JPS61117280A - 気相反応装置 - Google Patents

気相反応装置

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Publication number
JPS61117280A
JPS61117280A JP23925884A JP23925884A JPS61117280A JP S61117280 A JPS61117280 A JP S61117280A JP 23925884 A JP23925884 A JP 23925884A JP 23925884 A JP23925884 A JP 23925884A JP S61117280 A JPS61117280 A JP S61117280A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
jar
bell
reaction chamber
cooled
Prior art date
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Pending
Application number
JP23925884A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Morita
靖 森田
Jitsuya Noda
野田 実也
Hisao Hayashi
久雄 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP23925884A priority Critical patent/JPS61117280A/ja
Publication of JPS61117280A publication Critical patent/JPS61117280A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、二重構造の反応容器を有する気相反応装置に
関するものである。
従来の技術 第2図は、上記の1.#な気相反応装置の一従来例を示
している。この従来例では、基台I上にステンレスベル
ジャ2が配されており、このステンレスベルジャ2内の
複数個の突起3上にi!3!置されることによって、石
英インナベルジャ4がステンレスベルジャ2内に配され
ている。つまり、反応容器であるステンレスベルジャ2
と石英インナベルジャ4とが、二重構造を成している。
ベルジャ2及び4の内部にはカバー5に覆われている加
熱用のコイル6が配されており、このコイル6の上方に
サセプタ7が配されている。また、コイル6及びサセプ
タ7の夫々の中央部を貫く様に、ノズル8が配されてい
る。
キャリアガスとしての水素ガスと反応ガスとをノズル8
へ供給するために、このノズル8へ通ずる供給口11が
基台lに設けられると共に、ガス供給源(図示せず)及
び配管12から成るガス供給手段が供給口11に接続さ
れている。
また、石英インナベルジャ4とステンレスベルジャ2と
の間の空間へ冷却用の水素ガスを供給するために、ステ
ンレスベルジャ2に供給口13が設けられると共に、ガ
ス供給源(図示せず)及び配管15から成るガス供給手
段が供給口13に接続されている。
なお、ベルジャ2.4内の温度分布等を監視するための
覗き窓15がステンレスベルジャ2に設けられているが
、配管14はこの覗き窓15にも接続されている。
ステンレスベルジャ2と石英インナベルジャ4との間の
空間と石英インナヘルジ中4の内側の空間とは、ステン
レスベルジャ2に突起3が無い部分で互いに連通してい
る。そして、ノズル8から吹き出したガスと供給口13
及び覗き窓15から供給されたガスとを排出するための
排気口16が、基台lに設けられている。
発明が解決しようとする問題点 ところが以上の様な気相反応装置では、ガス供給源から
の常温の水素ガスが、配管14を通ってステンレスベル
ジャ2と石英インナベルジャ4との間の空間へそのまま
供給されている。コイル6による加熱のために石英イン
ナベルジャ4は非常に高温であり、常温の水素でもある
程度の冷却機能を有しているが、この冷却機能では十分
ではない。
このために、第3図に示す様に、石英インナベルジャ4
の内壁面に多結晶シリコン等の反応物質が付着してしま
う。従って、石英インナベルジャ4の保守が面倒であり
、また覗き窓15からの監視を十分に行うこともできな
い。
また、第3図に示す様に、冷却用の水素ガスが直接に供
給される供給口13及び覗き窓15の近傍を除いて、石
英インナベルジャ4の上半部に特に高密度で反応物質が
付着する。従って、これらの反応物質がサセプタ7上の
ウェハ(図示せず)上へ落下してこれらのウェハが汚染
され、高品質の製品を製造することができない。
そして、石英インナベルジャ4を大型化すると、この石
英インナベルジャ4が十分には冷却されなくて、上述の
様な問題点が更に顕著に現れる。
また、本発明の他の従来例として、特公昭56−300
58号公報に示されている様に、二重構造の反応容器の
内側の反応容器の壁面に多数の穴を設けて、これらの穴
から内側の反応容器の内部へ冷却用のガスを流入させる
様にしている気相反応装置がある。
しかし、この様な気相反応装置でも、冷却用のガスが常
温から更には冷却されてはいないために、内側の反応容
器を十分には冷却することができないと考えられる。
発明が解決しようとする問題点 本発明による気相反応装置は、二重構造を成している内
側及び外側の反応容器4.2と、前記内側の反応容器4
と前記外側の反応容器2との間の空間へガスを供給する
ためのガス供給手段14と、前記ガスを冷却するための
冷却手段17とを夫々具備している。
作用 本発明による気相反応装置では、冷却手段17とガス供
給手段14とによって、内側の反応容器4と外側の反応
容器2との間の空間へ冷却されたガスが供給され、内側
の反応容器4が効果的に冷却される。
実施例 以下、縦形の気相反応装置に適用した本発明の一実施例
を第1図を参照しながら説明する。
この第1図に示す様に、本実施例の気相反応装置は、配
管14を通って供給される水素ガスを冷却するための冷
却手段を有していることを除いて、第2図に示した従来
例の気相反応装置と実質的に同様の構成であってよい。
なおこの冷却手段は、コイル状の配管17中に流体窒素
を流して、配管14中を通る水素ガスを冷却する様にし
たものである。
従って、本実施例の気相反応装置では、配管14中を通
る水素ガスが配管17中を流れる液体窒素によって十分
に冷却され、この冷却された水素ガスがステンレスベル
ジャ2と石英インナベルジャ4との間の空間へ供給され
る。この結果、石英インナベルジャ4が効果的に冷却さ
れ、この石英インナベルジャ4の内壁面に反応物質が付
着しにくい。
なお以上の実施例においては本発明を縦形の気相反応装
置に適用したが、バレル形や横形等の気相反応装置にも
本発明を適用することができる。
発明の効果 上述の如く、本発明による気相反応装置では、装置を大
型化しても内側の反応容器が効果的に冷却されるので、
内側の反応容器の内壁面に反応物質が付着しに(い。
従って、高品質の製品を製造することができ、しかも内
側の反応容器の保守と反応容器内の監視とが容易である
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す側断面図である。 第2図は本発明の一従来例を示す側断面図、第3図は一
従来例における内側の反応容器の反応後の状態を示す側
断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 2・−−−−・−−−一−−−−−−・−ステンレスヘ
ルジャ4−−−−−−−一・−一−−−−石英インナヘ
ルジャ14−一・−・−−−m−・−配管 17−−−−−−−−−配管 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 二重構造を成している内側及び外側の反応容器と、前記
    内側の反応容器と前記外側の反応容器との間の空間へガ
    スを供給するためのガス供給手段と、前記ガスを冷却す
    るための冷却手段とを夫々具備する気相反応装置。
JP23925884A 1984-11-13 1984-11-13 気相反応装置 Pending JPS61117280A (ja)

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JP23925884A JPS61117280A (ja) 1984-11-13 1984-11-13 気相反応装置

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JP23925884A JPS61117280A (ja) 1984-11-13 1984-11-13 気相反応装置

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JPS61117280A true JPS61117280A (ja) 1986-06-04

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ID=17042084

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JP23925884A Pending JPS61117280A (ja) 1984-11-13 1984-11-13 気相反応装置

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