JPS6087437A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6087437A JPS6087437A JP19711783A JP19711783A JPS6087437A JP S6087437 A JPS6087437 A JP S6087437A JP 19711783 A JP19711783 A JP 19711783A JP 19711783 A JP19711783 A JP 19711783A JP S6087437 A JPS6087437 A JP S6087437A
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- thin film
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体の製造方法に関し、その、目的とするところは、耐食
性に優れた前記の磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
体の製造方法に関し、その、目的とするところは、耐食
性に優れた前記の磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によ
ってポリエステルフィルムなどの基板上に被着してつく
られ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中
で除々に酸化を受け易く、最大磁束密度などの磁気特性
が劣化するなどの難点がある。
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によ
ってポリエステルフィルムなどの基板上に被着してつく
られ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中
で除々に酸化を受け易く、最大磁束密度などの磁気特性
が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に種々の保護層
を設けるなどして耐食性を改善することが行われており
、近年、この強磁性金属薄膜層の表面を高周波電極でも
って発生した酸素ガスのプラズマ中にさらして酸化し、
酸化膜層を設けて耐食性を改善することが提案されてい
る。
を設けるなどして耐食性を改善することが行われており
、近年、この強磁性金属薄膜層の表面を高周波電極でも
って発生した酸素ガスのプラズマ中にさらして酸化し、
酸化膜層を設けて耐食性を改善することが提案されてい
る。
ところが、この強磁性金属薄膜層の表面を高周波電極で
もって発生した酸素ガスのプラズマ中にさらして酸化す
る方法では、強磁性材を真空蒸着する場合と真空度が大
きく異なるため、真空蒸着装置とは別個のプラズマ処理
装置を用いるか、あるいは同じ真空蒸着装置を用いる場
合には差圧室を設けなければならないなどの不便があり
、また酸素ガスのプラズマ中にさらす場合のガス圧が高
くてプラズマ電位が弱いため酸化の速度が遅く、耐食性
はいまひとつ充分に改善されない。
もって発生した酸素ガスのプラズマ中にさらして酸化す
る方法では、強磁性材を真空蒸着する場合と真空度が大
きく異なるため、真空蒸着装置とは別個のプラズマ処理
装置を用いるか、あるいは同じ真空蒸着装置を用いる場
合には差圧室を設けなければならないなどの不便があり
、また酸素ガスのプラズマ中にさらす場合のガス圧が高
くてプラズマ電位が弱いため酸化の速度が遅く、耐食性
はいまひとつ充分に改善されない。
この発明はかかる欠点を改善するため種々検討を行った
結果なされたもので、真空槽内に、円筒状キャンの周側
面に沿って移動する基板と、この基板の移動方向に沿っ
て順次に基板と対向する強磁性材蒸発源とイオン源とを
配設し、真空雰囲気下で強磁性材蒸発源から強磁性ｊｒ
Ａの蒸気流を基板に差し向けて基板上に強磁性金属薄膜
層を形成した後、引き続いてイオン源からイオン化した
酸素ガスまたは窒素ガスを差し同番ノることによって、
差圧室などを設けることなく、しかも速い速度で効率よ
く強磁性金属薄膜層の表面の酸化または窒化を行い、強
磁性金属薄膜層の耐食性を向上させたものである。
結果なされたもので、真空槽内に、円筒状キャンの周側
面に沿って移動する基板と、この基板の移動方向に沿っ
て順次に基板と対向する強磁性材蒸発源とイオン源とを
配設し、真空雰囲気下で強磁性材蒸発源から強磁性ｊｒ
Ａの蒸気流を基板に差し向けて基板上に強磁性金属薄膜
層を形成した後、引き続いてイオン源からイオン化した
酸素ガスまたは窒素ガスを差し同番ノることによって、
差圧室などを設けることなく、しかも速い速度で効率よ
く強磁性金属薄膜層の表面の酸化または窒化を行い、強
磁性金属薄膜層の耐食性を向上させたものである。
この発明によれば、イオン源を真空槽内の基板の移動方
向に沿って強磁性材蒸発源の次に位置するように配設し
、このイオン源でもって、真空蒸着によって基板上に形
成された強磁性金属薄膜層に、同じ真空雰囲気下という
非當に低いガス圧下で引き続いてイオン化した酸素ガス
または窒素ガスを差し向けているため、イオン化された
酸素ガスまたは窒素ガスがエネルギーを失うことなく高
エネルギーで強磁性金属薄膜層の表面に差し向けられ、
速い速度で効率よく酸化または窒化が行われて強磁性金
属薄膜層表面に酸化膜層または窒化膜層が迅速かつ良好
に形成され、強磁性金属薄膜層の耐食性が一段と向上さ
れる。またこのイオン源から差し向けられるイオン化さ
れた酸素ガスまたは窒素ガスによる酸化または窒化は、
真空蒸着を行う場合と同じ真空雰囲気下で真空蒸着に引
き続いて行われるため、真空槽内に差圧室を設けること
もなく効率的な酸化または窒化が行え、非常に便利で作
業能率も向上する。
向に沿って強磁性材蒸発源の次に位置するように配設し
、このイオン源でもって、真空蒸着によって基板上に形
成された強磁性金属薄膜層に、同じ真空雰囲気下という
非當に低いガス圧下で引き続いてイオン化した酸素ガス
または窒素ガスを差し向けているため、イオン化された
酸素ガスまたは窒素ガスがエネルギーを失うことなく高
エネルギーで強磁性金属薄膜層の表面に差し向けられ、
速い速度で効率よく酸化または窒化が行われて強磁性金
属薄膜層表面に酸化膜層または窒化膜層が迅速かつ良好
に形成され、強磁性金属薄膜層の耐食性が一段と向上さ
れる。またこのイオン源から差し向けられるイオン化さ
れた酸素ガスまたは窒素ガスによる酸化または窒化は、
真空蒸着を行う場合と同じ真空雰囲気下で真空蒸着に引
き続いて行われるため、真空槽内に差圧室を設けること
もなく効率的な酸化または窒化が行え、非常に便利で作
業能率も向上する。
以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。
第１図は真空蒸着装置の断面図を示したものであり、１
は真空槽でこの真空槽１の内部は排気糸２により真空に
保持される。３は真空槽１の中央部に配設された円筒状
キャンであり、プラスチックフィルム等の基板４は原反
ロール５よりこの円筒状キャン３の周側面に沿って移動
し、ガイドローラ６を介して巻き取りロール７に巻き取
られる。この間円筒状キャン３の周側面に沿って移動す
る基板４に対向して真空槽１の下底に配設された強磁性
材蒸発源８で強磁性材９が加ｌ：４）蒸発され、蒸気流
Ａが基板４に差し向けられて蒸着が行われ、基板４上に
強磁性金属薄膜層が形成される。次いで、強磁性金属薄
膜層が形成された基板４が移動して円筒状キャン３から
ガイドローラ６に至る間に、真空槽１内に配設されたイ
オン源１ｏがらイオン化された酸素ガスまたは窒素ガス
が差し向けられ、強磁性金属薄膜層の表面が酸化または
窒化される。なお、１１はイオン源１ｏに酸素ガスまた
は窒素ガスを導入するガス導入管である。
は真空槽でこの真空槽１の内部は排気糸２により真空に
保持される。３は真空槽１の中央部に配設された円筒状
キャンであり、プラスチックフィルム等の基板４は原反
ロール５よりこの円筒状キャン３の周側面に沿って移動
し、ガイドローラ６を介して巻き取りロール７に巻き取
られる。この間円筒状キャン３の周側面に沿って移動す
る基板４に対向して真空槽１の下底に配設された強磁性
材蒸発源８で強磁性材９が加ｌ：４）蒸発され、蒸気流
Ａが基板４に差し向けられて蒸着が行われ、基板４上に
強磁性金属薄膜層が形成される。次いで、強磁性金属薄
膜層が形成された基板４が移動して円筒状キャン３から
ガイドローラ６に至る間に、真空槽１内に配設されたイ
オン源１ｏがらイオン化された酸素ガスまたは窒素ガス
が差し向けられ、強磁性金属薄膜層の表面が酸化または
窒化される。なお、１１はイオン源１ｏに酸素ガスまた
は窒素ガスを導入するガス導入管である。
ここで使用されるイオン源１０ば、通常の冷陰極マグネ
トロンにて導入ガスのプラ、ズマを発生させ、そのうち
のイオンのみを印加電圧をかけてビームとして引き出す
もので、放電電圧０〜４ＫＶ、マグネット電流Ｏ〜１．
０ Ａｍｐ、イオン引出し電圧Ｏ〜７ＫＶの仕様で、イ
オン電流として５０ｍＡ（アルゴンで）の性能を有する
ものが好ましく使用される。このようなイオン源１ｏに
よってイオン化された酸素ガスまたは窒素ガスは、高エ
ネルギーを有し、この高エネルギーの酸素ガスまたは窒
素ガスが非常に低いガス圧下の真空槽１内に引き出され
て強磁性金属薄膜層の表面に差し向けられるため、エネ
ルギーの損失もなく、速い速度で効率よく強磁性金属薄
膜層の表面に侵入して酸化または窒化が行われる。この
酸化または窒化により強磁性金属薄膜層の表面がら緻密
な被膜が成長して強磁性材の酸化物または窒化物からな
る酸化膜層または窒化膜層が良好に形成され、強磁性金
属薄膜層の耐食性が向上される。この際、イオン源１０
のイオン引出し電圧を制御することで強磁性金属薄膜層
表面の酸化または窒化の度合を調整することもでき、使
用される強磁性材の種類あるいは得られる磁気記録媒体
の用途等によって酸化および窒化の度合を適度に調整す
ることができる。またこのイオン源１０からのイオン化
された酸素ガスまたは窒素ガスによる酸化または窒化は
真空蒸着を行う場合と同じ真空雰囲気下でおこなわれる
ため、真空槽１内に差圧室を設ける必要もなく、同じ真
空雰囲気下で真空蒸着後、引き続いて酸化または窒化が
行え、便利で作業能率も向上する。
トロンにて導入ガスのプラ、ズマを発生させ、そのうち
のイオンのみを印加電圧をかけてビームとして引き出す
もので、放電電圧０〜４ＫＶ、マグネット電流Ｏ〜１．
０ Ａｍｐ、イオン引出し電圧Ｏ〜７ＫＶの仕様で、イ
オン電流として５０ｍＡ（アルゴンで）の性能を有する
ものが好ましく使用される。このようなイオン源１ｏに
よってイオン化された酸素ガスまたは窒素ガスは、高エ
ネルギーを有し、この高エネルギーの酸素ガスまたは窒
素ガスが非常に低いガス圧下の真空槽１内に引き出され
て強磁性金属薄膜層の表面に差し向けられるため、エネ
ルギーの損失もなく、速い速度で効率よく強磁性金属薄
膜層の表面に侵入して酸化または窒化が行われる。この
酸化または窒化により強磁性金属薄膜層の表面がら緻密
な被膜が成長して強磁性材の酸化物または窒化物からな
る酸化膜層または窒化膜層が良好に形成され、強磁性金
属薄膜層の耐食性が向上される。この際、イオン源１０
のイオン引出し電圧を制御することで強磁性金属薄膜層
表面の酸化または窒化の度合を調整することもでき、使
用される強磁性材の種類あるいは得られる磁気記録媒体
の用途等によって酸化および窒化の度合を適度に調整す
ることができる。またこのイオン源１０からのイオン化
された酸素ガスまたは窒素ガスによる酸化または窒化は
真空蒸着を行う場合と同じ真空雰囲気下でおこなわれる
ため、真空槽１内に差圧室を設ける必要もなく、同じ真
空雰囲気下で真空蒸着後、引き続いて酸化または窒化が
行え、便利で作業能率も向上する。
このようにイオン源１０でもってイオン化された酸素ガ
スまたは窒素ガスを強磁性金属薄１嘆層の表面に差し向
けるに際し、真空槽１内において使用する酸素ガスおよ
び窒素ガスのガス圧は、■×１０−７トールより低くす
ると強磁性金属薄膜層の表面が良好に酸化または窒化さ
れず、ｌＸｌ０−５トールより高くすると放電しなくな
るため、１×１０−７〜ｌＸｌ０−５トールの範囲内に
するのが好ましく、このような酸化または窒化によって
形成される酸化膜層および窒化膜層のＦＪみは１０人よ
り薄いと強磁性金属薄膜層の耐食性が充分に改善されず
、５００人より厚いとスペーシングロスが大きくなって
電磁変換特性に悪影響を及ばずため１０〜５００人の範
囲内であることが好ましい。
スまたは窒素ガスを強磁性金属薄１嘆層の表面に差し向
けるに際し、真空槽１内において使用する酸素ガスおよ
び窒素ガスのガス圧は、■×１０−７トールより低くす
ると強磁性金属薄膜層の表面が良好に酸化または窒化さ
れず、ｌＸｌ０−５トールより高くすると放電しなくな
るため、１×１０−７〜ｌＸｌ０−５トールの範囲内に
するのが好ましく、このような酸化または窒化によって
形成される酸化膜層および窒化膜層のＦＪみは１０人よ
り薄いと強磁性金属薄膜層の耐食性が充分に改善されず
、５００人より厚いとスペーシングロスが大きくなって
電磁変換特性に悪影響を及ばずため１０〜５００人の範
囲内であることが好ましい。
基板としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等、一般に使用されている高分子成形物からなるプラス
チックフィルム、および銅などの非磁性金属からなる金
属フィルムが使用され、また強磁性金属薄膜層の形成材
料としては、Ｃｏ、Ｆｅ’ｂ Ｎｉｓ Ｃｏ−Ｎｉ合金
、Ｃ０−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ’−Ｐ合
金など一般に真空蒸着に使用される強磁性材がいずれも
使用される。
等、一般に使用されている高分子成形物からなるプラス
チックフィルム、および銅などの非磁性金属からなる金
属フィルムが使用され、また強磁性金属薄膜層の形成材
料としては、Ｃｏ、Ｆｅ’ｂ Ｎｉｓ Ｃｏ−Ｎｉ合金
、Ｃ０−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ’−Ｐ合
金など一般に真空蒸着に使用される強磁性材がいずれも
使用される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルム４を第１図に示す真
空蒸着装置に装填し、真空槽１内を排気系２で約１×１
０−７トールにまで真空排気した。
空蒸着装置に装填し、真空槽１内を排気系２で約１×１
０−７トールにまで真空排気した。
次いでポリエステルフィルム４を円筒状キャン３の周側
面に沿って走行速度を種々に代えて走行させるとともに
、強磁性材蒸発源８でコバルト９を加熱蒸発させてポリ
エステルフィルム４上に厚さ１０００人のコバルトから
なる強磁性金属薄膜層を形成した。引き続いてイオン源
１０への導入酸素量を１５０ ｍｌｌ ／ｍｉｎとし、
放電電圧２ＫＶ、マグネット電流５５０’ｍＡ、イオン
引出し電圧５００Ｖでイオン化した酸素ガスを、強磁性
金属薄膜層の表面に差し向け、真空槽ｌ内の酸素ガス圧
を８Ｘ１０”）−ルとして酸化を行った。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフィ
ルム４上に強磁性金属薄膜層１２、酸化膜層１３を順次
に積層形成した多数の磁気テープＡをつくった。
面に沿って走行速度を種々に代えて走行させるとともに
、強磁性材蒸発源８でコバルト９を加熱蒸発させてポリ
エステルフィルム４上に厚さ１０００人のコバルトから
なる強磁性金属薄膜層を形成した。引き続いてイオン源
１０への導入酸素量を１５０ ｍｌｌ ／ｍｉｎとし、
放電電圧２ＫＶ、マグネット電流５５０’ｍＡ、イオン
引出し電圧５００Ｖでイオン化した酸素ガスを、強磁性
金属薄膜層の表面に差し向け、真空槽ｌ内の酸素ガス圧
を８Ｘ１０”）−ルとして酸化を行った。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフィ
ルム４上に強磁性金属薄膜層１２、酸化膜層１３を順次
に積層形成した多数の磁気テープＡをつくった。
実施例２
実施例１においてイオン源１０からイオン化された酸素
ガスに代えてイオン化された窒素ガスを用い、窒素ガス
の導入量を１００ ｍ４ ／ｍｉｎとし、真空槽１内の
窒素ガス圧を５ｘｌＯ’）−ルとした以外は実施例１と
同様にして強磁性金属薄膜層の表面の窒化を行い、第２
図に示すようなポリエステルフィルム４上に強磁性金属
−薄１１ＱＩＷ１２、窒化膜層１３を順次に積層形成し
た多数の磁気テープＡをつくった。
ガスに代えてイオン化された窒素ガスを用い、窒素ガス
の導入量を１００ ｍ４ ／ｍｉｎとし、真空槽１内の
窒素ガス圧を５ｘｌＯ’）−ルとした以外は実施例１と
同様にして強磁性金属薄膜層の表面の窒化を行い、第２
図に示すようなポリエステルフィルム４上に強磁性金属
−薄１１ＱＩＷ１２、窒化膜層１３を順次に積層形成し
た多数の磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１と同様にして真空蒸着を行い、強磁性金属薄膜
層を形成した後、これを高周波電極を備えたプラズマ処
理装置に装填し、酸素ガスの流量１００ ｍｊ！／ｍｉ
ｎ 、印加する高周波２００Ｗの条件下で基板送り速度
を種々に代えてプラズマ処理を行い、強磁性金属薄膜層
の表面を酸化した。しかる後、所定の巾に裁断して多数
の磁気テープをつくった。
層を形成した後、これを高周波電極を備えたプラズマ処
理装置に装填し、酸素ガスの流量１００ ｍｊ！／ｍｉ
ｎ 、印加する高周波２００Ｗの条件下で基板送り速度
を種々に代えてプラズマ処理を行い、強磁性金属薄膜層
の表面を酸化した。しかる後、所定の巾に裁断して多数
の磁気テープをつくった。
比較例２
比較例１において、プラズマ化された酸素ガスに代えて
プラズマ化された窒素ガスを用い、窒素ガスの流量を８
０ ｍｌｌ ／ｍｉｎ 、印加する高周波を２５０Ｗと
した以外は比較例１と同様にして強磁性金属薄膜層の表
面の窒化を行い、多数の磁気テープをつくった。
プラズマ化された窒素ガスを用い、窒素ガスの流量を８
０ ｍｌｌ ／ｍｉｎ 、印加する高周波を２５０Ｗと
した以外は比較例１と同様にして強磁性金属薄膜層の表
面の窒化を行い、多数の磁気テープをつくった。
比較例３
実施例１において、強磁性金属薄膜層の酸化を省いた以
外は実施例１と同様にして多数の磁気テープをつくった
。
外は実施例１と同様にして多数の磁気テープをつくった
。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープを６０℃
、９０％ＲＨの条件下に４週間放置し、基板送り速度の
変化に伴う最大磁束密度の劣化率を、放置前の磁気テー
プの最大磁束密度を１００％として測定し、耐食性を調
べた。第３図は最大磁束密度の劣化率の変化をそれぞれ
グラフ−で表したもので、それぞれグラフＡは実施例１
で得られた磁気テープ、グラフＢは実施例２で得られた
磁気テープ、グラフＣは比較例１で得られた磁気テープ
、グラフＤは比較例２で得られた磁気テープ、グラフＥ
は比較例３で得られた磁気テープを示す。これらのグラ
フから明らかなように比較例１ないし３で得られた磁気
テープは、いずれの基板送り速度においても最大磁束密
度の劣化率が大きいが、実施例１で得られた磁気テープ
はいずれの基板送り速度においても劣化率が小さく、ま
た実施例２で得られた磁気テープも劣化率が小さく、こ
のことからこの発明によって得ら、れる磁気記録媒体は
、酸化および窒化が良好にかつ効率的に行われ、耐食性
が一段と改善されていることがわかる。
、９０％ＲＨの条件下に４週間放置し、基板送り速度の
変化に伴う最大磁束密度の劣化率を、放置前の磁気テー
プの最大磁束密度を１００％として測定し、耐食性を調
べた。第３図は最大磁束密度の劣化率の変化をそれぞれ
グラフ−で表したもので、それぞれグラフＡは実施例１
で得られた磁気テープ、グラフＢは実施例２で得られた
磁気テープ、グラフＣは比較例１で得られた磁気テープ
、グラフＤは比較例２で得られた磁気テープ、グラフＥ
は比較例３で得られた磁気テープを示す。これらのグラ
フから明らかなように比較例１ないし３で得られた磁気
テープは、いずれの基板送り速度においても最大磁束密
度の劣化率が大きいが、実施例１で得られた磁気テープ
はいずれの基板送り速度においても劣化率が小さく、ま
た実施例２で得られた磁気テープも劣化率が小さく、こ
のことからこの発明によって得ら、れる磁気記録媒体は
、酸化および窒化が良好にかつ効率的に行われ、耐食性
が一段と改善されていることがわかる。
第１図はこの発明の製造方法を実施するためＧこ使用す
る真空蒸着装置の概略断面図、第２図はこの発明の製造
方法で得られた磁気テープの部分拡大断面図、第３図は
この発明で得られた磁気テープの劣化率と基板送り速度
との関係図である。 １・・・真空槽、３・・・円筒状キャン、４・・・基板
、８・・・強磁性材蒸発源、９・・・強磁性材、１０・
・・イオン源、１１・・・ガス導入管 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第２図
る真空蒸着装置の概略断面図、第２図はこの発明の製造
方法で得られた磁気テープの部分拡大断面図、第３図は
この発明で得られた磁気テープの劣化率と基板送り速度
との関係図である。 １・・・真空槽、３・・・円筒状キャン、４・・・基板
、８・・・強磁性材蒸発源、９・・・強磁性材、１０・
・・イオン源、１１・・・ガス導入管 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- ■、真空槽内に、円筒状キャンの周側面に沿って移動す
る基板と、この基板の移動方向に沿って順次に基板と対
向する強磁性材蒸発源とイオン源とを配設し、真空雰囲
気下で強磁性材蒸発源がら強磁性材の蒸気流を基板に差
し向けて基板上に強磁性金属薄膜層を形成し、次いでこ
の強磁性金属薄膜層にイオン源からイオン化した酸素ガ
スまたは窒素ガスを差し向けて強磁性金属薄膜層の表面
を酸化または窒化することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711783A JPS6087437A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711783A JPS6087437A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087437A true JPS6087437A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16369011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19711783A Pending JPS6087437A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0317828A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19711783A patent/JPS6087437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0317828A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
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