JPS6092822U - 半導体素子の液相結晶装置 - Google Patents
半導体素子の液相結晶装置Info
- Publication number
- JPS6092822U JPS6092822U JP18369183U JP18369183U JPS6092822U JP S6092822 U JPS6092822 U JP S6092822U JP 18369183 U JP18369183 U JP 18369183U JP 18369183 U JP18369183 U JP 18369183U JP S6092822 U JPS6092822 U JP S6092822U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid phase
- crystal
- semiconductor devices
- solution reservoirs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の液相結晶装置の一例を示した横断面図、
第２図は同じく縦断面図、第２図ａはその斜視図、第３
図は上記装置を用いて半導体素子を製造する場合の結晶
成長温度プログラム、第４図は上記装置を用いて使用さ
れたレーザ・ダイオードの一例を示した断面図、第５図
は本考案の液相結晶装置の一実施例を示した横断面図、
第６図は同じく縦断面図、第７図は同じく基板が前進す
る毎に上面に多層化される結晶成長層の一例を示した説
明用の断面図である。 １・・・・・・溶液ホルダー、２・・・・・・溶液ホル
ダー固定台、３・・・・・・基板ホルダー、４・・・・
・・グラファイト・ボート、５・・・・・・基板、６．
７．８．９・・曲溶融物質、６ ａｔ ６ ｂ、６ ｃ
ｔ ６ ｄ”・”・結晶層、１０ｔ ＝ １０２．
１０３．１０４・・・・・・溶液溜、１１・・・・・・
コイル、Ｌ・・・・・・基板３の移動方向の長さ、ｂ・
・・・・・溶液溜１０□、１０゜、１０３，１０．間の
長さ。
第２図は同じく縦断面図、第２図ａはその斜視図、第３
図は上記装置を用いて半導体素子を製造する場合の結晶
成長温度プログラム、第４図は上記装置を用いて使用さ
れたレーザ・ダイオードの一例を示した断面図、第５図
は本考案の液相結晶装置の一実施例を示した横断面図、
第６図は同じく縦断面図、第７図は同じく基板が前進す
る毎に上面に多層化される結晶成長層の一例を示した説
明用の断面図である。 １・・・・・・溶液ホルダー、２・・・・・・溶液ホル
ダー固定台、３・・・・・・基板ホルダー、４・・・・
・・グラファイト・ボート、５・・・・・・基板、６．
７．８．９・・曲溶融物質、６ ａｔ ６ ｂ、６ ｃ
ｔ ６ ｄ”・”・結晶層、１０ｔ ＝ １０２．
１０３．１０４・・・・・・溶液溜、１１・・・・・・
コイル、Ｌ・・・・・・基板３の移動方向の長さ、ｂ・
・・・・・溶液溜１０□、１０゜、１０３，１０．間の
長さ。
Claims (1)
- 単品又は混晶の溶融物質が収容されるように間隔をあけ
て配置された複数個の溶液溜と、該溶液溜に接触して順
次、移動自在となる成長用結晶材料としあの基板とから
形成され、該基板上に前記溶融物質の多層の結晶層を結
晶成長させる半導体素子の液相結晶装置において、前記
溶液溜間の間隔を前記基板の移動方向の長さよりも短く
形成して前記溶融物質の結晶成長時に該基板上に前記溶
液溜の何れかが接触するようにしたことを特徴とする半
導体素子の液相結晶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18369183U JPS6092822U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体素子の液相結晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18369183U JPS6092822U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体素子の液相結晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092822U true JPS6092822U (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=30397492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18369183U Pending JPS6092822U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体素子の液相結晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092822U (ja) |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP18369183U patent/JPS6092822U/ja active Pending
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