JPS61115929A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor - Google Patents
Epoxy resin composition for sealing semiconductorInfo
- Publication number
- JPS61115929A JPS61115929A JP23743684A JP23743684A JPS61115929A JP S61115929 A JPS61115929 A JP S61115929A JP 23743684 A JP23743684 A JP 23743684A JP 23743684 A JP23743684 A JP 23743684A JP S61115929 A JPS61115929 A JP S61115929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- epoxy
- resin composition
- polyphosphazene
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
皇呈上少剋里分！
本発明は、応力が小さくかつ耐湿性に優れた、半導体封
止用のエポキシ樹脂組成物に関する。[Detailed Description of the Invention] Emperor's Presentation of the Emperor! The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that has low stress and excellent moisture resistance.
ｌ米鬼茨逐
近年、半導体素子は、従来のハーメチックシール方式に
比べ量産性が高く、価格の安い樹脂封止方式によって生
産されている。それらの樹脂封止に用いられる封止剤と
しては、シリコーン系又はエポキシ系の熱硬化性成形材
料が大半を占め、特にエポキシ系成形材料が多い、これ
らエポキシ系成形材料で封止された半導体装置は、従来
のハーメチックシール品（ガラス、金属、セラミックな
どで封止された半導体製品）に比べ、信頌性に若干劣る
欠点がある。In recent years, semiconductor devices have been produced using a resin encapsulation method, which is more easily mass-produced and cheaper than the conventional hermetic seal method. Most of the encapsulants used for resin encapsulation are silicone-based or epoxy-based thermosetting molding materials, and epoxy-based molding materials are particularly common. Semiconductor devices encapsulated with these epoxy-based molding materials has the disadvantage that it is slightly less reliable than conventional hermetically sealed products (semiconductor products sealed with glass, metal, ceramic, etc.).
最近の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子が従来に比
べ高密度化かつ大型化される傾向にあり、また成形品の
パッケージ構造も小型化かつ薄型化される傾向にあり、
更に高い信頼性（耐クラツク性、耐湿性、高温動作性に
すぐれること）が要求されている。しかして、このよう
に高密度化、大型化された半導体素子を、従来のエポキ
シ系成形材料で対土成形した場合、成形後に素子にクラ
ックが発生したり、成形樹脂にクランクが発生したりす
ることがある。また、ある場合には、成形後の信頼性試
験（耐熱衝撃試験、耐湿試験、高温動作試験等）におい
て同様のクラックを発生することがある。In recent resin-sealed semiconductor devices, the semiconductor elements tend to be higher density and larger than before, and the package structure of the molded product also tends to be smaller and thinner.
Even higher reliability (excellent crack resistance, moisture resistance, and high temperature operability) is required. However, when such high-density, large-sized semiconductor devices are molded against soil using conventional epoxy molding materials, cracks may occur in the device after molding, or cranks may occur in the molding resin. Sometimes. In some cases, similar cracks may occur during reliability tests (thermal shock resistance tests, moisture resistance tests, high temperature operation tests, etc.) after molding.
日が ゛しよゝと るー “
本発明は、上記の如き従来技術における問題点を解決し
ようとするものであり、耐湿性及び低応力性に優れた封
止成形樹脂を与えることのできるエポキシ樹脂組成物を
提供しようとするものである。The present invention aims to solve the above-mentioned problems in the conventional technology, and is an epoxy resin that can provide a sealing molding resin with excellent moisture resistance and low stress properties. It is intended to provide a composition.
四 寺を”′ るための
本発明は即ちエポキシ樹脂及び硬化剤を含む半導体対土
用のエポキシ樹脂組成物を提供するものであって、この
組成物は、エポキシ樹脂重量に対して０．５〜５重量％
の一般式、
〔上式中、Ｒはアミノ、アルキルアミノ、アリールアミ
ノ、ヒドロキシアルキル、エポキシ、カルボキシル又は
カルボキシアルキルを表わす〕で示される反復単位から
なるポリホスファゼンを配合したことを特徴とする。The present invention specifically provides an epoxy resin composition for use in semiconductors, which contains an epoxy resin and a curing agent, and the composition has an epoxy resin composition of 0.5% by weight based on the weight of the epoxy resin. ~5% by weight
It is characterized by containing a polyphosphazene consisting of a repeating unit represented by the general formula: [In the above formula, R represents amino, alkylamino, arylamino, hydroxyalkyl, epoxy, carboxyl or carboxyalkyl].
本発明の組成物において、上記ポリホスファゼンは硬化
剤の一部として作用し、組成物中に存在するエポキシ樹
脂や他の硬化剤と反応する。ポリホスファゼンの量が０
．５重量％未満であると応力低下の効果が少なく、５重
量％を超える場合には製品のガラス転移点が低下するな
どの悪影響が生じる。・
本発明に用いられるエポキシ樹脂としては公知のすべて
のエポキシ樹脂が有用であり、例えば、ビスフェノール
ＡとエビクロノＣヒドリンから得られるビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ノボラック樹脂にエピクロルヒドリ
ンを反応させて得られるノボラック型エポキシ樹脂、シ
クロヘキセン、シクロペンタジェン、ジシクロペンタジ
ェンのような脂環式化合物から得られるエポキシ樹脂等
がある。In the composition of the present invention, the polyphosphazene acts as part of the curing agent and reacts with the epoxy resin and other curing agents present in the composition. The amount of polyphosphazene is 0
．． If it is less than 5% by weight, the effect of reducing stress will be small, and if it exceeds 5% by weight, adverse effects such as a decrease in the glass transition point of the product will occur. - All known epoxy resins are useful as the epoxy resin used in the present invention, such as bisphenol A type epoxy resin obtained from bisphenol A and Ebichrono C hydrin, and novolac type obtained by reacting novolak resin with epichlorohydrin. Epoxy resins include epoxy resins obtained from alicyclic compounds such as cyclohexene, cyclopentadiene, and dicyclopentadiene.
硬化剤としては電気特性、耐湿性等にすぐれるフェノー
ルノボラックレジンが好適に用いられる。As the curing agent, phenol novolak resin, which has excellent electrical properties, moisture resistance, etc., is preferably used.
また硬化剤の一部として用いられる上記一般式のポリホ
スファゼンにおけるＲの具体例としては、アミノ、メチ
ルアミノ、フェニルアミノ、ヒドロキシメチル、エポキ
シエチル、エポキシプロピル、カルボキシル、カルボキ
シメチル等がある。Specific examples of R in the polyphosphazene of the above general formula used as a part of the curing agent include amino, methylamino, phenylamino, hydroxymethyl, epoxyethyl, epoxypropyl, carboxyl, and carboxymethyl.
また、本発明の組成物には硬化促進剤が配合されてもよ
く、硬化促進剤としてはエポキシ樹脂用として有用な公
知のもののすべてが使用できる。Further, a curing accelerator may be added to the composition of the present invention, and all known curing accelerators useful for epoxy resins can be used.
また、本発明のエポキシ樹脂の組成物にはトランスファ
成形するための無機充填剤を配合するのが好ましい。無
機充填剤としては、例えば、シリカ粉、石英ガラス粉、
ガラス繊維粉、炭化ケイ素粉、アルミナなどが有用であ
る。その他の充填剤として離型剤、着色剤、表面処理剤
、難燃剤などを配合しても良い。Further, it is preferable that an inorganic filler for transfer molding is added to the epoxy resin composition of the present invention. Examples of inorganic fillers include silica powder, quartz glass powder,
Glass fiber powder, silicon carbide powder, alumina, etc. are useful. Other fillers such as a mold release agent, a coloring agent, a surface treatment agent, and a flame retardant may be added.
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料に調製するに当
っては、固形状の成分材料をそれぞれ粉砕し、次いで所
望の割合で十分に混合する。混合には、ニーダ、ボール
ミル、熱ロールなどの慣用の混合機械を使用することが
できる。得られた混合物は、そのままトランスファ成形
に適用することができる。In preparing a molding material from the epoxy resin composition of the present invention, the solid component materials are ground and then thoroughly mixed in a desired ratio. For mixing, conventional mixing machines such as kneaders, ball mills, hot rolls, etc. can be used. The resulting mixture can be directly applied to transfer molding.
大豊班 以下、実施例により本発明を更に説明する。Otoyo group The present invention will be further explained below with reference to Examples.
実施例１
〔組成（重量部）〕
（ｂｌフェノールノボラック樹脂（分子量約９００）
５０（Ｒ＝ＮＨＣＨ３）
（ｄ）２−メチルイミダゾール
１（ｅ）カーボンブラック
１（ｆ）シ リ カ 粉
３５０（ｇｌ ｒ−グ
リシドキシプロビルトリメトキシシラン Ｉ上記（ａ）
〜（ｇｌの成分を５０〜８０℃に加熱した熱ロールで３
〜１０分間溶融混練し、その後冷却しかつ粉砕して、エ
ポキシ樹脂組成物■を調製した。Example 1 [Composition (parts by weight)] (bl phenol novolak resin (molecular weight approximately 900)
50(R=NHCH3) (d) 2-methylimidazole
1(e) Carbon black
1(f) Silica powder
350 (gl r-glycidoxyprobyltrimethoxysilane I above (a)
～(Gl ingredients heated to 50-80℃ with a hot roll
Epoxy resin composition (2) was prepared by melt-kneading for ~10 minutes, then cooling and pulverizing.
比較例１
実施例１と同じ組成（ただし、（Ｃ）アミノホスファゼ
ンを除く）の成分を用い、実施例１と同様の操作により
、エポキシ樹脂組成物■を調製した。Comparative Example 1 Epoxy resin composition (2) was prepared using the same components as in Example 1 (excluding (C) aminophosphazene) and in the same manner as in Example 1.
次に、これら組成物によりＭＯＳ ＬＳＩを１８０℃、
５０ｋｇ／ｃＪ！！、２ ｍｉｎでトランスファ成形し
、成形品の外観を調べた。また同時にそれらの成形品の
樹脂クラック及び素子クラックなどを測定した。更に、
成形品について信頼性試験を行なった。Next, using these compositions, MOS LSI was heated at 180°C.
50kg/cJ! ! , 2 min, and the appearance of the molded product was examined. At the same time, resin cracks and element cracks in these molded products were measured. Furthermore,
Reliability tests were conducted on the molded products.
その結果、組成物■については成形時の素子及び樹脂の
クラックは無く、−５５℃／３０分〜１５０℃／３０分
、６００サイクルでのクラック発生数は１／１００であ
った。一方、組成物■については、成形時には素子及び
樹脂のクラックは無かったが、−５５℃／３０分〜１５
０℃／３０分、６００サイクルでのクラック発生率は１
００／１００であった。As a result, for composition (1), there were no cracks in the element or resin during molding, and the number of cracks generated during 600 cycles of -55°C/30 minutes to 150°C/30 minutes was 1/100. On the other hand, for composition (1), there were no cracks in the element or resin during molding, but
Crack occurrence rate at 0°C/30 minutes, 600 cycles is 1
It was 00/100.
また、耐湿性を調べる目的でプレッシャークツカーテス
ト（１２１℃、２ａｔｍ 、 ５００ｈｒ）を行なっ
た結果、組成物■については不良率が０／１００であっ
た。一方、組成物■については不良率がｉｏ、、’ｉｏ
ｏであった。Further, in order to check the moisture resistance, a pressure pump test (121° C., 2 atm, 500 hr) was conducted, and as a result, the defective rate of composition (①) was 0/100. On the other hand, for composition ■, the defective rate is io, , 'io
It was o.
１１しわ九果
本発明によれば、耐湿性、低応力性に優れた半導体対土
用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。According to the present invention, it is possible to obtain an epoxy resin molding material for use in soil for semiconductors having excellent moisture resistance and low stress properties.
Claims (1)
キシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂重量に対して０
．５〜５重量％の一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔上式中、Ｒはアミノ、アルキルアミノ、アリールアミ
ノ、ヒドロキシアルキル、エポキシ、カルボキシル又は
カルボキシアルキルを表わす〕で示される反復単位から
なるポリホスファゼンを配合したことを特徴とする組成
物。[Claims] 1. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an epoxy resin and a curing agent, which
．． 5 to 5% by weight of the general formula, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the above formula, R represents amino, alkylamino, arylamino, hydroxyalkyl, epoxy, carboxyl or carboxyalkyl] A composition characterized in that it contains a polyphosphazene consisting of units.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23743684A JPS61115929A (en) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23743684A JPS61115929A (en) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115929A true JPS61115929A (en) | 1986-06-03 |
Family
ID=17015329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23743684A Pending JPS61115929A (en) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115929A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1273608A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-01-08 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Flame-retardant epoxy resin composition, molded object thereof, and electronic part |
| EP1775321A4 (en) * | 2004-06-29 | 2011-09-14 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Flame-retardant epoxy resin composition |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23743684A patent/JPS61115929A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1273608A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-01-08 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Flame-retardant epoxy resin composition, molded object thereof, and electronic part |
| EP1273608A4 (en) * | 2000-03-21 | 2004-09-08 | Otsuka Kagaku Kk | Flame-retardant epoxy resin composition, molded object thereof, and electronic part |
| EP1775321A4 (en) * | 2004-06-29 | 2011-09-14 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Flame-retardant epoxy resin composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4701479A (en) | Epoxy resin-based composition for encapsulation of semiconductor devices | |
| JP2006265370A (en) | Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor and optical semiconductor device | |
| JPS61115929A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JPH0288621A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JPS61254619A (en) | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor | |
| JPH05299537A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP2005089710A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device | |
| JP2978313B2 (en) | Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation used therein | |
| JPH0567701A (en) | Semiconductor device | |
| JP2621429B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP2892434B2 (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device | |
| JPS63160254A (en) | Semiconductor device | |
| JP3013511B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP2892433B2 (en) | Sealing resin composition and semiconductor sealing device | |
| JP2843247B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JP2985706B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device using the same | |
| JP3014856B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0827253A (en) | Photosemiconductor apparatus | |
| JPH02210853A (en) | Semiconductor device | |
| JPH03195722A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP4794706B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH07107123B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JP2003002954A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2793449B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| KR950008851B1 (en) | Device encapsulation epoxy compound |