JPS6086273A - イオン源装置 - Google Patents
イオン源装置Info
- Publication number
- JPS6086273A JPS6086273A JP58193887A JP19388783A JPS6086273A JP S6086273 A JPS6086273 A JP S6086273A JP 58193887 A JP58193887 A JP 58193887A JP 19388783 A JP19388783 A JP 19388783A JP S6086273 A JPS6086273 A JP S6086273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- arc chamber
- wall
- vaporizer
- injection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の属する技術分野
本発明はイオン注入装置に係り、特に金属状態のベリリ
ウムなどをそのまま用いて効率良くイオン電流をとり出
すことが出来るイオン注入装置に関する。
ウムなどをそのまま用いて効率良くイオン電流をとり出
すことが出来るイオン注入装置に関する。
(2) 従来技術の説明
従来、ベリリウムなどのイオン注入には熱陰極電子振動
形イオン源を有するイオン注入装置が用いられている。
形イオン源を有するイオン注入装置が用いられている。
熱陰極電子振動形イオン源として知られているイオン源
装置は、イオン化物質を高温で加熱して気化させ、その
気化ガスに6熱電子を衝突させてイオン化しこれを外部
に引出すものである。従来の装置はイオン化物質の加熱
の為にこれを熱オーブン内に収納し、ヒーターによって
加熱する様にしていた。この様々構成(一般にペイポラ
イザと呼ばれる)Kよれば、燐、砒素、アンチモンなど
の様なイオン化物質につい・ては容□易に気化させる事
ができる。
装置は、イオン化物質を高温で加熱して気化させ、その
気化ガスに6熱電子を衝突させてイオン化しこれを外部
に引出すものである。従来の装置はイオン化物質の加熱
の為にこれを熱オーブン内に収納し、ヒーターによって
加熱する様にしていた。この様々構成(一般にペイポラ
イザと呼ばれる)Kよれば、燐、砒素、アンチモンなど
の様なイオン化物質につい・ては容□易に気化させる事
ができる。
しかしながら、ベリリウム、銅、亜鉛などの金属は化合
物ガスの制御性が悪く、かつ毒性を有するためにその取
り扱いが困難であり、さらに精度の良いイオンビームを
とり出すことは困難であった。さらにペイポライザは大
量のガスを必要とする欠点も有する。
物ガスの制御性が悪く、かつ毒性を有するためにその取
り扱いが困難であり、さらに精度の良いイオンビームを
とり出すことは困難であった。さらにペイポライザは大
量のガスを必要とする欠点も有する。
そこで、ベリリウム化合物ガスを用いる代り圧アークチ
ャンバをベリリウムで製造することによってフィラメン
トのエミッションを直接ベリリウムにあててベリリウム
イオンをとり出すことが考えられた。しかしながら、こ
のような構造のものはイオン電流のとり出し効率が悪く
、さらにチャンバ温度を高くするために熱によるチャン
バの変形などが生じてチャンバの寿命が大幅に低下する
。
ャンバをベリリウムで製造することによってフィラメン
トのエミッションを直接ベリリウムにあててベリリウム
イオンをとり出すことが考えられた。しかしながら、こ
のような構造のものはイオン電流のとり出し効率が悪く
、さらにチャンバ温度を高くするために熱によるチャン
バの変形などが生じてチャンバの寿命が大幅に低下する
。
(3) 発明の目的
本発明の目的は、かかる従来の欠点のないイオン源を備
えたイオン注入装置を提供することにある。
えたイオン注入装置を提供することにある。
(4) 発明の特徴
本発明の特徴は、アークチャンバ内壁にイオン化物質を
設けてなるイオン発生装置を備えだイオン注入装置にお
いて、前記イオン発生装置に腐蝕性ガス、例えば3フツ
化ボロン(BF3)、 、フ、化水素(I(F) 、塩
化水素(HCt) 、四塩化炭素(CCt4) 。
設けてなるイオン発生装置を備えだイオン注入装置にお
いて、前記イオン発生装置に腐蝕性ガス、例えば3フツ
化ボロン(BF3)、 、フ、化水素(I(F) 、塩
化水素(HCt) 、四塩化炭素(CCt4) 。
フ、化メチル(CH3F)などを導入する手段が設けら
れているイオン注入装置にある。
れているイオン注入装置にある。
(5) 発明の効果
本発明によれば、ペイボライザが不要で、かつ所望のイ
オンを極めて効率良くとり出すことが出来る。
オンを極めて効率良くとり出すことが出来る。
(6) 実施例
以下、本発明の一実施例について図面と共に説明する0
第1図は、従来のイオン注入装置のイオン発生装置部分
のブロック図である。ペイポライザ1内にはイオン源が
設けられ、電源3によってこのイオン源が気化してアー
クチャンバ2へ導入てれる。そして、アークチャンバ2
内のアークに−よってイオン化し、イオンビーム4とし
て取り出される。
第1図は、従来のイオン注入装置のイオン発生装置部分
のブロック図である。ペイポライザ1内にはイオン源が
設けられ、電源3によってこのイオン源が気化してアー
クチャンバ2へ導入てれる。そして、アークチャンバ2
内のアークに−よってイオン化し、イオンビーム4とし
て取り出される。
一方、本発明実施例によれば、第2図に示すよ。
うにイオン発生装置はイオン源7が内壁に付着されたア
ークチャンバ6によって構成されるので、その構造が極
めて簡単になる。そして腐蝕性ガス5がバイブ8からア
ークチャンバ6内へ導入されることによってアークチャ
ンバ内のフィラメント(図示せず)に流す電流をあまり
大きくすること々く、十分なイオンビーム流9をとり出
すことが出来る。
ークチャンバ6によって構成されるので、その構造が極
めて簡単になる。そして腐蝕性ガス5がバイブ8からア
ークチャンバ6内へ導入されることによってアークチャ
ンバ内のフィラメント(図示せず)に流す電流をあまり
大きくすること々く、十分なイオンビーム流9をとり出
すことが出来る。
第1図は従来のイオン注入装置に用いられるイオン発生
装置のブロック図、第2図は本発明実施例のイオン注入
装置に用いられるイオン発生装置のブロック図、である
。 なお図において、1 ・ペンボライザー、2・・従来の
アークチャンバ、3・・電源、4・・・イオンビーム、
5・腐蝕性ガヌ、6・本発明実施例に用いられるアーク
チャンバ、7 イオン源、8 ・ノシイブ、91.イオ
ンビーム、である0 第 1 図 2 第 2 図
装置のブロック図、第2図は本発明実施例のイオン注入
装置に用いられるイオン発生装置のブロック図、である
。 なお図において、1 ・ペンボライザー、2・・従来の
アークチャンバ、3・・電源、4・・・イオンビーム、
5・腐蝕性ガヌ、6・本発明実施例に用いられるアーク
チャンバ、7 イオン源、8 ・ノシイブ、91.イオ
ンビーム、である0 第 1 図 2 第 2 図
Claims (1)
- アークチャンバ内壁にイオン化物質を設けて存るイオン
発生装置を備えたイオン注入装置において、前記イオン
発生装置に腐蝕性ガスを導入する手段が設けられている
ことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58193887A JPS6086273A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | イオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58193887A JPS6086273A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | イオン源装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5020821A Division JPH0765169B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | イオン生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6086273A true JPS6086273A (ja) | 1985-05-15 |
JPH0418028B2 JPH0418028B2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16315385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58193887A Granted JPS6086273A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | イオン源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6086273A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63211543A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
JPS63211542A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193887A patent/JPS6086273A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63211543A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
JPS63211542A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0418028B2 (ja) | 1992-03-26 |
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