JPS60241326A - サイリスタ保護回路 - Google Patents
サイリスタ保護回路Info
- Publication number
- JPS60241326A JPS60241326A JP60097690A JP9769085A JPS60241326A JP S60241326 A JPS60241326 A JP S60241326A JP 60097690 A JP60097690 A JP 60097690A JP 9769085 A JP9769085 A JP 9769085A JP S60241326 A JPS60241326 A JP S60241326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parallel
- thyristor
- bod
- gate
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサイリスタを保護するための回路にアノード・
カソード間電圧がオーバヘッド点弧電圧を上回るか、又
は非常に短い立上がり時間（例えば２〜３μ８θＣ）内
で上昇するとき、サイリスタの望ましくない点弧が起こ
り得る。かかる望ましくない点弧は一般に制御できずに
カソード面積内の任意のスポットにかいて起こり、これ
は高いスイッチング損失のためにサイリスタを破塙に至
らしめることがある。
カソード間電圧がオーバヘッド点弧電圧を上回るか、又
は非常に短い立上がり時間（例えば２〜３μ８θＣ）内
で上昇するとき、サイリスタの望ましくない点弧が起こ
り得る。かかる望ましくない点弧は一般に制御できずに
カソード面積内の任意のスポットにかいて起こり、これ
は高いスイッチング損失のためにサイリスタを破塙に至
らしめることがある。
そこで、危険予防のために、許容できない電圧または許
容できない電圧勾配のときにおける意図しない点弧がサ
イリスタのゲートにおける相応の制御パルスによる意図
的な保護点弧に変化させられる。西独特許出顧公開第２
４４４９１０号明細書から、静的にも動的にも動作する
保護回路、すなわちオーバヘッド点弧電圧超過に対して
も、許容される６ｖ７ａｔ値の超過に対しても保Ｍｅ提
供する保護回路が知られている。
容できない電圧勾配のときにおける意図しない点弧がサ
イリスタのゲートにおける相応の制御パルスによる意図
的な保護点弧に変化させられる。西独特許出顧公開第２
４４４９１０号明細書から、静的にも動的にも動作する
保護回路、すなわちオーバヘッド点弧電圧超過に対して
も、許容される６ｖ７ａｔ値の超過に対しても保Ｍｅ提
供する保護回路が知られている。
シグレレポート（Ｏｌｇｒｅ ｒｅｐｏｒｔン１４−０
５／１９．、１９７６から、サイリスタのオーバヘクト
点弧電圧よしも小さい閾値電圧を有し、かつサイリスタ
の７ノード・ゲート間にサイリスタと同じ極性にて接続
されている少くとも２つの直列接続されたＢＯＤ素子（
プレークォーツ（ダイオード）を備えた保護回路は公知
であり、これはネルソンリバー（ＮθＬｉｏｎ Ｒｌｖ
ｅｒ）と称せられる高圧直流送電に使用されている。こ
の回路に訃いてはオーバヘッド点弧電圧を越えた際にお
けるサイリスタのオーバヘッド点弧に対する保護が、Ｂ
ＯＤ素子とも称せられる高電圧スイッチングダイオード
にて行なわれ、このダイオードは保−すべきサイリスタ
のアノード・ゲート間に接続される。この場合に複数の
ＢＯＤ素子が直列接続されていて、これらのＢＯＤ素子
にはそれぞれ電圧安定化のだめの高抵抗が並列接続され
ている。かかるＢＯＤ素子による保護回路の利点は、Ｂ
ＯＤ素子のスイッチング電圧ないしは閾値電圧の超過の
際に所望の制御パルスがサイリスタに与えられ、その場
合に付加的にＢＯＤ素子および特に保護すべきサイリス
タの点弧遅延時間中介保護リアクトルまたは変圧器漏れ
インダクタンスとの関係で既に電圧制限が行なわれると
いうところにある。しかしながら、サイリスタにとって
許容できる６ ｖ ／ ｅＬｔ値を越えたときにおける
点弧が解決されてなく、すなわちこの保護回路は動的な
動作をしない。
５／１９．、１９７６から、サイリスタのオーバヘクト
点弧電圧よしも小さい閾値電圧を有し、かつサイリスタ
の７ノード・ゲート間にサイリスタと同じ極性にて接続
されている少くとも２つの直列接続されたＢＯＤ素子（
プレークォーツ（ダイオード）を備えた保護回路は公知
であり、これはネルソンリバー（ＮθＬｉｏｎ Ｒｌｖ
ｅｒ）と称せられる高圧直流送電に使用されている。こ
の回路に訃いてはオーバヘッド点弧電圧を越えた際にお
けるサイリスタのオーバヘッド点弧に対する保護が、Ｂ
ＯＤ素子とも称せられる高電圧スイッチングダイオード
にて行なわれ、このダイオードは保−すべきサイリスタ
のアノード・ゲート間に接続される。この場合に複数の
ＢＯＤ素子が直列接続されていて、これらのＢＯＤ素子
にはそれぞれ電圧安定化のだめの高抵抗が並列接続され
ている。かかるＢＯＤ素子による保護回路の利点は、Ｂ
ＯＤ素子のスイッチング電圧ないしは閾値電圧の超過の
際に所望の制御パルスがサイリスタに与えられ、その場
合に付加的にＢＯＤ素子および特に保護すべきサイリス
タの点弧遅延時間中介保護リアクトルまたは変圧器漏れ
インダクタンスとの関係で既に電圧制限が行なわれると
いうところにある。しかしながら、サイリスタにとって
許容できる６ ｖ ／ ｅＬｔ値を越えたときにおける
点弧が解決されてなく、すなわちこの保護回路は動的な
動作をしない。
本発明は、先に述べたような保護回路において、上記の
利点を維持しながら動的にも動作するように改善するこ
と、すなわちｄ ｖ ／ ｄ ｔの許容値を越えたとき
における保護点弧も行ない得るようにすることを目的と
する。
利点を維持しながら動的にも動作するように改善するこ
と、すなわちｄ ｖ ／ ｄ ｔの許容値を越えたとき
における保護点弧も行ない得るようにすることを目的と
する。
この目的は本発明によれば、ゲートに接続されているＢ
ＯＤ素子を除いて残りのすべてのＢＯＤ素子に並列Ｒｅ
要素が並列接続され、これらの並列ＲＣ要票の抵抗値お
よび容量値は同じ大きさであり、ゲートに接続されたＢ
ＯＤ素子およびサイリスタのカソード・ゲート区間に別
の並列ＲＣ要素が並列接続され、この別の並列ＲＯ要素
の容量値は他の並列ＲＯ要素の容量値よりも小さく、且
つこの別の並列Ｒｅ要素の抵抗値は他の並列Ｒｅ要素の
抵抗値と同じか又はそれらより小さいことによって達成
される。
ＯＤ素子を除いて残りのすべてのＢＯＤ素子に並列Ｒｅ
要素が並列接続され、これらの並列ＲＣ要票の抵抗値お
よび容量値は同じ大きさであり、ゲートに接続されたＢ
ＯＤ素子およびサイリスタのカソード・ゲート区間に別
の並列ＲＣ要素が並列接続され、この別の並列ＲＯ要素
の容量値は他の並列ＲＯ要素の容量値よりも小さく、且
つこの別の並列Ｒｅ要素の抵抗値は他の並列Ｒｅ要素の
抵抗値と同じか又はそれらより小さいことによって達成
される。
本発明による保護回路においては、ＢＯＤ素子の直列接
続に対して並列な容量的に調整された分圧器により応答
の電圧勾配依存性が達成される。
続に対して並列な容量的に調整された分圧器により応答
の電圧勾配依存性が達成される。
ゲートに接続されているＢＯＤ素子の並列Ｒｅ要素にお
いては、他の並列Ｒｃ９素の抵抗値もしくは容量値に比
べて抵抗値は非常に小さく容量値は無視し得る程度に選
定することが好ましい。
いては、他の並列Ｒｃ９素の抵抗値もしくは容量値に比
べて抵抗値は非常に小さく容量値は無視し得る程度に選
定することが好ましい。
この選定により、サイリスタのゲートに直接に接続され
ているＢＯＤ素子が直列ａＣ要素と共に６ ｖ ／ ｄ
ｔに依存した点弧を引き受けるのに対して他の残りの
ＢＯＤ素子が静的な応答を決める限りにおいて、従来技
術の問題点の解決をなし得る。
ているＢＯＤ素子が直列ａＣ要素と共に６ ｖ ／ ｄ
ｔに依存した点弧を引き受けるのに対して他の残りの
ＢＯＤ素子が静的な応答を決める限りにおいて、従来技
術の問題点の解決をなし得る。
その直列ＲＯ４ｉｌ素は、並列Ｒｅ要素のコンデンサと
、ＢＯＤ素子およびサイリスタのカソード・ゲ−トメ間
を橋絡する抵抗とにより形成される。
、ＢＯＤ素子およびサイリスタのカソード・ゲ−トメ間
を橋絡する抵抗とにより形成される。
とくに、ゲートに接続されたＢＯＤ素子にはダイオード
が逆並列接続される。このダイオードにより、サイリス
タ点弧時に並列Ｒｅ要素のコンデンサの電圧が、ゲート
に接続されたＢＯＤ素子を、介して逆方向に短時間、こ
のＢＯＤ素子を場合によっては破壊することのある電流
を通ぜしめるのを防止することができる。
が逆並列接続される。このダイオードにより、サイリス
タ点弧時に並列Ｒｅ要素のコンデンサの電圧が、ゲート
に接続されたＢＯＤ素子を、介して逆方向に短時間、こ
のＢＯＤ素子を場合によっては破壊することのある電流
を通ぜしめるのを防止することができる。
以ｆ１図を参照しながら、本発明による保護回路をさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
図はアノードとゲートとの間に逆流防止ダイオード２と
ｎ個のＢＯＤ素子素子−１〜Ｂｎ続されたサイリスタ１
を示す、ゲートに直接接続されていないＢＯＤ素子Ｂｌ
” Ｂｎ−ｘ Ｋは、それぞれ抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１とコ
ンデンサＣｎ〜ａｎ−１との並列Ｒｅ要素が並列接続さ
れている。すべての抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１は同じ抵抗値Ｒ
を有し、すべてのコンデ／すＣ１〜Ｏｎ−１は同じ静電
容量値Ｃを有する。サイリスタ１のゲートに直接接続さ
れているＢＯＤ素子Ｂｎおよびサイリスタ１のカソード
・ゲート区間には抵抗ＲｎとコンデンサＯｎとの別の並
列Ｒｅ要素が並列接続されている。サイリスタ１のゲー
トに直接接続されているＢＯＤ素子Ｂｎ にはさらにフ
リーホイーリングダイオード３も逆並列接続されている
。
ｎ個のＢＯＤ素子素子−１〜Ｂｎ続されたサイリスタ１
を示す、ゲートに直接接続されていないＢＯＤ素子Ｂｌ
” Ｂｎ−ｘ Ｋは、それぞれ抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１とコ
ンデンサＣｎ〜ａｎ−１との並列Ｒｅ要素が並列接続さ
れている。すべての抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１は同じ抵抗値Ｒ
を有し、すべてのコンデ／すＣ１〜Ｏｎ−１は同じ静電
容量値Ｃを有する。サイリスタ１のゲートに直接接続さ
れているＢＯＤ素子Ｂｎおよびサイリスタ１のカソード
・ゲート区間には抵抗ＲｎとコンデンサＯｎとの別の並
列Ｒｅ要素が並列接続されている。サイリスタ１のゲー
トに直接接続されているＢＯＤ素子Ｂｎ にはさらにフ
リーホイーリングダイオード３も逆並列接続されている
。
保護回路の動作説明のために、抵抗Ｒｎおよびコンデン
サｃｎからなるＲｅ要素にサイリスタ１の阻止状態のと
きに生じる電圧ｕｎ （ｔ ）を考察する。この電圧は
、 ・、＜ ｉ −；”ｒン） ・・−・−・・・・−・・
＋１）と表わせる。但し、 τ ＝Ｒ昏 Ｃ τｎ＝Ｒｎ ’ （３ｎ （ｎ−１）・Ｒ−Ｒ，Ｃ （ｎ−１）、Ｒ＋Ｒｎ” ｎ−〒＋０ｎ）であり、また
８ばほぼ装置容量とそれの放ｔｔｌＬ流によって決まる
電圧の勾配である。式【１）を簡単化するために Ｒｎ
＝Ｒとすると、 ｕｎ（ｔ）＝４−、 （ｔ＋”−” −（ｙ−ｒｎ）・
（１−ｅ−９０曲（２）となる。但し、 τｒ＝７− Ｒ−（ＰＴ＋ａｎ） である。この電圧の時間微分は となる。ｔ＝ｏについては、 （−幻釦） ＝旦−−一旦二〇−一一・・・・−・−・
−・−・ （４）ａｔ ｔ＝ｏ ｎ、ｃ＋（ｎ−ｔ）・
Ｏｎが得られ、 ０ｎ＝Ｃなら、（５ン ＝旦 （ｉｔ ｔ−Ｏｎ ｕｎ ＣｎくＣなら、 （下）〉− −０ｎ ｃｎ＞ａなら、 ＜−’−Ｅ−ｘ＝＞ ＜ −ｄｔ ｆ
；−Ｏｎ となる。これは％ａｎ＞ａについては電圧Ｕゎ（１）が
急勾配で上昇し、そルにより定常的な応答値−に相当す
るよりも早く動的な保護点弧が釈放される。
サｃｎからなるＲｅ要素にサイリスタ１の阻止状態のと
きに生じる電圧ｕｎ （ｔ ）を考察する。この電圧は
、 ・、＜ ｉ −；”ｒン） ・・−・−・・・・−・・
＋１）と表わせる。但し、 τ ＝Ｒ昏 Ｃ τｎ＝Ｒｎ ’ （３ｎ （ｎ−１）・Ｒ−Ｒ，Ｃ （ｎ−１）、Ｒ＋Ｒｎ” ｎ−〒＋０ｎ）であり、また
８ばほぼ装置容量とそれの放ｔｔｌＬ流によって決まる
電圧の勾配である。式【１）を簡単化するために Ｒｎ
＝Ｒとすると、 ｕｎ（ｔ）＝４−、 （ｔ＋”−” −（ｙ−ｒｎ）・
（１−ｅ−９０曲（２）となる。但し、 τｒ＝７− Ｒ−（ＰＴ＋ａｎ） である。この電圧の時間微分は となる。ｔ＝ｏについては、 （−幻釦） ＝旦−−一旦二〇−一一・・・・−・−・
−・−・ （４）ａｔ ｔ＝ｏ ｎ、ｃ＋（ｎ−ｔ）・
Ｏｎが得られ、 ０ｎ＝Ｃなら、（５ン ＝旦 （ｉｔ ｔ−Ｏｎ ｕｎ ＣｎくＣなら、 （下）〉− −０ｎ ｃｎ＞ａなら、 ＜−’−Ｅ−ｘ＝＞ ＜ −ｄｔ ｆ
；−Ｏｎ となる。これは％ａｎ＞ａについては電圧Ｕゎ（１）が
急勾配で上昇し、そルにより定常的な応答値−に相当す
るよりも早く動的な保護点弧が釈放される。
装置容量とそれの放電電流の考慮のもとで、容量Ｏｎ
の大きさは ｄ、ｕ、、 〉１ア□７ についての動的
な保護点弧が十分大きな点弧パルスにて釈放されるよう
に決められる。その場合に定常的な応答閾値は直列接続
され′ｆｃｒ１個のＢＯＤ素子によって決まる。
の大きさは ｄ、ｕ、、 〉１ア□７ についての動的
な保護点弧が十分大きな点弧パルスにて釈放されるよう
に決められる。その場合に定常的な応答閾値は直列接続
され′ｆｃｒ１個のＢＯＤ素子によって決まる。
一層の簡単化では式（１）に訃いて Ｒｎ＜ Ｒ，Ｏ＞
＞Ｃｎ→０が仮定される。これから、次式が得られｄｕ
ｎｔ・（ｎ−１） ＝８−ｅ Ｒｎ”Ｏ・・・・・・・・−・・１曲−・・
・・−・・（６）ａｔ この式ではｎ番目の′ＢＯＤ索子Ｂｎがコンデンサ０１
〜０ｎ−１および抵抗Ｒｎからなる直列ＲＯ回路と共に
ｄｖ／ｄｔＫ応じた点弧を引き受け、コンデンサ０１〜
０ｎ−１が抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１に対して動的な側路を形
成し、Ｒｎと共に時定数Ｒｎ・首 を有する動的な応答
特性を決める。さらに、コンデンサ０１〜０ｎ−１はＢ
ＯＤ素子Ｂｎの応答後サイリスタ点弧のための必要な電
荷をもたらす。
＞Ｃｎ→０が仮定される。これから、次式が得られｄｕ
ｎｔ・（ｎ−１） ＝８−ｅ Ｒｎ”Ｏ・・・・・・・・−・・１曲−・・
・・−・・（６）ａｔ この式ではｎ番目の′ＢＯＤ索子Ｂｎがコンデンサ０１
〜０ｎ−１および抵抗Ｒｎからなる直列ＲＯ回路と共に
ｄｖ／ｄｔＫ応じた点弧を引き受け、コンデンサ０１〜
０ｎ−１が抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１に対して動的な側路を形
成し、Ｒｎと共に時定数Ｒｎ・首 を有する動的な応答
特性を決める。さらに、コンデンサ０１〜０ｎ−１はＢ
ＯＤ素子Ｂｎの応答後サイリスタ点弧のための必要な電
荷をもたらす。
限界考察から、直列接続されたＢＯＤ素子素子−１〜Ｂ
ｎの個数は良好な動的応答特性にとって約４〜５となる
ことが見積られる。
ｎの個数は良好な動的応答特性にとって約４〜５となる
ことが見積られる。
残りのＢＯＤ素子素子−１〜Ｂｎはそれらに並列の安定
化抵抗Ｒ１−Ｒｎの精度と共に静的な応答電圧を決める
。
化抵抗Ｒ１−Ｒｎの精度と共に静的な応答電圧を決める
。
Ｒｎ （＜ Ｒ〉よびＣｎ→０を有する回路変形は静的
および動的な応答特性において、最初に考慮したＲｎ＝
Ｒを有する回路変形よりも非常に都合がよい。
および動的な応答特性において、最初に考慮したＲｎ＝
Ｒを有する回路変形よりも非常に都合がよい。
サイリスタ１の点弧の際に、コンデンサ０１〜０ｎ−１
における電圧は非常に短時間、阻止ダイオード２および
ＢＯＤ素子Ｂｎを介して逆方向に電流を通ぜしめる。こ
の電流は阻止ダイオード２の阻止遅延電荷に依存し、場
合によってはＢＯＤ素子Ｂ１１を破壊することがあるが
、ＢＯＤ素子Ｂｎに逆並列接続されたダイオードＢによ
りこの危険
における電圧は非常に短時間、阻止ダイオード２および
ＢＯＤ素子Ｂｎを介して逆方向に電流を通ぜしめる。こ
の電流は阻止ダイオード２の阻止遅延電荷に依存し、場
合によってはＢＯＤ素子Ｂ１１を破壊することがあるが
、ＢＯＤ素子Ｂｎに逆並列接続されたダイオードＢによ
りこの危険
図は本発明の実施例の接続図である。 、１・・・サイ
リスタ、２・・・ダイオード、Ｂ１〜Ｂｎ・・・ＢＯＤ
素子、０１〜Ｃｎ・−・コンデンサ、ＲＩＲｎ ・・・
抵抗、３・・・ダイオード。
リスタ、２・・・ダイオード、Ｂ１〜Ｂｎ・・・ＢＯＤ
素子、０１〜Ｃｎ・−・コンデンサ、ＲＩＲｎ ・・・
抵抗、３・・・ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）サイリスタのオーバヘッドへ・弧電圧よりも小さい
閾値電圧を有し且つサイリスタのアノード・ゲート間に
サイリスタと同じ極性にて接続される少なくとも２つの
直列接続されたＢＯＤ素子を備えたサイリスク保護回路
において、ゲートに接続されているＢＯＤ素子（ＢｎＪ
を除いて残りのすべてのＢＯＤ素子（Ｂｌ〜Ｂｎ−１）
に並列Ｒｅ要素（Ｒ１””’ Ｒｎ−１５Ｃ１〜０ｎ−
１）が並列接続され、これらの並列Ｒｅ要素の抵抗値お
よび容量値は同じ大きさであり、ゲートに接続されたＢ
ＯＤ素子（Ｂｎ）およびサイリスタのカソード・ゲート
区間に ３゜別の並列ＲＣ要索（Ｒｎ；Ｃｎ）が並列接
続され、この別の並列Ｒｅ要素の容量値は他の並素の抵
抗値と同じか又はそれより小さいことを特徴とするサイ
リスタ保護装置。 ２）ゲートに接続されているＢＯＤ素子（Ｂｏ）の並列
Ｒｅ要素において、抵抗値は他の並列Ｒｅ要素（Ｒ１−
Ｒｎ−１； ｃｌ −０ｎ−１）の抵抗値に比べて非常
に小さく、容量値は他の並列ＲＯ要素（Ｊ −Ｒｎ−１
； ｏｌ〜０ｎ−１）の容量値に比べて無視できるほど
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサ
イリスタ保護回路。 ３）ゲートと接続されているＢＯＤ素子（Ｂｎ）にダイ
オード（３）が逆並列接続されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載のサイリスク保
護回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3417359.5 | 1984-05-10 | ||
| DE3417359 | 1984-05-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241326A true JPS60241326A (ja) | 1985-11-30 |
Family
ID=6235484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60097690A Pending JPS60241326A (ja) | 1984-05-10 | 1985-05-08 | サイリスタ保護回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4651251A (ja) |
| EP (1) | EP0167734A1 (ja) |
| JP (1) | JPS60241326A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2582879A1 (fr) * | 1985-06-04 | 1986-12-05 | Telemecanique Electrique | Appareil ou circuit interrupteur statique pour l'alimentation protegee d'une charge et de sa ligne |
| JPS62110435A (ja) * | 1985-11-04 | 1987-05-21 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 加入者線の過電圧保護用集積回路装置 |
| JPS63234874A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-30 | Toshiba Corp | サイリスタバルブ |
| JPH0759256A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | サイリスタバルブの保護装置 |
| FI98255C (fi) * | 1994-04-14 | 1997-05-12 | Kone Oy | Ylijännitesuojaus |
| DE19640433C2 (de) * | 1996-09-30 | 2000-10-12 | Siemens Ag | Leistungsendstufe zum Schalten induktiver Verbraucher |
| SE510730C2 (sv) * | 1997-06-11 | 1999-06-21 | Asea Brown Boveri | Anordning för övervakning vid en högspänningsomriktarstation |
| CN100424959C (zh) * | 2006-03-17 | 2008-10-08 | 中国电力科学研究院 | 击穿二极管触发晶闸管阀型过电压保护装置 |
| CN102593796A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-18 | 株洲变流技术国家工程研究中心有限公司 | 一种触发晶闸管阀型过电压保护装置 |
| US9935206B2 (en) * | 2013-05-10 | 2018-04-03 | Ixys Corporation | Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors |
| US9640982B2 (en) * | 2014-11-05 | 2017-05-02 | General Electric Company | Over-voltage protection system and method |
| US10243356B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-03-26 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Overvoltage protection device |
| US9520389B1 (en) * | 2015-07-07 | 2016-12-13 | National Chiao Tung University | Silicon-controlled rectifier and an ESD clamp circuit |
| CN105743218B (zh) * | 2016-01-21 | 2018-10-19 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心 | 一种直流工程电触发晶闸管后备触发系统及其监测方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3938026A (en) * | 1973-11-21 | 1976-02-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit for the simultaneous ignition of a plurality of thyristors |
| DE2444910C3 (de) * | 1974-09-19 | 1979-11-29 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Schutzvorrichtung für einen Thyristor |
| CH607438A5 (ja) * | 1975-07-02 | 1978-12-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| DE3131894A1 (de) * | 1981-08-12 | 1983-02-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zuendschaltung fuer einen leistungsthyristor |
| DE3134840C2 (de) * | 1981-09-03 | 1984-08-30 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Schutzbeschaltung für steuerbare Leistungshalbleiter |
-
1985
- 1985-04-26 EP EP85105141A patent/EP0167734A1/de not_active Withdrawn
- 1985-05-06 US US06/730,723 patent/US4651251A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-08 JP JP60097690A patent/JPS60241326A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0167734A1 (de) | 1986-01-15 |
| US4651251A (en) | 1987-03-17 |
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| US4164772A (en) | AC fault current limiting circuit | |
| EP0186939A2 (en) | Circuit arrangements | |
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