JPS6112120A - 半導体スイツチ - Google Patents
半導体スイツチInfo
- Publication number
- JPS6112120A JPS6112120A JP12973785A JP12973785A JPS6112120A JP S6112120 A JPS6112120 A JP S6112120A JP 12973785 A JP12973785 A JP 12973785A JP 12973785 A JP12973785 A JP 12973785A JP S6112120 A JPS6112120 A JP S6112120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- semiconductor switch
- power
- auxiliary
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/941—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated using an optical detector
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オーバヘッド点弧(二対して耐性を有 ゛す
る補助サイリスタをアノード・ゲート間C二接続された
パワーサイリスタを備えた半導体スイッチ □(1関
する。
る補助サイリスタをアノード・ゲート間C二接続された
パワーサイリスタを備えた半導体スイッチ □(1関
する。
この種の半導体スイッチは西独特許第3131894号
から公知であり、これでは補助サイリスタとして光点弧
可能なサイリスタが使用されている。この半導体スイッ
チにおいてはパワーサイリスタの通常点弧が補助サイリ
スタを点弧する光信号により行われる。付加的に補助サ
イリスタを介して過電圧時における保護点弧が行われる
。それにより1つの素子(二で保護点弧も通常点弧も行
われる。ここでは、補助サイリスタのブレークオーバー
電圧がパワーサイリスタの許容阻止電圧よりも小さいか
又は高々それに等しいこと、そして補助サイリスタのブ
レークオーバー電圧のばらつきができるだけ小さいこと
が前提となっている。というのは、さもなくば、パワー
サイリスタの個々の点弧電圧がそ′の許容尖頭阻止電圧
値よりも低くなり、場合(:よっては直列(二接続すべ
きパワーサイリスタの個数を増さなければならなくなる
からである。
から公知であり、これでは補助サイリスタとして光点弧
可能なサイリスタが使用されている。この半導体スイッ
チにおいてはパワーサイリスタの通常点弧が補助サイリ
スタを点弧する光信号により行われる。付加的に補助サ
イリスタを介して過電圧時における保護点弧が行われる
。それにより1つの素子(二で保護点弧も通常点弧も行
われる。ここでは、補助サイリスタのブレークオーバー
電圧がパワーサイリスタの許容阻止電圧よりも小さいか
又は高々それに等しいこと、そして補助サイリスタのブ
レークオーバー電圧のばらつきができるだけ小さいこと
が前提となっている。というのは、さもなくば、パワー
サイリスタの個々の点弧電圧がそ′の許容尖頭阻止電圧
値よりも低くなり、場合(:よっては直列(二接続すべ
きパワーサイリスタの個数を増さなければならなくなる
からである。
本発明の目的は、冒頭に述べた如き半導体スイッチにお
いて、補助サイリスタのブレークオーバー電圧の調整を
無くすことにある。
いて、補助サイリスタのブレークオーバー電圧の調整を
無くすことにある。
」1記の目的は本発明によれば、パワーサイリスタがオ
ーバヘッド点弧に対して耐性を有していることによって
達成される。
ーバヘッド点弧に対して耐性を有していることによって
達成される。
本発明による半導体スイッチにおいては、過電圧時ζニ
パワーヅ・イリスタがオーバヘッド、ね弧するか、点弧
さ身tた補助サイリスタによりゲー トを介して点弧さ
れることから、補助サイリスタのブレークオーバー電子
のばらつきを考慮する必要もないし、補助サイリスタの
ブレークオーバー電圧をパワーサイリスタの阻止電圧(
1合わせる必要もない。
パワーヅ・イリスタがオーバヘッド、ね弧するか、点弧
さ身tた補助サイリスタによりゲー トを介して点弧さ
れることから、補助サイリスタのブレークオーバー電子
のばらつきを考慮する必要もないし、補助サイリスタの
ブレークオーバー電圧をパワーサイリスタの阻止電圧(
1合わせる必要もない。
以下図面を参照しながら本発明を実施例C二ついて、更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
図はオーバヘッド点弧(二対して耐性を有’v”るパワ
ーサイリスタ1を示し、このサイリスタのアノード・ゲ
ート間にオーバヘッド点弧に対して耐性を有する光点弧
可能な補助サイリスタ2が接続されている。阻止されて
いるパワーサイリスタlに過電圧が生じたときには、そ
の固有のブレークオーバー電圧を上回ったためにパワー
サイリスタlが点弧されるか、または光点弧可能な補助
サイリスタ2のブレークオーバー電圧を上回っていると
きl二をオバワー→トイυスタ]がそのゲートを介して
点弧されるかのいずれがである。パワーサイリスタの阻
止電圧に光点弧’=J能な補助サイリスタのブレークオ
ーバー電圧を合わせることは実際上もはや必要でなく、
また補助サイリスタ2のブレーク侶−パー電圧のばらつ
きも考慮する必要はなくなる。
ーサイリスタ1を示し、このサイリスタのアノード・ゲ
ート間にオーバヘッド点弧に対して耐性を有する光点弧
可能な補助サイリスタ2が接続されている。阻止されて
いるパワーサイリスタlに過電圧が生じたときには、そ
の固有のブレークオーバー電圧を上回ったためにパワー
サイリスタlが点弧されるか、または光点弧可能な補助
サイリスタ2のブレークオーバー電圧を上回っていると
きl二をオバワー→トイυスタ]がそのゲートを介して
点弧されるかのいずれがである。パワーサイリスタの阻
止電圧に光点弧’=J能な補助サイリスタのブレークオ
ーバー電圧を合わせることは実際上もはや必要でなく、
また補助サイリスタ2のブレーク侶−パー電圧のばらつ
きも考慮する必要はなくなる。
図は本発明(二よる実施例を示す回路図である。
I・・・パワーサイリスタ、 2・・・補助サイリス
タ。
タ。
Claims (1)
- 1)オーバヘッド点弧に対して耐性を有する補助サイリ
スタ(2)をアノード・ゲート間に接続されたパワーサ
イリスタ(1)を備えた半導体スイッチにおいて、パワ
ーサイリスタ(1)がオーバヘッド点弧に対して耐性を
有していることを特徴とする半導体スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3422331 | 1984-06-15 | ||
DE3422331.2 | 1984-06-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6112120A true JPS6112120A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=6238479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12973785A Pending JPS6112120A (ja) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | 半導体スイツチ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0166987A1 (ja) |
JP (1) | JPS6112120A (ja) |
BR (1) | BR8502842A (ja) |
DK (1) | DK265585A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3328926C2 (de) | 1982-01-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma, Osaka | Fernsteuerbarer Schalter |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3131894A1 (de) * | 1981-08-12 | 1983-02-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zuendschaltung fuer einen leistungsthyristor |
-
1985
- 1985-06-03 EP EP85106848A patent/EP0166987A1/de not_active Withdrawn
- 1985-06-13 DK DK265585A patent/DK265585A/da not_active Application Discontinuation
- 1985-06-14 BR BR8502842A patent/BR8502842A/pt unknown
- 1985-06-14 JP JP12973785A patent/JPS6112120A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3328926C2 (de) | 1982-01-29 | 1985-10-17 | Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma, Osaka | Fernsteuerbarer Schalter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK265585A (da) | 1985-12-16 |
BR8502842A (pt) | 1986-02-25 |
DK265585D0 (da) | 1985-06-13 |
EP0166987A1 (de) | 1986-01-08 |
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