JPS61121339A - エツチング終点検出方法 - Google Patents
エツチング終点検出方法Info
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- JPS61121339A JPS61121339A JP24294684A JP24294684A JPS61121339A JP S61121339 A JPS61121339 A JP S61121339A JP 24294684 A JP24294684 A JP 24294684A JP 24294684 A JP24294684 A JP 24294684A JP S61121339 A JPS61121339 A JP S61121339A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、湿式エツチングにおける終点検出方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
例えば、クロムマスク製造工程において、クロム膜湿式
エツチングの終点検出は、目視による適正ニッチの検出
、過去のデータに基づいたエツチング時間の管理、発光
・受光素子を利用した光量変化による検出等で行なわれ
てきた。
エツチングの終点検出は、目視による適正ニッチの検出
、過去のデータに基づいたエツチング時間の管理、発光
・受光素子を利用した光量変化による検出等で行なわれ
てきた。
発明が解決しようとする問題点
目視による検出は、パターン面積、作業者により変動要
素が大きい。過去のデータによるエツチング時間の管理
はパターン面積、液温度１回転数。
素が大きい。過去のデータによるエツチング時間の管理
はパターン面積、液温度１回転数。
クロム膜厚、膜表面状態による変動要因を押えることが
むずかしい。発光、受光素子を利用した方式は検出場所
が限定されるため、乾板サイズの違い、パターンの違い
により検出不能な場合や、検出精度が落ちることがある
。たとえば、第４図のオーバーエツチング時間と寸法変
化の関係かられかる様にマスク寸法を±０・０６μｍ内
で制御するには、エツチング時間を±５秒内でコントロ
ールする必要があるが、従来の方法では困難である。
むずかしい。発光、受光素子を利用した方式は検出場所
が限定されるため、乾板サイズの違い、パターンの違い
により検出不能な場合や、検出精度が落ちることがある
。たとえば、第４図のオーバーエツチング時間と寸法変
化の関係かられかる様にマスク寸法を±０・０６μｍ内
で制御するには、エツチング時間を±５秒内でコントロ
ールする必要があるが、従来の方法では困難である。
本発明は湿式エツチングにおいて精度良く終点検出を行
うことを目的としている。
うことを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、回転台上に設置された被エツチング体と、発
光、受光素子による光検出機構との同期を取り、常に同
一のパターンにてエツチング終点を検出することを特徴
とする、湿式エツチング終点検出方法である。
光、受光素子による光検出機構との同期を取り、常に同
一のパターンにてエツチング終点を検出することを特徴
とする、湿式エツチング終点検出方法である。
作用
この方法によると、被エツチング体の所定位置に設けら
れたテストパターンのエツチング進行状況を光学的に、
周期的に検出し、光学検出量の変化のなくなった時点で
工程を終了することができる０ 実施例 本発明の実施例概要を第１図に示す。被エツチング体と
してのマスク乾板１は、第２図ａに示す様にマスク乾板
１の少なくとも１ケ所に、チップパターン２とは別に１
ｍｍ口の終点検出用パターン３全形成しておく。この乾
板１上のパターンの断面９’ｚ第２図すに示す。クロム
膜４上のレジスト５にパターン３を露光、現像工程にて
形成する。
れたテストパターンのエツチング進行状況を光学的に、
周期的に検出し、光学検出量の変化のなくなった時点で
工程を終了することができる０ 実施例 本発明の実施例概要を第１図に示す。被エツチング体と
してのマスク乾板１は、第２図ａに示す様にマスク乾板
１の少なくとも１ケ所に、チップパターン２とは別に１
ｍｍ口の終点検出用パターン３全形成しておく。この乾
板１上のパターンの断面９’ｚ第２図すに示す。クロム
膜４上のレジスト５にパターン３を露光、現像工程にて
形成する。
第１図に示すように、この乾板１を〜４００ ｒｐＨ１
のスピードで回転させる。上部のノズル６よりエツチン
グ液（硝酸第２セリウムアンモン、過塩素酸、水より成
る）７を吐出する。発光素子８より光全出し、受光素子
９にて光を受ける。検出機構と乾板との回転の同期を取
り、パターン３で透過光を検出できるようにする。透過
光量とエツチング時間を第４図に示す。エツチングを行
って、透過光量の変化がなくなった時が、エツチングの
終点となる。乾板サイズが違う場合は、第１図の発光素
子８、受光素子９の位置を変え、必ず同一パターン３で
終点検出を行う。
のスピードで回転させる。上部のノズル６よりエツチン
グ液（硝酸第２セリウムアンモン、過塩素酸、水より成
る）７を吐出する。発光素子８より光全出し、受光素子
９にて光を受ける。検出機構と乾板との回転の同期を取
り、パターン３で透過光を検出できるようにする。透過
光量とエツチング時間を第４図に示す。エツチングを行
って、透過光量の変化がなくなった時が、エツチングの
終点となる。乾板サイズが違う場合は、第１図の発光素
子８、受光素子９の位置を変え、必ず同一パターン３で
終点検出を行う。
発明の効果
本発明によれば、湿式エツチングの終点検出力ζ乾板サ
イズパターン面積、パターン形状、クロム膜厚、クロム
膜表面状態、乾板回転数、エツチング液温度、組成にか
かわらず、また作業者の判断によらず、±３秒内と正確
に行なうことができる。
イズパターン面積、パターン形状、クロム膜厚、クロム
膜表面状態、乾板回転数、エツチング液温度、組成にか
かわらず、また作業者の判断によらず、±３秒内と正確
に行なうことができる。
従って、パターン寸法を±０．ｏ５μｍの範囲内に容易
におさめることが可能となる。
におさめることが可能となる。
゛ 第１図は本発明の終点検出方法全概要的に表わす要
部図、第２図ａ、 ｂは被エツチング体のパターン外
観図、断面図、第３図は光検出機構における、エツチン
グ時間と透過光量との関係を表わした特性図、第４図は
クロムマスクオーバエツチング時間と寸法変化の関係を
表わす特性図である。 １・・・・・・マスク乾板、２・・・・・・チップパタ
ーン、３・・・・・・終点検出用パターン、４・・・・
・・クロム膜、６・・−・・・レジスト、６・・・・・
・ノズル、７・・・・・・エツチング液、８・・・・・
・発光素子、９・・・・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基端
２ 図
部図、第２図ａ、 ｂは被エツチング体のパターン外
観図、断面図、第３図は光検出機構における、エツチン
グ時間と透過光量との関係を表わした特性図、第４図は
クロムマスクオーバエツチング時間と寸法変化の関係を
表わす特性図である。 １・・・・・・マスク乾板、２・・・・・・チップパタ
ーン、３・・・・・・終点検出用パターン、４・・・・
・・クロム膜、６・・−・・・レジスト、６・・・・・
・ノズル、７・・・・・・エツチング液、８・・・・・
・発光素子、９・・・・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基端
２ 図
Claims (1)
- （１）湿式エッチングにて、回転台上に設置された被エ
ッチング体と、光などの検出機構との回転の同期を取る
ことを特徴としたエッチング終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294684A JPS61121339A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | エツチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24294684A JPS61121339A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | エツチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121339A true JPS61121339A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17096572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24294684A Pending JPS61121339A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | エツチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121339A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697151A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | General Signal Japan Kk | エッチングパターンの作成方法 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24294684A patent/JPS61121339A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697151A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | General Signal Japan Kk | エッチングパターンの作成方法 |
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