混合物を有機質キャ
リア中に分散させた。有機質キャリアの好ましい組成も
また第１表に示す。
時間粉砕１２、二酸化鉛（Ｐｌ＋Ｏｚ）と、ガラス相７
５容量％、二酸化物２５容量％の比率で充分に混Ｇ 合した。濾過乾燥後、得られた粉末混合物を有機質キャ
リア中に分散させた。有機質キャリアの好ましい組成も
また第１表に示す。
このようにして製造したインクを、セラミック基板上の
ハイブリッド回路の最終被覆相またば六ホウ化物のイン
クで製造された抵抗体のカプセル封緘相としであるいは
、セラミック基板」二の他のエレメントのカプセル封緘
層としてシルク・スクリーン印刷した。
ハイブリッド回路の最終被覆相またば六ホウ化物のイン
クで製造された抵抗体のカプセル封緘相としであるいは
、セラミック基板」二の他のエレメントのカプセル封緘
層としてシルク・スクリーン印刷した。
次いで上記カプセル封緘層を、移動型トンネル炉中で窒
素ガス雰囲気下５５０℃で焼成した（焼成ザイクル時間
１時間で、１０分間５５０°Ｃ一定温度に保持する）。
素ガス雰囲気下５５０℃で焼成した（焼成ザイクル時間
１時間で、１０分間５５０°Ｃ一定温度に保持する）。
例えば抵抗に関して言えば、上記のカプセル封緘を使用
することによって、 １にΩロー１に対し約０．０３％から、必ず許容し得る
と考えられる１００にΩｒ″−１に対し約３％までとな
る。
することによって、 １にΩロー１に対し約０．０３％から、必ず許容し得る
と考えられる１００にΩｒ″−１に対し約３％までとな
る。
第１図は、−に記インクをカプセル封緘層として使用し
た実施例を示す。
た実施例を示す。
アルミナ基板１上に、例えば導電層２を、所定の電気的
相互接続パターンに従ってシルク・スクリーン印刷用の
スクリーンを通したマスクにより作成した絶縁層３と交
互に設けてなる回路が製作される。゛導電層の数は５よ
り多くてもよい。上記の層を製造するのに用いた材料は
、導電性および絶縁性インクについて引用した特許と同
しものである。最後の被着層１０は本発明によるカプセ
ル封緘層である。
相互接続パターンに従ってシルク・スクリーン印刷用の
スクリーンを通したマスクにより作成した絶縁層３と交
互に設けてなる回路が製作される。゛導電層の数は５よ
り多くてもよい。上記の層を製造するのに用いた材料は
、導電性および絶縁性インクについて引用した特許と同
しものである。最後の被着層１０は本発明によるカプセ
ル封緘層である。
第２図は、上記インクをカプセル封緘層として使用した
二番目の実施例を示す。
二番目の実施例を示す。
アルミナ基板１七に、電気的接触部５を形成するための
適宜なパターンに従って、前述の導電性シルク・スクリ
ーン用インクの層を被着する。該層をｉｍ常８５０〜９
００°Ｃのオーダーの高温で焼成する。次いで六ボウ化
物インクの層４を、抵抗を形成するために予め定められ
たパターンに従って、該層が電気的接触部５に乗るよ）
に、シルク・スクリーン印刷によって被着する。十記の
層４を８００℃のオーダーのＩ晶度で拙つ、すする。最
後に、本発明によるカプセル封緘用インクの層１０を、
接触部を作るためのパッドを提供するように導体の電気
端子の部分を除いて、Ｋ１■立て物の表面」−に製作す
る。
適宜なパターンに従って、前述の導電性シルク・スクリ
ーン用インクの層を被着する。該層をｉｍ常８５０〜９
００°Ｃのオーダーの高温で焼成する。次いで六ボウ化
物インクの層４を、抵抗を形成するために予め定められ
たパターンに従って、該層が電気的接触部５に乗るよ）
に、シルク・スクリーン印刷によって被着する。十記の
層４を８００℃のオーダーのＩ晶度で拙つ、すする。最
後に、本発明によるカプセル封緘用インクの層１０を、
接触部を作るためのパッドを提供するように導体の電気
端子の部分を除いて、Ｋ１■立て物の表面」−に製作す
る。
上記最終層１０を前述の条件で焼成した後、抵抗はカプ
セル封緘層を１ｆｆｉシてレーザー光線により調節し、
次いでアルミナ基板もまたレーザーによって、前記抵抗
の周縁でそれが別個のエレメントを構成するように切断
することができる。
セル封緘層を１ｆｆｉシてレーザー光線により調節し、
次いでアルミナ基板もまたレーザーによって、前記抵抗
の周縁でそれが別個のエレメントを構成するように切断
することができる。
第１図は本発明のインクをカプセル封緘層として使用し
たマイクロ回路の縦断面図、 第２図は本発明のインクのカプセル封緘層を含む抵抗の
縦断面図である。 １・・・アルミナ基板 ２・・・導電層３・・・絶
縁層 ４・・・六ホウ化物の層５・・・電
気的接触部 １０・・・カプセル封緘層１つ ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２
たマイクロ回路の縦断面図、 第２図は本発明のインクのカプセル封緘層を含む抵抗の
縦断面図である。 １・・・アルミナ基板 ２・・・導電層３・・・絶
縁層 ４・・・六ホウ化物の層５・・・電
気的接触部 １０・・・カプセル封緘層１つ ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、シリカ（ＳｉＯ＿２
）、酸化ホウ素（Ｂ＿２Ｏ＿３）によって形成されると
ともに一酸化鉛（ＰｂＯ）を含有するガラス相を含む一
方、２またはそれ以上の酸化度を有する酸化鉛の一種ま
たは複数種を粉体状で含んでなる混合物であって、ガラ
ス相がさらに酸化亜鉛（ＺｎＯ）酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）および酸化銅（ＣｕＯ）を含み、かつ前記ガラス相
が混合物の７０〜８０容量％を占めるとともに、２また
はそれ以上の酸化度を有する酸化鉛が混合物の３０〜２
０容量％を占めることを特徴とする絶縁性組成物用の出
発混合物。 ２、ガラス相がモル比で次の酸化物、すなわち、 アルミナ （Ａｌ＿２Ｏ＿３） ５％ シリカ （ＳｉＯ＿２） ４０％ 酸化ホウ素 （Ｂ＿２Ｏ＿３） ２０％ 一酸化鉛 （ＰｂＯ） ２２％ 酸化カルシウム（ＣａＯ） ３％ 酸化亜鉛 （ＺｎＯ） ８％ 酸化銅 （ＣｕＯ） ２％ によって形成されている特許請求の範囲第１項記載の絶
縁性組成物用の出発混合物。 ３、２またはそれ以上の酸化度を有する酸化鉛が二酸化
鉛（ＰｂＯ＿２）によって構成される特許請求の範囲第
１項または第２項記載の絶縁性組成物用の出発混合物。 ４、ガラス相が７５容量％で二酸化鉛が２５容量％を占
める特許請求の範囲第３項記載の絶縁性組成物用の出発
混合物。 ５、アルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、シリカ（ＳｉＯ＿２
）、酸化ホウ素（Ｂ＿２Ｏ＿３）によって形成されると
ともに一酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化
カルシウム（ＣａＯ）および酸化銅（ＣｕＯ）を含有す
るガラス相を７０〜８０容量％含み、２またはそれ以上
の酸化度を有する酸化鉛の一種または複数種を粉体状で
３０〜２０容量％含んでなる絶縁性組成物用の出発混合
物と有機質キャリアとを合体してなることを特徴とする
シルク・スクリーン印刷用インク。 ６、ガラス相がモル比で次の酸化物、すなわち、 アルミナ （Ａｌ＿２Ｏ＿３） ５％ シリカ （ＳｉＯ＿２） ４０％ 酸化ホウ素 （Ｂ＿２Ｏ＿３） ２０％ 一酸化鉛 （ＰｂＯ） ２２％ 酸化カルシウム（ＣａＯ） ３％ 酸化亜鉛 （ＺｎＯ） ８％ 酸化銅 （ＣｕＯ） ２％ によって形成されている特許請求の範囲第５項記載のシ
ルク・スクリーン印刷用インク。 ７、２またはそれ以上の酸化度を有する酸化鉛が二酸化
鉛（ＰｂＯ＿２）によって構成される特許請求の範囲第
５項または第６項記載のシルク・スクリーン印刷用イン
ク。 ８、ガラス相が７５容量％で二酸化鉛が２５容量％を占
める特許請求の範囲第７項記載のシルク・スクリーン印
刷用インク。 ９、有機質キャリアがエチルセルロースのテルピネオー
ル溶液である特許請求の範囲第５項乃至第８項の何れか
一つの項に記載のシルク・スクリーン印刷用インク。 １０、アルミナ基板上に製作されたハイブリッドマイク
ロ回路に対する保護層として用いられ、かつそのために
上記回路の表面にシルク・スクリーン印刷によって被着
され約５５０℃の一定温度で少なくとも５分間焼成され
るものである特許請求の範囲第５項乃至第９項の何れか
一つの項に記載のシルク・スクリーン印刷用インク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8409809 | 1984-06-22 | ||
| FR8409809A FR2566386A1 (fr) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | Melange de depart pour une composition isolante comprenant un verre au plomb, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la protection de microcircuits hybrides sur substrat ceramique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113502A true JPS6113502A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0531512B2 JPH0531512B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=9305307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60134401A Granted JPS6113502A (ja) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | 絶縁性組成物用の出発混合物並びにそれを用いたシルク・スクリーン印刷用インク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4684543A (ja) |
| EP (1) | EP0167198B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6113502A (ja) |
| DE (1) | DE3565392D1 (ja) |
| FR (1) | FR2566386A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146704A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ |
| JPH082938A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Hikari Denko Kk | 低融点ガラス微粉末、それとガラス繊維の複合物及び装飾模様を有するガラス製品の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4725480A (en) * | 1985-09-24 | 1988-02-16 | John Fluke Mfg. Co., Inc. | Hermetically sealed electronic component |
| US4866411A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-12 | Caddock Richard E | Film-type cylindrical resistor, and method of making it |
| US5116641A (en) * | 1990-08-20 | 1992-05-26 | Ford Motor Company | Method for laser scribing substrates |
| JP2757574B2 (ja) * | 1991-03-14 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 低誘電率ハイブリッド多層セラミック配線基板の製造方法 |
| US6437507B2 (en) * | 1997-11-07 | 2002-08-20 | Lg Electronics Inc. | Hollow cathode type color PDP |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2305478A1 (fr) * | 1975-03-25 | 1976-10-22 | Labo Electronique Physique | Pate serigraphiable pour conducteurs en couches epaisses a deposer sur un substrat ceramique et procede de preparation de couches conductrices utilisant une telle pate |
| US4108786A (en) * | 1975-12-16 | 1978-08-22 | Mita Industrial Company Ltd. | Magnetic dry developer for electrostatic photography and process for preparation thereof |
| FR2388381A1 (fr) * | 1976-12-27 | 1978-11-17 | Labo Electronique Physique | Composition dielectrique, pate serigraphiable comportant une telle composition et produits obtenus |
| FR2490210A1 (fr) * | 1980-09-15 | 1982-03-19 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition fortement resistante, encre serigraphiable constituee avec et circuits electriques ainsi realises |
| US4369254A (en) * | 1980-10-17 | 1983-01-18 | Rca Corporation | Crossover dielectric inks |
| US4388347A (en) * | 1980-11-11 | 1983-06-14 | Uop Inc. | Conductive pigment-coated surfaces |
| JPS57122592A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing hybrid integrated circuit |
| US4431451A (en) * | 1981-02-24 | 1984-02-14 | American Dental Association Health Foundation | Dental material |
| FR2508054A1 (fr) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une encre serigraphiable contenant un verre au plomb a cuire en atmosphere non oxydante et encre serigraphiable obtenue |
| US4415624A (en) * | 1981-07-06 | 1983-11-15 | Rca Corporation | Air-fireable thick film inks |
| JPS58125638A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Toshiba Corp | 半導体被覆用ガラス組成物 |
| JPS599992A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社日立製作所 | 多層配線基板の製造方法 |
| US4604298A (en) * | 1985-02-12 | 1986-08-05 | Gulton Industries, Inc. | Finger line screen printing method and apparatus |
-
1984
- 1984-06-22 FR FR8409809A patent/FR2566386A1/fr not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-06-17 US US06/745,734 patent/US4684543A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-18 EP EP85200960A patent/EP0167198B1/fr not_active Expired
- 1985-06-18 DE DE8585200960T patent/DE3565392D1/de not_active Expired
- 1985-06-21 JP JP60134401A patent/JPS6113502A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146704A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ |
| JPH082938A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Hikari Denko Kk | 低融点ガラス微粉末、それとガラス繊維の複合物及び装飾模様を有するガラス製品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3565392D1 (en) | 1988-11-10 |
| EP0167198A1 (fr) | 1986-01-08 |
| FR2566386A1 (fr) | 1985-12-27 |
| JPH0531512B2 (ja) | 1993-05-12 |
| US4684543A (en) | 1987-08-04 |
| EP0167198B1 (fr) | 1988-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0163478B1 (en) | Process of manufacturing ceramic circuit board | |
| US4766010A (en) | Process for manufacturing dielectric layers formed from ceramic compositions containing inorganic peroxide and electronic devices including said layers | |
| EP0163155B1 (en) | Low temperature fired ceramics | |
| EP0219807B1 (en) | Low temperature fired ceramics | |
| US4464420A (en) | Ceramic multilayer circuit board and a process for manufacturing the same | |
| US4835038A (en) | Substrate coated with multiple thick films | |
| JPS5927119B2 (ja) | クロスオ−バ誘電性インク | |
| US4695403A (en) | Thick film conductor composition | |
| US4087778A (en) | Termination for electrical resistor and method of making the same | |
| CA2050095A1 (en) | Dielectric composition containing cordierite and glass | |
| JPH0116780B2 (ja) | ||
| JPH0324796B2 (ja) | ||
| JPS6113502A (ja) | 絶縁性組成物用の出発混合物並びにそれを用いたシルク・スクリーン印刷用インク | |
| JPS59207851A (ja) | 多層回路内の誘電ガラス及びそれを含む厚膜回路 | |
| KR970008145B1 (ko) | 세라믹-온 금속-회로 기판 및 그 제조방법 | |
| EP0498410B1 (en) | Partially crystallizable glass compositions | |
| US6037045A (en) | Thick-film paste and ceramic circuit substrate using the same | |
| US5011530A (en) | Metallizing composition for use with ceramics | |
| JPH0740633B2 (ja) | 絶縁層用組成物 | |
| JPH05116985A (ja) | セラミツク基板 | |
| US5120473A (en) | Metallizing composition for use with ceramics | |
| JPS61274399A (ja) | 多層セラミック基板用組成物および多層セラミック基板の製造方法 | |
| KR100201160B1 (ko) | 저항 재료 조성물, 저항 페이스트 및 저항체 | |
| JP3567774B2 (ja) | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 | |
| KR100207898B1 (ko) | 저항 재료 조성물, 저항 페이스트 및 저항체 |