JPS6112666A - 置換アザビシクロアルカン及びそれを含有する医薬 - Google Patents
置換アザビシクロアルカン及びそれを含有する医薬Info
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- JPS6112666A JPS6112666A JP60132121A JP13212185A JPS6112666A JP S6112666 A JPS6112666 A JP S6112666A JP 60132121 A JP60132121 A JP 60132121A JP 13212185 A JP13212185 A JP 13212185A JP S6112666 A JPS6112666 A JP S6112666A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、価値ある薬理学的性質を有する新規なアミ
ノフェニル置換アザビシクロアルカン及び該化合物の塩
、゛この物質及びこの物質を含有する医薬の使用、この
医薬、この新規化合物の製造方法、並びに中間体及び該
中間体の製造方法に関する。
ノフェニル置換アザビシクロアルカン及び該化合物の塩
、゛この物質及びこの物質を含有する医薬の使用、この
医薬、この新規化合物の製造方法、並びに中間体及び該
中間体の製造方法に関する。
この発明は次の式(I)、
4人
〔式中、水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪族、脂環
族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香R2は水素、低
級アルキル、スルホ、又はアシルであ、C1R,は水素
、又は低級アルキルであり、そしてR4は水素、低級ア
ルキル、7・アシル、又は、−N (R2XR3)によ
多置換されたフェニルである〕で表わされる1−フェニ
ル−3−アザビシクロ〔3.1,1,〕〕ヘプタンー2
,4−ジオンン及びこの化合物の塩に関する。
族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香R2は水素、低
級アルキル、スルホ、又はアシルであ、C1R,は水素
、又は低級アルキルであり、そしてR4は水素、低級ア
ルキル、7・アシル、又は、−N (R2XR3)によ
多置換されたフェニルである〕で表わされる1−フェニ
ル−3−アザビシクロ〔3.1,1,〕〕ヘプタンー2
,4−ジオンン及びこの化合物の塩に関する。
この発明において、低級アルキル、低級アルコキシ、低
級アルカノイル等に用いる「低級」なる語は特にことわ
らない限シ、これらの基が7個以下、好ましくは4個以
下の炭素原子を含有することを意味する。
級アルカノイル等に用いる「低級」なる語は特にことわ
らない限シ、これらの基が7個以下、好ましくは4個以
下の炭素原子を含有することを意味する。
この記載において使用される一般的用語及び定義は次の
意味を有する。
意味を有する。
基−N(R2)(R3)はフェニル基の2−.3− 。
又は4−位に存在することができる。
飽和の又は不飽和の脂肪族、脂環族又は脂環−脂肪族炭
化水素基R1は、例えばアルキル、アルケニル、低級ア
ルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロ
アルキル−低級アルキル、シクロアルキル低級アルケニ
ル又はシクロアルケニル低級アルキル、あるいは非置換
の又は置換されたアリール又はアリール低級アルキルで
ある。
化水素基R1は、例えばアルキル、アルケニル、低級ア
ルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロ
アルキル−低級アルキル、シクロアルキル低級アルケニ
ル又はシクロアルケニル低級アルキル、あるいは非置換
の又は置換されたアリール又はアリール低級アルキルで
ある。
アルキルR1は例えば1〜12個の炭素原子を有・し、
そして例えば1〜7個の炭素原子を有する低級アルキル
であり、例えばメチル、エチル、n−プロピル、インゾ
ロビル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、
n−ペンチル、ネオペンチル、n−へキシル又はn−へ
ブチル、さらにはn−オクチル、n−ノニル、n−デシ
ル、n−ウンデシル又はn−ドデシルで6る。
そして例えば1〜7個の炭素原子を有する低級アルキル
であり、例えばメチル、エチル、n−プロピル、インゾ
ロビル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、
n−ペンチル、ネオペンチル、n−へキシル又はn−へ
ブチル、さらにはn−オクチル、n−ノニル、n−デシ
ル、n−ウンデシル又はn−ドデシルで6る。
アルケニルR4は、例えば2〜12個の炭素原子を有し
、そして例えば炭素原子数3〜7個の低級アルケニルで
ちゃ、例えばフリル、又は2−もしくは3−ブテニル、
さらには2−オクテニル、2−ノネニル、2−デセニル
、2−ウンデセニル又は2−ドデセニルであり、さらに
二重結合が2位以外の場所に存在することもできる。
、そして例えば炭素原子数3〜7個の低級アルケニルで
ちゃ、例えばフリル、又は2−もしくは3−ブテニル、
さらには2−オクテニル、2−ノネニル、2−デセニル
、2−ウンデセニル又は2−ドデセニルであり、さらに
二重結合が2位以外の場所に存在することもできる。
低級アルキニルR4は、例えば2〜7個、好ましくは3
〜4個の炭素原子を有し、そして例えば2−プロピニル
又は2−ブチニルである。
〜4個の炭素原子を有し、そして例えば2−プロピニル
又は2−ブチニルである。
シクロアルキルR1は、例えば3〜10個、好ましぐは
3〜−6個の炭素原子を有し、そして例えばシクロゾロ
ピル、シクロペンチル、シクロペンチル又はシクロヘキ
シルであるジ シクロアルケニルR1は、例えば3〜10個、好ま゛し
くは3〜6個の炭素原子を有し、そして例えば2−シク
ロヘキセニル又は2.5−シクロヘキサジェニルである
。
3〜−6個の炭素原子を有し、そして例えばシクロゾロ
ピル、シクロペンチル、シクロペンチル又はシクロヘキ
シルであるジ シクロアルケニルR1は、例えば3〜10個、好ま゛し
くは3〜6個の炭素原子を有し、そして例えば2−シク
ロヘキセニル又は2.5−シクロヘキサジェニルである
。
シクロアルキル低級アルキルR1は、例えば4〜10個
、子ましくは4〜7個の炭素原子を有し、そして例えば
シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、フクロイ
ンチルメチル又はシクロヘキシルメチル、さらに2−シ
クロゾロビルエチル、2−シクロブチルエチル、2−゛
シクロペンチルーエチル又は2−シクロヘキシルエチル
である。
、子ましくは4〜7個の炭素原子を有し、そして例えば
シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、フクロイ
ンチルメチル又はシクロヘキシルメチル、さらに2−シ
クロゾロビルエチル、2−シクロブチルエチル、2−゛
シクロペンチルーエチル又は2−シクロヘキシルエチル
である。
シクロアルキル低級アルケニルR1は、例えば5〜10
個、好ましくは4〜9個の炭素原子を有し、(LllJ
えばシクロヘキシルビニル又ハシクロヘキシルアリルで
ある。
個、好ましくは4〜9個の炭素原子を有し、(LllJ
えばシクロヘキシルビニル又ハシクロヘキシルアリルで
ある。
シクロアルケニル低級アルキルR4は、例えば4〜10
個、好ましくは4〜8個の炭素原子を有し、そして例え
ば1−シクロへキセニルメチル又は、1.4−シf/ロ
ヘキサジエニルメチル、さらには2−(I−シクロヘキ
セニル)−エチル又は2−(I,4−シクロヘキサジェ
ニル)−エチルである。
個、好ましくは4〜8個の炭素原子を有し、そして例え
ば1−シクロへキセニルメチル又は、1.4−シf/ロ
ヘキサジエニルメチル、さらには2−(I−シクロヘキ
セニル)−エチル又は2−(I,4−シクロヘキサジェ
ニル)−エチルである。
非置換の又は置換されたアリールR1は、例えば6〜1
2個の炭素原子を有し、そして例えば、フェニル又は1
−もしくは2−ナフチルであり、このフェニル又はナフ
チルは場合によっては低級アルキル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ、アシルオキシ、アミン、低級アルキルアミ
ノ、ジー低級アルキルアミノ、アシルアミノ又はハロゲ
ンにより置換されてお9、この置換基は複数存在するこ
とができ、フェニル環の2−.3−又は4−位に存在し
、例えば4−メチルフェニル、4−メチル−1−ナフチ
ル、4−ヒドロキシフェニル、31)しくは4−メトキ
シフェニル、3.4−ジメトキシフェニル、4−アセト
キシフェニル、3−もしくは4−ジメチルアミノフェニ
ル、4−アセタミ/7ヱニル、31+L<は4−クロロ
フェニル、又は4−ブロモフェニルである。
2個の炭素原子を有し、そして例えば、フェニル又は1
−もしくは2−ナフチルであり、このフェニル又はナフ
チルは場合によっては低級アルキル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ、アシルオキシ、アミン、低級アルキルアミ
ノ、ジー低級アルキルアミノ、アシルアミノ又はハロゲ
ンにより置換されてお9、この置換基は複数存在するこ
とができ、フェニル環の2−.3−又は4−位に存在し
、例えば4−メチルフェニル、4−メチル−1−ナフチ
ル、4−ヒドロキシフェニル、31)しくは4−メトキ
シフェニル、3.4−ジメトキシフェニル、4−アセト
キシフェニル、3−もしくは4−ジメチルアミノフェニ
ル、4−アセタミ/7ヱニル、31+L<は4−クロロ
フェニル、又は4−ブロモフェニルである。
非置換の又は置換されたアリール−低級アルキルR1は
、例えば7〜15個の炭素原子を有し、そして例えばベ
ンジル、2−フェニルエチル、又ハ1−もしくは2−ナ
フチルメチルであり、これらのアリール基はアリールR
1中の基と同じ基により置換されていてもよく、例えば
4−メチルベンジル、4−メトキシベンシル、” 3
、4−ジメトキシベニy)ル、2− (4−メトキシフ
ェニル)−エチル、又は4−ジメチルアミノベンジルで
ある。
、例えば7〜15個の炭素原子を有し、そして例えばベ
ンジル、2−フェニルエチル、又ハ1−もしくは2−ナ
フチルメチルであり、これらのアリール基はアリールR
1中の基と同じ基により置換されていてもよく、例えば
4−メチルベンジル、4−メトキシベンシル、” 3
、4−ジメトキシベニy)ル、2− (4−メトキシフ
ェニル)−エチル、又は4−ジメチルアミノベンジルで
ある。
低級アルキルR2又はR5は、R1について記載した意
味を有し、そして好ましくはメチル又はエチルである。
味を有し、そして好ましくはメチル又はエチルである。
アシルR2は、例えば19個以下の炭素原子を有し、そ
してカルデン酸、炭素半エステル、カルバミン酸、置換
カルバミン酸、スルホン酸、アミドスルホン酸又は置換
アミドスルホン酸から誘導される。
してカルデン酸、炭素半エステル、カルバミン酸、置換
カルバミン酸、スルホン酸、アミドスルホン酸又は置換
アミドスルホン酸から誘導される。
アシルR2は、例えば式Rb−C0−,R’−0−CO
−。
−。
(Rb)(Rb)N−CO−、R’−8o2−又は(R
b) (Rb)N−802−で表わされ、式中HILは
炭素原子数18個以下、好ましくは10個以下の飽和の
又は不飽和の脂肪族、脂環族又は脂環−脂肪族炭化水素
基、あるいは炭素原子数18個以下、好ましくは10個
以下の芳香族又は芳香−脂肪族炭化水素基であり、Bb
は水素でsb又はR1と岡じ意味を有し、2個の基Rが
存在する場合には、この2個の基Rbは同一でも異って
いてもよい。
b) (Rb)N−802−で表わされ、式中HILは
炭素原子数18個以下、好ましくは10個以下の飽和の
又は不飽和の脂肪族、脂環族又は脂環−脂肪族炭化水素
基、あるいは炭素原子数18個以下、好ましくは10個
以下の芳香族又は芳香−脂肪族炭化水素基であり、Bb
は水素でsb又はR1と岡じ意味を有し、2個の基Rが
存在する場合には、この2個の基Rbは同一でも異って
いてもよい。
飽和の又は不飽和の脂肪族、脂環族又は脂環−脂肪族炭
化水素基R&又はHbは、R1について記載した意味を
有し、そして好ましくは低級アルキル、例えばメチル又
はエチルである。
化水素基R&又はHbは、R1について記載した意味を
有し、そして好ましくは低級アルキル、例えばメチル又
はエチルである。
芳香族又は芳香−脂肪族炭化水素基R8又はRbは、例
えばフェニル、フェニル低級アルキル、例、tばベンジ
ル又はジフェニルメチルである。
えばフェニル、フェニル低級アルキル、例、tばベンジ
ル又はジフェニルメチルである。
アシル基R2は好ましくは低級アルカノイル、例見ばホ
ルミル又はアセチル、又は低級アルカンスルホニル、例
エバメタンスルホニルもしくはエタンスルホニルである
。
ルミル又はアセチル、又は低級アルカンスルホニル、例
エバメタンスルホニルもしくはエタンスルホニルである
。
低級アルキルR4は、例えばメチル、エチル、n−プロ
ピル、インプロピル、n−ブチル、イソブチル、ter
t−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシ
ル、又はn−ヘゾチルである。
ピル、インプロピル、n−ブチル、イソブチル、ter
t−ブチル、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシ
ル、又はn−ヘゾチルである。
−N (R2XR3)により置換されたフェニル基R4
において、R2及びR3は前記の意味を有し、そしてフ
ェニル環は2−23−又は4−位において置換されてい
てもよい。
において、R2及びR3は前記の意味を有し、そしてフ
ェニル環は2−23−又は4−位において置換されてい
てもよい。
塩形成基を有する式(I)のこの発明の化合物の塩は、
特に医薬として許容される無毒性塩である。
特に医薬として許容される無毒性塩である。
このような塩は、例えばフェニル環のアミノ基に、無機
酸、例えば塩酸、硫酸、低級アルカンスルホン酸又はリ
ン酸を付加することによって形成され、そして例えば塩
酸塩、硫酸、水素塩、メタンスルホン酸塩、リン酸−水
素塩又はリン酸二水素塩である。
酸、例えば塩酸、硫酸、低級アルカンスルホン酸又はリ
ン酸を付加することによって形成され、そして例えば塩
酸塩、硫酸、水素塩、メタンスルホン酸塩、リン酸−水
素塩又はリン酸二水素塩である。
他の酸付加塩は、例えばカルボン酸塩から形成され、そ
して例えば蟻酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、安息
香酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、又はサリチル酸塩であ
る。
して例えば蟻酸塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、安息
香酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、又はサリチル酸塩であ
る。
式(I)の化合物はまた水和物の形でも存在することが
できる。
できる。
この発明は特に、R1が水素、アルキル、アルケニル1
低級アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、
シクロアルキル−低級アルキル、シクロアルキル−低級
アルケニル、シクロアルケニル−低級アルキル、又は非
置換のもしくは置換されたアリールもしくはアリール低
級アルキルであり、R2が水素、低級アルキル、スルホ
、低級アルカノイル、又は低級アルカンスルホニルでア
シ、R3が水素、又は低級アルキルでアシ、そしてR4
が水素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R2XR
3)により置換されたフェニルである式(I)の化合物
、及びその塩、特に医薬として許容される塩に関する。
低級アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、
シクロアルキル−低級アルキル、シクロアルキル−低級
アルケニル、シクロアルケニル−低級アルキル、又は非
置換のもしくは置換されたアリールもしくはアリール低
級アルキルであり、R2が水素、低級アルキル、スルホ
、低級アルカノイル、又は低級アルカンスルホニルでア
シ、R3が水素、又は低級アルキルでアシ、そしてR4
が水素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R2XR
3)により置換されたフェニルである式(I)の化合物
、及びその塩、特に医薬として許容される塩に関する。
この発明は特に、R1が水素、炭素原子数12個以下の
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソ
ゾロビル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル
、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシルもしくは
n−へエチル、及びn−オクチル、n−ノニル、n−デ
シル、n−ウンデシルもしくはn−ドデシル、低級アル
ケニル、例えばアリルもしくは2−ブテニル、低級アル
キニル、例えば2−プロピニルもしくは2−ブチニル、
シクロアルキル、側光ばシクロゾロビル、シクロアルモ
シくハシクロヘキシル、シクロアルキル−低級アルキル
、例えばシクロペンチルメチルもしく控シクロヘキシル
メチル、又は非置換のもしくは置換されたアリール−低
級アルキル、例えばベンジルもしくは4−メトキシベン
ジルであり、R2が水素、低級アルキル、例えばメチル
、低級アルカノイル、例えばアセチル、又は低級アルカ
ンスルホニル、例えばメタンスルホニルであC1R3が
水素、又は低級アルキル、例えばメチルであり、そして
R4が水素、低級アルキル、例えばメチル、エチル、′
n−プロピル、イソゾロビル、n−ブチル、イソブチル
もしくはtert−ブチル、フェニル、又は−N(R2
)(R3) Kよジ置換されたフェニルである式(I)
の化合物、及びその塩、特に医業として許容される塩に
関する。
アルキル、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソ
ゾロビル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル
、n−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシルもしくは
n−へエチル、及びn−オクチル、n−ノニル、n−デ
シル、n−ウンデシルもしくはn−ドデシル、低級アル
ケニル、例えばアリルもしくは2−ブテニル、低級アル
キニル、例えば2−プロピニルもしくは2−ブチニル、
シクロアルキル、側光ばシクロゾロビル、シクロアルモ
シくハシクロヘキシル、シクロアルキル−低級アルキル
、例えばシクロペンチルメチルもしく控シクロヘキシル
メチル、又は非置換のもしくは置換されたアリール−低
級アルキル、例えばベンジルもしくは4−メトキシベン
ジルであり、R2が水素、低級アルキル、例えばメチル
、低級アルカノイル、例えばアセチル、又は低級アルカ
ンスルホニル、例えばメタンスルホニルであC1R3が
水素、又は低級アルキル、例えばメチルであり、そして
R4が水素、低級アルキル、例えばメチル、エチル、′
n−プロピル、イソゾロビル、n−ブチル、イソブチル
もしくはtert−ブチル、フェニル、又は−N(R2
)(R3) Kよジ置換されたフェニルである式(I)
の化合物、及びその塩、特に医業として許容される塩に
関する。
この発明は特に、R1が水素、低級アルキル、例えばメ
チル、エチル、n−プロピル、インプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、tart−エチル、n−ペンチル、ネ
オペンチル、n−ヘキシル4L<はn−ヘプチル、低級
アルケニル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2
−プロピニル、シクロアルキル、例えばシクロヘキシル
、シクロアルキル−低級アルキル、例えばシクロヘキシ
ルメチルであり、R2及びR3が水素であり、そしてR
4が水素、低級アルキル、例えばメチル、エチル、n−
プロビル、インゾロビル、n−ブチル、イソブチルもし
くはtert−ブチル、フェニル、又は−N(R2)(
R3)により置換されたフェニルで6.b式(I)の化
合物、及びその医薬として許容される塩に関する。
チル、エチル、n−プロピル、インプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、tart−エチル、n−ペンチル、ネ
オペンチル、n−ヘキシル4L<はn−ヘプチル、低級
アルケニル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2
−プロピニル、シクロアルキル、例えばシクロヘキシル
、シクロアルキル−低級アルキル、例えばシクロヘキシ
ルメチルであり、R2及びR3が水素であり、そしてR
4が水素、低級アルキル、例えばメチル、エチル、n−
プロビル、インゾロビル、n−ブチル、イソブチルもし
くはtert−ブチル、フェニル、又は−N(R2)(
R3)により置換されたフェニルで6.b式(I)の化
合物、及びその医薬として許容される塩に関する。
この発明は特に、基−N(R2XR3)がフェニル基の
4位に存在し、R1が水素、低級アルキル、例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、インブチルもしくはtert−ブチル、低級アルケニ
ル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2−プロピ
ニル、シクロアルキル−低級アルキル、例えばシ〉ロヘ
キシルメチルであり、R2及びR3が水素であり、そし
てR4が水素、又は低級アルキル、例えばメチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル又はtert−ブチルである式(I)の化合物、及
びその医薬として許容される塩に関する。
4位に存在し、R1が水素、低級アルキル、例えばメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、インブチルもしくはtert−ブチル、低級アルケニ
ル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2−プロピ
ニル、シクロアルキル−低級アルキル、例えばシ〉ロヘ
キシルメチルであり、R2及びR3が水素であり、そし
てR4が水素、又は低級アルキル、例えばメチル、エチ
ル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブ
チル又はtert−ブチルである式(I)の化合物、及
びその医薬として許容される塩に関する。
この発明は特に、基−N(R2XR3)がフェニル基の
4−位に存在し、R1が水素、炭素原数12個以下のア
ルキル、例えば低級アルキル、例えばメチル、エチル、
n−7’ロビル、イソゾロビル、n−プチル、イソブチ
ル、n−4ンチル、ネオペンチル、n−ヘキシルもしく
はn−へエチル、及びn−オクチル、n−ノニル、n−
デシル、n−ウンデシルもしくはn−ドデシル、低級ア
ルケニル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2−
プロビニル、シクロアルキル、例えばシクロインチルも
しくはシクロヘキシル、シクロアルキルメチル、例えば
シクロインチルメチルもしくは7クロヘキシルメチル、
ベンツル、又はベンジル(アルキル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ又は低級アルカノイルオキシにより置換され
ている)、例えば4−メトキシベンジルであり、そして
R2,R3及びR4が水素である式(I)の化合物、及
びその医薬として許容さ几る塩に関する。
4−位に存在し、R1が水素、炭素原数12個以下のア
ルキル、例えば低級アルキル、例えばメチル、エチル、
n−7’ロビル、イソゾロビル、n−プチル、イソブチ
ル、n−4ンチル、ネオペンチル、n−ヘキシルもしく
はn−へエチル、及びn−オクチル、n−ノニル、n−
デシル、n−ウンデシルもしくはn−ドデシル、低級ア
ルケニル、例えばアリル、低級アルキニル、例えば2−
プロビニル、シクロアルキル、例えばシクロインチルも
しくはシクロヘキシル、シクロアルキルメチル、例えば
シクロインチルメチルもしくは7クロヘキシルメチル、
ベンツル、又はベンジル(アルキル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ又は低級アルカノイルオキシにより置換され
ている)、例えば4−メトキシベンジルであり、そして
R2,R3及びR4が水素である式(I)の化合物、及
びその医薬として許容さ几る塩に関する。
この発明は特に、例に記載する発明に関する。
この発明はまた、R1,R2,R,及びR4が上記の意
味を有する式(I)の化合物を含有する医薬、及びヒト
又は動物の体を処置するための方法におけるこれらの化
合物の使用に関する。
味を有する式(I)の化合物を含有する医薬、及びヒト
又は動物の体を処置するための方法におけるこれらの化
合物の使用に関する。
式(I)の新規化合物、及びその医薬として許容される
塩は、例えばアロマターゼ阻害物質として価値ある薬理
学的性質を有する。式(I)の化合物のアロマターゼ阻
害物質としての性質は、ダラーブス(Graves)P
、E、及びサルノ・ニク(Salhanlck)H。
塩は、例えばアロマターゼ阻害物質として価値ある薬理
学的性質を有する。式(I)の化合物のアロマターゼ阻
害物質としての性質は、ダラーブス(Graves)P
、E、及びサルノ・ニク(Salhanlck)H。
A、、工/ドクリノロジ−(Endocrinolog
y)第105巻、第52頁(I976)の「アロマター
ゼアッセイ」により、ヒトの胎盤ミクロゾームを用いて
、試験管内試験により証明することができる。この試験
方法においては、〔1β、2β−3H〕−テストステロ
ンからのトリチウム同位元素を有する水と17β−エス
トラジオールの生成が、アロマターゼコエンチム、すな
わちニコチン酸アミド−アデニン−ジ−ヌクレオチドホ
スフェート(NADPH)の水素化型の生成に対する式
(I)の化合物の作用の結果として測定される。式(I
)のこの発明の化合物、例えば1−(4−アミノフェニ
ル)−3−n−プロピル−3−アザビシクロ〔3.1,
1)へブタン−2,4−ジオンの添加により、酵素活性
(NADPff(の量)が実質的に低下し、これにより
、放射性トリチウム同位元素を有する水の量が、式(I
>のこの発明の化合物を添加しなかった場合の測定値に
比べて明らかに減少する。さらに、比較試験の結果、式
(I)のこの発明の化合物、例えば]、 −(]4−ア
ミノフェニル−3−n−プロビル−3−アザビシクロ(
a、t、1:]へ]ブタンー2,4−ジオを添加した場
合、同濃度の他の公知のアロマターゼ阻害物質、例えば
アミノグルテチミド(aminoglutethimi
de)を添加した場合に比べて酵素活性の低下が非常に
強いことが明らかとなる。
y)第105巻、第52頁(I976)の「アロマター
ゼアッセイ」により、ヒトの胎盤ミクロゾームを用いて
、試験管内試験により証明することができる。この試験
方法においては、〔1β、2β−3H〕−テストステロ
ンからのトリチウム同位元素を有する水と17β−エス
トラジオールの生成が、アロマターゼコエンチム、すな
わちニコチン酸アミド−アデニン−ジ−ヌクレオチドホ
スフェート(NADPH)の水素化型の生成に対する式
(I)の化合物の作用の結果として測定される。式(I
)のこの発明の化合物、例えば1−(4−アミノフェニ
ル)−3−n−プロピル−3−アザビシクロ〔3.1,
1)へブタン−2,4−ジオンの添加により、酵素活性
(NADPff(の量)が実質的に低下し、これにより
、放射性トリチウム同位元素を有する水の量が、式(I
>のこの発明の化合物を添加しなかった場合の測定値に
比べて明らかに減少する。さらに、比較試験の結果、式
(I)のこの発明の化合物、例えば]、 −(]4−ア
ミノフェニル−3−n−プロビル−3−アザビシクロ(
a、t、1:]へ]ブタンー2,4−ジオを添加した場
合、同濃度の他の公知のアロマターゼ阻害物質、例えば
アミノグルテチミド(aminoglutethimi
de)を添加した場合に比べて酵素活性の低下が非常に
強いことが明らかとなる。
アロマターゼ阻害物質としてのこれらの作用に基き、R
1#R2#R3及びR4が前記の意味を有するλ(I)
の化合物又はその塩は、医薬として、例えば医薬製剤の
形で、温血動物(ヒト及び動物)のホルモン性疾患、例
えばホルモン性腫瘍、例えばオニストロンの過剰生産に
依存する腫瘍、特に乳癌(mammary carei
noma)及びホルモン異常、例えば女性化乳房(gy
necomastia)又は前立腺肥大(prosta
te hyperplasia)の治療において、温血
動物(ヒト及び動物)において、医薬として有効な量を
経腸投与、例えば経口投与、又は非経口投与することに
より使用することができる。
1#R2#R3及びR4が前記の意味を有するλ(I)
の化合物又はその塩は、医薬として、例えば医薬製剤の
形で、温血動物(ヒト及び動物)のホルモン性疾患、例
えばホルモン性腫瘍、例えばオニストロンの過剰生産に
依存する腫瘍、特に乳癌(mammary carei
noma)及びホルモン異常、例えば女性化乳房(gy
necomastia)又は前立腺肥大(prosta
te hyperplasia)の治療において、温血
動物(ヒト及び動物)において、医薬として有効な量を
経腸投与、例えば経口投与、又は非経口投与することに
より使用することができる。
この発明の化合物、特に制癌作用を有する化合物を、医
薬として、ヒト又は動物の治療のための前記の方法によ
シ使用することもこの発明の対象である。
薬として、ヒト又は動物の治療のための前記の方法によ
シ使用することもこの発明の対象である。
これらの化合物の哺乳動物に対する日用量は、種に依存
して、そしてヒトの場合には年齢、個体の状態及び投与
方法に依存して、約1即〜約100〜勺体重、好ましく
は約51n9〜約501n9/kg体重である。投与量
はこの範囲内において、非経腸投与、例えば筋肉内注射
もしくは皮下注射、又は静脈内注入の場合には、経腸投
与、すなわち経口投与又は直腸投与の場合に比べて一般
に少ない。
して、そしてヒトの場合には年齢、個体の状態及び投与
方法に依存して、約1即〜約100〜勺体重、好ましく
は約51n9〜約501n9/kg体重である。投与量
はこの範囲内において、非経腸投与、例えば筋肉内注射
もしくは皮下注射、又は静脈内注入の場合には、経腸投
与、すなわち経口投与又は直腸投与の場合に比べて一般
に少ない。
式(I)の化合物、及び塩形成性を有する該化合物の医
薬として許容される塩は、経口投与又は直腸投与により
、特に単位投与形として、例えば錠剤、糖衣丸又はカプ
セル剤、さらには生薬として、そして非経腸投与によシ
、特に注射溶液、乳剤又は懸濁液として、又は注入溶液
として使用され、特に塩の溶液として使用される。
薬として許容される塩は、経口投与又は直腸投与により
、特に単位投与形として、例えば錠剤、糖衣丸又はカプ
セル剤、さらには生薬として、そして非経腸投与によシ
、特に注射溶液、乳剤又は懸濁液として、又は注入溶液
として使用され、特に塩の溶液として使用される。
さらに、経腸投与、例えば経口投与もしくは直腸投与、
又は非経腸投与のための医薬製剤もこの発明の対象であ
り、これらは式(I)の化合物、又は塩形成基を有する
該化合物の医薬として許容される塩の医薬として有効な
量を、場合によっては、無機又は有機の固体又は液体の
医薬として許容される担体又は担体混合物と共に含んで
成る。特に経口投与用の対応する単位投与剤は、例えば
糖衣丸、錠剤又はカプセルでちゃ、これらは好ましくは
約50m9〜約500mg、特に約100M9〜約40
0■の式(I)の化合物、又は・塩形成し得る該化合物
の医薬として許容される塩を医薬として許容される担体
と共に含んで成る。
又は非経腸投与のための医薬製剤もこの発明の対象であ
り、これらは式(I)の化合物、又は塩形成基を有する
該化合物の医薬として許容される塩の医薬として有効な
量を、場合によっては、無機又は有機の固体又は液体の
医薬として許容される担体又は担体混合物と共に含んで
成る。特に経口投与用の対応する単位投与剤は、例えば
糖衣丸、錠剤又はカプセルでちゃ、これらは好ましくは
約50m9〜約500mg、特に約100M9〜約40
0■の式(I)の化合物、又は・塩形成し得る該化合物
の医薬として許容される塩を医薬として許容される担体
と共に含んで成る。
適当カ担体は特に、充填剤、例えば糖、例えばラクトー
ス、シュークロース、マンニトール又ハソルビトール、
セルロース製材料、及び/又は燐酸カルシウム、例えば
第三燐酸カルシウムもしくは燐酸水素カルシウム、さら
には結合剤、例えば澱粉ペースト例えばトウモロコシ澱
粉、小麦澱粉、米澱粉もしくけバレイショ澱粉の澱粉糊
、ゼラチン、トラガカント、メチルセルロース、及び/
又は所望によシ崩壊剤、例えば前記の澱粉、さらにはカ
ルぎキシメチル澱粉、架橋ポリビニルピロリドン、寒天
、アルギン酸もしくはその塩、例えばアルギン酸ナトリ
ウムでちる。助剤は特に、流動調節剤及び滑剤、例えば
シリカ、タルク、ステアリン酸もしくはその塩、例えば
ステアリン酸マグネシウムもしくはステアリン酸カルシ
ウム、及び/又はポリエチレングリコールである。糖衣
丸剤の心は、適当な、場合によっては胃液耐性を有する
被覆を有することができ、この被覆は、場合によっては
アラビアガム、タルク、ポリビニルピロリドン、ポリエ
チレングリコール及び/又は酸化チタンを含有する濃厚
糖溶液、又は適当な有機溶剤もしくは溶剤混合物中ラッ
カー溶液、あるいは胃液耐性被覆の形成のためには適当
なセルロース製材料、側光ばアセチルセルロースフタレ
ートもしくはヒドロキシゾロぎルメチルセルロースフタ
レートの溶液を用いて形成する。目的を区別するため、
又は活性成分の量の相違を示すために、錠剤又は糖衣剤
の被覆剤に、色素又は染料を添加することができる。
ス、シュークロース、マンニトール又ハソルビトール、
セルロース製材料、及び/又は燐酸カルシウム、例えば
第三燐酸カルシウムもしくは燐酸水素カルシウム、さら
には結合剤、例えば澱粉ペースト例えばトウモロコシ澱
粉、小麦澱粉、米澱粉もしくけバレイショ澱粉の澱粉糊
、ゼラチン、トラガカント、メチルセルロース、及び/
又は所望によシ崩壊剤、例えば前記の澱粉、さらにはカ
ルぎキシメチル澱粉、架橋ポリビニルピロリドン、寒天
、アルギン酸もしくはその塩、例えばアルギン酸ナトリ
ウムでちる。助剤は特に、流動調節剤及び滑剤、例えば
シリカ、タルク、ステアリン酸もしくはその塩、例えば
ステアリン酸マグネシウムもしくはステアリン酸カルシ
ウム、及び/又はポリエチレングリコールである。糖衣
丸剤の心は、適当な、場合によっては胃液耐性を有する
被覆を有することができ、この被覆は、場合によっては
アラビアガム、タルク、ポリビニルピロリドン、ポリエ
チレングリコール及び/又は酸化チタンを含有する濃厚
糖溶液、又は適当な有機溶剤もしくは溶剤混合物中ラッ
カー溶液、あるいは胃液耐性被覆の形成のためには適当
なセルロース製材料、側光ばアセチルセルロースフタレ
ートもしくはヒドロキシゾロぎルメチルセルロースフタ
レートの溶液を用いて形成する。目的を区別するため、
又は活性成分の量の相違を示すために、錠剤又は糖衣剤
の被覆剤に、色素又は染料を添加することができる。
さらに、経口投与剤には、ゼラチン製の差込みカプセル
、及びゼラチンと軟化剤、例えばグリセリンもしくはソ
ルビトールから作られた密閉ソフトカプセルがある。差
込みカプセルは、顆粒状の活性成分を、例えば充填剤、
例えばラクトース、結合剤、例えば澱粉及び/又は滑剤
、例えばタルクもしくはステアリン酸マグネシウム、及
び場合によっては安定剤との混合物として含有すること
ができる。ソフトカプセルにおいては、好ましくは活性
成分は適当な液体、例えば脂肪油、ノソラフイン油又は
流動性ポリエチレングリコールに溶解又は懸濁しておシ
、場合によってはさらに安定剤を含有することができる
。
、及びゼラチンと軟化剤、例えばグリセリンもしくはソ
ルビトールから作られた密閉ソフトカプセルがある。差
込みカプセルは、顆粒状の活性成分を、例えば充填剤、
例えばラクトース、結合剤、例えば澱粉及び/又は滑剤
、例えばタルクもしくはステアリン酸マグネシウム、及
び場合によっては安定剤との混合物として含有すること
ができる。ソフトカプセルにおいては、好ましくは活性
成分は適当な液体、例えば脂肪油、ノソラフイン油又は
流動性ポリエチレングリコールに溶解又は懸濁しておシ
、場合によってはさらに安定剤を含有することができる
。
直腸投与剤としては例えば生薬を挙げることができ、こ
れは活性成分と生薬基剤との組合わせから成る。生薬基
剤として、例えば天然もしくは合成トリグリセリド、パ
ラフィン系炭化水素、ポリエチレングリコール又は高級
アルカノールが適当である。さらに、直腸用ゼラチンカ
プセルを用いることができ、これは活性成分を基剤と組
合わせて含んで成る。基剤としては、流動性トリグリセ
ライド、ポリエチレングリコール又は・ぞラフイン系炭
化水素が好ましい。
れは活性成分と生薬基剤との組合わせから成る。生薬基
剤として、例えば天然もしくは合成トリグリセリド、パ
ラフィン系炭化水素、ポリエチレングリコール又は高級
アルカノールが適当である。さらに、直腸用ゼラチンカ
プセルを用いることができ、これは活性成分を基剤と組
合わせて含んで成る。基剤としては、流動性トリグリセ
ライド、ポリエチレングリコール又は・ぞラフイン系炭
化水素が好ましい。
非経腸投与のためには、特に、水溶性の活性成分、例え
ば水溶性塩の水溶液、及び活性成分の懸濁液、例えば対
応する注射用油性懸濁液が好ましく、この場合、適当な
脂質溶剤もしくは担体、例えば脂肪油、例えばゴマ油、
又は合成脂肪酸エステル、例えばオレイン酸エチル、又
はトリグリセリドを使用することができる。あるいは、
注射用水性懸濁液が好ましく、とれは増粘剤、例えばナ
トリウムカルブキシメチルセルロース、ソルビトール及
び/又はデキストラン、及び場合によ°っては安定剤を
含有する。
ば水溶性塩の水溶液、及び活性成分の懸濁液、例えば対
応する注射用油性懸濁液が好ましく、この場合、適当な
脂質溶剤もしくは担体、例えば脂肪油、例えばゴマ油、
又は合成脂肪酸エステル、例えばオレイン酸エチル、又
はトリグリセリドを使用することができる。あるいは、
注射用水性懸濁液が好ましく、とれは増粘剤、例えばナ
トリウムカルブキシメチルセルロース、ソルビトール及
び/又はデキストラン、及び場合によ°っては安定剤を
含有する。
以F余白
この発明の医薬は、それ自体公知の方法によシ、例えば
常用の混合法、造粒法、被覆法、溶解法及び凍結乾燥法
を用いて製造される。すなわち、経口投与用医薬は、活
性成分を固体担体と混合し、得られた混合物を場合によ
っては造粒し、そして所望によシ又は必要的に、追歯な
助剤を添加した後、前記の混合部又は顆粒を錠剤又は糖
衣丸の心に形成する。
常用の混合法、造粒法、被覆法、溶解法及び凍結乾燥法
を用いて製造される。すなわち、経口投与用医薬は、活
性成分を固体担体と混合し、得られた混合物を場合によ
っては造粒し、そして所望によシ又は必要的に、追歯な
助剤を添加した後、前記の混合部又は顆粒を錠剤又は糖
衣丸の心に形成する。
この発明はさらに、式(I)の化合物及びその塩の製造
方法に関する。この化合物は、それ自体公知の方法によ
り、例えば次のようにして製造することができる。
方法に関する。この化合物は、それ自体公知の方法によ
り、例えば次のようにして製造することができる。
a)次の式(損、
〔式中、R4及びR4は式(I)について前記した意味
を有し、そしてXは基−N(R2XR3)に転換され得
る基である、〕 で表わされる化合物又はその塩において、Xを基−N(
R2)(R3)に転換し;あるいは、b)次の式(2)
、 〔式中、R2,R,及びR4は式(I)について前記し
た意味を有し、モしてY、及びY2 は脱離基である、
〕 で表わされる化合物又はその塩を、基)N−R,を
゛もたらす化合物と反応せしめることにょシ環
化し;あるいは、 C)次の式(転) 以下余白 〔式中、R1,R2,R3及びR4は式(I)について
前記した意味を有する、〕 で表わされる化合物又はその塩を環化し、あるいは、 d)次の式(V)又は(ロ)、 〔式中、R4,R2,R3及び丸は式(I)について前
記した意味を有し、そしてYは脱離基である、〕で表わ
される化合物又はその塩を塩基と共に環化し; そして所望によシ、この方法によシ得られる式(I)の
化合物を定義に従う式(I)の他の化合物に転換し、そ
して/又は得られた塩を遊離化合物にもしくは他の塩に
転換し、そして/又は得られた遊離化合物を塩に転換し
、そして/又は異性体の得られた混合物を個々の異性体
に転換する。
を有し、そしてXは基−N(R2XR3)に転換され得
る基である、〕 で表わされる化合物又はその塩において、Xを基−N(
R2)(R3)に転換し;あるいは、b)次の式(2)
、 〔式中、R2,R,及びR4は式(I)について前記し
た意味を有し、モしてY、及びY2 は脱離基である、
〕 で表わされる化合物又はその塩を、基)N−R,を
゛もたらす化合物と反応せしめることにょシ環
化し;あるいは、 C)次の式(転) 以下余白 〔式中、R1,R2,R3及びR4は式(I)について
前記した意味を有する、〕 で表わされる化合物又はその塩を環化し、あるいは、 d)次の式(V)又は(ロ)、 〔式中、R4,R2,R3及び丸は式(I)について前
記した意味を有し、そしてYは脱離基である、〕で表わ
される化合物又はその塩を塩基と共に環化し; そして所望によシ、この方法によシ得られる式(I)の
化合物を定義に従う式(I)の他の化合物に転換し、そ
して/又は得られた塩を遊離化合物にもしくは他の塩に
転換し、そして/又は得られた遊離化合物を塩に転換し
、そして/又は異性体の得られた混合物を個々の異性体
に転換する。
方?(a)
れ得る基Xは、例えば窒素を含有し還元され得るヨウ素
;誘導されたカル?キシル基、例えばカルバモイルモし
くはアジドカルブニル基;又は保護されたアミノ基(こ
の基から保護基を脱離し、そして水素で置き換る)であ
る。
;誘導されたカル?キシル基、例えばカルバモイルモし
くはアジドカルブニル基;又は保護されたアミノ基(こ
の基から保護基を脱離し、そして水素で置き換る)であ
る。
窒素を含有し還元され得る基、例えばニトロ基、ニトロ
ソ基、ヒドロキシアミノ基又はアジド基は、常用の還元
剤を、所望によシ適当な触媒及び/又は担体の存在下で
用いて、アミノ基に転換する。
ソ基、ヒドロキシアミノ基又はアジド基は、常用の還元
剤を、所望によシ適当な触媒及び/又は担体の存在下で
用いて、アミノ基に転換する。
常用の還元剤として、触媒的に活性化された水素(水素
化触媒として例えば貴金属触媒、例えば/4’ラジウム
触媒、白金触媒、ロジウム触媒もしくはニッケル触媒、
又は貴金属化合物、例えば二酸化白金を、場合によって
は適当な担体、例えば炭素、硫酸バリウムもしくは炭酸
バリウム、又は炭酸カルシウムと共に使用する)、還元
性錫(I[)塩又は鉄(n)塩(例えば、塩化物として
、そして後者についてはさらに硫酸塩として使用する)
、還元性ジチオニド塩又は亜硫酸塩、例えばナトリウム
ジチオニド、亜硫酸ナトリウム又は亜硫酸水素ナトリウ
ム;場合によっては活性化されている金属、例えば活性
化された鉄、亜鉛、錫又はアルミニウム(場合によって
は、対応する金属塩、又は中性塩、例えば塩化カルシウ
ム、塩化マグネシウム、塩化カリウム又は塩化ナトリウ
ムの存在下で活性化される);さらにはスルフィド、例
えば硫化水素;ノーもしくはポリ−スルフィド、例えば
ナトリウムジスルフィド又はナトリウムポリスルフイド
:アルカリ金属スルフィドもしくはアルカリ金属水素ス
ルフィド、例えばナトリウムスルフィド又はナトリウム
水素スルフィド;アンモニウムスルフィドモジくはアン
モニウムポリスルフィド;水素供与還元剤、例えば非置
換又は置換ヒドラジン、例えばヒドラジン又はフェニル
ヒドラノン(これらは場合によっては酸付加塩の形で、
例えばヒドロクロリrとして添加する);するいは分−
子状水素(この゛水素から、陰極における陽子の電気的
還元により発生する)を挙げることができる。
化触媒として例えば貴金属触媒、例えば/4’ラジウム
触媒、白金触媒、ロジウム触媒もしくはニッケル触媒、
又は貴金属化合物、例えば二酸化白金を、場合によって
は適当な担体、例えば炭素、硫酸バリウムもしくは炭酸
バリウム、又は炭酸カルシウムと共に使用する)、還元
性錫(I[)塩又は鉄(n)塩(例えば、塩化物として
、そして後者についてはさらに硫酸塩として使用する)
、還元性ジチオニド塩又は亜硫酸塩、例えばナトリウム
ジチオニド、亜硫酸ナトリウム又は亜硫酸水素ナトリウ
ム;場合によっては活性化されている金属、例えば活性
化された鉄、亜鉛、錫又はアルミニウム(場合によって
は、対応する金属塩、又は中性塩、例えば塩化カルシウ
ム、塩化マグネシウム、塩化カリウム又は塩化ナトリウ
ムの存在下で活性化される);さらにはスルフィド、例
えば硫化水素;ノーもしくはポリ−スルフィド、例えば
ナトリウムジスルフィド又はナトリウムポリスルフイド
:アルカリ金属スルフィドもしくはアルカリ金属水素ス
ルフィド、例えばナトリウムスルフィド又はナトリウム
水素スルフィド;アンモニウムスルフィドモジくはアン
モニウムポリスルフィド;水素供与還元剤、例えば非置
換又は置換ヒドラジン、例えばヒドラジン又はフェニル
ヒドラノン(これらは場合によっては酸付加塩の形で、
例えばヒドロクロリrとして添加する);するいは分−
子状水素(この゛水素から、陰極における陽子の電気的
還元により発生する)を挙げることができる。
触媒的に活性化された水素による還元は、常圧又はそれ
よシ高い圧力、例えば約5は−ルにおいて行う。前記の
還元剤による還元は、酸性媒体、例えば酢酸酸性媒体、
又は中性媒体中で行う。鉄(II)塩による還元は、還
元性水酸化鉄(II)が沈澱する塩基性条件下で行う。
よシ高い圧力、例えば約5は−ルにおいて行う。前記の
還元剤による還元は、酸性媒体、例えば酢酸酸性媒体、
又は中性媒体中で行う。鉄(II)塩による還元は、還
元性水酸化鉄(II)が沈澱する塩基性条件下で行う。
同様に、ジチオニド塩及びスルフィドによる還元も塩基
性条件下で行う。
性条件下で行う。
水素供与剤、例えばヒドラジンによる還元は、前記の水
素化触媒、例えばラネーニッケル、パラジウム/炭素、
又は白金によシ促進される。ニトロ基のアミンへの電解
還元は、大きな過電圧を有する金属で作られた陰極、例
えば鉛、錫、ニッケル、銅又は亜鉛において行う。電気
分解は、主として硫酸媒体又は塩酸媒体中で行う。
素化触媒、例えばラネーニッケル、パラジウム/炭素、
又は白金によシ促進される。ニトロ基のアミンへの電解
還元は、大きな過電圧を有する金属で作られた陰極、例
えば鉛、錫、ニッケル、銅又は亜鉛において行う。電気
分解は、主として硫酸媒体又は塩酸媒体中で行う。
前記の還元剤は、少なくとも等モル量、好ましくは過剰
量において使用する。過剰量の還元剤を添加することに
よシ中間生成物、例えばニトロソ化合物又はヒドロキシ
アミノ化合物の生成が防止される。・ 還元は、好ましくは溶剤、例えば低級アルカノール、例
えばメタノールもしくはエタノール、低級アルカンカル
ぎン酸もしくはそのエステル、例えば酢酸もしくは、酢
酸エチル、そしてさらにエーテル、例えばジエチルエー
テル、テトラヒドロフランもしくはジオキサン中で行う
。
量において使用する。過剰量の還元剤を添加することに
よシ中間生成物、例えばニトロソ化合物又はヒドロキシ
アミノ化合物の生成が防止される。・ 還元は、好ましくは溶剤、例えば低級アルカノール、例
えばメタノールもしくはエタノール、低級アルカンカル
ぎン酸もしくはそのエステル、例えば酢酸もしくは、酢
酸エチル、そしてさらにエーテル、例えばジエチルエー
テル、テトラヒドロフランもしくはジオキサン中で行う
。
特に塩−タイプの還元剤の反応混合物中における溶解性
を高めるため、必要であれば反応混合物に水を加えるこ
とができる。反応は常法に従って、約−20℃〜約10
0℃の温度において行い、強力な還元性活性化剤を用い
る場合にはさらに低い温度においても、行うことができ
る。
を高めるため、必要であれば反応混合物に水を加えるこ
とができる。反応は常法に従って、約−20℃〜約10
0℃の温度において行い、強力な還元性活性化剤を用い
る場合にはさらに低い温度においても、行うことができ
る。
式(If)の化合物中の交換され得る基X、例えばハロ
ダン、例えば塩素、臭素又はヨウ素は、基N (R2)
(R3) の化合物もしくはその金属化合物例えばア
ンモニア、アルカリ金属アミド、例えばリチウムアミド
、ナトリウムアミドもしくはカリウムアミド、低級アル
キルアミン、例えばメチルアミン、ジ低級アルキルアミ
ン、例えばジメチルアミン、又は酸アミド(アミド基の
1個の水素がアルカリ金属、例えばリチウムにより置換
されていに転換される。
ダン、例えば塩素、臭素又はヨウ素は、基N (R2)
(R3) の化合物もしくはその金属化合物例えばア
ンモニア、アルカリ金属アミド、例えばリチウムアミド
、ナトリウムアミドもしくはカリウムアミド、低級アル
キルアミン、例えばメチルアミン、ジ低級アルキルアミ
ン、例えばジメチルアミン、又は酸アミド(アミド基の
1個の水素がアルカリ金属、例えばリチウムにより置換
されていに転換される。
Xがハロゲン、例えば塩素である式(If)の化合物モ
ニアとの反応は、触媒、例えば酸化銅(I)もしくは酸
化銅(■)、塩化銅(I)もしくは塩化銅(■)、又は
硫酸銅の存在下で行うのが好ましい。この反応は、濃ア
ンモニア水溶液、好ましくは液体アンモニア中で、ホウ
ベン−ウニイル(Houben−Weyl )によシメ
トデン・デル・オーガニツシエン・ケミ−(Metho
den der Organischen Chemi
a)(以下ホウペン−ウニイルと称する) 、XI/1
巻、°゛ニトログン秦コンパウンズ(Nitrogen
Compounds) ” +63〜67頁に記載さ
れている反応方法によシ、例えば100℃以上の高温及
び高圧において行う。
ニアとの反応は、触媒、例えば酸化銅(I)もしくは酸
化銅(■)、塩化銅(I)もしくは塩化銅(■)、又は
硫酸銅の存在下で行うのが好ましい。この反応は、濃ア
ンモニア水溶液、好ましくは液体アンモニア中で、ホウ
ベン−ウニイル(Houben−Weyl )によシメ
トデン・デル・オーガニツシエン・ケミ−(Metho
den der Organischen Chemi
a)(以下ホウペン−ウニイルと称する) 、XI/1
巻、°゛ニトログン秦コンパウンズ(Nitrogen
Compounds) ” +63〜67頁に記載さ
れている反応方法によシ、例えば100℃以上の高温及
び高圧において行う。
Xがハロゲン、例えば塩素である式(II)の化合物は
、好ましくは、アルカリ金属アミド、例えばリチウムア
ミド又はカリウムアミドと反応せしめる。
、好ましくは、アルカリ金属アミド、例えばリチウムア
ミド又はカリウムアミドと反応せしめる。
懸濁液の形のアミドを使用するのが好都合である。
溶剤としてベンゼン又はトルエンを用いて不活性気体雰
囲気、例えば窒素雰囲気のもとで実施するのが好ましい
。反応は、好ましくは高温、例えば反応混合物の沸点に
おいて、ホウベン−ウェイ#Xl/I!、″スティック
ストソフ7エルビンドゥンダン(Stickstoff
rerbindungen)”、74〜79頁に、芳香
族ハロダン化合物について記載されている方法と同様の
反応条件において行う。
囲気、例えば窒素雰囲気のもとで実施するのが好ましい
。反応は、好ましくは高温、例えば反応混合物の沸点に
おいて、ホウベン−ウェイ#Xl/I!、″スティック
ストソフ7エルビンドゥンダン(Stickstoff
rerbindungen)”、74〜79頁に、芳香
族ハロダン化合物について記載されている方法と同様の
反応条件において行う。
式(■)の化合物中の誘導体にされたカルボニル基X、
例えばカルバモイル又はアジドカルボニルは、分解反応
についてホフマン(Hofman) (カルバモイル)
又はクロチウス(Curtiua)(アジドカルがニル
)により記載されている反応条件のもとにアミン基に転
換され得る。
例えばカルバモイル又はアジドカルボニルは、分解反応
についてホフマン(Hofman) (カルバモイル)
又はクロチウス(Curtiua)(アジドカルがニル
)により記載されている反応条件のもとにアミン基に転
換され得る。
式(■)のカルバモイル化合物(カルボン酸アミド)O
式(I)のアミノ化合物への、ホフマン法によル遊離ハ
ロゲン、例えば臭素を用いる転換は、アルカリ性条件下
で行う。
式(I)のアミノ化合物への、ホフマン法によル遊離ハ
ロゲン、例えば臭素を用いる転換は、アルカリ性条件下
で行う。
式(II)のアジドカルぎニル化合物の式(I)のアミ
ン化合物へのクロチウス法による転換は、アジドカルボ
ニル基の分解を伴って熱的に行われる。
ン化合物へのクロチウス法による転換は、アジドカルボ
ニル基の分解を伴って熱的に行われる。
転位の後、酸性条件、例えば冷水性鉱酸、例えば希硫酸
中で加水分解を行う。
中で加水分解を行う。
ホフマン分解及びクロチウス分解の反応条件はP、 A
、スミス(Smith)の総説、オーガニック・リアク
ションズ(Org−Reactions) 3 * 3
63 +(I946)に記載されている。
、スミス(Smith)の総説、オーガニック・リアク
ションズ(Org−Reactions) 3 * 3
63 +(I946)に記載されている。
保護基を脱離しそして水素で置換することができる保護
されたアミノ基は、例えばMcOmie +パゾロテク
ティプ・グループ名・イン・オーガニツタ・ケミストリ
ー”(Proteclive Groupa inOr
ganic Chemistry) 、プレナムプレス
、ロンドン及びニューヨーク(I973);”ザ・ペゾ
チドス”(The Peptides)+第1巻、シュ
レーダー (Schroeder)及びルブケ(Lub
lce) +アカデミツクプレス、ロンドン及びニー−
ヨーク(I965);及びホウベン−ウニイル、第15
/1巻、グオルグチーメ、スタノトガルト(I974)
に記載されている。
されたアミノ基は、例えばMcOmie +パゾロテク
ティプ・グループ名・イン・オーガニツタ・ケミストリ
ー”(Proteclive Groupa inOr
ganic Chemistry) 、プレナムプレス
、ロンドン及びニューヨーク(I973);”ザ・ペゾ
チドス”(The Peptides)+第1巻、シュ
レーダー (Schroeder)及びルブケ(Lub
lce) +アカデミツクプレス、ロンドン及びニー−
ヨーク(I965);及びホウベン−ウニイル、第15
/1巻、グオルグチーメ、スタノトガルト(I974)
に記載されている。
保護基としては、酸□分解によシ脱離する基、例えば低
級アルコキシカルボニル、側光if’tart−ブトキ
シカルぎニル(BOC)、又は2−ハt’−低Mフルコ
キシカルぎニル、flLtば2−ヨウドエトキシカルボ
ニルもしくは2,2.2=トリクロロエトキシカルぎニ
ルが好ましい。
級アルコキシカルボニル、側光if’tart−ブトキ
シカルぎニル(BOC)、又は2−ハt’−低Mフルコ
キシカルぎニル、flLtば2−ヨウドエトキシカルボ
ニルもしくは2,2.2=トリクロロエトキシカルぎニ
ルが好ましい。
さらに、還元的に又は緩和な条件下での塩基性分解によ
シ脱離するアミン保護基、例えばペンジルオキシカルブ
ニル基、又はフェニル基がハロゲン原子、ニトロ基及び
/もしくは低級アルコキシ基により置換されているペン
ジルオキシカルメ二ル基、例えばp−クロロ−1p−ニ
トロ−もしくはp−メトキシベンジルオキシカルがニル
基ef用することもできる。
シ脱離するアミン保護基、例えばペンジルオキシカルブ
ニル基、又はフェニル基がハロゲン原子、ニトロ基及び
/もしくは低級アルコキシ基により置換されているペン
ジルオキシカルメ二ル基、例えばp−クロロ−1p−ニ
トロ−もしくはp−メトキシベンジルオキシカルがニル
基ef用することもできる。
保護基の脱離は一般に知られている方法により行われる
。酸加水分解(アシドリシス)は、例えばトリフルオロ
酢酸によシ行う。還元的に脱離する基、特にベンノル基
を含有する基は、好ましくは水素化分解によシ、例えば
パラジウム触媒のもとて水素化することによって除去さ
れる。
。酸加水分解(アシドリシス)は、例えばトリフルオロ
酢酸によシ行う。還元的に脱離する基、特にベンノル基
を含有する基は、好ましくは水素化分解によシ、例えば
パラジウム触媒のもとて水素化することによって除去さ
れる。
表色倶
式(至)の化合物中の脱離基Y1及びY2は、それぞれ
独立に、例えばヒドロキシ、ノ・ロダン、例えば塩累、
臭素もしくはヨウ素、低級アルコキシ、シリルオキシ、
又はスルホニルオキシである。
独立に、例えばヒドロキシ、ノ・ロダン、例えば塩累、
臭素もしくはヨウ素、低級アルコキシ、シリルオキシ、
又はスルホニルオキシである。
低級アルコキシY1又はY2は、例えばメトキシ、エト
キシ、n−プロポキシ、分枝低級アルコキシ、例えばt
rert−ブトキシ、又は置換低級アルコキク、例えば
ベンジルオキシ、4−ニトロベンジルオキシもしくはジ
フェニルメトキシである。
キシ、n−プロポキシ、分枝低級アルコキシ、例えばt
rert−ブトキシ、又は置換低級アルコキク、例えば
ベンジルオキシ、4−ニトロベンジルオキシもしくはジ
フェニルメトキシである。
シリルオキシY1又はY2は、例えばトリ低級アルキル
シリルオキシ、例えばトリメチルシリルオキシである。
シリルオキシ、例えばトリメチルシリルオキシである。
スルホニルオキシY、又はY2は、例えば低級アルカン
スルホニルオキク、例工ばンタンスルホニルオキシ、ベ
ンゼンスルホニルオキシ又はp−)#エンスルホニルオ
キシである。
スルホニルオキク、例工ばンタンスルホニルオキシ、ベ
ンゼンスルホニルオキシ又はp−)#エンスルホニルオ
キシである。
基″IN−g1をもたらす化合物は、例えばアルカリ金
属アミド、例えばナトリウムアミドもしくはカリウムア
ミド、アンモニア(R1=水素)、低級・アルキルアミ
ン、例えばメチルアミン(R4=低級アルキル)、カル
ボン酸アミド、例えば尿素もしくは1.3−ジメチル尿
素、又は低級アルカンカルボン酸アミド、例えばホルム
アミド、N−メチルホルムアミド、アセトアミドもしく
はN−メチルアセトアミドである。
属アミド、例えばナトリウムアミドもしくはカリウムア
ミド、アンモニア(R1=水素)、低級・アルキルアミ
ン、例えばメチルアミン(R4=低級アルキル)、カル
ボン酸アミド、例えば尿素もしくは1.3−ジメチル尿
素、又は低級アルカンカルボン酸アミド、例えばホルム
アミド、N−メチルホルムアミド、アセトアミドもしく
はN−メチルアセトアミドである。
基〉N −R1をもたらす化合物、例えばアンモニア又
はメチルアミンとの反応は、段階的に行うことができる
。例えば、まず、脱離基Y1及びY2の一方が−NH−
R1により置き換えられた式(III)の化合物を得る
。この化合物、例えばモノアミドを、分離して又はその
場で)(′Y1又は「1を脱離せしめることによシ、式
(I)の化合物に転換することができる。
はメチルアミンとの反応は、段階的に行うことができる
。例えば、まず、脱離基Y1及びY2の一方が−NH−
R1により置き換えられた式(III)の化合物を得る
。この化合物、例えばモノアミドを、分離して又はその
場で)(′Y1又は「1を脱離せしめることによシ、式
(I)の化合物に転換することができる。
例えばY、及びY2がヒドロキシである式(刑の化合物
は、まず、例えば熱的に、又は常用の脱水剤、例えば無
水酢酸もしくは塩化アセチルを用いて脱水することによ
り無水物に転換することができる。
は、まず、例えば熱的に、又は常用の脱水剤、例えば無
水酢酸もしくは塩化アセチルを用いて脱水することによ
り無水物に転換することができる。
この無水物を分離して、又はその場で、基>N−R1を
もたらす化合物、例えばアンモニア又はメチルアミンと
反応せしめることにより、脱離基Y1 又はY2 の
一方が−■−R4によシ置き換えられた化合物に転換す
ることができる。次に、このモノアミドを脱水すること
により式(I)の化合物に環化することができる。
もたらす化合物、例えばアンモニア又はメチルアミンと
反応せしめることにより、脱離基Y1 又はY2 の
一方が−■−R4によシ置き換えられた化合物に転換す
ることができる。次に、このモノアミドを脱水すること
により式(I)の化合物に環化することができる。
環化に際し、合計2モルのH′Y1又は)rY2、例え
ばHCt又はHBrが遊離し、これらは例えば、過剰に
添加された〉N−R1供給剤、例えばアンモニア又はメ
チルアミンによシ結合される。
ばHCt又はHBrが遊離し、これらは例えば、過剰に
添加された〉N−R1供給剤、例えばアンモニア又はメ
チルアミンによシ結合される。
反応は、好捷しくけ、不活性極性溶剤、例えばベンゼン
、トルエイ、キシレン、環路メチレン、エーテルもしく
(f′iメタノール、又はこれらの混合物中で行う。
、トルエイ、キシレン、環路メチレン、エーテルもしく
(f′iメタノール、又はこれらの混合物中で行う。
反応温度は一り0℃〜約+180℃、好ましくは+10
0℃〜約+180℃の範囲とする。式([lDの酸ハロ
ダン化物、例えば酸塩化物をアンモニアと反応せしめる
場合、冷却下で、例えば0℃以下で行うのが好ましい。
0℃〜約+180℃の範囲とする。式([lDの酸ハロ
ダン化物、例えば酸塩化物をアンモニアと反応せしめる
場合、冷却下で、例えば0℃以下で行うのが好ましい。
方法(c)
”環化は、例えば熱的に、又は光化学的に行うことがで
きる。
きる。
式(Mのアクリロイルアクリルアミドの熱的環化は、溶
液を用いないで行うことができるが、しかしながら、高
沸点不活性溶剤、例えばトルエン、キシレン、。例工ば
1,3−キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、例エバ1.3−ジクロロベンゼン、ニト
ロベンゼン、デカリン、ヘキサクロロブタジェン等中で
の溶液を用いるのが好ましい。環化すべき式(Mの化合
物を溶剤に、約IM〜約10 Mモルの濃度、好まし
くはIM〜10−2Mの濃度で溶解し、そして開放容器
中で、所望によシ保護ガス、例えば窒素又はアルゴンの
もとで、又は密閉容器中で約り00℃〜約250℃、好
ましくは130℃〜180℃において、約1〜10時間
、好ましくは2〜5時間加熱する。容器を用いないで操
作を行う場合、式(IV)のアクリロイルアクリルアミ
ドを、所望によシ減圧下で蒸発せしめ、低沸点不活性溶
剤中に噴霧し、又は、粉末の形で約り00℃〜約500
℃に加熱しておいた反応器に導入し、そして場合によっ
ては不活性ガス、例えば窒素又はアルゴンを加熱された
容器に通す。
液を用いないで行うことができるが、しかしながら、高
沸点不活性溶剤、例えばトルエン、キシレン、。例工ば
1,3−キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、例エバ1.3−ジクロロベンゼン、ニト
ロベンゼン、デカリン、ヘキサクロロブタジェン等中で
の溶液を用いるのが好ましい。環化すべき式(Mの化合
物を溶剤に、約IM〜約10 Mモルの濃度、好まし
くはIM〜10−2Mの濃度で溶解し、そして開放容器
中で、所望によシ保護ガス、例えば窒素又はアルゴンの
もとで、又は密閉容器中で約り00℃〜約250℃、好
ましくは130℃〜180℃において、約1〜10時間
、好ましくは2〜5時間加熱する。容器を用いないで操
作を行う場合、式(IV)のアクリロイルアクリルアミ
ドを、所望によシ減圧下で蒸発せしめ、低沸点不活性溶
剤中に噴霧し、又は、粉末の形で約り00℃〜約500
℃に加熱しておいた反応器に導入し、そして場合によっ
ては不活性ガス、例えば窒素又はアルゴンを加熱された
容器に通す。
式(Mのアクリロイルアクリルアミドはまた、特にR4
が水素以外である場合、光化学的に環化して式(I)の
化合物を生成せしめることができる。仁の目的のために
、式flV)の化合物を、トリプレット増感剤、例えば
アリールケトン9、例えばベンゾフェノン又はアセトフ
ェノンと共に光化学的に不活性な溶剤、例えば塩化メチ
レン、ジエチルエーテル、n−ペンタン、n−ヘキサン
、シクロヘキサン°、ベンゼン、トルエン等に、約IM
〜約1−Q−6Mの濃度に溶解し、そして300 nm
以上の波長の紫外線を、例えば/4’イレノクス(商標
)ガラス中水銀高圧ランプ又は中圧ランプにより、ある
いは300nmより短い波長を透過しない他のフィルタ
ーを用いて、約−30℃〜約+50℃、好ましくはO℃
〜30℃にて、約1時間〜約10時間、好ましくは2〜
5時間、対照する。光化学的に不活性な溶剤及びトリプ
レット増感剤としてのアリールケトンを使用しないで、
溶剤、及び光源化のための増感剤としてジー低級アルキ
ルクトン、例えばアセトン、2−ブタノンもしくは3−
ペンタノン、又はシクロアルカノン、例えばシクロアル
カノンヲ使用するのが好ましい。
が水素以外である場合、光化学的に環化して式(I)の
化合物を生成せしめることができる。仁の目的のために
、式flV)の化合物を、トリプレット増感剤、例えば
アリールケトン9、例えばベンゾフェノン又はアセトフ
ェノンと共に光化学的に不活性な溶剤、例えば塩化メチ
レン、ジエチルエーテル、n−ペンタン、n−ヘキサン
、シクロヘキサン°、ベンゼン、トルエン等に、約IM
〜約1−Q−6Mの濃度に溶解し、そして300 nm
以上の波長の紫外線を、例えば/4’イレノクス(商標
)ガラス中水銀高圧ランプ又は中圧ランプにより、ある
いは300nmより短い波長を透過しない他のフィルタ
ーを用いて、約−30℃〜約+50℃、好ましくはO℃
〜30℃にて、約1時間〜約10時間、好ましくは2〜
5時間、対照する。光化学的に不活性な溶剤及びトリプ
レット増感剤としてのアリールケトンを使用しないで、
溶剤、及び光源化のための増感剤としてジー低級アルキ
ルクトン、例えばアセトン、2−ブタノンもしくは3−
ペンタノン、又はシクロアルカノン、例えばシクロアル
カノンヲ使用するのが好ましい。
不所望の重合反応を抑制するため、熱的又は光化学的環
化中成(IV)の化合物の溶液にラジカルを除去する物
質、例えばヒドロキノン、2,6−シーtert−フチ
ルー4−メチルフェノール又はビス−(3−teyt−
ブチル−3−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−スル
フィl’t[o、ot%〜約5%の濃度で加えるのが好
ましい。
化中成(IV)の化合物の溶液にラジカルを除去する物
質、例えばヒドロキノン、2,6−シーtert−フチ
ルー4−メチルフェノール又はビス−(3−teyt−
ブチル−3−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−スル
フィl’t[o、ot%〜約5%の濃度で加えるのが好
ましい。
方法(d)
式(V)又は(Vflの化合物において、脱離基Y3は
、例えばハロゲン、例えば塩素、臭素もしくはヨウ素、
又はスルホニルオキシ、例えば低級アルカンスルホニル
オキシ、例えばメタンスルホニルオキシ、又ハアリール
スルホニルオキシ、例えばベンゼンスルホニルオキシも
しくはp−トルエンスルホニルオキシである。
、例えばハロゲン、例えば塩素、臭素もしくはヨウ素、
又はスルホニルオキシ、例えば低級アルカンスルホニル
オキシ、例えばメタンスルホニルオキシ、又ハアリール
スルホニルオキシ、例えばベンゼンスルホニルオキシも
しくはp−トルエンスルホニルオキシである。
環化のために適当な塩基は、特に非親核性環基である。
このような塩基の例として、立体障害された第二級アミ
ン、例えば分枝ジー低級アルキルアミン、ジシクロアル
キルアミン、′分枝低級アルキルシクロヘキシルアミン
、ビス−(トリー低級アルキルシリル)−アミン等のア
ルカリ金属塩、例えばリチウム塩、ナトリウム塩又はカ
リウム塩、例えばりチウムノインゾロピルアミド、リチ
ウムジシクロへキシルアミド、ナトリウムもしくはカリ
ウムビス−(トリメチルシリル)−アミド、又はリチウ
ム2,2,6.6−チトラメチルビベリジンを挙げるこ
とができる。他の適当な塩基は、アルカリ金属ハライド
、例えばカリウムハライド、又は分枝低級アルキルリチ
ウム化合物、例えばtert−ブチルリチウムである。
ン、例えば分枝ジー低級アルキルアミン、ジシクロアル
キルアミン、′分枝低級アルキルシクロヘキシルアミン
、ビス−(トリー低級アルキルシリル)−アミン等のア
ルカリ金属塩、例えばリチウム塩、ナトリウム塩又はカ
リウム塩、例えばりチウムノインゾロピルアミド、リチ
ウムジシクロへキシルアミド、ナトリウムもしくはカリ
ウムビス−(トリメチルシリル)−アミド、又はリチウ
ム2,2,6.6−チトラメチルビベリジンを挙げるこ
とができる。他の適当な塩基は、アルカリ金属ハライド
、例えばカリウムハライド、又は分枝低級アルキルリチ
ウム化合物、例えばtert−ブチルリチウムである。
溶剤として1.エーテル、例えばテトラヒドロフラン又
はジメトキシエタンを使用するのが好ましく、場合によ
ってはへキサメチルリン酸トリアミドが添加される。反
応は、不活性ガス、例えば窒素又はアルゴンのもとで、
約−80℃〜約+30℃、例えば約−3’O℃の温度に
おいて最も良好に行われる。
はジメトキシエタンを使用するのが好ましく、場合によ
ってはへキサメチルリン酸トリアミドが添加される。反
応は、不活性ガス、例えば窒素又はアルゴンのもとで、
約−80℃〜約+30℃、例えば約−3’O℃の温度に
おいて最も良好に行われる。
後操作
式(I)の化合物中の置換基R4,R2,R6及びR4
は、これらの定義の範囲内において他のR1,R2。
は、これらの定義の範囲内において他のR1,R2。
R3及びR4に転換することができる。例えば、遊離ア
ミノ基を、R2がアシルでありそしてR3が水素又は低
級アルキルであるアシルアミノ基に転換することができ
る。このような後操作は、それ自体公知の方法で、例え
ば次のようにして行われる。
ミノ基を、R2がアシルでありそしてR3が水素又は低
級アルキルであるアシルアミノ基に転換することができ
る。このような後操作は、それ自体公知の方法で、例え
ば次のようにして行われる。
フェニル環のアミノ基のアシル化
式(I)の得られた化合物において、R2が水素であり
、R6が水素又は低級アルキルであり、そしてR1が水
素又は炭化水素基である場合、フェニル環の遊離アミノ
基を、それ自体公知の方法により、アシル基R2で置換
することができる。R1が水素である場合、ノーサイク
ルの3位の窒素原子(イミド窒素原子)は、所望によシ
、方法(、)において記載した前記のアミン保護基のい
ずれかによシ、又は他の7ミノ保護基、例えば低級アル
カノイル、例えばアセケル、低級アルケノイル、例えば
メタクリロイル、又は1−低級アルコキシカルブニル−
1−アルケニル、例えば1−メトキシカルブニル−1−
ビニルによシ保護することができる。
、R6が水素又は低級アルキルであり、そしてR1が水
素又は炭化水素基である場合、フェニル環の遊離アミノ
基を、それ自体公知の方法により、アシル基R2で置換
することができる。R1が水素である場合、ノーサイク
ルの3位の窒素原子(イミド窒素原子)は、所望によシ
、方法(、)において記載した前記のアミン保護基のい
ずれかによシ、又は他の7ミノ保護基、例えば低級アル
カノイル、例えばアセケル、低級アルケノイル、例えば
メタクリロイル、又は1−低級アルコキシカルブニル−
1−アルケニル、例えば1−メトキシカルブニル−1−
ビニルによシ保護することができる。
この置換は、例えば、対応するアシル基R2を導入する
のに適するアシル化剤を用いて行うことができる。
のに適するアシル化剤を用いて行うことができる。
フェニル環のアミン基は、遊離の形で、又は反応性の形
、すなわちアシル化を許容する形、例えばシリル基によ
り保護された形で存在する。
、すなわちアシル化を許容する形、例えばシリル基によ
り保護された形で存在する。
弐(I)の化合物中のフェニル環上のアミノ基をアシル
基Ra−8o2−で置換する場合、アシル化剤として、
例えば対応するスルホン酸、又はその反応性官能誘導体
、特にその無水物、例えば混合無水物を使用する。スル
ホン酸の混合無水物は、例えば、無機酸、例えばハロゲ
ン化水素酸、例えば塩酸との縮合により形成され、そし
て例えば、対応するスルホン酸ハライド、例えばスルホ
ン酸クロリド又はスルホン酸プロミドである。
基Ra−8o2−で置換する場合、アシル化剤として、
例えば対応するスルホン酸、又はその反応性官能誘導体
、特にその無水物、例えば混合無水物を使用する。スル
ホン酸の混合無水物は、例えば、無機酸、例えばハロゲ
ン化水素酸、例えば塩酸との縮合により形成され、そし
て例えば、対応するスルホン酸ハライド、例えばスルホ
ン酸クロリド又はスルホン酸プロミドである。
前記アミノ基をアシル基Rb−Co−によシ置換する場
合、アシル化剤として、例えば対応するカルボン酸それ
自体、又はその反応性官能誘導体を使用する。
合、アシル化剤として、例えば対応するカルボン酸それ
自体、又はその反応性官能誘導体を使用する。
カルボン酸の反応性、すなわちカルビキサミド官能形成
官能誘導体は、該カルボン酸の無水物、好ましくは混合
無水物である。混合無水物は、例えば、他の酸、例え赫
無機酸、例えばハロダン化水素酸との縮合によ多形成さ
れ、そして例え赫対応するカルビン酸ハライド、例えば
カルデン酸クロリド、又はプロミドである。さらに、弐
([0のカルボン酸の反応性官能誘導体は、炭酸の低級
アルキル半エステル、例えば炭酸のエチル−又はインブ
チル−半エステルとの縮合によっても形成される。
官能誘導体は、該カルボン酸の無水物、好ましくは混合
無水物である。混合無水物は、例えば、他の酸、例え赫
無機酸、例えばハロダン化水素酸との縮合によ多形成さ
れ、そして例え赫対応するカルビン酸ハライド、例えば
カルデン酸クロリド、又はプロミドである。さらに、弐
([0のカルボン酸の反応性官能誘導体は、炭酸の低級
アルキル半エステル、例えば炭酸のエチル−又はインブ
チル−半エステルとの縮合によっても形成される。
以下余白
フェニル環上のアミノ基を、Ra−0−Co−。
(Rb)(R” )N −Co−又は(RXR)N−8
o−を意味するアシル基Rによシ置換する場合、アシル
化剤として、対応する炭素半エステルの反応性誘導体、
対応するカルバミン酸の反応性誘導体又はアミドスルホ
ン酸の反応性誘導体を使用する。これらの反応性誘導体
は、例えば無水物、例えば混合無水物(これらは、無機
酸、例えばハロゲン化水素酸、例えば塩酸との縮合によ
多形成される)であり、又はカルバミン酸を使用する場
合にはさらに内部無水物、例えばインシアナートである
。
o−を意味するアシル基Rによシ置換する場合、アシル
化剤として、対応する炭素半エステルの反応性誘導体、
対応するカルバミン酸の反応性誘導体又はアミドスルホ
ン酸の反応性誘導体を使用する。これらの反応性誘導体
は、例えば無水物、例えば混合無水物(これらは、無機
酸、例えばハロゲン化水素酸、例えば塩酸との縮合によ
多形成される)であり、又はカルバミン酸を使用する場
合にはさらに内部無水物、例えばインシアナートである
。
アシル化反応は、適当な酸結合剤、例えば適当な有機塩
基の存在下で行うのが好ましい。適当な有機塩基は、例
えばアミン、例えば第三アミン、例えばトリ低級アルキ
ルアミン、例えばトリメチルアミン又はトリエチルアミ
ン、環状第三アミン、例えばN−メチルモルホリン、二
環式アミジン、例えばジアザビシクロアルクン、例えば
1.5−ジアザビシクロ[4,3,0)ノン−5−エン
又は1,8−ジアザビシクロC,5、4、0)ウンデカ
−5−17(DBU)であり、あるいはピリ・シン型の
塩基、例えばピリジン又は4−ジメチルアミノピリジン
である。適当な酸結合剤はさらに、無機塩基、例えばア
ルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は水酸化カル
シウムである。
基の存在下で行うのが好ましい。適当な有機塩基は、例
えばアミン、例えば第三アミン、例えばトリ低級アルキ
ルアミン、例えばトリメチルアミン又はトリエチルアミ
ン、環状第三アミン、例えばN−メチルモルホリン、二
環式アミジン、例えばジアザビシクロアルクン、例えば
1.5−ジアザビシクロ[4,3,0)ノン−5−エン
又は1,8−ジアザビシクロC,5、4、0)ウンデカ
−5−17(DBU)であり、あるいはピリ・シン型の
塩基、例えばピリジン又は4−ジメチルアミノピリジン
である。適当な酸結合剤はさらに、無機塩基、例えばア
ルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は水酸化カル
シウムである。
アシル化反応は、好ましくは、不活性の、好ましくは水
不含溶剤又は溶剤混合物、例えはジメチルホルムアミド
、塩化メチレン、四塩化炭素、クロロベンゼン、アセト
ン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトニトリル
、又はこれらの混合物中で、場合によっては低温、又は
高温において、例えば約−40℃〜約+1oo℃、好ま
しくは約−10℃〜約+50℃において、そして場合に
よっては不活性気体雰囲気、例えば窒素雰囲気のもとで
行う。
不含溶剤又は溶剤混合物、例えはジメチルホルムアミド
、塩化メチレン、四塩化炭素、クロロベンゼン、アセト
ン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトニトリル
、又はこれらの混合物中で、場合によっては低温、又は
高温において、例えば約−40℃〜約+1oo℃、好ま
しくは約−10℃〜約+50℃において、そして場合に
よっては不活性気体雰囲気、例えば窒素雰囲気のもとで
行う。
フェニル環上の遊離アミノ基のアシル化は、式(I)の
最終生成物においても、又式(II)、(Ill)及び
(■)の中間体においてもすでに記載した方法によシ行
うことができる。
最終生成物においても、又式(II)、(Ill)及び
(■)の中間体においてもすでに記載した方法によシ行
うことができる。
フエニル−上のアミノ基のスルホによる式(I)の得ら
れた化合物においてR2が水素であり、R3が水素又は
低級アルキルであり、そしてR3が水素又は炭化水素基
である場合、フェニル環上の遊離アミン基をそれ自体公
知の方法によpスルホで置換することができる。
れた化合物においてR2が水素であり、R3が水素又は
低級アルキルであり、そしてR3が水素又は炭化水素基
である場合、フェニル環上の遊離アミン基をそれ自体公
知の方法によpスルホで置換することができる。
これは例えば、式(I)のアミノフェニル化合物をトリ
エチルアミンとの三酸化硫黄錯体と反応せしめることに
より得ることができる。
エチルアミンとの三酸化硫黄錯体と反応せしめることに
より得ることができる。
R1が水素である式(I)の化合物におのてビーサイク
ルの3−位の窒素原子(イミド窒素原子)がスルホによ
、り置換されないように、この窒素原子を所望により上
記のアミン保護基のいずれかにより保護することができ
る。
ルの3−位の窒素原子(イミド窒素原子)がスルホによ
、り置換されないように、この窒素原子を所望により上
記のアミン保護基のいずれかにより保護することができ
る。
フェニル 上のアミン のアルキル化
式(I)の得られた化合物においてR2及びR3が水素
である場合、フェニル環上の遊離アミノ基を、低級アル
キル基を導入する適当なアルキル化剤、例えばハロゲン
化アルキル、例えば臭化メチル2モル量を使用して置換
し、ジ低級アルキル置換アミノ基(R2及びR3=低級
アルキル)にすることができる。反応条件に依存して、
例えばさらに2当量より少ないアルキル化剤を使用する
場合にはまた、ジー低級アルキル置換アミノ基、モノ低
級アルキル置換アミノ基(R2又はR3が低級アルキル
基)又は非置換アミノ基を有する化合物の混合物が生成
する。これらの混合物は、それ自体公知の方法により、
例えば分別結晶化、又はクロマトグラフ的方法により分
離することができる。
である場合、フェニル環上の遊離アミノ基を、低級アル
キル基を導入する適当なアルキル化剤、例えばハロゲン
化アルキル、例えば臭化メチル2モル量を使用して置換
し、ジ低級アルキル置換アミノ基(R2及びR3=低級
アルキル)にすることができる。反応条件に依存して、
例えばさらに2当量より少ないアルキル化剤を使用する
場合にはまた、ジー低級アルキル置換アミノ基、モノ低
級アルキル置換アミノ基(R2又はR3が低級アルキル
基)又は非置換アミノ基を有する化合物の混合物が生成
する。これらの混合物は、それ自体公知の方法により、
例えば分別結晶化、又はクロマトグラフ的方法により分
離することができる。
フェニル環上の遊離アミノ基は又、前記の常用のアミン
保護基により、例えばtert −ブトキシカルボニル
により保護し、そして次にこうして保護されたアミノ基
を適当な金属化試薬によって金属化し、次に低級アルキ
ル基R2及びR6に対応する反応性アルキル化化合物に
よりアルキル化することができる。アミン保護基を脱離
することにより、低級アルキルによシモノ置換されたア
ミノ基(R2=H,R3=低級アルキル、又はR2=低
級アルキル、R,=H)が生ずる・ 適当な金属化試薬は、例えばリテウムジイソゾロビルア
ミド、又はブチルリチウムである。基札に対応する反応
性化合物は、例えば式B2−X、又はR3−X(ここで
、Xは離核性脱離基、例えば)・ロダン原子、例えば塩
素、臭素もしくはヨウ鉋、又ハスルホニルオキシ基、例
えばメタンスルホニルオキシもしくはP−)ルエンスル
ホニルオキシである、)の化合物である。
保護基により、例えばtert −ブトキシカルボニル
により保護し、そして次にこうして保護されたアミノ基
を適当な金属化試薬によって金属化し、次に低級アルキ
ル基R2及びR6に対応する反応性アルキル化化合物に
よりアルキル化することができる。アミン保護基を脱離
することにより、低級アルキルによシモノ置換されたア
ミノ基(R2=H,R3=低級アルキル、又はR2=低
級アルキル、R,=H)が生ずる・ 適当な金属化試薬は、例えばリテウムジイソゾロビルア
ミド、又はブチルリチウムである。基札に対応する反応
性化合物は、例えば式B2−X、又はR3−X(ここで
、Xは離核性脱離基、例えば)・ロダン原子、例えば塩
素、臭素もしくはヨウ鉋、又ハスルホニルオキシ基、例
えばメタンスルホニルオキシもしくはP−)ルエンスル
ホニルオキシである、)の化合物である。
R1が水素である化合物においてイミド官能基をアルキ
ル化すべきでない場合、所所によりこの基を前記の保護
基のいずれかにより保護することができる。
ル化すべきでない場合、所所によりこの基を前記の保護
基のいずれかにより保護することができる。
犬叉」I囚え鉄属−
得られたこの発明のノアステレオマ−の光学的に純粋な
対掌体への分離は、それ自体公知の方法により、例えば
物理的方法又は化学的方法により、例えば分別結晶化に
より行う。しかし、クロマトグラフ的方法、例えば固−
液クロマトグラフイーを用いることもできる。揮発性ジ
アステレオマー混合物は、蒸留により又はクロマトグラ
フ的に分離することもできる。
対掌体への分離は、それ自体公知の方法により、例えば
物理的方法又は化学的方法により、例えば分別結晶化に
より行う。しかし、クロマトグラフ的方法、例えば固−
液クロマトグラフイーを用いることもできる。揮発性ジ
アステレオマー混合物は、蒸留により又はクロマトグラ
フ的に分離することもできる。
酸付加塩は、常法に従って、例えば酸又は適当な陰イオ
ン交換試薬で処理することにより得られる。
ン交換試薬で処理することにより得られる。
この発明の方法はさらに、中間体として得られる化合物
を出発物質として使用して残りの段階を実施し、又は方
法を途中で中止する変法、さらには出発物質を誘導体の
形で使用し、又は反応中に生成せしめる変法をも含む。
を出発物質として使用して残りの段階を実施し、又は方
法を途中で中止する変法、さらには出発物質を誘導体の
形で使用し、又は反応中に生成せしめる変法をも含む。
特に好ましいとして前記した化合物を生成せしめる出発
物質を使用す−るのが好ましい。
物質を使用す−るのが好ましい。
匪」1創
この発明の式中の化合物の製造方法において使用する出
発物質は公知であり、又は新規である場合は、それ自体
公知の方法によシ製造される。
発物質は公知であり、又は新規である場合は、それ自体
公知の方法によシ製造される。
R1及びR4が式(I)について記載した前記の意味を
有し、そしてXが基−N(R2XR3)に転換し得る基
、例えば窒素を含有する還元可能な基、例えばニトロ、
ニトロン、ヒドロキシアミノもしくはアジド基、置き換
え可能な基、例えばハロゲン例えば塩素、臭素もしくは
ヨウ素、又は誘導体にされたカルがキシ基、例えばカル
バモイル基もしくはアジドカルコニル基、又は保護され
たアミノ基である式(If)の化合物は新規であり、そ
してこの発明はさらにこれらの化合物にも関する。式(
II)の好ましい出発物質はXがニトロ基である化合物
である。
有し、そしてXが基−N(R2XR3)に転換し得る基
、例えば窒素を含有する還元可能な基、例えばニトロ、
ニトロン、ヒドロキシアミノもしくはアジド基、置き換
え可能な基、例えばハロゲン例えば塩素、臭素もしくは
ヨウ素、又は誘導体にされたカルがキシ基、例えばカル
バモイル基もしくはアジドカルコニル基、又は保護され
たアミノ基である式(If)の化合物は新規であり、そ
してこの発明はさらにこれらの化合物にも関する。式(
II)の好ましい出発物質はXがニトロ基である化合物
である。
式(II)の化合物又はその塩は、それ自体公知の方法
により、例えば次のようにして製造することができる。
により、例えば次のようにして製造することができる。
e)次の式(ロ)
〔式中、R4は式(I)について記載した前記の意味。
を有し、Yl及びY2は脱離基であり、そしてX′は前
記のXのいずれかであり、又はカルボキシである、〕で
表わされる化合物又はその塩を、基−NH−R4をもた
らす化合物と反応せしめることによって環化し;あるい
は、 f)次の式(■)、 R/。
記のXのいずれかであり、又はカルボキシである、〕で
表わされる化合物又はその塩を、基−NH−R4をもた
らす化合物と反応せしめることによって環化し;あるい
は、 f)次の式(■)、 R/。
(式中、B/、は基R4、又はアミノ保護基であムX′
は基X1又はカルがキシであり、そしてRR1″14 及びXは上記の意味を有する、) で表わされる化合物又はその塩を環化し;あるいは、g
)次の式(IK)又は(X)、 R′1 (式中、R′1は基R1、又はアミノ保護基で1、X′
は基X1又はカルボキシで6D、Y3は脱離基でアシ、
そしてRlr R4及びXは前記の意味を有する、) で表わされる化合物又はその塩を塩基と共に環化し; そして得られた化合物においてカルボキシ基X′を置き
換え可能な基、例えばカルバモイル又はアジドカルボニ
ルに転換し、そして/又はアミノ保護基R′1を除去し
、そして/又は所望によりこの発明に従って得られる式
(■λの化合物を定義に従う式(n)の他の化合物に転
換し、そして/又は得られた塩を遊離化合物にもしくは
他の塩に転換し、そして/又は得られた遊離化合物を塩
に転換し、そして/又は異性体の得られた混合物を個々
の異性体に分離する。
は基X1又はカルがキシであり、そしてRR1″14 及びXは上記の意味を有する、) で表わされる化合物又はその塩を環化し;あるいは、g
)次の式(IK)又は(X)、 R′1 (式中、R′1は基R1、又はアミノ保護基で1、X′
は基X1又はカルボキシで6D、Y3は脱離基でアシ、
そしてRlr R4及びXは前記の意味を有する、) で表わされる化合物又はその塩を塩基と共に環化し; そして得られた化合物においてカルボキシ基X′を置き
換え可能な基、例えばカルバモイル又はアジドカルボニ
ルに転換し、そして/又はアミノ保護基R′1を除去し
、そして/又は所望によりこの発明に従って得られる式
(■λの化合物を定義に従う式(n)の他の化合物に転
換し、そして/又は得られた塩を遊離化合物にもしくは
他の塩に転換し、そして/又は得られた遊離化合物を塩
に転換し、そして/又は異性体の得られた混合物を個々
の異性体に分離する。
方法、(e)は方法(b)について前記した条件下で行
うことができ、方法(f)は方法(eJについて前記し
た条件下で行うことができ;そして方法(gj&工方決
方法)について前記した条件下で行うことができる。式
([7の化合物中のカルボキシ基X′のアジドカルボニ
ル基又はカルバモイル基への転換は、オルガニクム(O
rganikum)+ VEBドイチェル・フェルラー
グ・rア・ビラセンシャツテン、第15版、1976に
記載されている芳香族カルボキシ基についての誘導体化
に従って行うことができる。アミン保睦基夙の除去は方
法(、)について記載したのと同様に行われる。
うことができ、方法(f)は方法(eJについて前記し
た条件下で行うことができ;そして方法(gj&工方決
方法)について前記した条件下で行うことができる。式
([7の化合物中のカルボキシ基X′のアジドカルボニ
ル基又はカルバモイル基への転換は、オルガニクム(O
rganikum)+ VEBドイチェル・フェルラー
グ・rア・ビラセンシャツテン、第15版、1976に
記載されている芳香族カルボキシ基についての誘導体化
に従って行うことができる。アミン保睦基夙の除去は方
法(、)について記載したのと同様に行われる。
適切なアミン保護基R′1及びその除去は、方法(、)
に関して前に記載されている。さらに、アミノ保護基R
′、として、例えば低級アルカノイル、例えばアセチル
もしくはプロピオニル、又は低級アルケメイル、例えば
アクリロイル、もしくは特にメタクリロイルが好ましい
。これらの保護基は酸分解により、例えば酢酸、ジクロ
ロ酢酸、トリフルオロ酢酸又は希塩酸等を用いて除去さ
れる。さらに、アミノ保護基H1,として、例えば1−
低級アルコキシカルボニル−l−アルケニル、例えばl
−メトキシ−カル?ニルー1−ビニルが適当である。こ
れらの保護基は酸化によシ、例えば過マンガン酸カリウ
ム、過ヨウ素酸カリウム及び触媒量の四酸化オスミウム
、又はオゾンを用いて除去される。
に関して前に記載されている。さらに、アミノ保護基R
′、として、例えば低級アルカノイル、例えばアセチル
もしくはプロピオニル、又は低級アルケメイル、例えば
アクリロイル、もしくは特にメタクリロイルが好ましい
。これらの保護基は酸分解により、例えば酢酸、ジクロ
ロ酢酸、トリフルオロ酢酸又は希塩酸等を用いて除去さ
れる。さらに、アミノ保護基H1,として、例えば1−
低級アルコキシカルボニル−l−アルケニル、例えばl
−メトキシ−カル?ニルー1−ビニルが適当である。こ
れらの保護基は酸化によシ、例えば過マンガン酸カリウ
ム、過ヨウ素酸カリウム及び触媒量の四酸化オスミウム
、又はオゾンを用いて除去される。
R2+ Rs及びR4が式(I)に記載した意味を有し
、Y、及びY2が脱離基であり、そしてX″が基−N(
R2XRs)に転換され得る基又はカルがキシ基である
式(ト)の化合物及び式(■)の化合物は、例えば次の
ようにして製造することができる。
、Y、及びY2が脱離基であり、そしてX″が基−N(
R2XRs)に転換され得る基又はカルがキシ基である
式(ト)の化合物及び式(■)の化合物は、例えば次の
ようにして製造することができる。
次の式(XI)、
以下余白
〔式中、R4は式(I)について前記した意味を有し、
そしてX″ は基−N(R2)(R3)・基−N(R2
)(R3)に転換され得る基、又はカルがキシである、
〕で表わされる化合物を、P、M、 Warner等、
ジャーナル・オプ・オーガニック・ケミストリー(J。
そしてX″ は基−N(R2)(R3)・基−N(R2
)(R3)に転換され得る基、又はカルがキシである、
〕で表わされる化合物を、P、M、 Warner等、
ジャーナル・オプ・オーガニック・ケミストリー(J。
Org、Chem、)46.4795(I981)に記
載されているのと同様の方法で、ヨウ化メチレン及びリ
チウムジインプロピルアミドを用いて、α−位において
アルキル化してエステル官能を形成し、そして次に、方
法(d)において記載したのと同様にして塩基を用いて
ヨウ化水素を除去することによp環化し、そして最後に
エステル官能のメトキシ基を場合によっては他の脱離基
Y1又はY2に転換する。
載されているのと同様の方法で、ヨウ化メチレン及びリ
チウムジインプロピルアミドを用いて、α−位において
アルキル化してエステル官能を形成し、そして次に、方
法(d)において記載したのと同様にして塩基を用いて
ヨウ化水素を除去することによp環化し、そして最後に
エステル官能のメトキシ基を場合によっては他の脱離基
Y1又はY2に転換する。
エステルのメトキシ基を脱離基、例えばヒドロキシ、塩
素、臭素、ヨウ素もしくは低級アルコキシ、又は無水物
に転換する方法は、ホウペン−ウニイルVol■、″ザ
ウエルストック7エルビンドクングン(Sauergt
offverbindungen) m”、第4章及び
第5章に記載されている。
素、臭素、ヨウ素もしくは低級アルコキシ、又は無水物
に転換する方法は、ホウペン−ウニイルVol■、″ザ
ウエルストック7エルビンドクングン(Sauergt
offverbindungen) m”、第4章及び
第5章に記載されている。
R+ + R2、R3及びR4が式(I)について記載
した意味を有し、R′1が基R1又はアミン保護基であ
パそしてX″が基−N(R2XR;)に転換され得る基
又はカルボキシ基である弐帖の化合物及び式(■)の化
合物は、A、 Alder等、ヘルベチカ・チミヵ・ア
クタ(Helv、 Chim、 Acta)65 、2
4’05(I982) ;及びジャーナル・オブ・アメ
リカン・ケミカル・ンサヤテ4− (J、 Am、 c
hem、 Soc、)105 。
した意味を有し、R′1が基R1又はアミン保護基であ
パそしてX″が基−N(R2XR;)に転換され得る基
又はカルボキシ基である弐帖の化合物及び式(■)の化
合物は、A、 Alder等、ヘルベチカ・チミヵ・ア
クタ(Helv、 Chim、 Acta)65 、2
4’05(I982) ;及びジャーナル・オブ・アメ
リカン・ケミカル・ンサヤテ4− (J、 Am、 c
hem、 Soc、)105 。
6712(I98’3)に記載されている方法と同様に
して、フェニル環において置換されたα−フェニルアク
リル酸、及びα−位において及び/又は窒素原子におい
て置換されているアクリルアミドから得られる。
して、フェニル環において置換されたα−フェニルアク
リル酸、及びα−位において及び/又は窒素原子におい
て置換されているアクリルアミドから得られる。
味を有し、R′、が基R4又はアミノ保護基であり、そ
してX″が基−N、(R2XR3)に転換され得る基又
はカルボキシである式(V)及び(ロ)の化合物又は式
■の化合物は、例えば次のようにして得られる。
してX″が基−N、(R2XR3)に転換され得る基又
はカルボキシである式(V)及び(ロ)の化合物又は式
■の化合物は、例えば次のようにして得られる。
次の式(X[l)、
R′1
〔式中\夙及びR4は前記の意味を有し、そしてX#は
基−N(R2XR5)、基−NCR2)(R3)に転換
され得る基、又はカルボキシテアル、 〕で表わされる化合物を、P、M、 Warmer等、
・シャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J
。
基−N(R2XR5)、基−NCR2)(R3)に転換
され得る基、又はカルボキシテアル、 〕で表わされる化合物を、P、M、 Warmer等、
・シャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J
。
Org、 Chem、 ) 46 、4795 (I9
81)に記載されている方法と同様にして、ヨウ化メチ
レン及びリチウムジインプロピルアミドを用いて、カる
いは、対応する方法に従ってホルムアルデヒド及び非親
核性塩基を用いてヒドロキシアルキル化し、そして次に
このヒドロキシ基をそれ自体公知の方法に従ってハロゲ
ン又はスルホエルオニシ基転換する。1 この反応中に生j況する式■及び(ロ)、又は頓及び■
の異性体の比率は、置換基R4及びX”の性質により影
響されるが、方法(d)又は憧)に従う次の環化中にそ
れぞれ式(I)及び式(II)の均一な化合物が生成す
るので、上記のことは賞賛ではない。
81)に記載されている方法と同様にして、ヨウ化メチ
レン及びリチウムジインプロピルアミドを用いて、カる
いは、対応する方法に従ってホルムアルデヒド及び非親
核性塩基を用いてヒドロキシアルキル化し、そして次に
このヒドロキシ基をそれ自体公知の方法に従ってハロゲ
ン又はスルホエルオニシ基転換する。1 この反応中に生j況する式■及び(ロ)、又は頓及び■
の異性体の比率は、置換基R4及びX”の性質により影
響されるが、方法(d)又は憧)に従う次の環化中にそ
れぞれ式(I)及び式(II)の均一な化合物が生成す
るので、上記のことは賞賛ではない。
公知でない式(X[l)のグルタルイミド誘導体は、式
(至)の対応するグルタミン酸エステル誘導体から、方
法(b)と同様にして、基、>N−R′、を導入する化
合物との反応によシ得ることができ、あるいは次の式(
XIID・ で表わされる対応して置換された2−ヒドロキシ−6−
オキソ−1,6−−/ヒドロピリジン又はその互変異性
化合物を水素化し、そして次に場合によってはR′、を
導入する化合物を用いてイミド窒索原子をアルキル化又
はアシル化することにより製造することができる。
(至)の対応するグルタミン酸エステル誘導体から、方
法(b)と同様にして、基、>N−R′、を導入する化
合物との反応によシ得ることができ、あるいは次の式(
XIID・ で表わされる対応して置換された2−ヒドロキシ−6−
オキソ−1,6−−/ヒドロピリジン又はその互変異性
化合物を水素化し、そして次に場合によってはR′、を
導入する化合物を用いてイミド窒索原子をアルキル化又
はアシル化することにより製造することができる。
式(至)の化合物は公知であり、又はE 、Ziegl
er等、ツアイトシュリフト、フユール、ナトールフ#
k シュ7り(Z 、 Naturforech) 3
3 b 、1550(I978)に記載されている方法
により得ることができる。
er等、ツアイトシュリフト、フユール、ナトールフ#
k シュ7り(Z 、 Naturforech) 3
3 b 、1550(I978)に記載されている方法
により得ることができる。
次に例によりこの発明を例示する。但しこれによりこの
発明の範囲を限定するものではない。温度は℃で示す。
発明の範囲を限定するものではない。温度は℃で示す。
I庫赤外線を示す。
Rf値はシリカゲル薄層プレート上で測定する。
例えば、Rf(CH2C42)にRf値を溶剤CHzC
4z (塩化メチレン)で測定することを示す。
4z (塩化メチレン)で測定することを示す。
匠1
a)1−(4−アミノフェニル −3−n−ノロビル−
3−アゾビシクロ 3.1.1炭素上5%)やラジウム
触媒o、asyを、70mJの酢酸エチル中3.511
の1− (4−’ニトロフェニル) −3−n −フロ
ピルー3−アゾビシクロ〔3、1、’1 )へブタン−
2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を常圧下でそ
して30℃〜35℃において水素雰囲気中で水素化する
。水素の吸収が些了した時、反応混合物を30−の塩化
メチレンで稀釈し、そしてハイフロス−パーセル(商i
)上で瀘過することにより触媒を除去する。溶剤を真空
蒸発除去し、そして残渣を酢酸エチル/n−ヘキサンの
混合物から再結晶化し、標記化合物を白色結晶として得
る。融点166℃〜167℃。IRスペクトル(CHC
l3中) 16.85及び1740crn−1゜出発物
質の製造: 900−の1,3−ジクロロベンゼン中46.1.9の
4−アザ−2−(4−ニトロフェニル)−4−n−ノロ
ビル−1,6−へブタジェン−3,5−ジオン及び0.
59の2,6−シーtert−ブチル−p−クレゾール
の溶液を170℃にて1.5時間攪拌する。
3−アゾビシクロ 3.1.1炭素上5%)やラジウム
触媒o、asyを、70mJの酢酸エチル中3.511
の1− (4−’ニトロフェニル) −3−n −フロ
ピルー3−アゾビシクロ〔3、1、’1 )へブタン−
2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を常圧下でそ
して30℃〜35℃において水素雰囲気中で水素化する
。水素の吸収が些了した時、反応混合物を30−の塩化
メチレンで稀釈し、そしてハイフロス−パーセル(商i
)上で瀘過することにより触媒を除去する。溶剤を真空
蒸発除去し、そして残渣を酢酸エチル/n−ヘキサンの
混合物から再結晶化し、標記化合物を白色結晶として得
る。融点166℃〜167℃。IRスペクトル(CHC
l3中) 16.85及び1740crn−1゜出発物
質の製造: 900−の1,3−ジクロロベンゼン中46.1.9の
4−アザ−2−(4−ニトロフェニル)−4−n−ノロ
ビル−1,6−へブタジェン−3,5−ジオン及び0.
59の2,6−シーtert−ブチル−p−クレゾール
の溶液を170℃にて1.5時間攪拌する。
蒸発により濃縮した後、残渣を、塩化メチレン/ジイソ
プロピルエーテルの混合物から再結晶化し、標記化合物
を淡黄色結晶として得る。融点141℃〜143℃。母
液を蒸発濃縮し、そして塩化メチレンと共にシリカゲル
60で沖過する。塩化メチレン/−)イソプロピルエー
テルの混合物から再結晶化した後白色結晶を得る。融点
149℃〜151℃。IRス被クりル(CHCt、中)
:1350゜1685及びl 7456n−1゜ 3.5−ジオン 500ゴの塩化メチレン中76.2.9の塩化オキサリ
ルの溶液を、室温にて2時間にわたシ、5−〇ツメチル
ホルムアミド及び2.51の塩化メチレン中115゜8
Iiのα−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸の攪拌
された懸濁液に流加する。添加を完了したとき、この混
合物をさらに2時間、ガスの発生が止まるまで攪拌する
。2−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸クロリドの
得られた溶液な0℃に冷却し、そして450dの塩化メ
チレン中67.8 FのN−n−プロピル−アクリルア
ミド及び121gのトリエチルアミンのO℃〜5℃に冷
却された溶液に流加する。流加が終了したとき、この混
合物を室温にて1.5時間攪拌する。蒸発濃縮した後、
残渣を2ノのエーテルと共に攪拌し、そして吸引瀘過し
、そして残渣を再び塩化メチレンと共に攪拌し、そして
再び吸引p遇する。
プロピルエーテルの混合物から再結晶化し、標記化合物
を淡黄色結晶として得る。融点141℃〜143℃。母
液を蒸発濃縮し、そして塩化メチレンと共にシリカゲル
60で沖過する。塩化メチレン/−)イソプロピルエー
テルの混合物から再結晶化した後白色結晶を得る。融点
149℃〜151℃。IRス被クりル(CHCt、中)
:1350゜1685及びl 7456n−1゜ 3.5−ジオン 500ゴの塩化メチレン中76.2.9の塩化オキサリ
ルの溶液を、室温にて2時間にわたシ、5−〇ツメチル
ホルムアミド及び2.51の塩化メチレン中115゜8
Iiのα−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸の攪拌
された懸濁液に流加する。添加を完了したとき、この混
合物をさらに2時間、ガスの発生が止まるまで攪拌する
。2−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸クロリドの
得られた溶液な0℃に冷却し、そして450dの塩化メ
チレン中67.8 FのN−n−プロピル−アクリルア
ミド及び121gのトリエチルアミンのO℃〜5℃に冷
却された溶液に流加する。流加が終了したとき、この混
合物を室温にて1.5時間攪拌する。蒸発濃縮した後、
残渣を2ノのエーテルと共に攪拌し、そして吸引瀘過し
、そして残渣を再び塩化メチレンと共に攪拌し、そして
再び吸引p遇する。
エーテルろ液を真空蒸発乾燥し、そして残渣を31のヘ
キサンと共に加熱し、活性炭素を加え、そして全体を熱
F遇する。冷却した後、標記化合物を淡♂ンク色の結晶
として得る。融点68℃〜69.5℃。
キサンと共に加熱し、活性炭素を加え、そして全体を熱
F遇する。冷却した後、標記化合物を淡♂ンク色の結晶
として得る。融点68℃〜69.5℃。
塩化メチレンF液を蒸発により約3001nlの容積に
濃縮し、吸引濾過し、そしてエーテル中1.5時のシリ
カダル60でF遇する。F液を蒸発濃縮した後、ヘキサ
ンから再結晶化し、同様の結晶形の標記化合物を得る。
濃縮し、吸引濾過し、そしてエーテル中1.5時のシリ
カダル60でF遇する。F液を蒸発濃縮した後、ヘキサ
ンから再結晶化し、同様の結晶形の標記化合物を得る。
融点69℃〜70C0−緒にした生成物をヘキサンから
反復して再結晶化することによシ白色結晶生成物を得る
。融点71.5℃〜72,5℃。
反復して再結晶化することによシ白色結晶生成物を得る
。融点71.5℃〜72,5℃。
肛
例1aに記載したのと同様の方法で、6.011の3−
メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシク
ロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンな120
−の2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上5チパラ
ジウム0.6 gの存在下で水素化し、そしてさらに処
理する。融点197℃〜198℃(酢酸エチルから)。
メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシク
ロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンな120
−の2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上5チパラ
ジウム0.6 gの存在下で水素化し、そしてさらに処
理する。融点197℃〜198℃(酢酸エチルから)。
IRスペクトル(C’HC1,中):1680及び17
40a++−’。
40a++−’。
−3−アゾビシクロ 3.1.1 −ヘプタン−2,4
−ジオン 例1 b’に記載した方法と同様にして、37.1.9
の4−アゾ−4−メチル−2−(4−ニトロフェ二、+
b)−x、6−ヘブタソエンー3,5−ジオン及び0.
4Iの2,6−シーtert−ブチ)L/−p−クレゾ
ールを370−の1,3−ジクロロベンゼン中で170
℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。融点185℃〜
188℃(塩化メチレン/ジイソゾロビルエーテルから
)。IRスヘクトル(CHCl3中):1350.16
85及び1740cm。
−ジオン 例1 b’に記載した方法と同様にして、37.1.9
の4−アゾ−4−メチル−2−(4−ニトロフェ二、+
b)−x、6−ヘブタソエンー3,5−ジオン及び0.
4Iの2,6−シーtert−ブチ)L/−p−クレゾ
ールを370−の1,3−ジクロロベンゼン中で170
℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。融点185℃〜
188℃(塩化メチレン/ジイソゾロビルエーテルから
)。IRスヘクトル(CHCl3中):1350.16
85及び1740cm。
例1cと同様にして、115.11のα−(4−二トロ
フェニル)−アクリル酸、76.21の塩化オキサリル
、及び51.19のN−メチルアクリルアミドから出発
して標記化合物を得る。粗黄色油秋物をさらに処理する
。
フェニル)−アクリル酸、76.21の塩化オキサリル
、及び51.19のN−メチルアクリルアミドから出発
して標記化合物を得る。粗黄色油秋物をさらに処理する
。
咎菱
a)l−4−アミノフェニル −3−インゾロビル−3
−アザビシクロ 3.1.1−へブタン−2,4−ジオ
ン 例1aに記載したのと同様にして、2.3gの3−イ:
/7’ロビルー1−(4−ニトロ7エール)−3−アザ
ビシクロ〔3.1,13−へブタン−2,4−ジオンを
50mの酢酸エチルに溶解し、炭素上5%パラジウム0
.25gの存在下で水馬化し、そしてさらに処理する。
−アザビシクロ 3.1.1−へブタン−2,4−ジオ
ン 例1aに記載したのと同様にして、2.3gの3−イ:
/7’ロビルー1−(4−ニトロ7エール)−3−アザ
ビシクロ〔3.1,13−へブタン−2,4−ジオンを
50mの酢酸エチルに溶解し、炭素上5%パラジウム0
.25gの存在下で水馬化し、そしてさらに処理する。
融点191℃〜201℃(酢酸エチル/ヘキサンから)
、IRスペクトル(CHCl3中):1680及び17
40 cm−1゜出発物質の製造二 例1bに記載した方法と同様にして、10.211の4
−アザ−4−インゾロビル−2−(4−ニトロフェニル
)−1,6−ヘプタツエンー3.5−−)オン及び0.
2gの2,6−シーtert−エチルーp−クレゾール
ヲ1OOIIIl!の1,3−ジクロロベンゼン中で1
70℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。
、IRスペクトル(CHCl3中):1680及び17
40 cm−1゜出発物質の製造二 例1bに記載した方法と同様にして、10.211の4
−アザ−4−インゾロビル−2−(4−ニトロフェニル
)−1,6−ヘプタツエンー3.5−−)オン及び0.
2gの2,6−シーtert−エチルーp−クレゾール
ヲ1OOIIIl!の1,3−ジクロロベンゼン中で1
70℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。
Rf (CH2Cl2) = 0.26゜IRスペクト
ル(ca、cz。
ル(ca、cz。
中):1350,1680及び1740 cm−’。
3,5−ジオン
例1cと同様にして、44.6.9のα−(4−ニトロ
フェニル)〜アクリル酸、29.8.17の塩化オキサ
リル及び21.8.9のN−インプロピルアクリルアミ
ドから出発して標記化合物を得る。油状固形物。Rf
(CH2Cl2)= 0.3゜餞を 例1aに記載したのと同様Vこして、4.11の3=ネ
オペンチル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3.i、1:]−へ]ブタンー24〜ノオンを
80−の酢酸エチルに溶解し、炭素上5%パラジウム0
,4gの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。融
点141.5℃〜143℃(ジエチルエーテルから)。
フェニル)〜アクリル酸、29.8.17の塩化オキサ
リル及び21.8.9のN−インプロピルアクリルアミ
ドから出発して標記化合物を得る。油状固形物。Rf
(CH2Cl2)= 0.3゜餞を 例1aに記載したのと同様Vこして、4.11の3=ネ
オペンチル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3.i、1:]−へ]ブタンー24〜ノオンを
80−の酢酸エチルに溶解し、炭素上5%パラジウム0
,4gの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。融
点141.5℃〜143℃(ジエチルエーテルから)。
IRスペクトル(CHCl、中):1685及び174
0crn−1゜例1bに記載した方法と同様にして、1
2.11Iの4−アゾ−4−ネオペンチル−2−(4−
ニトロフェニル)−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジ
オン及び0.2.rの2.6− X)−tert−ブチ
A/−P−クレソールを120mの1,3−ジクロロベ
ンゼン中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する
。塩化メチレンと共にシリカダル60で濾過した後標記
化合物を黄色結晶の形で得る。融点175℃〜182℃
。Rf(エーテル)=0.56゜IRスRクトル(CH
CL3中): 1350.1690及び1745 tt
n−1゜3.5−ジオン 例ICと同様にして、45.9.!i’のα−(4−二
トロフェニル)−アクリル酸、30.2Fの塩化オキサ
リル及び28.0.PのN−ネオペンチルアクリルアミ
ドから標記化合物を得る。黄色油状物。
0crn−1゜例1bに記載した方法と同様にして、1
2.11Iの4−アゾ−4−ネオペンチル−2−(4−
ニトロフェニル)−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジ
オン及び0.2.rの2.6− X)−tert−ブチ
A/−P−クレソールを120mの1,3−ジクロロベ
ンゼン中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する
。塩化メチレンと共にシリカダル60で濾過した後標記
化合物を黄色結晶の形で得る。融点175℃〜182℃
。Rf(エーテル)=0.56゜IRスRクトル(CH
CL3中): 1350.1690及び1745 tt
n−1゜3.5−ジオン 例ICと同様にして、45.9.!i’のα−(4−二
トロフェニル)−アクリル酸、30.2Fの塩化オキサ
リル及び28.0.PのN−ネオペンチルアクリルアミ
ドから標記化合物を得る。黄色油状物。
Rf(CH2C72)= 0.36゜
出発物質を製造するだめの他の方法:
2.4dのネオペンチルアミンを、6mJの酢酸中2.
5gの1−(4−ニトロフェニル)−1,3−シクロプ
タンノカルボン酸無水物の懸濁液に室温において流加す
る。この混合物を120℃にて20時間攪拌する。蒸発
乾燥した後、残渣を、エーテル/ヘキサン(2:1)混
合物を用いてシリカダル上でクロマトグラフ処理する。
5gの1−(4−ニトロフェニル)−1,3−シクロプ
タンノカルボン酸無水物の懸濁液に室温において流加す
る。この混合物を120℃にて20時間攪拌する。蒸発
乾燥した後、残渣を、エーテル/ヘキサン(2:1)混
合物を用いてシリカダル上でクロマトグラフ処理する。
例4bの標記化合物と同一の化合物を得る。
1(lのシス−1−(4−ニトロフェニル)−1,3−
シクログタンソカル?ン酸とxoornt、の無水酢酸
との混合物を、2時間還流加熱する。この反応混合物を
蒸発乾燥し、そして残渣をトルエンに懸濁し、吸引濾過
し、エーテルで洗浄し、そして真空中で一夜乾燥する。
シクログタンソカル?ン酸とxoornt、の無水酢酸
との混合物を、2時間還流加熱する。この反応混合物を
蒸発乾燥し、そして残渣をトルエンに懸濁し、吸引濾過
し、エーテルで洗浄し、そして真空中で一夜乾燥する。
灰色の結晶の形で標記化合物を得る。融点183℃〜1
87℃、IRスペクトル(KBrディスク):1355
.1780及び1825LM0 36.3.!i’の1−(4−ニトロフェニル)−3−
n−ゾロピル〜3−アゾビシクロ(:3.1.1)へブ
タ7−2.4−ジオン、250rrLlの酢酸及び5o
omJの50チ硫酸の懸濁液を140℃にて20時間攪
拌する。冷却した後、懸濁液を氷上に注加し、そしてエ
ーテルで4回抽出する。エーテル抽出物を水性塩化す)
IJウム溶液で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、そして蒸発#縮する。
87℃、IRスペクトル(KBrディスク):1355
.1780及び1825LM0 36.3.!i’の1−(4−ニトロフェニル)−3−
n−ゾロピル〜3−アゾビシクロ(:3.1.1)へブ
タ7−2.4−ジオン、250rrLlの酢酸及び5o
omJの50チ硫酸の懸濁液を140℃にて20時間攪
拌する。冷却した後、懸濁液を氷上に注加し、そしてエ
ーテルで4回抽出する。エーテル抽出物を水性塩化す)
IJウム溶液で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、そして蒸発#縮する。
残渣にトルエンを加え、全体を再度真空濃縮する。
酢酸エチルから結晶化した後、218℃〜219℃の融
点を有する白色結晶を得る。
点を有する白色結晶を得る。
以下余白
何1
例1aに記載した方法と同様にして、6.0Iの3−n
−デシル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシ
クロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンを12
(ILA’の2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上
5俤パラジウム0.6Iの存在下で水素化し、そしてさ
らに処理する。融点81.5℃〜82.5℃(酢酸エチ
ル/ヘキサンから)。IRスペクトル(CHC73中)
:1680及び1740crn。
−デシル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシ
クロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンを12
(ILA’の2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上
5俤パラジウム0.6Iの存在下で水素化し、そしてさ
らに処理する。融点81.5℃〜82.5℃(酢酸エチ
ル/ヘキサンから)。IRスペクトル(CHC73中)
:1680及び1740crn。
以下余白
出発物質の製造:
例1bに記載した方法と同様にして、36.5.9の4
−アザ−4−n−デシル−2−(4−ニトロフェニル)
−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン及び0.4.
9の2,6−シーtert−ブチル−p−クレゾールf
370111の1.3−ジクロロベンゼン中で170℃
にて攪拌し、そしてさらに処理する。エーテル/ヘキサ
ン(I:1)混合物と共にシリカク゛ル60で濾過した
後、標記化合物を黄色油状物として得る。Rf(エーテ
ル)−0,54゜IRスにクトルCCHCl3中):1
350,1685゜及び1740cm。
−アザ−4−n−デシル−2−(4−ニトロフェニル)
−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン及び0.4.
9の2,6−シーtert−ブチル−p−クレゾールf
370111の1.3−ジクロロベンゼン中で170℃
にて攪拌し、そしてさらに処理する。エーテル/ヘキサ
ン(I:1)混合物と共にシリカク゛ル60で濾過した
後、標記化合物を黄色油状物として得る。Rf(エーテ
ル)−0,54゜IRスにクトルCCHCl3中):1
350,1685゜及び1740cm。
例1cと同様にして、37.8gのα−(4−二トロフ
ェニル)−アクリル酸、24.99の塩化オキサリル、
及び41.7!!のN−n−デシルアクリルアミドから
出発して標記化合物を得る。黄色油状物。
ェニル)−アクリル酸、24.99の塩化オキサリル、
及び41.7!!のN−n−デシルアクリルアミドから
出発して標記化合物を得る。黄色油状物。
例6゜
例1aK記載されている方法と同様にして、6.0gの
3−シクロヘキシルメチル−1−(4−ニトロフェニル
)−3−アザビシクロ〔3.’1.1)ヘノタフ−2,
4−ジオンを120rnlの2−メトキシエタノールに
溶解し、炭素上5チパラジウム0.6gの存在下で水素
化し、そしてさらに処理する。融点140℃〜146℃
(エーテルから)。
3−シクロヘキシルメチル−1−(4−ニトロフェニル
)−3−アザビシクロ〔3.’1.1)ヘノタフ−2,
4−ジオンを120rnlの2−メトキシエタノールに
溶解し、炭素上5チパラジウム0.6gの存在下で水素
化し、そしてさらに処理する。融点140℃〜146℃
(エーテルから)。
Rf(エーテル)=0.25゜IRスにクトル(CHC
L3中):1685及び1740crn 。
L3中):1685及び1740crn 。
出発物質の製造:
例1bに記載されている方法と同様にして、22.3.
pの4−アゾ−4−シクロヘキシルメチル−2−(4−
ニトロフェニル)−1,6−ヘデタノエンー3,5−ジ
オン及び0.3gの2,6−シーtert−ブチル−p
−クレゾール金22011Llの1.3−ジクロロベン
ゼン中で170℃に′て攪拌し、さらに処理する。融点
191’c−〜194℃(塩化メチレン/ジイソプロピ
ルエーテル)。
pの4−アゾ−4−シクロヘキシルメチル−2−(4−
ニトロフェニル)−1,6−ヘデタノエンー3,5−ジ
オン及び0.3gの2,6−シーtert−ブチル−p
−クレゾール金22011Llの1.3−ジクロロベン
ゼン中で170℃に′て攪拌し、さらに処理する。融点
191’c−〜194℃(塩化メチレン/ジイソプロピ
ルエーテル)。
IRスペクトル(CHCL3): 1350.1685
及び17406n 0 例1cと同様にして、47.99のα−(4−二トロフ
ェニル)−アクリル酸、31.5gの塩化オキサリル及
び34.7IのN−シクロヘキシルメチルアクリルアミ
ドから出発して標記化合物ヲ得る。
及び17406n 0 例1cと同様にして、47.99のα−(4−二トロフ
ェニル)−アクリル酸、31.5gの塩化オキサリル及
び34.7IのN−シクロヘキシルメチルアクリルアミ
ドから出発して標記化合物ヲ得る。
薄黄色結晶。融点92℃〜93℃。
牲ユ
ヘキシル−3−アザビシクロ〔3.1,1)例1aに記
載されている方法と同様にして、6.0.9の3−シク
ロへキシル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3゜1,1]−ヘノタン−2,4−ジオンを1
20ゴの2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上5チ
ノぐラジウム06gの存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点139℃〜140℃(エーテルから)。
載されている方法と同様にして、6.0.9の3−シク
ロへキシル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3゜1,1]−ヘノタン−2,4−ジオンを1
20ゴの2−メトキシエタノールに溶解し、炭素上5チ
ノぐラジウム06gの存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点139℃〜140℃(エーテルから)。
IRスペクトル(CHCL3): 1680及び173
5/7ff−’。
5/7ff−’。
出発物質の製造:
例ibに記載されている方法と同様にして、34、J9
の4−アゾ−4−シクロへキシル−2−(4−ニトロフ
ェニル)−1、6−へブタジェン−3,5−ジオン及び
0.4.9の2,6−ソーtert−ブチル−p−クレ
ゾールを350ゴの1,3−ジクロロベンゼン中で17
0℃にて攪拌し、そして処理する。融点163℃〜16
4℃(塩化メチレン/ジイソノロビルエーテルから〕。
の4−アゾ−4−シクロへキシル−2−(4−ニトロフ
ェニル)−1、6−へブタジェン−3,5−ジオン及び
0.4.9の2,6−ソーtert−ブチル−p−クレ
ゾールを350ゴの1,3−ジクロロベンゼン中で17
0℃にて攪拌し、そして処理する。融点163℃〜16
4℃(塩化メチレン/ジイソノロビルエーテルから〕。
IRスペクトル(CFCl2中):1350,1690
及び17451−1゜ 例1cと同様にして、40.5gのα−(4−二トロフ
ェニル)−アクリル酸、26.7.9’の塩化オキサリ
ル及び26.8gのN−シクηヘキシルアクリルアミド
から出発して標記化合物を得る。融点73℃〜74℃(
ヘキサンから)。
及び17451−1゜ 例1cと同様にして、40.5gのα−(4−二トロフ
ェニル)−アクリル酸、26.7.9’の塩化オキサリ
ル及び26.8gのN−シクηヘキシルアクリルアミド
から出発して標記化合物を得る。融点73℃〜74℃(
ヘキサンから)。
しu8゜
例1aに記載されている方法と同様にして、5、OIの
3−(4−メトキシ4ンジル)−1−(4−ニトロフェ
ニル)−3−7デビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2
,4−ジオンを100Mの酢酸エチルに溶解し、炭素上
5チ・母ラジウムIIの存在下で水素化し、そしてさら
に処理する。
3−(4−メトキシ4ンジル)−1−(4−ニトロフェ
ニル)−3−7デビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2
,4−ジオンを100Mの酢酸エチルに溶解し、炭素上
5チ・母ラジウムIIの存在下で水素化し、そしてさら
に処理する。
融点147℃〜147.’5℃(エーテルから)。
IRスー’?クトル(、CHCL3中):1680及び
1735Qπ O 出発物質の製造: 例1bに記載されている方法と同様にして、7’8.2
gの4−アザ−4−(4−メトキシベンジル)−2−(
4−ニトロフェニル)−1,6−へブタジェン−3,5
−ジオン及び0.3gの2,6−シーtart−ブチル
ニル−クレゾールe700mの1,3−ジクロロベンゼ
ン中で1 ’70 ℃にて攪拌し、そしてさらに処理す
る。融点146℃〜147℃(トルエン/エーテルカラ
)。IRスペクトル(CHCL3中) : 1350.
1685及び1745 cm−’。
1735Qπ O 出発物質の製造: 例1bに記載されている方法と同様にして、7’8.2
gの4−アザ−4−(4−メトキシベンジル)−2−(
4−ニトロフェニル)−1,6−へブタジェン−3,5
−ジオン及び0.3gの2,6−シーtart−ブチル
ニル−クレゾールe700mの1,3−ジクロロベンゼ
ン中で1 ’70 ℃にて攪拌し、そしてさらに処理す
る。融点146℃〜147℃(トルエン/エーテルカラ
)。IRスペクトル(CHCL3中) : 1350.
1685及び1745 cm−’。
c) 4−アゾ−4−(4−メトキシベンジル)例1
cと同様にして、106.1gのα−(4−二、トロフ
ェニル)−アクリル酸、?6.8.!9の塩化オキサリ
ル及び95.5.9のN−、(4−メトキシベンジル)
アクリルアミドから出発して標記化合物を得る。融点1
06.5℃〜107℃(エーテルから)。
cと同様にして、106.1gのα−(4−二、トロフ
ェニル)−アクリル酸、?6.8.!9の塩化オキサリ
ル及び95.5.9のN−、(4−メトキシベンジル)
アクリルアミドから出発して標記化合物を得る。融点1
06.5℃〜107℃(エーテルから)。
例9゜
ジオン
例1aに記載されている方法と同様にして、5’、Og
の1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3
.1,1,:]]ヘプタンー2,4−ジオを250m1
の2−メトキシエタノール中で、45℃にて、炭素上5
%ノ?ラジウム0.5gの存在下で水素化し、そしてさ
らに処理する。標記化合物を得る。この化合物は、2−
メトキシエタノ−ルから再結晶化した後融点265℃(
分解)を有する。IRスペクトル(KBrディスク):
1700及び1735crn−1 出発物質の製造: ジオン 400・―の水中283gのセリウム(IV)アンモニ
ウムニトレートの溶液を室温において、1.3tのアセ
トニトリル中50gの3−(4−メトキシベンジル)−
1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.
1,1)へブタン−2,4−ジオンの攪拌された溶液に
流加する。
の1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3
.1,1,:]]ヘプタンー2,4−ジオを250m1
の2−メトキシエタノール中で、45℃にて、炭素上5
%ノ?ラジウム0.5gの存在下で水素化し、そしてさ
らに処理する。標記化合物を得る。この化合物は、2−
メトキシエタノ−ルから再結晶化した後融点265℃(
分解)を有する。IRスペクトル(KBrディスク):
1700及び1735crn−1 出発物質の製造: ジオン 400・―の水中283gのセリウム(IV)アンモニ
ウムニトレートの溶液を室温において、1.3tのアセ
トニトリル中50gの3−(4−メトキシベンジル)−
1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.
1,1)へブタン−2,4−ジオンの攪拌された溶液に
流加する。
流加が完了したとき、この混合物をさらic4時間攪拌
する。得られた乳剤を真空中で半容量に濃縮する。生成
物を吸引濾過1水で洗浄し、そして真空乾燥する。次に
粗生成物を熱31のアセトニトリルに溶解し、そして得
られた溶液をノ・イフロスー・母−セルで濾過し、そし
て炉液を、結晶化が始まる壕で水流真空下で60℃〜7
0℃にて濃縮する。標記化合物を、250℃より高い融
点を有する褐色を帯びた結晶として得る。IRスペクト
ル(KBrディスク):1355,1695及び 。
する。得られた乳剤を真空中で半容量に濃縮する。生成
物を吸引濾過1水で洗浄し、そして真空乾燥する。次に
粗生成物を熱31のアセトニトリルに溶解し、そして得
られた溶液をノ・イフロスー・母−セルで濾過し、そし
て炉液を、結晶化が始まる壕で水流真空下で60℃〜7
0℃にて濃縮する。標記化合物を、250℃より高い融
点を有する褐色を帯びた結晶として得る。IRスペクト
ル(KBrディスク):1355,1695及び 。
1720LM 。
例10゜
例1aに記載された方法と同様にして、2.46.9(
7)3−ベンジル−1−(4−=)0フエニル)−3−
アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオ
ンを50dの酢酸エチルに溶解し、炭素上5チ・ぐラジ
ウム0.3gの存在下で水素化し、 ′そしてさらに
処理する。融点164℃〜165.5℃°(エーテル/
酢酸エチルから)。IRスペクトル(CHCL3):
1690及び1745o++ 0b)出発物質の製造 4.92gの1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3.1,1)ヘプタン−2,4−ジオンを70
11Llのジメチルホルムアミドに溶解し、そして窒素
雰囲気の下で1.2gのナトリウムヒドリド(フル力)
を加える。室温にて30分間攪拌した後、混合物を0℃
に冷却し、そしてこれに10mJのジメチルホルムアミ
ド中4.5yのベンジルプロミドの溶液を加える。添加
が完了した後、この混合物を室温にて4時間攪拌する。
7)3−ベンジル−1−(4−=)0フエニル)−3−
アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオ
ンを50dの酢酸エチルに溶解し、炭素上5チ・ぐラジ
ウム0.3gの存在下で水素化し、 ′そしてさらに
処理する。融点164℃〜165.5℃°(エーテル/
酢酸エチルから)。IRスペクトル(CHCL3):
1690及び1745o++ 0b)出発物質の製造 4.92gの1−(4−ニトロフェニル)−3−アゾビ
シクロ〔3.1,1)ヘプタン−2,4−ジオンを70
11Llのジメチルホルムアミドに溶解し、そして窒素
雰囲気の下で1.2gのナトリウムヒドリド(フル力)
を加える。室温にて30分間攪拌した後、混合物を0℃
に冷却し、そしてこれに10mJのジメチルホルムアミ
ド中4.5yのベンジルプロミドの溶液を加える。添加
が完了した後、この混合物を室温にて4時間攪拌する。
メタノールを添加することによって過剰量のナトリウム
ヒドリドを破壊し、そして真空蒸発乾燥を行う。残渣を
酢酸エチルに入れ、水及び塩化ナトリウム水溶液で洗浄
する。硫酸マグネシウムで乾燥した後、混合物を濾過し
、そして蒸発濃縮する。融点150℃〜152℃(エー
テルから)。IRス4クトル(CHCL3中):135
5.1690及び1745備 。
ヒドリドを破壊し、そして真空蒸発乾燥を行う。残渣を
酢酸エチルに入れ、水及び塩化ナトリウム水溶液で洗浄
する。硫酸マグネシウムで乾燥した後、混合物を濾過し
、そして蒸発濃縮する。融点150℃〜152℃(エー
テルから)。IRス4クトル(CHCL3中):135
5.1690及び1745備 。
例11
2.49のシス−1−(4−アミノフェニル)−1,3
−シクロブタンジカルメン酸及び1.3 mのシクロヘ
キシルメチルアミンを1OOIILlのキシレン中で1
40℃にて24時間、水分離器中で攪拌する。・反応混
合物を真空蒸発乾燥し、そして次にエーテルを用いてシ
リカフ9ル上でクロマトグラフ処理する。この結晶画分
は例6aの標記化合物と同一である。
−シクロブタンジカルメン酸及び1.3 mのシクロヘ
キシルメチルアミンを1OOIILlのキシレン中で1
40℃にて24時間、水分離器中で攪拌する。・反応混
合物を真空蒸発乾燥し、そして次にエーテルを用いてシ
リカフ9ル上でクロマトグラフ処理する。この結晶画分
は例6aの標記化合物と同一である。
出発物質の製造:
5Jのシス−1−(4−二トロフェニル)−1;3−シ
クロブタンジカルぎン酸&170mA’の2−メトキシ
エタノールに溶解し、そして炭素上5%・やラジウム0
.5gの存在下で水素化する。
クロブタンジカルぎン酸&170mA’の2−メトキシ
エタノールに溶解し、そして炭素上5%・やラジウム0
.5gの存在下で水素化する。
・・イフロスー・ぐ−セル(閤標)を通して濾過した彼
、蒸発乾燥を行う。薄黄色結晶。融点228C〜229
℃(分解)。
、蒸発乾燥を行う。薄黄色結晶。融点228C〜229
℃(分解)。
例12゜
炭素上5チ・ぐラジウム触媒1.0gを、200dの酢
酸エチル中10.0.pの5−メチル−1−(4−ニト
ロフェニル)−3−n−7’ロビルー3−7fビシクロ
〔3.1,1]へシタ7−2.4−ジオンの溶液に加え
、そして全体を常圧下、30℃〜35℃にて水素雰囲気
中で水素化する。水素の吸収か完了したとき、反応混合
物を100IrLlの塩化メチレンで稀釈し、そしてハ
イフロス−パーセル”Q(P遇することにより触媒を除
去する。蒸剤を真空蒸発せしめ、そして残渣を酢酸エチ
ル/n−ヘキサン混合物から再結晶化し、標記化合物を
白色結晶の形で得る。融点135℃〜136℃。IRス
ペクトル(Ci(Cl3中):1685及び1740゜
−1゜ 出発物質の製造: 攪拌しながら、2.31のアセトン中23.0夕の4−
アゾ−6−メチル−2−(4−ニトロフェニル)−4−
n−プロピル−゛1,6−ヘゾタジエンー3,5−ジオ
ン及び0.23.9の2,6−シーtert−ブチル−
p−クレゾールの溶液ヲ、石ランプ(フィリップス12
5HPK)を用いて3時間照射する。このランプは、2
重壁水冷・母イレックスがラスのシャフト中で反応液中
に浸漬する。蒸発濃縮した後、残渣を塩化メチ−ノン/
ジイソプロピルエーテル混合物から再結晶化し、標記化
合物を白色結晶として得る。融点128.5℃〜129
.5℃。IRス−eり) ル(CHCt、中):135
0゜1680及び1745 cm−1,1 100プの塩化メチレン中15.3gの塩化オキサリル
の溶/e1.を、室温忙て30分間にわたり、1mlの
ジメチルホルムアミド及び600dの塩化メチレン中2
3.2gのα−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸の
攪拌された懸濁液に滴加するa滴加が完了したとき、攪
拌をさら1c30分間、ガスの発生が停止するまで継続
する。α−(4〜ニトロフエニル)−アクリル酸クロリ
ドの得られた溶液を0℃に冷却し、そして塩化メチレン
(I00M)中242Sのトリエチルアミン及び15.
2pのN−n−プロピルメタクリルアミド00℃〜5℃
に冷却した溶液に滴加する。添加が完了したとき、この
混合物を室温にて1.5時間攪拌する。真空蒸発により
濃縮した後、残渣をエーテルと共に攪拌し、次に濾過し
、そして蒸発濃縮する。
酸エチル中10.0.pの5−メチル−1−(4−ニト
ロフェニル)−3−n−7’ロビルー3−7fビシクロ
〔3.1,1]へシタ7−2.4−ジオンの溶液に加え
、そして全体を常圧下、30℃〜35℃にて水素雰囲気
中で水素化する。水素の吸収か完了したとき、反応混合
物を100IrLlの塩化メチレンで稀釈し、そしてハ
イフロス−パーセル”Q(P遇することにより触媒を除
去する。蒸剤を真空蒸発せしめ、そして残渣を酢酸エチ
ル/n−ヘキサン混合物から再結晶化し、標記化合物を
白色結晶の形で得る。融点135℃〜136℃。IRス
ペクトル(Ci(Cl3中):1685及び1740゜
−1゜ 出発物質の製造: 攪拌しながら、2.31のアセトン中23.0夕の4−
アゾ−6−メチル−2−(4−ニトロフェニル)−4−
n−プロピル−゛1,6−ヘゾタジエンー3,5−ジオ
ン及び0.23.9の2,6−シーtert−ブチル−
p−クレゾールの溶液ヲ、石ランプ(フィリップス12
5HPK)を用いて3時間照射する。このランプは、2
重壁水冷・母イレックスがラスのシャフト中で反応液中
に浸漬する。蒸発濃縮した後、残渣を塩化メチ−ノン/
ジイソプロピルエーテル混合物から再結晶化し、標記化
合物を白色結晶として得る。融点128.5℃〜129
.5℃。IRス−eり) ル(CHCt、中):135
0゜1680及び1745 cm−1,1 100プの塩化メチレン中15.3gの塩化オキサリル
の溶/e1.を、室温忙て30分間にわたり、1mlの
ジメチルホルムアミド及び600dの塩化メチレン中2
3.2gのα−(4−ニトロフェニル)−アクリル酸の
攪拌された懸濁液に滴加するa滴加が完了したとき、攪
拌をさら1c30分間、ガスの発生が停止するまで継続
する。α−(4〜ニトロフエニル)−アクリル酸クロリ
ドの得られた溶液を0℃に冷却し、そして塩化メチレン
(I00M)中242Sのトリエチルアミン及び15.
2pのN−n−プロピルメタクリルアミド00℃〜5℃
に冷却した溶液に滴加する。添加が完了したとき、この
混合物を室温にて1.5時間攪拌する。真空蒸発により
濃縮した後、残渣をエーテルと共に攪拌し、次に濾過し
、そして蒸発濃縮する。
残渣を沸騰へキサンと共に攪拌し、活性炭素を加え、そ
して混合物を熱F遇する。F液を蒸発濃縮し、そして残
渣をジインプロピルエーテルから再結晶化する。淡黄色
結晶性標記化合物は62℃〜63℃の融点を有する。
して混合物を熱F遇する。F液を蒸発濃縮し、そして残
渣をジインプロピルエーテルから再結晶化する。淡黄色
結晶性標記化合物は62℃〜63℃の融点を有する。
例13
例12aに記載されている方法と同様にして、6.3g
の5−エチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−n−
プロピル−3−アゾ−ビシクロ〔3゜1.1〕−へブタ
ン−2,4−ジオンを12′〇−の酢酸エチルに溶解し
、炭素上5%/ぐラジウム0.6gの存在下で水素化し
、そしてさらに処理する。融点125℃(エーテルから
)。IRスペクトk CCHCl3中) : 1685
及び1740cm−’。
の5−エチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−n−
プロピル−3−アゾ−ビシクロ〔3゜1.1〕−へブタ
ン−2,4−ジオンを12′〇−の酢酸エチルに溶解し
、炭素上5%/ぐラジウム0.6gの存在下で水素化し
、そしてさらに処理する。融点125℃(エーテルから
)。IRスペクトk CCHCl3中) : 1685
及び1740cm−’。
出発物質の製造:
例1blC記載されている方法と同、様にして、29.
6gの4−アゾ−6−ニチルー2−(4〜ニトロフエニ
ル)〜4−n−プロピルー1,6−ヘブタソエンー3.
5−ジオン及び0.271の2,6−シーtert−ブ
チル−p−クレゾールを560ゴの1,3−ジクロロベ
ンゼン中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する
。融点121℃〜122℃(ジインプロピルエーテルか
ら)。IRスペクトル(CHCj3中): 1350.
1685及び17403 e) 4−アザ−6−ニチルー2−(4−ニトロフェ
ニル)−47n−ノロピル−1,6−例12cと同様に
して、34.7.li’のα−(4−ニトロフェニル〕
−アクリル酸、22.8gの塩化オキサリル及び26g
のN−n−プロピル−α−エチルアクリルアミドから出
発して標記化合物を得る。黄色油状物。RfCn−ヘキ
サン/エーテル(I:])、1=0.46゜ 例14 と 例12aに記載されている方法と同様にして、5.2!
905−イソブチル−1−(4−ニトロフェニル)−3
−rl−、Oロビルー3−79’ビシクロ〔3゜1.1
〕へブタン−2,4−ジオンを100−の酢酸エチル中
で、炭素上5チノやラジウム0.5Jの存在下で水素化
し、そしてさらに処理する。
6gの4−アゾ−6−ニチルー2−(4〜ニトロフエニ
ル)〜4−n−プロピルー1,6−ヘブタソエンー3.
5−ジオン及び0.271の2,6−シーtert−ブ
チル−p−クレゾールを560ゴの1,3−ジクロロベ
ンゼン中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する
。融点121℃〜122℃(ジインプロピルエーテルか
ら)。IRスペクトル(CHCj3中): 1350.
1685及び17403 e) 4−アザ−6−ニチルー2−(4−ニトロフェ
ニル)−47n−ノロピル−1,6−例12cと同様に
して、34.7.li’のα−(4−ニトロフェニル〕
−アクリル酸、22.8gの塩化オキサリル及び26g
のN−n−プロピル−α−エチルアクリルアミドから出
発して標記化合物を得る。黄色油状物。RfCn−ヘキ
サン/エーテル(I:])、1=0.46゜ 例14 と 例12aに記載されている方法と同様にして、5.2!
905−イソブチル−1−(4−ニトロフェニル)−3
−rl−、Oロビルー3−79’ビシクロ〔3゜1.1
〕へブタン−2,4−ジオンを100−の酢酸エチル中
で、炭素上5チノやラジウム0.5Jの存在下で水素化
し、そしてさらに処理する。
融点86.5℃〜87℃(ヘキサン/エーテル)。
IRスペクトル(CHCl3 中)=1690及び1
74゜、−1゜ 出発物質の製造: と 例12bVc記載されている方法と同様にして、20.
77iの4−アゾ−6−インプチルー2−(4−ニトロ
フェニル)−4−n−プロピル−1,6−へブタジェン
−3,5−ジオン’Th 1.5 Jのアセトン中0.
2gの2,6−ジーtar t−ブチル−p −クレゾ
ールの存在下で照射する。反応生成物を蒸発濃縮し、そ
して次にヘキサン/エーテル(I:1)を用いてシリカ
ダル上でクロマトグラフ処理する。
74゜、−1゜ 出発物質の製造: と 例12bVc記載されている方法と同様にして、20.
77iの4−アゾ−6−インプチルー2−(4−ニトロ
フェニル)−4−n−プロピル−1,6−へブタジェン
−3,5−ジオン’Th 1.5 Jのアセトン中0.
2gの2,6−ジーtar t−ブチル−p −クレゾ
ールの存在下で照射する。反応生成物を蒸発濃縮し、そ
して次にヘキサン/エーテル(I:1)を用いてシリカ
ダル上でクロマトグラフ処理する。
、−1゜
c) 4−アザ−ローイングチル−2−(4−二トロ
フェニル)−4−n−ノロビル−1,6−へブタジェン
−3,5−ジオン 例12cと同様にして、16..4 /iのα−(4−
ニトロフェニル)−アクリル酸、10.7.9の塩化オ
キサリル及び14.4pのN−n−プロピル−α−イソ
ブチルアクリルアミドから出発して標記化合物をイMる
。黄色油状物。
フェニル)−4−n−ノロビル−1,6−へブタジェン
−3,5−ジオン 例12cと同様にして、16..4 /iのα−(4−
ニトロフェニル)−アクリル酸、10.7.9の塩化オ
キサリル及び14.4pのN−n−プロピル−α−イソ
ブチルアクリルアミドから出発して標記化合物をイMる
。黄色油状物。
例15゜
例12’aに記載されている方法と同様にして、1.8
gの1−(4−ニトロフェニル)−5−フェニル−3−
n−fロビルー3−アテヒシクロ〔3.1,1]へゾタ
ンー′2,4−ジオンを40Mの酢酸エチルに溶解し、
炭素上5%・母ラジウム0.2gの存在下で水素化し、
そしてさらに処理する。融点144℃〜145℃(n−
ヘキサン/エーテルから)。IRス(クトル(CHCl
5中):1685及び1735(7)。
gの1−(4−ニトロフェニル)−5−フェニル−3−
n−fロビルー3−アテヒシクロ〔3.1,1]へゾタ
ンー′2,4−ジオンを40Mの酢酸エチルに溶解し、
炭素上5%・母ラジウム0.2gの存在下で水素化し、
そしてさらに処理する。融点144℃〜145℃(n−
ヘキサン/エーテルから)。IRス(クトル(CHCl
5中):1685及び1735(7)。
以下余日
出発物質の製造:
例12bに記載されている方法と同様にして、3.6y
の4−アゾ−2−(4−ニトロフアシル〕−6−フェニ
ル−4−n−プロピル−1,6−へブタジェン−3,5
−ジオンを、2501nlのアセトン中0.04IIの
2,6−ノーtert−ブチ/I/−p−クレゾールの
存在下で照射する。反応生成物を蒸発濃縮し、そして次
にトルエン/酢酸エチル(I5:1)を用いてシリカダ
ル上でクロマトグラフ処理する。IRス被クりル(CH
Cl、中):1350゜1695、及び1745譚−1
゜ 例12cと同様にして、36.711のα−(4−ニト
ロフェニル)−アクリル酸、24.1gの塩化オキサリ
ル及び35.8.9ON−n−プロピル−α−フェニル
アクリルアミドから出発して標記化合物を得る。白色結
晶。融点98℃〜99℃。
の4−アゾ−2−(4−ニトロフアシル〕−6−フェニ
ル−4−n−プロピル−1,6−へブタジェン−3,5
−ジオンを、2501nlのアセトン中0.04IIの
2,6−ノーtert−ブチ/I/−p−クレゾールの
存在下で照射する。反応生成物を蒸発濃縮し、そして次
にトルエン/酢酸エチル(I5:1)を用いてシリカダ
ル上でクロマトグラフ処理する。IRス被クりル(CH
Cl、中):1350゜1695、及び1745譚−1
゜ 例12cと同様にして、36.711のα−(4−ニト
ロフェニル)−アクリル酸、24.1gの塩化オキサリ
ル及び35.8.9ON−n−プロピル−α−フェニル
アクリルアミドから出発して標記化合物を得る。白色結
晶。融点98℃〜99℃。
例16゜
例12aに記載されている方法と同様にして、0.4y
の1.5−ジー(4−ニトロフェニルクー3−n−プロ
ピル−3−アザビシクロ〔3.1,1,1ヘプタン−2
,4−ジオンを15mの酢酸エチルに溶解し、炭素上5
%パラジウム80〜の存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点149℃〜150℃(エーテル/塩化メ
チレン)。IRスペクトル(CHCL3): 1685
及び1735画−1出発物質の製造: 例1bに記載されている方法と同様にして、6Iの4−
アザ−2,6−ノー(4−ニトロフェニル)−4−n−
プロピル−1,6−ヘブタジエンー3,5−ジオン及び
0.08,9の2,6−シーtart−ブチル−p−ク
レゾール’18511Llの1,3−ジクロロベンゼン
中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。トル
エン/酢酸エチル(4:l)を用いるシリカダル上での
粗生成物のカラムクロモトグラフィーにより標記化合物
が得られ、この化合物はトルエン/エーテル混合物から
再結晶化した後237℃〜238℃の融点を有する。
の1.5−ジー(4−ニトロフェニルクー3−n−プロ
ピル−3−アザビシクロ〔3.1,1,1ヘプタン−2
,4−ジオンを15mの酢酸エチルに溶解し、炭素上5
%パラジウム80〜の存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点149℃〜150℃(エーテル/塩化メ
チレン)。IRスペクトル(CHCL3): 1685
及び1735画−1出発物質の製造: 例1bに記載されている方法と同様にして、6Iの4−
アザ−2,6−ノー(4−ニトロフェニル)−4−n−
プロピル−1,6−ヘブタジエンー3,5−ジオン及び
0.08,9の2,6−シーtart−ブチル−p−ク
レゾール’18511Llの1,3−ジクロロベンゼン
中で170℃にて攪拌し、そしてさらに処理する。トル
エン/酢酸エチル(4:l)を用いるシリカダル上での
粗生成物のカラムクロモトグラフィーにより標記化合物
が得られ、この化合物はトルエン/エーテル混合物から
再結晶化した後237℃〜238℃の融点を有する。
IRスペクトル(CHCL3中):1350.1690
及び17401:rn−1゜ 例12cと同様にして、19.3pのα−(4−二)e
lフェニル)−アクリル酸、12.7gの塩化オキサリ
ル及び18.9ON−n−プロピル−α−(4−ニトロ
フェニル)−アクリルアミドから出発して標記化合物を
得る。白色結晶。融点177℃〜178℃。
及び17401:rn−1゜ 例12cと同様にして、19.3pのα−(4−二)e
lフェニル)−アクリル酸、12.7gの塩化オキサリ
ル及び18.9ON−n−プロピル−α−(4−ニトロ
フェニル)−アクリルアミドから出発して標記化合物を
得る。白色結晶。融点177℃〜178℃。
例17゜
例12aに記載されている方法と同様にして、3.7g
の5−メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザ
ビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンを
801nlの2−メトキシエタノール中で炭素上5%・
やラジウム0.4.9の存在下で水素化し、そしてさら
に処理する。融点216℃(エタノールから)。IRス
ペクトル(CHCL3中):1715及び1745cm
− 出発物質の製造: 60℃においてアン(ニアを、50dの1.3−シクロ
ロベンゼン中0.9gの3− メfh−1−(4−−4
1:1フエニル)−1,3−シクロプタンジカルがン酸
無水物の攪拌された懸濁液に導入する。アばノ酸が生成
した後、混合物を8時間還流加熱し、そして反応溶液を
熱い内に吸引濾過する。
の5−メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザ
ビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオンを
801nlの2−メトキシエタノール中で炭素上5%・
やラジウム0.4.9の存在下で水素化し、そしてさら
に処理する。融点216℃(エタノールから)。IRス
ペクトル(CHCL3中):1715及び1745cm
− 出発物質の製造: 60℃においてアン(ニアを、50dの1.3−シクロ
ロベンゼン中0.9gの3− メfh−1−(4−−4
1:1フエニル)−1,3−シクロプタンジカルがン酸
無水物の攪拌された懸濁液に導入する。アばノ酸が生成
した後、混合物を8時間還流加熱し、そして反応溶液を
熱い内に吸引濾過する。
冷却後、標記化合物が褐色を帯びた黄色結晶として得ら
れる。融点242℃〜244℃(酢酸エチルから)。I
Rスペクトル(KBrディスク):1360.1700
.及び1745m 。
れる。融点242℃〜244℃(酢酸エチルから)。I
Rスペクトル(KBrディスク):1360.1700
.及び1745m 。
物
lO!!のシス−3−メチル−1−(4−ニトロフェニ
ル)−1,3−シクロブタンジカルボン酸及び1001
1Llの無水酢酸の混合物を2時間還流加熱する。反応
混合物を蒸発濃縮乾燥し、そして残渣をトルエン中に懸
濁し、吸引濾過し、エーテルで洗浄し、そして真空乾燥
する。融点201℃〜202℃を有する灰色結晶の形で
標記化合物を得る。 IRスペクトル(KBrディスク
)+1350゜1765及び1820帰 。
ル)−1,3−シクロブタンジカルボン酸及び1001
1Llの無水酢酸の混合物を2時間還流加熱する。反応
混合物を蒸発濃縮乾燥し、そして残渣をトルエン中に懸
濁し、吸引濾過し、エーテルで洗浄し、そして真空乾燥
する。融点201℃〜202℃を有する灰色結晶の形で
標記化合物を得る。 IRスペクトル(KBrディスク
)+1350゜1765及び1820帰 。
46pの5−メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3
−’n−プロピルー3−アデビシク日〔3.1,1)へ
メタン−2,4−ジオン、250Mの酢酸及び500r
nlの50チ硫酸の懸濁液を140℃にて20時間攪拌
する。凍結後・懸濁液を氷上に注加し、そしてエーテル
で3回抽出する。
−’n−プロピルー3−アデビシク日〔3.1,1)へ
メタン−2,4−ジオン、250Mの酢酸及び500r
nlの50チ硫酸の懸濁液を140℃にて20時間攪拌
する。凍結後・懸濁液を氷上に注加し、そしてエーテル
で3回抽出する。
エーテル抽出物を水で洗浄し、そして蒸発乾燥する。酢
酸エチルから結晶化することにより標記化合物′fr:
得る。融点231℃(分解)。
酸エチルから結晶化することにより標記化合物′fr:
得る。融点231℃(分解)。
と
0.511Llのテトラフラン中0.111nlの無水
酢酸の溶液’t、8mlのテトラヒドロフラン中260
1n9の1−(4−アミノフェニル)−3−n−プロピ
ル−3−アゾビシクロ〔3,1,1〕ヘプタン−2,4
−ジオン及び6〜の4−ジメチルアミノピリジンの溶液
に流加する。室温にて2.5時間攪拌した後、反応混合
物姥2滴のエタノールを加え、そしてさらに15分間攪
拌を続ける。蒸発濃縮し、そして次に酢酸エチル/石油
エーテルから再結晶化した後、標記化合物が、融点13
8.5℃〜139.5℃を有する白色結晶の形で得られ
る。
酢酸の溶液’t、8mlのテトラヒドロフラン中260
1n9の1−(4−アミノフェニル)−3−n−プロピ
ル−3−アゾビシクロ〔3,1,1〕ヘプタン−2,4
−ジオン及び6〜の4−ジメチルアミノピリジンの溶液
に流加する。室温にて2.5時間攪拌した後、反応混合
物姥2滴のエタノールを加え、そしてさらに15分間攪
拌を続ける。蒸発濃縮し、そして次に酢酸エチル/石油
エーテルから再結晶化した後、標記化合物が、融点13
8.5℃〜139.5℃を有する白色結晶の形で得られ
る。
Rf[塩化メチレン/メタノール/氷酢酸(4o:5j
i ) 〕= o、s 5゜ 乙 攪拌しながら、6(lt/のテトラヒドロフラン中15
プの硫酸ツメチルの溶液・ρ′、470Mのテトラヒド
ロフラン中20.3gの1−(4−アミノフェニル)−
3−n−プロビル−3−アゾビシクロ〔3,1,1〕へ
ブタン−2,4−ジオンの溶液に加える。次に、40d
のテトラヒドロフラン中21.911/のトリエチルア
ミンの溶液を、攪拌しながら6時間にわたって滴加する
。さらに10分間攪拌した後、この反応混合物に15%
アンモニア水溶液2,5コを加える。蒸発濃縮した後残
渣に水を加え、そして塩化メチレンで抽出する。有機相
を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして
蒸発濃縮する。ヘキサン/酢酸エチル(2:1)を用い
てシリカダル上でクロマトグラフ処理した後、1−(4
−ジメチルアミノフェニル〕−3−n−プロピル−3−
アザビシクロ〔3.1,1)ヘプタン−2,4−ジオン
、Rf〔ヘキサン/酢酸エチル(I:1)]=0.45
、融点139℃〜140℃(エタノールから);及び1
−(4−メチルアミノフェニル)−3−n−7’ロビル
ー3−アザビシクロ〔3.1、’ 1 :lヘプタン−
2,4−ジオン、Rf[ヘキサン/酢酸エチル(I:1
)):=Q、35、融点134℃〜135℃(エタノー
ルから)が得られる。
i ) 〕= o、s 5゜ 乙 攪拌しながら、6(lt/のテトラヒドロフラン中15
プの硫酸ツメチルの溶液・ρ′、470Mのテトラヒド
ロフラン中20.3gの1−(4−アミノフェニル)−
3−n−プロビル−3−アゾビシクロ〔3,1,1〕へ
ブタン−2,4−ジオンの溶液に加える。次に、40d
のテトラヒドロフラン中21.911/のトリエチルア
ミンの溶液を、攪拌しながら6時間にわたって滴加する
。さらに10分間攪拌した後、この反応混合物に15%
アンモニア水溶液2,5コを加える。蒸発濃縮した後残
渣に水を加え、そして塩化メチレンで抽出する。有機相
を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして
蒸発濃縮する。ヘキサン/酢酸エチル(2:1)を用い
てシリカダル上でクロマトグラフ処理した後、1−(4
−ジメチルアミノフェニル〕−3−n−プロピル−3−
アザビシクロ〔3.1,1)ヘプタン−2,4−ジオン
、Rf〔ヘキサン/酢酸エチル(I:1)]=0.45
、融点139℃〜140℃(エタノールから);及び1
−(4−メチルアミノフェニル)−3−n−7’ロビル
ー3−アザビシクロ〔3.1、’ 1 :lヘプタン−
2,4−ジオン、Rf[ヘキサン/酢酸エチル(I:1
)):=Q、35、融点134℃〜135℃(エタノー
ルから)が得られる。
272りの1−(4−N−メチルアミノフェニル)−3
−n−7’ロビルー3−アザビシクロ〔3.1,1)へ
ブタン−2,4−ジオン、10dのテトラヒドロフラン
、6ダの4−ジメチルアミノピリジン、及び0.11d
ノの無水酢酸の混合物を、室温に身2時間攪拌する。次
にこの反応混合物に2滴のエタノールを加え、そしてさ
らに15分間攪拌し、そして蒸発濃縮する。残渣を酢酸
エチルと水との間で2回分配する。−緒にした有機相’
i MgSO4で乾燥し、沖過し、そして蒸発濃縮する
。油性残渣を酢酸エチル/石油エーテルから結晶化する
。融点144℃〜146℃を有する白色結晶として標、
配化合物が得られる。RfC塩化メチレン/メタノール
(I:1))=0.55゜ジオン 3ゴの塩化メチレン中0.317dのメタンスルホン酸
クロリドの溶液を、室温において、10−のピリノン中
1.03gの1−C4−アミノンエニル)−3−n−プ
ロピル−3−アザビシクロ〔3.1,1)へブタン−2
,4−ジオン及び24ダの4−ツメチルアミノピリジン
の溶液に加える。5時間攪拌した後50TLlの水を加
え、そして混合物10℃〜5℃にて一夜放置する。塩化
メチレンで抽出し、そして有機相を水、冷2N塩酸、水
、半飽和炭酸水素ナトリウム溶液、及び水により次々と
洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥した後、混合物を沖
過し、そして蒸発濃縮し、そして残渣をメタノールから
再結晶化する。標記化合物が白色結晶の形で得られる。
−n−7’ロビルー3−アザビシクロ〔3.1,1)へ
ブタン−2,4−ジオン、10dのテトラヒドロフラン
、6ダの4−ジメチルアミノピリジン、及び0.11d
ノの無水酢酸の混合物を、室温に身2時間攪拌する。次
にこの反応混合物に2滴のエタノールを加え、そしてさ
らに15分間攪拌し、そして蒸発濃縮する。残渣を酢酸
エチルと水との間で2回分配する。−緒にした有機相’
i MgSO4で乾燥し、沖過し、そして蒸発濃縮する
。油性残渣を酢酸エチル/石油エーテルから結晶化する
。融点144℃〜146℃を有する白色結晶として標、
配化合物が得られる。RfC塩化メチレン/メタノール
(I:1))=0.55゜ジオン 3ゴの塩化メチレン中0.317dのメタンスルホン酸
クロリドの溶液を、室温において、10−のピリノン中
1.03gの1−C4−アミノンエニル)−3−n−プ
ロピル−3−アザビシクロ〔3.1,1)へブタン−2
,4−ジオン及び24ダの4−ツメチルアミノピリジン
の溶液に加える。5時間攪拌した後50TLlの水を加
え、そして混合物10℃〜5℃にて一夜放置する。塩化
メチレンで抽出し、そして有機相を水、冷2N塩酸、水
、半飽和炭酸水素ナトリウム溶液、及び水により次々と
洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥した後、混合物を沖
過し、そして蒸発濃縮し、そして残渣をメタノールから
再結晶化する。標記化合物が白色結晶の形で得られる。
融点159℃〜160℃。Ff[ヘキサ7/h酸エチル
(I:1))]=0.15゜例22 例1aに記載されている方法と同様にして、2.339
の3−エチル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾ
ビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2,4−ジオンを7
011Llのメタノール中で、0.15gの炭素上パラ
ジウムの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。融
点159℃〜162℃(酢酸エチル/石油エーテルから
)。
(I:1))]=0.15゜例22 例1aに記載されている方法と同様にして、2.339
の3−エチル−1−(4−二トロフェニル)−3−アゾ
ビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2,4−ジオンを7
011Llのメタノール中で、0.15gの炭素上パラ
ジウムの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。融
点159℃〜162℃(酢酸エチル/石油エーテルから
)。
出発物質の製造:
0.36gのナトリウムヒドリドを204のN、N−ツ
メチルホルムアミド中2.46.9の1−(4−ニトロ
フェニル)−3−アザビシクロ〔3.1,1)へブタン
−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室mにて
30分間攪拌する。2.339のヨウ化エチルヲ1OI
ItlのN、N−ジメチルホルムアミド忙溶解し、そし
て滴加する。反応が完了した時、反応混合物からN、N
−ジメチルホルムアミrを除去する。残渣を酢酸エチル
と水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシウム
で乾燥し、そして蒸発濃縮した後固形物の形で生成物を
得る。融点175℃〜179℃。Rf(酢酸エチル/ヘ
キサン(4:1)〕=0.52c1 例23゜ 例11C記載されている方法と同様にして、2.081
の3−n−メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−
アザビシクロ〔3゜1.1〕へブタン−2,4−ジオン
65’□rnlのエタノール中で炭素上パラジウム0.
15.!i’の存在下で水素化し、そしてさらに処理す
る。融点178℃〜179℃(酢酸エチルから〕。
メチルホルムアミド中2.46.9の1−(4−ニトロ
フェニル)−3−アザビシクロ〔3.1,1)へブタン
−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室mにて
30分間攪拌する。2.339のヨウ化エチルヲ1OI
ItlのN、N−ジメチルホルムアミド忙溶解し、そし
て滴加する。反応が完了した時、反応混合物からN、N
−ジメチルホルムアミrを除去する。残渣を酢酸エチル
と水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシウム
で乾燥し、そして蒸発濃縮した後固形物の形で生成物を
得る。融点175℃〜179℃。Rf(酢酸エチル/ヘ
キサン(4:1)〕=0.52c1 例23゜ 例11C記載されている方法と同様にして、2.081
の3−n−メチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−
アザビシクロ〔3゜1.1〕へブタン−2,4−ジオン
65’□rnlのエタノール中で炭素上パラジウム0.
15.!i’の存在下で水素化し、そしてさらに処理す
る。融点178℃〜179℃(酢酸エチルから〕。
出発物質の製造:
0.36gのナトリウムヒドリド6.25+++lのN
、N−ジメチルホルムアミド中2.46gの1−(4−
ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔3.1,1)ヘ
ノタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室
温にて30分間攪拌する。次にこれにlQmJのN、N
−ジメチルホルムアミド中1c溶解したx、6mlのn
−ブチルゾロミドを滴加する。反応が完了したとき、反
応混合物からN、N−ジメチルホルムアミドを除去する
。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして有機相
を硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発#縮し、次に
酢酸エチル/石油エーテルから再結晶化した後、融点1
20℃〜123℃の生成物を得る。
、N−ジメチルホルムアミド中2.46gの1−(4−
ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔3.1,1)ヘ
ノタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室
温にて30分間攪拌する。次にこれにlQmJのN、N
−ジメチルホルムアミド中1c溶解したx、6mlのn
−ブチルゾロミドを滴加する。反応が完了したとき、反
応混合物からN、N−ジメチルホルムアミドを除去する
。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして有機相
を硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発#縮し、次に
酢酸エチル/石油エーテルから再結晶化した後、融点1
20℃〜123℃の生成物を得る。
例24゜
チル−3−アザビシクロ〔3.1,1)へブタン−2,
4−ジオン 例1に記載されている方法と同様にして、2.0、!i
+(7)3−イ:/”?ルー1−(4−ニトロフェニル
)−3−アゾビシクロ(3、’ 1.1 )ヘノタン−
2,4−ジオンを100m1のエタノール中で炭素上・
母ラジウム0.19の存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点158℃〜160℃(酢酸エチル/石油
エーテルから)。
4−ジオン 例1に記載されている方法と同様にして、2.0、!i
+(7)3−イ:/”?ルー1−(4−ニトロフェニル
)−3−アゾビシクロ(3、’ 1.1 )ヘノタン−
2,4−ジオンを100m1のエタノール中で炭素上・
母ラジウム0.19の存在下で水素化し、そしてさらに
処理する。融点158℃〜160℃(酢酸エチル/石油
エーテルから)。
出発物質の製造:
0.36pのナトリウムヒドリドを25dのN、N−ジ
メチルホルムアミド中2.46.litの1−(4−ニ
トロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.1,1]へブ
タン−2,4−ジオンの溶液に加え、全体を室温にて3
0分間攪拌する。次にこれに、10プのN、N−ジメチ
ルホルムアミドに溶解した2、76gのイソブチルイオ
ジドを滴加する。反応が完了した後、反応混合物からN
、N−ジメチルホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エ
チルと水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、そして蒸発濃縮し、そして酢酸エチル/
ヘキサン(I:2)系を用いてシリカゲル上でのクロマ
トグラフィー−により精製することにより生成物を固体
の形で得る。融点136℃〜137℃。
メチルホルムアミド中2.46.litの1−(4−ニ
トロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.1,1]へブ
タン−2,4−ジオンの溶液に加え、全体を室温にて3
0分間攪拌する。次にこれに、10プのN、N−ジメチ
ルホルムアミドに溶解した2、76gのイソブチルイオ
ジドを滴加する。反応が完了した後、反応混合物からN
、N−ジメチルホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エ
チルと水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、そして蒸発濃縮し、そして酢酸エチル/
ヘキサン(I:2)系を用いてシリカゲル上でのクロマ
トグラフィー−により精製することにより生成物を固体
の形で得る。融点136℃〜137℃。
Rf〔酢酸エチル/ヘキサン(4:1))=0.6゜以
下余臼 例25゜ 例1に記載した方法と同様にして、2.58.jilの
1−(”゛4−ニトロフェニル) −3−n −4ンチ
ルー3−アザビシクロ〔3.1,13へブタン−2,4
−ジオン’175mのエタノール中で炭素上パラジウム
0.15.9の存在下で水素化し、そしてさらに処理す
る。融点92℃〜94℃(酢酸エチル/石油エーテルか
ら)。
下余臼 例25゜ 例1に記載した方法と同様にして、2.58.jilの
1−(”゛4−ニトロフェニル) −3−n −4ンチ
ルー3−アザビシクロ〔3.1,13へブタン−2,4
−ジオン’175mのエタノール中で炭素上パラジウム
0.15.9の存在下で水素化し、そしてさらに処理す
る。融点92℃〜94℃(酢酸エチル/石油エーテルか
ら)。
出発物質の製造:
0.36gのナトリウムヒドリドf:251rLlのN
、N−ジメチルホルムアミド中2.46Nの1−(4−
二トロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.1,1)へ
ブタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室
温にて30分間攪拌する。次にこれに、101nI!の
N、N−ジメチルホルムアミドに溶解した2、96.9
のp−ベンチルイオジドを加える。反応が完了した後、
反応混合物からN、N−ジメチルホルムアミドを除去す
る。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして有機
相を硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発濃縮した後
、融点75℃〜79℃を有する生成物を得る。
、N−ジメチルホルムアミド中2.46Nの1−(4−
二トロフェニル)−3−アゾビシクロ〔3.1,1)へ
ブタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室
温にて30分間攪拌する。次にこれに、101nI!の
N、N−ジメチルホルムアミドに溶解した2、96.9
のp−ベンチルイオジドを加える。反応が完了した後、
反応混合物からN、N−ジメチルホルムアミドを除去す
る。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして有機
相を硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発濃縮した後
、融点75℃〜79℃を有する生成物を得る。
例26゜
例1に記載されている方法と同様にして、2.IIの3
−n−へブチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−ア
ゾビシクロ〔3.1,1)へブタン−2,4−Zオンk
100 mlのエタノール中で炭素上・母ラジウム0
.1gの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。ヘ
キサン/酢酸エチル(I:1)を用いるシリカゲル上で
のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、標記化
合物をワックス様結晶の形で得る。融点69℃〜71℃
。Rf〔ヘキサン/酢酸エチル(I: 1 ) :)=
0.25゜出発生成物の製造: 0.36gのナトリウムヒドリドを、25IrLlのN
、N−ジメチルホルムアミド中2.46.!9の1−(
4−ニトロフェニル)−3−7’f”ビシクロ〔3゜1
.1〕へブタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして
全体を室温にて30分間攪拌する・。
−n−へブチル−1−(4−ニトロフェニル)−3−ア
ゾビシクロ〔3.1,1)へブタン−2,4−Zオンk
100 mlのエタノール中で炭素上・母ラジウム0
.1gの存在下で水素化し、そしてさらに処理する。ヘ
キサン/酢酸エチル(I:1)を用いるシリカゲル上で
のカラムクロマトグラフィーにより精製した後、標記化
合物をワックス様結晶の形で得る。融点69℃〜71℃
。Rf〔ヘキサン/酢酸エチル(I: 1 ) :)=
0.25゜出発生成物の製造: 0.36gのナトリウムヒドリドを、25IrLlのN
、N−ジメチルホルムアミド中2.46.!9の1−(
4−ニトロフェニル)−3−7’f”ビシクロ〔3゜1
.1〕へブタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして
全体を室温にて30分間攪拌する・。
次にこれに、10プのN、N−ジメチルホルムアミドに
溶解した2、68pのn−へブチルプロミドを滴加する
。反応が完了した時、反応混合物からN、N−ジメチル
ホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エチルと水との間
で分配し、そして有機相を硫酸マグネシウムで乾燥する
。蒸発濃縮し、そして酢酸エチル/ヘキサン(2:5)
系を用いてシリカゲル上でクロマトグラフ処理して精製
した後、固体の形で生成物を得る。融点91℃〜92℃
。
溶解した2、68pのn−へブチルプロミドを滴加する
。反応が完了した時、反応混合物からN、N−ジメチル
ホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エチルと水との間
で分配し、そして有機相を硫酸マグネシウムで乾燥する
。蒸発濃縮し、そして酢酸エチル/ヘキサン(2:5)
系を用いてシリカゲル上でクロマトグラフ処理して精製
した後、固体の形で生成物を得る。融点91℃〜92℃
。
Rf〔酢酸エチル/ヘキサン(4: 1 ) 〕=0.
63゜例27゜ 14mの水及び14dの濃塩酸中1.97/の3−アリ
ル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔
3,1,1〕へブタン−2,4−ジオン及び5.2.9
の錫粉末の混合物1100℃にて1.5時間攪拌する。
63゜例27゜ 14mの水及び14dの濃塩酸中1.97/の3−アリ
ル−1−(4−ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔
3,1,1〕へブタン−2,4−ジオン及び5.2.9
の錫粉末の混合物1100℃にて1.5時間攪拌する。
室温に冷却した後、反応混合物を少量の水で稀釈し、濾
過し、そして水酸化ナトリウム溶液の添加によりアルカ
リ性にする。この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そ
して有機相を希塩化ナトリウム溶液で中性になるまで洗
浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥し次に蒸発級縮す
る。融点176℃〜178℃(酢酸エチル/石油エーテ
ルから〕。
過し、そして水酸化ナトリウム溶液の添加によりアルカ
リ性にする。この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そ
して有機相を希塩化ナトリウム溶液で中性になるまで洗
浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥し次に蒸発級縮す
る。融点176℃〜178℃(酢酸エチル/石油エーテ
ルから〕。
出発物質の製造:
036gのナトリウムヒドリドj−25yのN、N−ジ
メチルホルムアミド中2.46gの1−(4−二トロフ
ェニル)−3−yvビシクロ〔3゜1,1)ヘプタン−
2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室温にて3
0分間攪拌する。次にこれに、10m1のN、N−ツメ
チルホルムアミドに溶解した1、271dのグリルプロ
ミドを滴加する。反応が完了した後、反応混合物からN
、N−ジメチルホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エ
チルと水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、そして蒸発濃縮し次に酢酸エチル/石油
エーテルから再結晶化した後、融点146℃〜147℃
を有する生成物を得る。
メチルホルムアミド中2.46gの1−(4−二トロフ
ェニル)−3−yvビシクロ〔3゜1,1)ヘプタン−
2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体を室温にて3
0分間攪拌する。次にこれに、10m1のN、N−ツメ
チルホルムアミドに溶解した1、271dのグリルプロ
ミドを滴加する。反応が完了した後、反応混合物からN
、N−ジメチルホルムアミドを除去する。残渣を酢酸エ
チルと水との間で分配し、そして有機相を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、そして蒸発濃縮し次に酢酸エチル/石油
エーテルから再結晶化した後、融点146℃〜147℃
を有する生成物を得る。
例28゜
12m1の水及び12Mの濃塩酸中1.61の1−(4
−ニトロフェニル) −3−フロパルギル−3−アゾビ
ンクロ〔3,1,1,1へブタン−2,4−ジオン及び
4.29の錫粉末の混合物を、100℃にて1時間攪拌
する。室温に冷却した後、反応混合物を少Pの水で稀釈
し、F遇し、そして水累化ナトリウム溶液を添加するこ
とによりアルカリ性にする。反応混合物を酢酸エチルで
抽出し、そして有機相を希塩化ナトリウム溶液で中性に
なるまで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸
発債mfる。酢酸エチル/ヘキサン(I:1)系中シリ
カク゛ル上でのクロマトグラフィーによる精製の後、標
記化合物を得る。Rr[酢酸エチル/ヘキサン(I:1
))=O,]5゜ 出発物質の製造: 0.36gのナトリウムヒドリドi25mJのN、N−
ジメチルホルムアミド中2.469(7>1− (4−
ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔3.1゜1〕ヘ
プタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体全室
温にて30分間攪拌する。次にこれに、lQmJのN、
N−ジメチルホルムアミドに溶解した0、97m1!の
プロノやルギルブロミドを滴加する。反応が完了したと
き、反応混合物からN、N−ツメチルホルムアミドを除
去する。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして
有機相全硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発乾燥し
次に酢酸エチル/石油エーテルから再結晶化した後、融
点166℃〜、168℃を有する生成物を得る。
−ニトロフェニル) −3−フロパルギル−3−アゾビ
ンクロ〔3,1,1,1へブタン−2,4−ジオン及び
4.29の錫粉末の混合物を、100℃にて1時間攪拌
する。室温に冷却した後、反応混合物を少Pの水で稀釈
し、F遇し、そして水累化ナトリウム溶液を添加するこ
とによりアルカリ性にする。反応混合物を酢酸エチルで
抽出し、そして有機相を希塩化ナトリウム溶液で中性に
なるまで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸
発債mfる。酢酸エチル/ヘキサン(I:1)系中シリ
カク゛ル上でのクロマトグラフィーによる精製の後、標
記化合物を得る。Rr[酢酸エチル/ヘキサン(I:1
))=O,]5゜ 出発物質の製造: 0.36gのナトリウムヒドリドi25mJのN、N−
ジメチルホルムアミド中2.469(7>1− (4−
ニトロフェニル)−3−アザビシクロ〔3.1゜1〕ヘ
プタン−2,4−ジオンの溶液に加え、そして全体全室
温にて30分間攪拌する。次にこれに、lQmJのN、
N−ジメチルホルムアミドに溶解した0、97m1!の
プロノやルギルブロミドを滴加する。反応が完了したと
き、反応混合物からN、N−ツメチルホルムアミドを除
去する。残渣を酢酸エチルと水との間で分配し、そして
有機相全硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発乾燥し
次に酢酸エチル/石油エーテルから再結晶化した後、融
点166℃〜、168℃を有する生成物を得る。
例29 ラッカー被覆錠剤
300■の1−(4−アミノフェニル)−3−n−プロ
ピル−3−アザビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2,
4−ジオンを含有するラッカー被覆錠剤を次のようにし
て製造することができる。
ピル−3−アザビシクロ〔3,1,1〕へブタン−2,
4−ジオンを含有するラッカー被覆錠剤を次のようにし
て製造することができる。
組成cioooo@剤)
1−(4−アばノフェニル)−3
−n−グフロルー3−アデビシク
トウモロコシ澱粉 680.0gコ
ロイド性シリカ 200.0.!/
ステアリン酸マグイ・シウム 20.0g
ステアリン酸 50.Ogナト
リウムカルボキシメチル赦粉 250.OF水
適当量1−(4
−アミノフェニル)−3−n−プロピル−3−アザビシ
クロ〔3.1,1)へブタン−2,4−ジオン、50g
のトウモロコシ澱粉及びコロイド性シリカの混合物を、
250.9のトウモロコシ澱粉と2.2 kgの脱塩水
とから成る澱粉糊と混合して湿潤塊を形成する。これを
開口3IIII11の篩を通し、そして45℃にて30
分間、回転式乾燥機中で乾燥する。乾燥した顆粒を開口
1+nmの篩を通して破砕し、そしてあらかじめ篩(I
閣)を通した330gのトウモロコシ澱粉、ステアリン
酸マグネシウム、ステアリン酸及びナトリウムカルボキ
シメチル澱粉から成る混合物と混合し、そしてわずかに
隆起した錠剤に圧縮する。
ロイド性シリカ 200.0.!/
ステアリン酸マグイ・シウム 20.0g
ステアリン酸 50.Ogナト
リウムカルボキシメチル赦粉 250.OF水
適当量1−(4
−アミノフェニル)−3−n−プロピル−3−アザビシ
クロ〔3.1,1)へブタン−2,4−ジオン、50g
のトウモロコシ澱粉及びコロイド性シリカの混合物を、
250.9のトウモロコシ澱粉と2.2 kgの脱塩水
とから成る澱粉糊と混合して湿潤塊を形成する。これを
開口3IIII11の篩を通し、そして45℃にて30
分間、回転式乾燥機中で乾燥する。乾燥した顆粒を開口
1+nmの篩を通して破砕し、そしてあらかじめ篩(I
閣)を通した330gのトウモロコシ澱粉、ステアリン
酸マグネシウム、ステアリン酸及びナトリウムカルボキ
シメチル澱粉から成る混合物と混合し、そしてわずかに
隆起した錠剤に圧縮する。
直径45crnのコーティング容器中で、錠剤に、11
0gのメタノール及び1350gの塩化メチレン中20
gのシェラツク及び40.9のヒドロキシゾロビルメチ
ルセルロース(低粘度)の溶液ヲ、30分間にわたって
均一に噴霧することにより被覆する。この際60℃の空
気を同時に吹き込んで乾燥する。
0gのメタノール及び1350gの塩化メチレン中20
gのシェラツク及び40.9のヒドロキシゾロビルメチ
ルセルロース(低粘度)の溶液ヲ、30分間にわたって
均一に噴霧することにより被覆する。この際60℃の空
気を同時に吹き込んで乾燥する。
前記の活性成分の代りに、例に記載した他の活性成分の
同量を使用することができる。
同量を使用することができる。
汐!130. 70マタ一ゼ阻害
式(I)の化合物のアロマターゼ阻害はグラプスP。
E、及びサルハニクH,A、エンドクリノロジー(En
docrinology) 105巻、52頁(I97
9)に記載されている「アロマターゼアッセイ」におい
て、ヒトの胎盤のミクロゾームを用いる試験管内試験に
より決定される。この測定においては、試験結果として
、〔1β、2β、3H〕−テストステロンからのトリチ
ウム化水及び17β−エストラジオールの生成が測定さ
れる。この結果は、アロマターゼコエンチームφニコチ
ン酸−77’ニンージヌクレオチド燐酸(NADPH)
を50チ阻害する試験化合物の擬度(■C3o)と
して示される。
docrinology) 105巻、52頁(I97
9)に記載されている「アロマターゼアッセイ」におい
て、ヒトの胎盤のミクロゾームを用いる試験管内試験に
より決定される。この測定においては、試験結果として
、〔1β、2β、3H〕−テストステロンからのトリチ
ウム化水及び17β−エストラジオールの生成が測定さ
れる。この結果は、アロマターゼコエンチームφニコチ
ン酸−77’ニンージヌクレオチド燐酸(NADPH)
を50チ阻害する試験化合物の擬度(■C3o)と
して示される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中R_1は水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪族
、脂環族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香−脂肪族
炭化水素基であって18個以下の炭素原子を有し、R_
2は水素、低級アルキル、スルホ、又はアシルであり、
R_3は水素、又は低級アルキルであり、そしてR_4
は水素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2)
(R_3)により置換されたフェニルである、〕で表わ
される化合物、及びこの化合物の塩。 2、R_1が水素、アルキル、アルケニル、低級アルキ
ニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアル
キル−低級アルキル、シクロアルキル−低級アルケニル
、シクロアルケニル−低級アルキル、又は非置換のもし
くは置換されたアリールもしくはアリール低級アルキル
であり、R_2が水素、低級アルキル、スルホ、低級ア
ルカノイル、又は低級アルカンスルホニルであり、R_
3が水素、又は低級アルキルであり、そしてR_4が水
素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2)(R
_3)により置換されたフェニルである特許請求の範囲
第1項記載の式( I )の化合物、及びその塩。 3、R_1が水素、炭素原子12個以下のアルキル、低
級アルケニル、低級アルキニン、シクロアルキニル、シ
クロアルキル−低級アルキル、又は非置換の又は置換さ
れたアリール−低級アルキルであり、R_2が水素、低
級アルキル、低級アルカノイル、又は低級アルカンスル
ホニルであり、R_3が水素、又は低級アルキルであり
、そしてR_4が水素、低級アルキル、フェニル、又は
−N(R_2)(R_3)により置換されたフェニルで
ある特許請求の範囲第1項記載の式( I )の化合物、
及びこの化合物の塩。 4、R_1が水素、低級アルキル、低級アルケニル、低
級アルキニル、シクロアルキル、又はシクロアルキル−
低級アルキルであり、R_2及びR_3が水素であり、
そしてR_4が水素、低級アルキル、フェニル、又は−
N(R_2)(R_3)により置換されたフェニルであ
る特許請求の範囲第1項記載の式( I )の化合物、及
びこの化合物の塩。 5、基−N(R_2)(R_3)がフェニル基の4−位
に存在し、R_1が水素、低級アルキル、低級アルケニ
ル、低級アルキニル、又はシクロアルキル−低級アルキ
ルであり、R_2及びR_3が水素であり、そしてR_
4が水素又は低級アルキルである特許請求の範囲第1項
記載の化合物、及びこの化合物の医薬として許容される
塩。 6、基−N(R_2)(R_3)がフェニル基の4−位
に存在し、R_1が水素、炭素原子12個以下のアルキ
ル、低級アルケニル、低級アルキニル、シクロアルキル
、シクロアルキルメチル、又は非置換のもしくは置換さ
れたベンジルであり、そしてR_2、R_3及びR_4
が水素である特許請求の範囲第1項記載の式( I )の
化合物、及びこの化合物の医薬として許容される塩。 7、1−(4−アミノフェニル)−3−n−プロピル−
3−アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−
ジオンである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 8、1−(4−アミノフェニル)−3−メチル−3−ア
ザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジオン
である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 9、1−(4−アミノフェニル)−3−n−デシル−3
−アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,4−ジ
オンである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 10、1−(4−アミノフェニル)−3−シクロヘキシ
ル−3−アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン−2,
4−ジオンである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 11、1−(4−アミノフェニル)−3−シクロヘキシ
ルメチル−3−アザビシクロ〔3.1.1〕−ヘプタン
−2,4−ジオンである特許請求の範囲第1項記載の化
合物。 12、次の式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R_1は水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪
族、脂環族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香−脂肪
族基であって18個以下の炭素原子を有し、R_2は水
素、低級アルキル、スルホ、又はアシルであり、R_3
は水素、又は低級アルキルであり、そしてR_4は水素
、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2)(R_
3)により置換されたフェニルである〕で表わされる化
合物、及びこの化合物の塩を担体と共に含んで成る医薬
。 13、ヒト又は動物の体の医療的処置のための方法にお
いて使用するための特許請求の範囲第1項に記載の式(
I )の化合物又はその塩。 14、制癌療法剤として使用するための特許請求の範囲
第1項記載の式( I )の化合物又はその塩。 15、次の式( I )、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R_1は水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪
族、脂環族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香−脂肪
族基であって18個以下の炭素原子を有し、R_2は水
素、低級アルキル、スルホ、又はアシルであり、R_3
は水素、又は低級アルキルであり、そしてR_4は水素
、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2)(R_
3)により置換されたフェニルである〕で表わされる化
合物、及びこの化合物の塩の製造方法であって、 a)次の式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R_1及びR_4は式( I )について前記し
た意味を有し、そしてXは基−N(R_2)(R_3)
に転換され得る基である、〕 で表わされる化合物又はその塩において、Xを基−N(
R_2)(R_3)に転換し;あるいは、 b)次の式(III)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R_2、R_3及びR_4は式( I )につい
て前記した意味を有し、そしてY_1及びY_2は脱離
基である、〕で表わされる化合物又はその塩を、基>N
−R_1をもたらす化合物と反応せしめることにより環
化し;あるいは、 c)次の式(IV)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、R_1、R_2、R_3及びR_4は式( I
)について前記した意味を有する、〕 で表わされる化合物又はその塩を環化し;あるいは、 d)次の式(V)又は(VI)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) 〔式中、R_1、R_2、R_3及びR_4は式( I
)について前記した意味を有し、そしてYは脱離基であ
る、〕で表わされる化合物又はその塩を塩基と共に環化
し; そして所望により、この方法により得られる式( I )
の化合物を定義に従う式( I )の他の化合物に転換し
、そして/又は得られた塩を遊離化合物にもしくは他の
塩に転換し、そして/又は得られた遊離化合物を塩に転
換し、そして/又は異性体の得られた混合物を個々の異
性体に転換することを特徴とする方法。 16、特許請求の範囲第1項に記載の式( I )の化合
物の製造のために使用することができる新規な中間体。 17、次の式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R_1は水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪
族、脂環族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香−脂肪
族基であって18個以下の炭素原子を有し、そしてR_
4は水素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2
)(R_3)により置換されたフェニルであり、そして
Xは基−N(R_2)(R_3)に転換され得る基であ
る、〕 で表わされる化合物、及びこの化合物の塩。 18、R_1及びR_4が前記の意味を有し、そしてX
が窒素含有還元可能基、ハロゲン、カルバモイル、アジ
ドカルボニル、又は保護されたアミノ基である特許請求
の範囲第17項記載の式(II)の化合物、及びその塩。 19、R_1及びR_4が前記の意味を有し、そしてX
がニトロ基である特許請求の範囲第17項記載の式(I
I)の化合物。 20、次の式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R_1は水素、又は飽和もしくは不飽和の脂肪
族、脂環族、脂環−脂肪族、芳香族もしくは芳香−脂肪
族基であって18個以下の炭素原子を有し、そしてR_
4は水素、低級アルキル、フェニル、又は−N(R_2
)(R_3)により置換されたフェニルであり、そして
Xは基−N(R_2)(R_3)に転換され得る基であ
る、〕 で表わされる化合物、及びこの化合物の塩の製造方法で
あって、 e)次の式(VII)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) 〔式中、R_4は前記の意味を有し、Y_1及びY_2
は脱離基であり、そしてX′は式(II)について前記し
たXであり、又はカルボキシである、〕 で表わされる化合物又はその塩を、基−NH−R_1を
もたらす化合物と反応せしめることによって環化し;あ
るいは、 f)次の式(VIII)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) 〔式中、R′_1は基R_1、又はアミノ保護基であり
、X′は基X、又はカルボキシであり、そしてR_1、
R_4及びXは上記の意味を有する、〕 で表わされる化合物又はその塩を環化し;あるいは、 g)次の式(IX)又は(X)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(X) 〔式中、R′_1は基R_1、又はアミノ保護基であり
、X′は基X、又はカルボキシであり、Y_3は脱離基
であり、そしてR_1、R_4及びXは前記の意味を有
する、〕で表わされる化合物又はその塩を塩基と共に環
化し; そして得られた化合物においてカルボキシ基X′をカル
バモイル又はアジドカルボニルに転換し、そして/又は
アミノ保護基R′_1を除去し、そして/又は所望によ
りこの発明に従って得られる式(II)の化合物を定義に
従う式(II)の他の化合物に転換し、そして/又は得ら
れた塩を遊離化合物にもしくは他の塩に転換し、そして
/又は得られた遊離化合物を塩に転換し、そして/又は
異性体の得られた混合物を個々の異性体に分離すること
を特徴とする方法。
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