JPS6095940A - 多重路信号分配システム - Google Patents
多重路信号分配システムInfo
- Publication number
- JPS6095940A JPS6095940A JP59202910A JP20291084A JPS6095940A JP S6095940 A JPS6095940 A JP S6095940A JP 59202910 A JP59202910 A JP 59202910A JP 20291084 A JP20291084 A JP 20291084A JP S6095940 A JPS6095940 A JP S6095940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- conductive ring
- pins
- surrounding
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多重路信号分配システムに関するものである。
従来の技術
大規模県積回路においては、半導体「チップ」より成る
複数の集積回路が回路パッケージの上に装着され、集積
回路の種々の入力/出力ポー1−力1、パッケージから
突出し他のシステムとの相互接続を与える外部ピンに、
個々に接続される。かくて、集積回路への入力又は出力
として結合できる、それぞれ異なる信号の数は、集積回
路パッケージピンの数によって制限される。
複数の集積回路が回路パッケージの上に装着され、集積
回路の種々の入力/出力ポー1−力1、パッケージから
突出し他のシステムとの相互接続を与える外部ピンに、
個々に接続される。かくて、集積回路への入力又は出力
として結合できる、それぞれ異なる信号の数は、集積回
路パッケージピンの数によって制限される。
大規模集積における最近の進歩に伴って、ピンの数(ピ
ンアウト″PiτI−out”)が設計上の重要な要因
となってきた。特に、高精度のディジタル信号処理用集
積回路においては、ワード当たりのビット数は、8ビツ
トから最大精度のためのワード当たり32ビツトという
ような高いビット数に増大している。集積回路パッケー
ジについて、次に提案されている最大の工業的標準ピン
アウトは、現在、132ピンとなっている。しかしなが
ら、2つの32ビツトのワードについてオンチップでな
される単純な乗算操作の場合には、総数128のピンが
必要で、これはコントロール及びパワーのために132
個の中の4個のピンしか残さないこととなり、これは許
容できない状態である。
ンアウト″PiτI−out”)が設計上の重要な要因
となってきた。特に、高精度のディジタル信号処理用集
積回路においては、ワード当たりのビット数は、8ビツ
トから最大精度のためのワード当たり32ビツトという
ような高いビット数に増大している。集積回路パッケー
ジについて、次に提案されている最大の工業的標準ピン
アウトは、現在、132ピンとなっている。しかしなが
ら、2つの32ビツトのワードについてオンチップでな
される単純な乗算操作の場合には、総数128のピンが
必要で、これはコントロール及びパワーのために132
個の中の4個のピンしか残さないこととなり、これは許
容できない状態である。
従って、当該技術において、チップに対し或いはチップ
から結合されるべきそれぞれ異なる入力/出力信号につ
いて唯一つのピンを割り当てることが、従来実施されて
いる設n1上の原則である。成る1つの入力/出力信号
に対して1つ以上のピンを使用すると、これは、使用さ
れる余分のピンの「浪費1 (waste)と考えら4
〜ることになるであろう。32ピッ1−の条数の例にお
いては余分のピンは、まずないであろう。従って、設計
上の原則は重要である。
から結合されるべきそれぞれ異なる入力/出力信号につ
いて唯一つのピンを割り当てることが、従来実施されて
いる設n1上の原則である。成る1つの入力/出力信号
に対して1つ以上のピンを使用すると、これは、使用さ
れる余分のピンの「浪費1 (waste)と考えら4
〜ることになるであろう。32ピッ1−の条数の例にお
いては余分のピンは、まずないであろう。従って、設計
上の原則は重要である。
そのため、チップのレイアラ1−を最適のものとする回
路設計者の能力は厳しく制限されていた。
路設計者の能力は厳しく制限されていた。
特に、成る1つの入力/出力信号に結合される全ての回
路は、これがチップ上のどこに位置していても、チップ
上の同じ人力/出カポ−1〜に接続されなければならな
い。入力/出力ポートは、典型的には、チップの周縁上
に位置する金属パッドである。例えば、チップ全体にわ
たって種々の回路に1つの特定の電圧を印加しなければ
ならないとすると、この電圧を送る導電バスは、チップ
の長さに比して相当に長距離にチップ上にのびていなけ
ればならない。バスの長さに沿う電圧降下を防ぐために
は、バスのIllは極めて大きいものとしなければなら
ない。さもないと1種々の回路に印加される電圧が、チ
ップ上のその位置によって、大幅に変動する可能性があ
ろう。バスを幅広のものとすると、必ず、チップ上のし
実際の財産」(RealEstate)を消費すること
となって、かくして、チップ上の異なる回路作用のため
に利用できるスベ−スを制限する。
路は、これがチップ上のどこに位置していても、チップ
上の同じ人力/出カポ−1〜に接続されなければならな
い。入力/出力ポートは、典型的には、チップの周縁上
に位置する金属パッドである。例えば、チップ全体にわ
たって種々の回路に1つの特定の電圧を印加しなければ
ならないとすると、この電圧を送る導電バスは、チップ
の長さに比して相当に長距離にチップ上にのびていなけ
ればならない。バスの長さに沿う電圧降下を防ぐために
は、バスのIllは極めて大きいものとしなければなら
ない。さもないと1種々の回路に印加される電圧が、チ
ップ上のその位置によって、大幅に変動する可能性があ
ろう。バスを幅広のものとすると、必ず、チップ上のし
実際の財産」(RealEstate)を消費すること
となって、かくして、チップ上の異なる回路作用のため
に利用できるスベ−スを制限する。
この問題に対する1つの解決法は、電圧源にバスの長さ
に沿ってイ」加重な電圧降下を受けることなしに、バス
の幅を4分の1に減少することを可能とするであろう。
に沿ってイ」加重な電圧降下を受けることなしに、バス
の幅を4分の1に減少することを可能とするであろう。
この解決法は、バスの2つの端を、バスの端に最も近い
2つのパッドに接続することを必要とし、且つ2つの対
応する外部ピンを同じ電圧源に接続することを必要とし
、従って、」二連の設計上の原則に違反する。
2つのパッドに接続することを必要とし、且つ2つの対
応する外部ピンを同じ電圧源に接続することを必要とし
、従って、」二連の設計上の原則に違反する。
上記の問題全部に対する1つの明白な解決法は、集積回
路パッケージ上のピンの数を増加することだけである。
路パッケージ上のピンの数を増加することだけである。
しかし、これは許されない。その理由は、ピンの数を増
加することはピンとピンの間隔を減少することを必要と
することとなり、チップの種々の入力/出力水−1−の
間のグロストークまでは容量結合の大きさを増大させる
ことになるからである。また現在のところ、このような
大きいピンアウトの回路パッケージが商業的に入手でき
る可能性は限られている。
加することはピンとピンの間隔を減少することを必要と
することとなり、チップの種々の入力/出力水−1−の
間のグロストークまでは容量結合の大きさを増大させる
ことになるからである。また現在のところ、このような
大きいピンアウトの回路パッケージが商業的に入手でき
る可能性は限られている。
従って、当該技術には、明らかに両立できない2つの目
標が存在していた。第1の目標は、回路パッケージ上の
ピンの成る決められた数に対して、集積回路チップに結
合されるそれぞれ異なる入力/出力信号の数を最大とす
ることでありだが、これは、各ピンを、異なる入力/出
力信号をチップに結合するために使用することを必要と
する。
標が存在していた。第1の目標は、回路パッケージ上の
ピンの成る決められた数に対して、集積回路チップに結
合されるそれぞれ異なる入力/出力信号の数を最大とす
ることでありだが、これは、各ピンを、異なる入力/出
力信号をチップに結合するために使用することを必要と
する。
第2の目標は、成る1つのチップにより多くの機能を与
えるためのチップの[実際の財産J (realest
ate)を保存することであった。このことは、例えば
、チップの種々の部分へ或いは種々の部分から信号およ
び供給電圧を運、5に導電バスの寸法を減少することを
必要とした。しかし、このよううなバスの形状を小さく
することは、バスの長さに沿う電圧降下を最小ならしめ
るように、1つの信号を対応するバスの両端に接続する
ことを可能にするために、ピンアウトを2倍にすること
を必要とし、これは許容できないことである。いままで
、成る1つの集積回路パッケージのピンアラ1へ、およ
び成る1つのチップサイズについて、トレードオフする
ことなしに、上記の両目標を同時に満足させることは不
可能であった。
えるためのチップの[実際の財産J (realest
ate)を保存することであった。このことは、例えば
、チップの種々の部分へ或いは種々の部分から信号およ
び供給電圧を運、5に導電バスの寸法を減少することを
必要とした。しかし、このよううなバスの形状を小さく
することは、バスの長さに沿う電圧降下を最小ならしめ
るように、1つの信号を対応するバスの両端に接続する
ことを可能にするために、ピンアウトを2倍にすること
を必要とし、これは許容できないことである。いままで
、成る1つの集積回路パッケージのピンアラ1へ、およ
び成る1つのチップサイズについて、トレードオフする
ことなしに、上記の両目標を同時に満足させることは不
可能であった。
発明の構成
本発明においては、バスによって送られるべき信号を、
バスの長さに沿う2つ以上の点に加えることによって、
バスの長さに沿う電圧低下を避けながら、バスの幅は減
少さ九る。しかしながら、そのバスに加えられる信号を
1より多い外部ピンによって運ぶ必要はなくされ、かく
して、トレードオフは避けられる。これは、1またはそ
れ以」二の導電リングによって達成される。然して、こ
の導電リングは少なくとも部分的にチップを包囲し、且
つ通常回路パッケージのコンタクトがパターン化される
と同時に集積回路パッケージ上にパターンされる。各導
電リングは、唯一のパッケージピンを除き、2またはそ
れ以上の集積回路のコンタクトに接続される。集積回路
パッケージ上の利用可能な余分なスペースのために、リ
ングの幅は充分に大きく、その長さに沿う電圧降下は、
実質的に除去されないとしても、著しく減少される。チ
ップの周縁に沿う如何なる位置においても、選択さAし
たチップパッドはチップパッケージ上の包囲導電リング
に沿う最も近い点に接続できる。
バスの長さに沿う2つ以上の点に加えることによって、
バスの長さに沿う電圧低下を避けながら、バスの幅は減
少さ九る。しかしながら、そのバスに加えられる信号を
1より多い外部ピンによって運ぶ必要はなくされ、かく
して、トレードオフは避けられる。これは、1またはそ
れ以」二の導電リングによって達成される。然して、こ
の導電リングは少なくとも部分的にチップを包囲し、且
つ通常回路パッケージのコンタクトがパターン化される
と同時に集積回路パッケージ上にパターンされる。各導
電リングは、唯一のパッケージピンを除き、2またはそ
れ以上の集積回路のコンタクトに接続される。集積回路
パッケージ上の利用可能な余分なスペースのために、リ
ングの幅は充分に大きく、その長さに沿う電圧降下は、
実質的に除去されないとしても、著しく減少される。チ
ップの周縁に沿う如何なる位置においても、選択さAし
たチップパッドはチップパッケージ上の包囲導電リング
に沿う最も近い点に接続できる。
好ましくは、リングはチップに接続してこれを取り囲み
、実質的にどのパッドもリングに接続できるようになっ
ている。また、このように接続されるパッドの数は制限
されない。従って、5(積回路チップ上のいずれの導電
バスも、その長さに7gう種々の点で、種々の近くのパ
ッドに接続でき、こAしらの近くのパッドの各々は包囲
導電リンク上の近くの点に接続さ」しる。従って、重大
な電圧降下を生ずることなしに、バズ幅を、極度に小さ
い用法のものとすることができる。このことは、チップ
上の「実際の財産」を節約し、かくして、イ」加重な回
路機能をチップ上に形成することを可能とし、その融通
性を増大する。例えば、長さに沿う電圧降下が同じもの
について、端部の中の一方のみに印加電圧を接続される
バスは、端部の両方に同じ電圧を印加される同し長さの
バスの4倍の幅をもたなければならない。かくして、本
発明はバス幅を3分の1又は4分の1に減少させること
ができる。
、実質的にどのパッドもリングに接続できるようになっ
ている。また、このように接続されるパッドの数は制限
されない。従って、5(積回路チップ上のいずれの導電
バスも、その長さに7gう種々の点で、種々の近くのパ
ッドに接続でき、こAしらの近くのパッドの各々は包囲
導電リンク上の近くの点に接続さ」しる。従って、重大
な電圧降下を生ずることなしに、バズ幅を、極度に小さ
い用法のものとすることができる。このことは、チップ
上の「実際の財産」を節約し、かくして、イ」加重な回
路機能をチップ上に形成することを可能とし、その融通
性を増大する。例えば、長さに沿う電圧降下が同じもの
について、端部の中の一方のみに印加電圧を接続される
バスは、端部の両方に同じ電圧を印加される同し長さの
バスの4倍の幅をもたなければならない。かくして、本
発明はバス幅を3分の1又は4分の1に減少させること
ができる。
本説明の好ましい実施例においては、チップに隣接して
集積回路パッケージ上に1つの取り囲む導電バスが在り
、この包囲リングは集積回路パッケージピンの1つのみ
に接続される。選択されたチップパッドは、包囲導電リ
ング上の隣接点にワイヤボンディングされる。
集積回路パッケージ上に1つの取り囲む導電バスが在り
、この包囲リングは集積回路パッケージピンの1つのみ
に接続される。選択されたチップパッドは、包囲導電リ
ング上の隣接点にワイヤボンディングされる。
多数の独立の包囲導電バスを設けることも同様に可能で
ある。
ある。
実施例
第1図は2つの32ビツトのワード4.6の典型的な2
進法による乗算を行って64ビツトの積ワード8をつく
るためにチップパッケージ2に必要とされるピンクアウ
トを示す。ここで、各ビットは接続のためにチップパッ
ケージ2上の個々の外部ピン9を必要とする。第1図に
おけるチップパッケージ2のピンアウト総数が、提案さ
れている次の最大の工業的標準である132個であると
仮定すると、上記の構成では、パワー及びコントロール
装置10への接続のために4個のみの付加的なピンしか
残らないことになる。もちろん、第1図は例示にすぎず
、パワー及びコントロール装置10のチップパッケージ
2への接続は4以上のピンを必要とするかもしれない。
進法による乗算を行って64ビツトの積ワード8をつく
るためにチップパッケージ2に必要とされるピンクアウ
トを示す。ここで、各ビットは接続のためにチップパッ
ケージ2上の個々の外部ピン9を必要とする。第1図に
おけるチップパッケージ2のピンアウト総数が、提案さ
れている次の最大の工業的標準である132個であると
仮定すると、上記の構成では、パワー及びコントロール
装置10への接続のために4個のみの付加的なピンしか
残らないことになる。もちろん、第1図は例示にすぎず
、パワー及びコントロール装置10のチップパッケージ
2への接続は4以上のピンを必要とするかもしれない。
第1図により確証されることは、装置を重複することな
しに、チップに異なる信号を接続するために、パッケー
ジ2上のピンの各々を使用しなければならない程、ピン
アウトが臨界的なものである場合が多々あることである
。
しに、チップに異なる信号を接続するために、パッケー
ジ2上のピンの各々を使用しなければならない程、ピン
アウトが臨界的なものである場合が多々あることである
。
第2図は、入力/出力ボートをもつ大規模集積回路20
を実施する半導体チップは、その周縁に沿って、その上
面に配置された複数の導電パッド22を備え、これらの
パッド22はその上面上の複数の薄いフィルム層内に確
定された複雑な集積回路を包囲する。集積回路20はチ
ップパッケージ34の凹んだフロア32上に付着された
薄い金属フィルム30上に取り付けられる。チップパッ
ケージ34は、典型的器ピは、当該技術において周知な
如く、プラスチック、アルミナ、或いはその他のセラミ
ック等の絶縁材料より成る。
を実施する半導体チップは、その周縁に沿って、その上
面に配置された複数の導電パッド22を備え、これらの
パッド22はその上面上の複数の薄いフィルム層内に確
定された複雑な集積回路を包囲する。集積回路20はチ
ップパッケージ34の凹んだフロア32上に付着された
薄い金属フィルム30上に取り付けられる。チップパッ
ケージ34は、典型的器ピは、当該技術において周知な
如く、プラスチック、アルミナ、或いはその他のセラミ
ック等の絶縁材料より成る。
チップ20上の素子の多くは、共通の供給電圧をその各
々に接続することを必要とし、かくして、チップ20の
上面全体にわたって供給電圧を配分することを必要とす
る。これは、薄いフィルム層の中の1つの中に形成され
た導電バス24によって達成され、このバスはチップ2
0の上面の回りに曲がりくねっている。先行技術におい
ては、バス24の一端部24aは最も近いパッド22a
にのみ接続されるであろう。従って、バスの幅は。
々に接続することを必要とし、かくして、チップ20の
上面全体にわたって供給電圧を配分することを必要とす
る。これは、薄いフィルム層の中の1つの中に形成され
た導電バス24によって達成され、このバスはチップ2
0の上面の回りに曲がりくねっている。先行技術におい
ては、バス24の一端部24aは最も近いパッド22a
にのみ接続されるであろう。従って、バスの幅は。
バスの長さに沿って許容できない電圧降下が生じるのを
防止するために、充分大きいものでなければならない。
防止するために、充分大きいものでなければならない。
バス24の反対側の端部24bを他の近くのパッド22
b(これは第1のパッド22aが接続されたものと同じ
供給電圧に接続されるであろう)に接続することによっ
て、上述のような電圧降下を増大することなしに、バス
24の幅を減少できる。この場合、バス24に沿う単位
長さあたりの成る一定の電圧降下に対して、バス24の
幅を4分の1に減少できる。しかしながら、先行技術に
おいては、第2図に示すようにバス24の両端を2つの
異なるパッドに接続した場合、バス24に同じ供給電圧
を運ぶために、2つの外部回路パッケージピンを当てる
ことが必要である。第1図に関して前述した如く、余分
のピンがないという理由或いは少なくともピンアウトの
周縁が極度に限定されている理由で、同じ信号又は電圧
を運ぶために1より多い外部ピンを使用することが許容
できない場合が多い。
b(これは第1のパッド22aが接続されたものと同じ
供給電圧に接続されるであろう)に接続することによっ
て、上述のような電圧降下を増大することなしに、バス
24の幅を減少できる。この場合、バス24に沿う単位
長さあたりの成る一定の電圧降下に対して、バス24の
幅を4分の1に減少できる。しかしながら、先行技術に
おいては、第2図に示すようにバス24の両端を2つの
異なるパッドに接続した場合、バス24に同じ供給電圧
を運ぶために、2つの外部回路パッケージピンを当てる
ことが必要である。第1図に関して前述した如く、余分
のピンがないという理由或いは少なくともピンアウトの
周縁が極度に限定されている理由で、同じ信号又は電圧
を運ぶために1より多い外部ピンを使用することが許容
できない場合が多い。
凹形フロア32を包囲する隆起フロア38の表面上に複
数の導電ベース36を形成或いはパターニングすること
によって、パッド22の外部接続が得られる。各導電ベ
ース36は外部ピン4゜と組み合わされていて、この外
部ピン4oは対応する導電ベース36上にボンディング
されている。
数の導電ベース36を形成或いはパターニングすること
によって、パッド22の外部接続が得られる。各導電ベ
ース36は外部ピン4゜と組み合わされていて、この外
部ピン4oは対応する導電ベース36上にボンディング
されている。
変形例においては、集積回路2oが載っている導電フィ
ルム30はグラウンド面として作用し、これは隆起フロ
ア38の1つの角に位置する1つの導電ベース36λに
接続さ九ている。
ルム30はグラウンド面として作用し、これは隆起フロ
ア38の1つの角に位置する1つの導電ベース36λに
接続さ九ている。
先行技術においては、パッド22aは細がいワイヤによ
って、最も近い導電ベース36bに接続され、対応する
ピン40aはバス24によって送られる供給電圧に接続
される。(A)抵抗損失を最小ならしめるためにバス2
4の幅を不利となる程大きくしなければならないため、
或いは(B)バスの反対端24bを、ピン40aが接続
されていると同じ供給電圧に、パッド22b及び付加的
なピン40cを介して接続しなければならないため(従
って、同じ電圧について1より多いピンを使用しなけれ
ばならないため)、トレードオフは直ちに明らかである
。
って、最も近い導電ベース36bに接続され、対応する
ピン40aはバス24によって送られる供給電圧に接続
される。(A)抵抗損失を最小ならしめるためにバス2
4の幅を不利となる程大きくしなければならないため、
或いは(B)バスの反対端24bを、ピン40aが接続
されていると同じ供給電圧に、パッド22b及び付加的
なピン40cを介して接続しなければならないため(従
って、同じ電圧について1より多いピンを使用しなけれ
ばならないため)、トレードオフは直ちに明らかである
。
本説明においては、導電ベース36が隆起フロア38上
に形成されると同時にパターニングされ或いは形成され
た包囲導電リング50によって上記のトレードオフは防
止される。包囲導電リング50は、ピン40bにボンデ
ィングされている1つのベース36cと一体に形成され
ている。包囲導電リング50の幅は、その長さに沿って
重大な電圧降下を生じないようにするに充分な大きさと
なっている。第2図に示すように、バス24の両端部2
4a、24bは対応するパッド22a。
に形成されると同時にパターニングされ或いは形成され
た包囲導電リング50によって上記のトレードオフは防
止される。包囲導電リング50は、ピン40bにボンデ
ィングされている1つのベース36cと一体に形成され
ている。包囲導電リング50の幅は、その長さに沿って
重大な電圧降下を生じないようにするに充分な大きさと
なっている。第2図に示すように、バス24の両端部2
4a、24bは対応するパッド22a。
22bに接続され、導電リング50上のそれぞれ異なる
近い点にワイヤ52a、52bを介して接続されている
。後述のように、ピン40bに印加される電圧又は信号
にバス24の端を二重に接続することは、バス24の幅
を4分の1に減少することを可能にする。集積回路20
が、このようなバスを複数個有していれば、これによっ
て得られるチップ上のスペースの節約は著しく大きくな
る可能性がある。
近い点にワイヤ52a、52bを介して接続されている
。後述のように、ピン40bに印加される電圧又は信号
にバス24の端を二重に接続することは、バス24の幅
を4分の1に減少することを可能にする。集積回路20
が、このようなバスを複数個有していれば、これによっ
て得られるチップ上のスペースの節約は著しく大きくな
る可能性がある。
パッケージ上に形成されるピン40の数は前記のことを
考慮することによって制限せざるを得ないが、チップパ
ッド22の数は回路設計者の随意である。従って、バス
24と同様なこのような多数のバスをチップの上に形成
し、複数の点でそれぞれのパッド22を介してリング5
0に接続して、これにより、必要なピンアウトを増大す
ることなしに、バスの幾何学的形態を著しく減少させ、
これに伴って、チップ上のスペースの節約を達成できる
。このようにして節約された余分スペースには、付加的
な集積回路装置を設けることができて、チップの多能性
を増大できる。
考慮することによって制限せざるを得ないが、チップパ
ッド22の数は回路設計者の随意である。従って、バス
24と同様なこのような多数のバスをチップの上に形成
し、複数の点でそれぞれのパッド22を介してリング5
0に接続して、これにより、必要なピンアウトを増大す
ることなしに、バスの幾何学的形態を著しく減少させ、
これに伴って、チップ上のスペースの節約を達成できる
。このようにして節約された余分スペースには、付加的
な集積回路装置を設けることができて、チップの多能性
を増大できる。
本発明の他の実施例においては、第2の包囲導電リング
54が設けられ、包囲導電リング50が第2図に示すよ
うに使用・さ肛ると同様の態様で使用される。現在好ま
しい実施例は唯1つの包囲導電リング50を含むもので
あるが、このようなリングを複数個設けてもよく、この
数は隆起フロア38上の使用可能なスペースによって制
限されるだけである。また、底のフロア32或いはチッ
プ20に近い他の個所に包囲リングを設けてもよい。
54が設けられ、包囲導電リング50が第2図に示すよ
うに使用・さ肛ると同様の態様で使用される。現在好ま
しい実施例は唯1つの包囲導電リング50を含むもので
あるが、このようなリングを複数個設けてもよく、この
数は隆起フロア38上の使用可能なスペースによって制
限されるだけである。また、底のフロア32或いはチッ
プ20に近い他の個所に包囲リングを設けてもよい。
第1図は、先行技術による32ビツトのワード乗算に要
するピンアラ1−における周知の問題を図解する簡単化
したブロックダイアグラムである。 第2図は、本発明を示す簡単な斜視図である。 2・・・・チップパッケージ 4.6・・32ビツト、ワード 8・・・・64ビツト積ワード 9・・・・外部ピン 10・・・・パワー及びコントロール装置20・・・・
集積回路 22・・・・パッド 24・・・・導電バス 30・・・・金属フィルム 32・・・・凹形フロア 34・・・・チップパッケージ 36・・・・導電ベース 38・・・・隆起フロア 40・・・・ピン 50・・・・導電リング 52a、52b・・・ワイヤ 54・・・・導電リング
するピンアラ1−における周知の問題を図解する簡単化
したブロックダイアグラムである。 第2図は、本発明を示す簡単な斜視図である。 2・・・・チップパッケージ 4.6・・32ビツト、ワード 8・・・・64ビツト積ワード 9・・・・外部ピン 10・・・・パワー及びコントロール装置20・・・・
集積回路 22・・・・パッド 24・・・・導電バス 30・・・・金属フィルム 32・・・・凹形フロア 34・・・・チップパッケージ 36・・・・導電ベース 38・・・・隆起フロア 40・・・・ピン 50・・・・導電リング 52a、52b・・・ワイヤ 54・・・・導電リング
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (])集積回路チップパッケージ用の多重路信号分配シ
ステムにおいて。 集積回路チップを装着できる区域をもつ集積回路チップ
パッケージ基板と、 該基板上にあって上記の基板の区域を少なくとも部分的
に包囲する第1の導電リングと、上記の基板上に装着さ
れていて、少なくとも1つは上記の包囲導電リングに接
続されている複数の外部接続ピンと、 を備えた多重路信号分配システム。 (2)上面に複数のパッドを有し、底面が上記のチップ
パッケージ載板の装着区域上に装着されている集積回路
チップと、 上記の周囲のチップパッドの成るものを上記の外部ピン
に個々に接続し且つ他のチップパッドを該リング上の選
択された点で上記の包囲リングに個々に接続する接続手
段と を備えた特許請求の範囲第(1)項記載のシステム。 (3)上記の接続手段は、複数のワイヤを備え、該ワイ
ヤの各々は上記のパッドの1つと上記のピンの対応する
1つとの間に個々に接続されている特許請求の範囲第(
2)項記載のシステム。 (4)上記の導電リングは上記の装着区域と上記の複数
のピンの中間にある特許請求の範囲第(1)項、第(2
)項、第(3)項のいずれかに記載のシステム。 (5)上記の基板は、低いレベルのフロアと、絶縁材料
で一体に形成され該フロアを取り囲む隆起した棚部とを
備え、上記の装着区域は上記の低いレベルにあるフロア
の上に位置し、上記の導電リングは該フロアを少なくと
も部分的に包囲している上記の隆起した棚の上に位置し
ている特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第(3
)項いずれかに記載のシステム。 (6)集vL回路バス導線が焦ゼ【回路チップの上面上
に形成され、上記の上面の周りにのびて11で。 該バス導線は少なくとも2つの端部を有し、各端は上記
のパッドの中の隣接するパッドに接続さオb、この隣接
するパッドの各々は上記の個々の接続手段の1つを介し
て上記の包囲導電リングに接続されている特許請求の範
囲第(2)項に記載のシステム。 (7)上記の集積回路チップパッケージ基板はセラミッ
ク材料より成る特許請求の範囲第(1)項、第(2)項
、第(3)項いずれかに記載のシステム。 (8)上記のバス導体、パッド、導電リング、ピンは金
属より成る特許請求の範囲第(6)項に記載のシステム
。 (9)上記のチップパッケージ基板装着区域の上を覆う
金属層を有し、上記のチップはこの金属層の上に載って
いる特許請求の範囲第(2)項に記載のシステム。 (10)上記の第1の導電リングと同心の少なくとも1
つの付加的な導電リンクをaiiえ、こJb4士上記の
ピンのそれぞれに接続されてb)る特許請求の範囲第(
1)項、第(2)項、第(6)項、第(8)項、第(9
)項いずれかに記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US536129 | 1983-09-27 | ||
US06/536,129 US4631572A (en) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | Multiple path signal distribution to large scale integration chips |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6095940A true JPS6095940A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=24137277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59202910A Pending JPS6095940A (ja) | 1983-09-27 | 1984-09-27 | 多重路信号分配システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4631572A (ja) |
EP (1) | EP0139364A3 (ja) |
JP (1) | JPS6095940A (ja) |
KR (1) | KR850002679A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0258444B1 (en) * | 1986-02-07 | 1993-08-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
US4994902A (en) * | 1988-11-30 | 1991-02-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices and electronic system incorporating them |
US5043794A (en) * | 1990-09-24 | 1991-08-27 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit package and compact assemblies thereof |
US5483099A (en) * | 1994-08-31 | 1996-01-09 | Intel Corporation | Standardized power and ground design for pin grid array packages |
US5801440A (en) * | 1995-10-10 | 1998-09-01 | Acc Microelectronics Corporation | Chip package board having utility rings |
JP2803717B2 (ja) * | 1996-03-21 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | チップ状遮断部品及びその回路修復装置 |
US6111756A (en) * | 1998-09-11 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Universal multichip interconnect systems |
TWI446506B (zh) * | 2011-01-05 | 2014-07-21 | Unimicron Technology Corp | 具開口之封裝基板及其製法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3872583A (en) * | 1972-07-10 | 1975-03-25 | Amdahl Corp | LSI chip package and method |
US3908185A (en) * | 1974-03-06 | 1975-09-23 | Rca Corp | High frequency semiconductor device having improved metallized patterns |
JPS5231672A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Hitachi Ltd | Ceramic package |
JPS5272170A (en) * | 1975-12-12 | 1977-06-16 | Nec Corp | Package for semiconductor elements |
JPS5336468A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Package for integrated circuit |
JPS60953B2 (ja) * | 1977-12-30 | 1985-01-11 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US4288841A (en) * | 1979-09-20 | 1981-09-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Double cavity semiconductor chip carrier |
JPS5662352A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device for acoustic amplification circuit |
JPS5670654A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
US4531145A (en) * | 1980-08-04 | 1985-07-23 | Fine Particle Technology Corporation | Method of fabricating complex micro-circuit boards and substrates and substrate |
US4366187A (en) * | 1980-10-31 | 1982-12-28 | Western Electric Company, Inc. | Immersion curing of encapsulating material |
JPS58110063A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Nec Corp | 集積回路装置 |
-
1983
- 1983-09-27 US US06/536,129 patent/US4631572A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-08-03 EP EP84305287A patent/EP0139364A3/en not_active Withdrawn
- 1984-09-25 KR KR1019840005887A patent/KR850002679A/ko not_active Application Discontinuation
- 1984-09-27 JP JP59202910A patent/JPS6095940A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR850002679A (ko) | 1985-05-15 |
US4631572A (en) | 1986-12-23 |
EP0139364A3 (en) | 1986-08-13 |
EP0139364A2 (en) | 1985-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5426566A (en) | Multichip integrated circuit packages and systems | |
US5543640A (en) | Logical three dimensional interconnections between integrated circuit chips using a two dimensional multi-chip module | |
US7046522B2 (en) | Method for scalable architectures in stackable three-dimensional integrated circuits and electronics | |
US4161662A (en) | Standardized digital logic chip | |
US3365620A (en) | Circuit package with improved modular assembly and cooling apparatus | |
US5391917A (en) | Multiprocessor module packaging | |
US4744008A (en) | Flexible film chip carrier with decoupling capacitors | |
US5686764A (en) | Flip chip package with reduced number of package layers | |
US5045725A (en) | Integrated standard cell including clock lines | |
US6037677A (en) | Dual-pitch perimeter flip-chip footprint for high integration asics | |
US20020100010A1 (en) | Field programmable printed circuit board | |
US5148263A (en) | Semiconductor device having a multi-layer interconnect structure | |
JPH073840B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US6114903A (en) | Layout architecture for core I/O buffer | |
JPS6095940A (ja) | 多重路信号分配システム | |
US5083181A (en) | Semiconductor integrated circuit device and wiring method thereof | |
US6222278B1 (en) | Input-output circuit cell and semiconductor integrated circuit apparatus | |
EP0344873B1 (en) | Semiconductor integrated-circuit apparatus | |
JPH0239101B2 (ja) | ||
EP0021661A1 (en) | Semiconductor master-slice device | |
JPH01144664A (ja) | 半導体メモリ用集積回路装置 | |
EP0074804B1 (en) | Semiconductor integrated circuit comprising a semiconductor substrate and interconnecting layers | |
WO1995025348A1 (en) | Logical three-dimensional interconnections between integrated circuit chips using a two-dimensional multi-chip module package | |
US5815728A (en) | Processor array | |
JPH0237749A (ja) | マスタースライス型半導体装置 |