JPS608821A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
- Publication number
- JPS608821A JPS608821A JP11584183A JP11584183A JPS608821A JP S608821 A JPS608821 A JP S608821A JP 11584183 A JP11584183 A JP 11584183A JP 11584183 A JP11584183 A JP 11584183A JP S608821 A JPS608821 A JP S608821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- electrode
- waveguide
- optical
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分ｍＤ
本発明は光来積回路などに用いられる光導波路のうち、
リッジ型と呼ばれる３次元等波路の構造に係９、符に一
気光学効果を用いる光変調器などに好適な低損失光導波
路の構造に関する。
リッジ型と呼ばれる３次元等波路の構造に係９、符に一
気光学効果を用いる光変調器などに好適な低損失光導波
路の構造に関する。
光４波路の容性の構造のうち、リッジ型と呼ばれる３仄
元光導波路は一気光学効果を利用した光変調６斤や元ス
イッチなどに良く用いられている。
元光導波路は一気光学効果を利用した光変調６斤や元ス
イッチなどに良く用いられている。
第１図は従来のこの種の光導波路の栴成例を示す図で、
２４はガリウム砒素基板、２３は商抵抗ガリウム４１Ｉ
ｔ系エピタキシャル成長膜、１１，１２はエピタキシャ
ル成艮換をストライプ状にエツチングして形成したリッ
ジ型光４ａ路である。ストライプパターンのＦ部では失
効的に屈折率が〆ｊくなるために、入射した光は横方向
に拡がることなく、筒効率で光を伝鍜できる。以下のａ
明ではガリウム砒素を材料とする場合金側にとって説明
を行う。
２４はガリウム砒素基板、２３は商抵抗ガリウム４１Ｉ
ｔ系エピタキシャル成長膜、１１，１２はエピタキシャ
ル成艮換をストライプ状にエツチングして形成したリッ
ジ型光４ａ路である。ストライプパターンのＦ部では失
効的に屈折率が〆ｊくなるために、入射した光は横方向
に拡がることなく、筒効率で光を伝鍜できる。以下のａ
明ではガリウム砒素を材料とする場合金側にとって説明
を行う。
光導波路の氷面と基板裏面とに各々一極２２゜２５ｆ：
形成し、両者間に電圧を〃ｌえ、光導波路層の屈折率を
一気光学効果によって変化させ、光変調、光スィッチな
どの谷拙の能動はり動作を行わせることができる。これ
を行うためには厄圧印〃口のだめの外部回路と光・４波
路上の４億２２．裏面電極２５とを接続する必要かめる
。４便２５は基板裏面の全面であるために他との接続は
容易であるが、光導波路上の一極は、その巾がたかだか
数ミクロンメートルと狭いために、これと他の部分とを
接続することは容易ではない。第１図は従米行われてい
た方法による光変調素子の例で、亀ａ番２１．２２を有
するリッジ型光４波路１１．１２オフオドリングラフ妖
術ケ用いて形成した後で、再び同」皮相を用いてリフト
オフ法などによってボンデイングパソド電極４２と、こ
れと光導波路上の電極２２とを結ぶ成就用成極４１とを
形成するものである。この方法によれば任意の形状の倣
細なパターンを積度良く形成できる利点があるが、フォ
トリングラフの工程を複数回行わなければならず、また
リッジ型光導波路部分に通常１μｍの段差がろるため、
この部分で断線を生じ易いという間屈点かりる。一方光
４説路と同時に接続用′成性を形成する方法は、工程を
＋ｆｆ１ｊ略化することはできるが、電極部分もリッジ
型光導波路となシ、光導波載面を有するので入射光の損
失の１ｇ、因となる。
形成し、両者間に電圧を〃ｌえ、光導波路層の屈折率を
一気光学効果によって変化させ、光変調、光スィッチな
どの谷拙の能動はり動作を行わせることができる。これ
を行うためには厄圧印〃口のだめの外部回路と光・４波
路上の４億２２．裏面電極２５とを接続する必要かめる
。４便２５は基板裏面の全面であるために他との接続は
容易であるが、光導波路上の一極は、その巾がたかだか
数ミクロンメートルと狭いために、これと他の部分とを
接続することは容易ではない。第１図は従米行われてい
た方法による光変調素子の例で、亀ａ番２１．２２を有
するリッジ型光４波路１１．１２オフオドリングラフ妖
術ケ用いて形成した後で、再び同」皮相を用いてリフト
オフ法などによってボンデイングパソド電極４２と、こ
れと光導波路上の電極２２とを結ぶ成就用成極４１とを
形成するものである。この方法によれば任意の形状の倣
細なパターンを積度良く形成できる利点があるが、フォ
トリングラフの工程を複数回行わなければならず、また
リッジ型光導波路部分に通常１μｍの段差がろるため、
この部分で断線を生じ易いという間屈点かりる。一方光
４説路と同時に接続用′成性を形成する方法は、工程を
＋ｆｆ１ｊ略化することはできるが、電極部分もリッジ
型光導波路となシ、光導波載面を有するので入射光の損
失の１ｇ、因となる。
本発明の目的は上ｉ己のような卿点を克服するために、
工程が開路化でき、かつ’を他部分に導波光かろう減す
ることのない構造を待つ光導波路を提供することにある
。
工程が開路化でき、かつ’を他部分に導波光かろう減す
ることのない構造を待つ光導波路を提供することにある
。
本発明は一般に分岐を有する元号狭路の一端に元を入射
したとき、分岐点においては進行波の今が＃Ｉ起され、
入射と反対方向の成分金持つ波は励起されないことを利
用する。
したとき、分岐点においては進行波の今が＃Ｉ起され、
入射と反対方向の成分金持つ波は励起されないことを利
用する。
以Ｆ本発明の一犬施例を第２図によシ説明する。
第２図は本発明に係る光導波路の斜視図でおυ、第１図
と同等部分には同一符号を付している。第２図において
は導波路上の社憾２１，２２および外部回路接続用に極
４１，４２が全て同一平面上にめシ、高抵抗エピタキシ
ャル成長層２３を有するノｌｊリウム砒素基板２４上に
金属膜を魚屑し、これを通常のフォトリングラフ技＠を
用いて電極バター／全形成し、次いでガリウム砒素次面
をエツチングするという工程でｒ＠’Ａする。この工程
で必要とするフォトレジストは１回のみである。このと
き光導波路１２と接続用電極４１とのなす角度θを直角
かちるいはそれよりも小さな角緘となるように構成する
。このようなイ（４成を待った光導波路１２に入射端５
１よシ元を入射させると途中の分岐点５２にも一般に光
の一部が伝搬されるが、θを直角かあるいはそれよシも
小さな角度のときには、分岐導波路５０には入射方向と
反対方向の成分の光波のみが伝末可能でめるから、入射
光は分岐弄匝錯５０にろう戊することはなく、従って第
２図のような電極構造としたことによる損失は起らない
。
と同等部分には同一符号を付している。第２図において
は導波路上の社憾２１，２２および外部回路接続用に極
４１，４２が全て同一平面上にめシ、高抵抗エピタキシ
ャル成長層２３を有するノｌｊリウム砒素基板２４上に
金属膜を魚屑し、これを通常のフォトリングラフ技＠を
用いて電極バター／全形成し、次いでガリウム砒素次面
をエツチングするという工程でｒ＠’Ａする。この工程
で必要とするフォトレジストは１回のみである。このと
き光導波路１２と接続用電極４１とのなす角度θを直角
かちるいはそれよりも小さな角緘となるように構成する
。このようなイ（４成を待った光導波路１２に入射端５
１よシ元を入射させると途中の分岐点５２にも一般に光
の一部が伝搬されるが、θを直角かあるいはそれよシも
小さな角度のときには、分岐導波路５０には入射方向と
反対方向の成分の光波のみが伝末可能でめるから、入射
光は分岐弄匝錯５０にろう戊することはなく、従って第
２図のような電極構造としたことによる損失は起らない
。
このように本来〃■列によれば光導波特性に何ら影＃を
及ぼすことなく、従来法よシも少い工程で１′ト袈が０
Ｊ′１化となる。また素子上の全ての亀幌膜が同一平面
上にめるので、断、碌などの問題が生じ離くなる。
及ぼすことなく、従来法よシも少い工程で１′ト袈が０
Ｊ′１化となる。また素子上の全ての亀幌膜が同一平面
上にめるので、断、碌などの問題が生じ離くなる。
不矢施列においてはガリウム砒素の場合を例にとつ／こ
が、本発明は上目己材料に眠るものではなく、４而に凹
凸を有する光等波路上に電極）くターンを形成する他の
場合にも極めて効果の少ることは明らかである。
が、本発明は上目己材料に眠るものではなく、４而に凹
凸を有する光等波路上に電極）くターンを形成する他の
場合にも極めて効果の少ることは明らかである。
第１図は従来法による光導波路の斜視図、第２図は本発
明による光４波路の斜視凶である。 １１．１２・・・リッジ型光導波路、２１．２２・・・
ストライプ１凱 ２３・・・尚抵抗ガリウム砒素エピタ
キシャル増、２４・・・ガリウム砒素基板、２５・・・
晟囲゛祇他、４１・・・艦玩用成極、４２・・・ボ／デ
ィングパッド用＋４１．ｍ、５０・・・分岐導波路、５
１・・・光入射口。
明による光４波路の斜視凶である。 １１．１２・・・リッジ型光導波路、２１．２２・・・
ストライプ１凱 ２３・・・尚抵抗ガリウム砒素エピタ
キシャル増、２４・・・ガリウム砒素基板、２５・・・
晟囲゛祇他、４１・・・艦玩用成極、４２・・・ボ／デ
ィングパッド用＋４１．ｍ、５０・・・分岐導波路、５
１・・・光入射口。
Claims (1)
- ゛電気光学結晶基板上に形成されたリッジ型３次元元導
波路において、表面に゛４幌をＭする光導波路と、光導
波路に嵯界を印加するだめの外部回路と接続を行うため
の引き出し一極とが同一の工程で作製され、かつ光導波
路の等波方向と電極との成す角度が９０° よシも小さ
いことを特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11584183A JPS608821A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11584183A JPS608821A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608821A true JPS608821A (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=14672444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11584183A Pending JPS608821A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2672398A1 (fr) * | 1991-02-01 | 1992-08-07 | Alcatel Nv | Dispositif electro-optique a guide d'onde. |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11584183A patent/JPS608821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2672398A1 (fr) * | 1991-02-01 | 1992-08-07 | Alcatel Nv | Dispositif electro-optique a guide d'onde. |
| US5214723A (en) * | 1991-02-01 | 1993-05-25 | Alcatel N.V. | Electro-optic device including a waveguide |
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