JPS6113374B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6113374B2 JPS6113374B2 JP11527479A JP11527479A JPS6113374B2 JP S6113374 B2 JPS6113374 B2 JP S6113374B2 JP 11527479 A JP11527479 A JP 11527479A JP 11527479 A JP11527479 A JP 11527479A JP S6113374 B2 JPS6113374 B2 JP S6113374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- blanking
- shutter
- sample
- mechanical shutter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 36
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線描画装置に係り、特に電子線
ブランキングを行なうのに好適な電子線描画装置
に関するものである。
ブランキングを行なうのに好適な電子線描画装置
に関するものである。
従来、電子線描画装置の描画信号に合わせて試
料面上の電子線をブランキングするのに、通常、
電子線通路に設けられた１対の静電電極に電圧を
印加し、試料を照射している電子線を、電子線通
路に配置された絞り孔外に偏向して行なつてい
た。この場合、偏向された電子線は、上記絞り孔
周辺又は、電子線通路壁を照射しているものであ
つた。このような従来装置においては、試料台移
動時あるいは試料交換時にブランキング時間が長
くなると、絞り孔周辺又は電子線通路壁に電子線
照射によるコンタミネーシヨンが累積される。そ
してこのコンタミネーシヨンによつて電子線のチ
ヤージアツプ現象が起り、試料照射電子線が不安
定となるので、絞りの交換、又は、電子線通路壁
のクリーニングを頻繁に行なわなければならなく
なるという欠点があつた。
料面上の電子線をブランキングするのに、通常、
電子線通路に設けられた１対の静電電極に電圧を
印加し、試料を照射している電子線を、電子線通
路に配置された絞り孔外に偏向して行なつてい
た。この場合、偏向された電子線は、上記絞り孔
周辺又は、電子線通路壁を照射しているものであ
つた。このような従来装置においては、試料台移
動時あるいは試料交換時にブランキング時間が長
くなると、絞り孔周辺又は電子線通路壁に電子線
照射によるコンタミネーシヨンが累積される。そ
してこのコンタミネーシヨンによつて電子線のチ
ヤージアツプ現象が起り、試料照射電子線が不安
定となるので、絞りの交換、又は、電子線通路壁
のクリーニングを頻繁に行なわなければならなく
なるという欠点があつた。
本発明の目的は、メカニカルシヤツターと静電
電極による偏向ブランキングを併用することによ
り、安定な描画を行ない得る電子線描画装置を提
供するにある。
電極による偏向ブランキングを併用することによ
り、安定な描画を行ない得る電子線描画装置を提
供するにある。
本発明は、ブランキング用静電電極上部に電子
線通路を遮断するメカニカルシヤツターを設置す
ることにより、長時間ブランキングを必要とする
場合は、まず、静電電極によるブランキングを行
ない、同時またはその後にメカニカルシヤツター
により電子線を遮断するようにした点に特徴があ
る。
線通路を遮断するメカニカルシヤツターを設置す
ることにより、長時間ブランキングを必要とする
場合は、まず、静電電極によるブランキングを行
ない、同時またはその後にメカニカルシヤツター
により電子線を遮断するようにした点に特徴があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す電子線描画装
置の概略図で、カソード、グリツド、アノードか
らなる電子銃１から射出される電子線２を、収束
レンズ７により出来るだけ細く収束し、試料１０
上に、投影レンズ８によりスポツトを結ばせ、こ
れを電磁偏向装置９及び一対の静電電極からなる
ブランキング板４により、走査及びブランキング
を行ない。所望の図形を作る構成である。ブラン
キング板４の上部にはメカニカルシヤツター３が
設けられている。
置の概略図で、カソード、グリツド、アノードか
らなる電子銃１から射出される電子線２を、収束
レンズ７により出来るだけ細く収束し、試料１０
上に、投影レンズ８によりスポツトを結ばせ、こ
れを電磁偏向装置９及び一対の静電電極からなる
ブランキング板４により、走査及びブランキング
を行ない。所望の図形を作る構成である。ブラン
キング板４の上部にはメカニカルシヤツター３が
設けられている。
シヤツター３は第２図（断面図）に示す形状
の、電子線反射防止付のフアラデーカツプが好適
である。駆動電源１３にはソレノイドバルブ１２
を介してシヤツター３が接続されている。
の、電子線反射防止付のフアラデーカツプが好適
である。駆動電源１３にはソレノイドバルブ１２
を介してシヤツター３が接続されている。
次に、本実施例の動作を説明する。試料面上の
電子線をブランキングする場合には、駆動電源１
３によりソレノイド１２とブランキング板４に同
時に電圧を印加する。そうすると、ブランキング
板４の上部に設けられたメカニカルシヤツター３
が電子線通路上に移動させられるので、電子線２
は機械的に遮断されると同時に、漏洩した電子線
は電子線通路上に設けられたブランキング板４に
より偏向され、電子線通路に配置されたブランキ
ング絞り５の絞り孔外に偏向される。したがつ
て、電子線は完全に遮断され、ブランキングを行
なうことができる。
電子線をブランキングする場合には、駆動電源１
３によりソレノイド１２とブランキング板４に同
時に電圧を印加する。そうすると、ブランキング
板４の上部に設けられたメカニカルシヤツター３
が電子線通路上に移動させられるので、電子線２
は機械的に遮断されると同時に、漏洩した電子線
は電子線通路上に設けられたブランキング板４に
より偏向され、電子線通路に配置されたブランキ
ング絞り５の絞り孔外に偏向される。したがつ
て、電子線は完全に遮断され、ブランキングを行
なうことができる。
一方、電子線を試料面上に照射し描画する場合
には、駆動電源１３をオフにし、シヤツター３を
電子線光軸より電子線光軸外に移動させると共
に、ブランキング板４の動作を停止させる。
には、駆動電源１３をオフにし、シヤツター３を
電子線光軸より電子線光軸外に移動させると共
に、ブランキング板４の動作を停止させる。
本実施例ではメカニカルシヤツター３を電子源
の近い位置に設けたので、電子線を機械的に完全
に遮断することができ、ブランキング時のビーム
の悪影響を取り除くことができるが、メカニカル
シヤツター３の挿入位置は上記の位置に限定され
るものではなく、ブランキング板４とブランキン
グ絞り５との間でもよい。
の近い位置に設けたので、電子線を機械的に完全
に遮断することができ、ブランキング時のビーム
の悪影響を取り除くことができるが、メカニカル
シヤツター３の挿入位置は上記の位置に限定され
るものではなく、ブランキング板４とブランキン
グ絞り５との間でもよい。
また、シヤツター３として反射防止付のフアラ
デーカツプを用いると、電子線がフアラデーカツ
プにほぼ完全に遮断されるのでフアラデーカツプ
にとらえられる電子線の電流値を監視することに
より、描画スタート時の電子線安定度チエツクを
行なうことができる。
デーカツプを用いると、電子線がフアラデーカツ
プにほぼ完全に遮断されるのでフアラデーカツプ
にとらえられる電子線の電流値を監視することに
より、描画スタート時の電子線安定度チエツクを
行なうことができる。
なお、シヤツター３の駆動部にニユーマチツク
バルブを用いても、同様の効果を得ることができ
る。
バルブを用いても、同様の効果を得ることができ
る。
したがつて本発明によれば、電子線の偏向ブラ
ンキングによる絞り孔周辺、又は電子線通路壁の
照射によるコンタミネーシヨンが極少となり、こ
のコンタミネーシヨンによるチヤージアツプ現象
がなくなり、常に安定した電子線で試料照射が可
能となる。
ンキングによる絞り孔周辺、又は電子線通路壁の
照射によるコンタミネーシヨンが極少となり、こ
のコンタミネーシヨンによるチヤージアツプ現象
がなくなり、常に安定した電子線で試料照射が可
能となる。
更に、シヤツターとして反射防止付フアラデー
カツプを用いると、電流値を常に監視して描画ス
タート時の電子源安定度チエツクが可能となり、
構成が簡単で精度向上が計れる等、実用上の効果
がすこぶる大きい。
カツプを用いると、電流値を常に監視して描画ス
タート時の電子源安定度チエツクが可能となり、
構成が簡単で精度向上が計れる等、実用上の効果
がすこぶる大きい。
第１図は本発明の一実施例を示す電子線描画装
置の概略図、第２図はシヤツターの断面図であ
る。 ３……シヤツター、４……ブランキング板、５
……ブランキング絞り、６……ブランキング電子
線、１１……ブランキングアンプ、１２……ソレ
ノイドバルブ、１３……駆動電源。
置の概略図、第２図はシヤツターの断面図であ
る。 ３……シヤツター、４……ブランキング板、５
……ブランキング絞り、６……ブランキング電子
線、１１……ブランキングアンプ、１２……ソレ
ノイドバルブ、１３……駆動電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料に照射される電子線を偏向およびブラン
キングすることによつて試料に所望のパターンを
形成する電子線描画装置において、前記ブランキ
ングを静電偏向手段とメカニカルシヤツターとの
併用によつて行なうことを特徴とする電子線描画
装置。 ２ 前記メカニカルシヤツターは前記静電偏向手
段の前段に配置されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子線描画装置。 ３ 前記メカニカルシヤツターは反射防止付フア
ラデーカツプで構成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の電子
線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11527479A JPS5640240A (en) | 1979-09-10 | 1979-09-10 | Electron beam painting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11527479A JPS5640240A (en) | 1979-09-10 | 1979-09-10 | Electron beam painting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640240A JPS5640240A (en) | 1981-04-16 |
| JPS6113374B2 true JPS6113374B2 (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=14658596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11527479A Granted JPS5640240A (en) | 1979-09-10 | 1979-09-10 | Electron beam painting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5640240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452150U (ja) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 |
-
1979
- 1979-09-10 JP JP11527479A patent/JPS5640240A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452150U (ja) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640240A (en) | 1981-04-16 |
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