JPS61129818A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS61129818A JPS61129818A JP25107384A JP25107384A JPS61129818A JP S61129818 A JPS61129818 A JP S61129818A JP 25107384 A JP25107384 A JP 25107384A JP 25107384 A JP25107384 A JP 25107384A JP S61129818 A JPS61129818 A JP S61129818A
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- Japan
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- reaction
- supplying
- glass tube
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特に光励起ＣＶ
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅ＋＋１ｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により薄膜を形成する装
置に関するものである。
Ｄ （ｐｈｏｔｏ ｃｈｅ＋＋１ｃａｌ ｖａｐｏｕｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により薄膜を形成する装
置に関するものである。
ＣＶＤ法は集積回路装置における＊ｍ形成等において重
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温となり、これにより形成される１
ｌｌｌｌｌはダメージを受は易いものである。
要な技術であるが、従来のＣＶＤ法は、主として反応ガ
スを加熱して化学反応を起こさせるようにしており、こ
のため反応温度が高温となり、これにより形成される１
ｌｌｌｌｌはダメージを受は易いものである。
そこで最近、低温ＣＶＤ技術として光励起ＣＶＤ法が注
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、薄膜へのダメージも少なくするこ
とができる。
目されている。この光励起ＣＶＤ法は、ＣＶＤのエネル
ギー源として光を用いるものであり、これによれば、従
来の熱励起ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等に比較して反
応温度を低温にでき、薄膜へのダメージも少なくするこ
とができる。
また、一般的に光励起ＣＶＤ法では、反応ガスの基板上
での濃度が薄膜の形成速度に大きく影響することが知ら
れており、例えば基板温度、先の照度を一定に保った条
件下では、ＷＩＩＩｌｌ！の形成速度は上記ガス濃度に
比例して速くなる。
での濃度が薄膜の形成速度に大きく影響することが知ら
れており、例えば基板温度、先の照度を一定に保った条
件下では、ＷＩＩＩｌｌ！の形成速度は上記ガス濃度に
比例して速くなる。
第４図及び第５図はこのような光励起ＣＶＤ法による従
来の薄膜形成装置の基本的な構成を示し、図において、
１は反応室である石英ガラス管であり、これは円筒状の
ものでその両端は反応室側壁３により閉塞されており、
１０．１１はそれぞれ該反応室内に反応ガス７、カーテ
ンガス８を供給するための反応ガス供給口、カーテンガ
ス供給口、１６は排出ガス９を排出するためのガス排出
口である。２は複数の線状ランプ２ａからなる光源であ
り、この線状ランプ２ａは上記石英ガラス管１の外側に
おいて、該ガラス管１の軸方向に向けて、かつ該ガラス
管１の外表面に沿うよう並列配置されている。６は基板
４を搭載するためのサセプタ、５は上記基板４を加熱す
るための赤外線ランプである。
来の薄膜形成装置の基本的な構成を示し、図において、
１は反応室である石英ガラス管であり、これは円筒状の
ものでその両端は反応室側壁３により閉塞されており、
１０．１１はそれぞれ該反応室内に反応ガス７、カーテ
ンガス８を供給するための反応ガス供給口、カーテンガ
ス供給口、１６は排出ガス９を排出するためのガス排出
口である。２は複数の線状ランプ２ａからなる光源であ
り、この線状ランプ２ａは上記石英ガラス管１の外側に
おいて、該ガラス管１の軸方向に向けて、かつ該ガラス
管１の外表面に沿うよう並列配置されている。６は基板
４を搭載するためのサセプタ、５は上記基板４を加熱す
るための赤外線ランプである。
この従来装置では、反応ガス７及びカーテンガス８が石
英ガラス管１内に導入されると、このカーテンガス８は
石英ガラス管１の内面上部を覆うようにして流れ、また
上記反応ガス４は光源２からの光によって励起分解され
、これにより生じた反応生成物が赤外線ランプ５により
低温加熱された基板４上に堆積し、その結果該基板４上
に薄膜が形成され、また反応後のガス９は排出口１６か
ら排出される。
英ガラス管１内に導入されると、このカーテンガス８は
石英ガラス管１の内面上部を覆うようにして流れ、また
上記反応ガス４は光源２からの光によって励起分解され
、これにより生じた反応生成物が赤外線ランプ５により
低温加熱された基板４上に堆積し、その結果該基板４上
に薄膜が形成され、また反応後のガス９は排出口１６か
ら排出される。
ところで上記従来装置では、反応ガス７を長方形状のガ
ス供給口１０から石英ガラス管１内に供給するようにし
ているが、この反応ガス７を該供給口１０の幅方向にお
いて一様に流すのは困難であり、基板４上でのガス濃度
はガスの流れ方向と直角方向の中央部と両端部とでは不
均一となる。
ス供給口１０から石英ガラス管１内に供給するようにし
ているが、この反応ガス７を該供給口１０の幅方向にお
いて一様に流すのは困難であり、基板４上でのガス濃度
はガスの流れ方向と直角方向の中央部と両端部とでは不
均一となる。
またこの従来装置では反応ガス７を石英ガラス管１の軸
方向に流すようにしているので、ガスの流れる距離が大
きくなり、基板４上でのガス濃度はガスの流れ方向にお
いても不均一になり、その結果上記従来装置では、基板
４上でのガス濃度が不均一になり、基板４に形成される
薄膜の膜厚が不均一になるという問題があった。
方向に流すようにしているので、ガスの流れる距離が大
きくなり、基板４上でのガス濃度はガスの流れ方向にお
いても不均一になり、その結果上記従来装置では、基板
４上でのガス濃度が不均一になり、基板４に形成される
薄膜の膜厚が不均一になるという問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解消すためになされたもの
で、基板上での反応ガスの濃度を均一にして膜厚の均一
性を向上できる半導体製造装置を提供することを目的と
している。。
で、基板上での反応ガスの濃度を均一にして膜厚の均一
性を向上できる半導体製造装置を提供することを目的と
している。。
本発明は、半導体製造装置において、反応室内に供給側
均圧室及び排気側均圧室を設けたものである。
均圧室及び排気側均圧室を設けたものである。
（作用〕
本発明に係る半導体製造装置では、反応ガスは、まず供
給側均圧室により流れ方向に直角な方向において一様な
圧力でもって反応室内に供給され、また、反応後のガス
はこの反応室から上記流れに直角な方向において均一な
圧力でもって排気側均圧室内に侵入することとなり、そ
の結果基板上での濃度は上記方向において均一になる。
給側均圧室により流れ方向に直角な方向において一様な
圧力でもって反応室内に供給され、また、反応後のガス
はこの反応室から上記流れに直角な方向において均一な
圧力でもって排気側均圧室内に侵入することとなり、そ
の結果基板上での濃度は上記方向において均一になる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示す。
図において、第４図及び第５図と同一符号は同−又は相
当部分を示し、２１は反応室である石英ガラス管であり
、これは横断面小判状のもので、その上面及び下面は平
坦部２１ａ、２１ｂとなっている。
当部分を示し、２１は反応室である石英ガラス管であり
、これは横断面小判状のもので、その上面及び下面は平
坦部２１ａ、２１ｂとなっている。
２２は５本の線状ランプ２２ａからなる光源であり、各
線状ランプ２２ａは上記石英ガラス管２１の上側平坦部
２１ａの外側にて該ガラス管２１の軸直角方向に向けて
、該ガラス管軸方向に並列に配置されている。また上記
石英ガラス管２１の下側平坦部２１ｂの外側には、５本
の赤外線ランプ５が該ガラス管２１の軸方向に向けて、
該ガラス管２１の軸直角方向に並列配置されている。
線状ランプ２２ａは上記石英ガラス管２１の上側平坦部
２１ａの外側にて該ガラス管２１の軸直角方向に向けて
、該ガラス管軸方向に並列に配置されている。また上記
石英ガラス管２１の下側平坦部２１ｂの外側には、５本
の赤外線ランプ５が該ガラス管２１の軸方向に向けて、
該ガラス管２１の軸直角方向に並列配置されている。
そして上記石英ガラス管２１の両側内部にはガス供給室
１２．ガス排気室１３が対向配設されており、この画室
１２．１３は横断面半円状の上記石英ガラス管２１の軸
方向に延びる筒体からなつっている。そして上記ガス供
給室１２には、これを上下２室に仕切る仕切壁１２ａが
形成され、この仕切壁１２ａの下側、上側はそれぞれ反
応ガス供給室１４．カーテンガス供給室１５になってお
リ、この両供給室１４の一端には、反応ガス供給通路１
４ａ、カーテンガス供給通路１５ａが接続されている。
１２．ガス排気室１３が対向配設されており、この画室
１２．１３は横断面半円状の上記石英ガラス管２１の軸
方向に延びる筒体からなつっている。そして上記ガス供
給室１２には、これを上下２室に仕切る仕切壁１２ａが
形成され、この仕切壁１２ａの下側、上側はそれぞれ反
応ガス供給室１４．カーテンガス供給室１５になってお
リ、この両供給室１４の一端には、反応ガス供給通路１
４ａ、カーテンガス供給通路１５ａが接続されている。
そして上記カーテンガス供給室１５の内側壁１５ｂはそ
の他の壁よりその壁厚が厚くなっており、また該内側壁
１５ｂには多数の円形孔であるカーテンガス供給口１５
ｃが形成されており、このカーテンガス供給室１５は上
記全てのカーテンガス供給口１５Ｇから一様な圧力でも
ってカーテンガス８を反応室内に吐出するための均圧室
となっている。
の他の壁よりその壁厚が厚くなっており、また該内側壁
１５ｂには多数の円形孔であるカーテンガス供給口１５
ｃが形成されており、このカーテンガス供給室１５は上
記全てのカーテンガス供給口１５Ｇから一様な圧力でも
ってカーテンガス８を反応室内に吐出するための均圧室
となっている。
また上記反応ガス供給室１４の内側壁１４ｂの上端には
仕切り壁１２ａに沿う上側壁１４ｃが一体形成されてい
る。この上側壁１４ｃには反応ガス供給口１４ｄが形成
されており、この供給口１４ｄは上記石英ガラス管１の
軸方向に延びるスリット部１４ｅと、これの下側縁部に
凹設された多数の溝部１４ｆとからなり、このようにし
て上記反応ガス供給室１４は、反応ガスを上記供給口１
４ｄの全ての領域から均一な圧力でもって反応室内に吐
出するための均圧室となっている。
仕切り壁１２ａに沿う上側壁１４ｃが一体形成されてい
る。この上側壁１４ｃには反応ガス供給口１４ｄが形成
されており、この供給口１４ｄは上記石英ガラス管１の
軸方向に延びるスリット部１４ｅと、これの下側縁部に
凹設された多数の溝部１４ｆとからなり、このようにし
て上記反応ガス供給室１４は、反応ガスを上記供給口１
４ｄの全ての領域から均一な圧力でもって反応室内に吐
出するための均圧室となっている。
また上記ガス排気室１３にはガス排気通路１３ａが接続
されており、その内側壁１３ｂには、上記゛石英ガラス
管２１の軸直角方向上下に延びる多数のスリット状のガ
ス排気口１３ｃが一定の間隔をあけて形成されており、
このようにして上記ガス排気室１３は、反応室内のガス
を全てのガス排気口１３ｃから均一に排気するための均
圧室となっており、このガス排気口１３ｃと上記カーテ
ンガス供給口１５ｃ及び反応ガス供給口１４ｄは相互に
対向している。
されており、その内側壁１３ｂには、上記゛石英ガラス
管２１の軸直角方向上下に延びる多数のスリット状のガ
ス排気口１３ｃが一定の間隔をあけて形成されており、
このようにして上記ガス排気室１３は、反応室内のガス
を全てのガス排気口１３ｃから均一に排気するための均
圧室となっており、このガス排気口１３ｃと上記カーテ
ンガス供給口１５ｃ及び反応ガス供給口１４ｄは相互に
対向している。
次に作用効果について説明する。
本実施例装置では、カーテンガス８はカーテンガス供給
通路１５ａからカーテンガス供給室１５に供給され、カ
ーテンガス供給口１５ｃを通って反応室内に導入される
。また反応ガス７は反応ガス供給通路１４ａから、まず
反応ガス供給Ｎ１４内に供給され、該供給室１４の供給
口１４ｄを通って反″応室内に導入され、この導入され
た反応ガス７は従来装置と同様に、光源２２からの光が
照射されて励起分解し、これにより生じた反応生成物が
基板４上に堆積して該基板４上に薄膜が形成される。そ
して反応後のガス及びカーテンガスからなる排気ガス９
はガス排気口１３ｃから排気室１３内に流入し、該排気
室１３からガス排気通路１３ａを通って石英ガラス管２
１外に排気される。
通路１５ａからカーテンガス供給室１５に供給され、カ
ーテンガス供給口１５ｃを通って反応室内に導入される
。また反応ガス７は反応ガス供給通路１４ａから、まず
反応ガス供給Ｎ１４内に供給され、該供給室１４の供給
口１４ｄを通って反″応室内に導入され、この導入され
た反応ガス７は従来装置と同様に、光源２２からの光が
照射されて励起分解し、これにより生じた反応生成物が
基板４上に堆積して該基板４上に薄膜が形成される。そ
して反応後のガス及びカーテンガスからなる排気ガス９
はガス排気口１３ｃから排気室１３内に流入し、該排気
室１３からガス排気通路１３ａを通って石英ガラス管２
１外に排気される。
そしてこの際本実施例では、カーテンガス８及び反応ガ
ス７は各々の供給室１５．１４内において、各供給口１
５ｃ、１４ｄの吐出抵抗が大きいことからガラス管２１
の軸方向においてその圧力が均一になり、そのため全て
の供給口１５ｃ、１４ｄから均一の圧力でもって反応室
内に供給され、また排気口１３ｃの吸い込み抵抗により
反応室内のガス圧力はガスの流れと直角方向において均
一となり、排気ガスは全ての排気口１３ｃから一様に排
気室１３内に吸い込まれ、その結果基板４上での反応ガ
ス７の濃度はガスの流れ方向と直角方向において均一に
なる。また、本実施例では、反応ガス７は石英ガラス管
２１の軸直角方向に供給−され、その流れる距離が短か
く、従って基板４上での反応ガス７の流れ方向の濃度も
均一になり、結局基板４上での反応ガス７の濃度はその
全面において均一になることとなり、該基板４上に膜厚
の均一な薄膜が形成される。
ス７は各々の供給室１５．１４内において、各供給口１
５ｃ、１４ｄの吐出抵抗が大きいことからガラス管２１
の軸方向においてその圧力が均一になり、そのため全て
の供給口１５ｃ、１４ｄから均一の圧力でもって反応室
内に供給され、また排気口１３ｃの吸い込み抵抗により
反応室内のガス圧力はガスの流れと直角方向において均
一となり、排気ガスは全ての排気口１３ｃから一様に排
気室１３内に吸い込まれ、その結果基板４上での反応ガ
ス７の濃度はガスの流れ方向と直角方向において均一に
なる。また、本実施例では、反応ガス７は石英ガラス管
２１の軸直角方向に供給−され、その流れる距離が短か
く、従って基板４上での反応ガス７の流れ方向の濃度も
均一になり、結局基板４上での反応ガス７の濃度はその
全面において均一になることとなり、該基板４上に膜厚
の均一な薄膜が形成される。
また、本実施例では光源２１を石英ガラス管２１の上側
平坦部２１ａの外側に配設したので、基板４から光源１
２までの距離が、従来のような円弧状部の外側に配置し
た場合より近くなり、その分基板４上での照度が増大し
、また基板４を平行な面内に配置でき、照度が均一にな
り、その結果基板４の全面において均一な膜厚の薄膜が
能率よ（形成されることとなる。
平坦部２１ａの外側に配設したので、基板４から光源１
２までの距離が、従来のような円弧状部の外側に配置し
た場合より近くなり、その分基板４上での照度が増大し
、また基板４を平行な面内に配置でき、照度が均一にな
り、その結果基板４の全面において均一な膜厚の薄膜が
能率よ（形成されることとなる。
このように本実施例では、反応ガス７の基板４上での濃
度を均一にでき、また光の照度を増大できるとともにこ
れを均一にでき、そのため薄膜の膜厚の均−性及び製造
能率を向上できる。
度を均一にでき、また光の照度を増大できるとともにこ
れを均一にでき、そのため薄膜の膜厚の均−性及び製造
能率を向上できる。
なお、上記実施例では、反応ガス７を石英ガラス管２１
の軸直角方向に供給する場合について説明したが、本発
明は反応ガスを軸方向に供給する場合にも適用できるも
のであり、また上記実施例では、反応室が管状のもので
ある場合について説 ゛明したが、本発明はこれ以外の
反応室を備えた半導体製造装置にも適用でき、要は反応
ガスをその流れに直角な方向に均一の圧力でもって反応
室に供給するように構成すればよい。
の軸直角方向に供給する場合について説明したが、本発
明は反応ガスを軸方向に供給する場合にも適用できるも
のであり、また上記実施例では、反応室が管状のもので
ある場合について説 ゛明したが、本発明はこれ以外の
反応室を備えた半導体製造装置にも適用でき、要は反応
ガスをその流れに直角な方向に均一の圧力でもって反応
室に供給するように構成すればよい。
以上のように本発明に係る半導体製造装置によれば、反
応室内に供給側均圧室、排気側均圧室を設けたので、反
応ガスの流れと直角な方向のガス濃度を均一にでき、そ
の結果薄膜の膜厚の均一性を向上できる効果がある。
応室内に供給側均圧室、排気側均圧室を設けたので、反
応ガスの流れと直角な方向のガス濃度を均一にでき、そ
の結果薄膜の膜厚の均一性を向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置の断面
側面図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３図は第
１図の■−■線断面図、ｇＪ４図は従来の半導体製造装
置の断面側面図、第５図はその断面正面図である。 ４・・・基板、７・・・反応ガス、１３・・・ガス排気
室（排気側均圧室）、１３ｂ・・・対向面、１３ｃ・・
・ガス排気口、１４・・・ガス供給室（供給側均圧室）
、１しト・・対向面、１４ｄ・・・ガス供給口、ｚｌ・
・・石英ガラス管、２２・・・光源。
側面図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３図は第
１図の■−■線断面図、ｇＪ４図は従来の半導体製造装
置の断面側面図、第５図はその断面正面図である。 ４・・・基板、７・・・反応ガス、１３・・・ガス排気
室（排気側均圧室）、１３ｂ・・・対向面、１３ｃ・・
・ガス排気口、１４・・・ガス供給室（供給側均圧室）
、１しト・・対向面、１４ｄ・・・ガス供給口、ｚｌ・
・・石英ガラス管、２２・・・光源。
Claims (2)
- （１）反応室内の反応ガスに光源からの光を投射して光
化学反応を生じさせ該反応ガス中に置かれた基板上に薄
膜を形成させる半導体製造装置において、上記反応ガス
をその流れ方向と直角な面内で均一な圧力でもって供給
するための供給側均圧室及び排気側均圧室が上記反応室
内に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。 - （２）上記反応室は横断面長円形の石英ガラス管からな
り、上記供給側均圧室及び排気側均圧室は、上記石英ガ
ラス管の長円形長手方向の両側内部に管軸方向に向けて
対向配設された管からなり、該両管の対向面には小径の
穴又はスリットであるガス供給口、ガス排気口が形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107384A JPS61129818A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25107384A JPS61129818A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129818A true JPS61129818A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17217224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25107384A Pending JPS61129818A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129818A (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP25107384A patent/JPS61129818A/ja active Pending
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