JPS6083405A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS6083405A JPS6083405A JP19075183A JP19075183A JPS6083405A JP S6083405 A JPS6083405 A JP S6083405A JP 19075183 A JP19075183 A JP 19075183A JP 19075183 A JP19075183 A JP 19075183A JP S6083405 A JPS6083405 A JP S6083405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- oscillation
- oscillation frequency
- variable capacitance
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野１
本発明は可変ρ量ダイオードを用いた発振周波数可変な
発振回路に関するものである。
発振回路に関するものである。
第１図は従来の発振回路を示す回路図である。
第１図において、１はｉＩ’ Ｅ Ｔ、２はマイクロス
トリップ線路から成るリアクタンス回路、３は発振信号
の出力端子、４は電源電圧印刀口端子、５は電圧供給線
路、６は抵抗、７はマイクロストリップ線路から成るリ
アクタンス回路、８はソース接地用纏絡、９は抵抗、１
０はマイクロストリップ線路、１１はゲート接地用線路
。
トリップ線路から成るリアクタンス回路、３は発振信号
の出力端子、４は電源電圧印刀口端子、５は電圧供給線
路、６は抵抗、７はマイクロストリップ線路から成るリ
アクタンス回路、８はソース接地用纏絡、９は抵抗、１
０はマイクロストリップ線路、１１はゲート接地用線路
。
１２はコンデンサ、１３は可変容量ダイオード、１４は
同調電圧供給線路（バイアス供給線路）、１５は同調電
圧印加端子、１６は抵抗、１７はコンデンサ、である。
同調電圧供給線路（バイアス供給線路）、１５は同調電
圧印加端子、１６は抵抗、１７はコンデンサ、である。
能動素子であるｌｉ” Ｅ Ｔ １には、高周波におい
て発振効率が高いＧａＡｓ ＭＢ２ ＦＥＴを用いてい
る。またＦＥＴ １のドレイン端子（Ｄ）及びソース端
子（Ｓ）には、マイクロストリノプａ路で構成されたり
アクタンス素子２及び７がそれぞれ接続されており、Ｆ
ＥＴ１のゲート端子（Ｇ、）側よりｈ’ Ｂ Ｔ Ｉ側
を見たインピーダンスが発振周波数帯域内で負性抵抗を
持つように構成されている。またＦＥＴ１のゲート端子
（Ｇ）には、マイクロストリップ線路ＩＱ、コア７ンサ
１２．可変容量ダイオード１３により形成された共振器
が接続されており、発振回路の発振周波数を決定してい
る。・ 次にｈ’ Ｅ Ｔ １のバイアス回路であるが、これは
端子４より抵抗６を介してドレイン端子（１））に電源
電圧を印加し、ゲート端子（Ｇ）は接地用線路１１によ
り、接地し、ソース端子（Ｓ）は線路８より抵抗９を介
して接地することでセルフバイアスとしている。また、
電圧供給線路５及び接地用線路８，１１は、それぞれ線
路長を発振周波数帯域に対しておよそ７波長とすること
により、同周波数帯域でのインピーダンスを高（して発
振回路への期響を除いている。
て発振効率が高いＧａＡｓ ＭＢ２ ＦＥＴを用いてい
る。またＦＥＴ １のドレイン端子（Ｄ）及びソース端
子（Ｓ）には、マイクロストリノプａ路で構成されたり
アクタンス素子２及び７がそれぞれ接続されており、Ｆ
ＥＴ１のゲート端子（Ｇ、）側よりｈ’ Ｂ Ｔ Ｉ側
を見たインピーダンスが発振周波数帯域内で負性抵抗を
持つように構成されている。またＦＥＴ１のゲート端子
（Ｇ）には、マイクロストリップ線路ＩＱ、コア７ンサ
１２．可変容量ダイオード１３により形成された共振器
が接続されており、発振回路の発振周波数を決定してい
る。・ 次にｈ’ Ｅ Ｔ １のバイアス回路であるが、これは
端子４より抵抗６を介してドレイン端子（１））に電源
電圧を印加し、ゲート端子（Ｇ）は接地用線路１１によ
り、接地し、ソース端子（Ｓ）は線路８より抵抗９を介
して接地することでセルフバイアスとしている。また、
電圧供給線路５及び接地用線路８，１１は、それぞれ線
路長を発振周波数帯域に対しておよそ７波長とすること
により、同周波数帯域でのインピーダンスを高（して発
振回路への期響を除いている。
では、動作について説明する。
第１図に示す発振回路において、同調電圧印加端子１５
に同調電圧を印加すると、抵抗１６及び同調電圧供給線
路（バイアス供給線路）１４を介してバイアスが可変容
量ダイオード１３に加わり、ダイオード１６の容量を変
化させる。
に同調電圧を印加すると、抵抗１６及び同調電圧供給線
路（バイアス供給線路）１４を介してバイアスが可変容
量ダイオード１３に加わり、ダイオード１６の容量を変
化させる。
これにより、マイクロストリップ線路１ｏ、コンデンサ
ー２．可変容量ダイオード１３により形成された共振器
の共振周波数か変化して、出力端子３かも発生する発振
信号の発振周波数が変化することになる。
ー２．可変容量ダイオード１３により形成された共振器
の共振周波数か変化して、出力端子３かも発生する発振
信号の発振周波数が変化することになる。
また、抵抗１６を高抵抗とし、コンデンサー７に大容量
コンデンサを用いると、矛１図のＡ点におけるアドミタ
ンスＹＡは、ダイオード１３と線路１４の並列アドミタ
ンスになる。ここで。
コンデンサを用いると、矛１図のＡ点におけるアドミタ
ンスＹＡは、ダイオード１３と線路１４の並列アドミタ
ンスになる。ここで。
線路１４０線路長を最高発振周波数付近で一波長以下と
なる様に設定すると、発振周波数帯域内では、ダイオー
ド１３と並列にインダクタンスが接続されたと等価とな
る。したがって、ダイオード１３の容量値は等制約に低
下するとともに、発振周波数の変化範囲が広げられる（
特願昭５ｌ−８７５１８）。この様な発振回路では、広
い周波数範囲の発振を得やため、可変容量ダイオード１
６の容量変化比を大きくする嬶に同調電圧範囲を広くと
るとともに、コンデンサ１２の容量値も大きくする必要
がある。
なる様に設定すると、発振周波数帯域内では、ダイオー
ド１３と並列にインダクタンスが接続されたと等価とな
る。したがって、ダイオード１３の容量値は等制約に低
下するとともに、発振周波数の変化範囲が広げられる（
特願昭５ｌ−８７５１８）。この様な発振回路では、広
い周波数範囲の発振を得やため、可変容量ダイオード１
６の容量変化比を大きくする嬶に同調電圧範囲を広くと
るとともに、コンデンサ１２の容量値も大きくする必要
がある。
ところで、可変容量ダイオードは、一般に印加電圧が低
いと高周波損失が大きくなることが知られているが、こ
れにより第１図に示す発振回路においては、低同調電圧
すなわち低い発振周波数ではＱが低下してしまい発振停
止が起りや丁（なる。また、低い同調電圧では温度によ
る容量変化率も大きいため、発振周波数が低い場合は、
温度変化に対し周波数変動が大きいという問題があった
。さらに、主共振器の。が低下するために線路１４及び
コンデンサ１７を含む共振系の方がＱが高（なり、この
共振系で異常発振が生じる場合があった。
いと高周波損失が大きくなることが知られているが、こ
れにより第１図に示す発振回路においては、低同調電圧
すなわち低い発振周波数ではＱが低下してしまい発振停
止が起りや丁（なる。また、低い同調電圧では温度によ
る容量変化率も大きいため、発振周波数が低い場合は、
温度変化に対し周波数変動が大きいという問題があった
。さらに、主共振器の。が低下するために線路１４及び
コンデンサ１７を含む共振系の方がＱが高（なり、この
共振系で異常発振が生じる場合があった。
発振回路の発掘周波数変化範囲を広げる方法として、１
７２図に示すダイオードを２個直列に接続する方法があ
る。
７２図に示すダイオードを２個直列に接続する方法があ
る。
第２図は発振回路の他の従来例を示す回路図である。
第２図において、第１図と同じ機能を有するものは同一
符号を付し、説明は略する。また、１１３．１９はそれ
ぞれカソードコモンで接続した可変容量ダイオードであ
る。
符号を付し、説明は略する。また、１１３．１９はそれ
ぞれカソードコモンで接続した可変容量ダイオードであ
る。
第２図に示す発振回路は、第１図における固定容量のコ
ンデンサ１２０代わりに可変容量ダイオード１８を接続
することでｊｖ １図に示す発振回路よりも容量変化範
囲が広がり、発振周波数変化範囲を広げることができる
。
ンデンサ１２０代わりに可変容量ダイオード１８を接続
することでｊｖ １図に示す発振回路よりも容量変化範
囲が広がり、発振周波数変化範囲を広げることができる
。
しかし、この様な発振回路では、ダイオードを２個直列
に接続するために、ダイオードの内部直列抵抗が矛１図
に示す回路に比べて２倍となり、共振器のＱが低下する
。このために低同調電圧すなわち低い発振周波数でＱが
低下して発振停止しやす（なり、また発振出力電力の低
下が生じるとともに発振スペクトラムノイズが大きくな
るなどの問題があった。
に接続するために、ダイオードの内部直列抵抗が矛１図
に示す回路に比べて２倍となり、共振器のＱが低下する
。このために低同調電圧すなわち低い発振周波数でＱが
低下して発振停止しやす（なり、また発振出力電力の低
下が生じるとともに発振スペクトラムノイズが大きくな
るなどの問題があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、共
振器のＱを劣化させることな（広い発振周波数変化範囲
を確保できる発振回路を提供することにある。
振器のＱを劣化させることな（広い発振周波数変化範囲
を確保できる発振回路を提供することにある。
上記の目的は、本発明によれば、マイクロストリップ線
路をコンデンサ及び第１の可変容量ダイオードを介して
終端することにより形成された共振器をトランジスタあ
るいはＦＥＴを少な（も含む負性抵抗回路と結合させて
成る発振回路において、前記第１の可変容量ダイオード
のバイアス供給線路（同調電圧供給線路）を第２の可変
容量ダイオードで短絡することにより達成される。
路をコンデンサ及び第１の可変容量ダイオードを介して
終端することにより形成された共振器をトランジスタあ
るいはＦＥＴを少な（も含む負性抵抗回路と結合させて
成る発振回路において、前記第１の可変容量ダイオード
のバイアス供給線路（同調電圧供給線路）を第２の可変
容量ダイオードで短絡することにより達成される。
以下、本発明の一実施例を第３図を用いて説明する。
第３図は、本発明の一実施例を示す回路図である。
第６図において、第１図と同一機能を有するものには同
一符号を付し、説明は略する。また、２０は可変容量ダ
イオードである。
一符号を付し、説明は略する。また、２０は可変容量ダ
イオードである。
第６図に示す様に、Ｂ点におけるアドミタンスＹ’Ｂは
、第１図の回路と同様にして、線路１４゜とダイオード
２０から成る直列回路と、夕”イオード１６との並列ア
ドミタンスになる。ここで、線路１４及びダイオード２
０から成る直列回路のリアクタンスを発振周波数帯域内
で誘導性に設定し、そのインダクタンスをＬとお（。夕
°イオード１３の容量をＣとすると、Ｂ点におけるアド
ミタンスＹＢは次式で表わされる。
、第１図の回路と同様にして、線路１４゜とダイオード
２０から成る直列回路と、夕”イオード１６との並列ア
ドミタンスになる。ここで、線路１４及びダイオード２
０から成る直列回路のリアクタンスを発振周波数帯域内
で誘導性に設定し、そのインダクタンスをＬとお（。夕
°イオード１３の容量をＣとすると、Ｂ点におけるアド
ミタンスＹＢは次式で表わされる。
Ｙｎ ＝ｊωＣ（１−ツボ、） （１）ただし、ＬとＣ
の並列共振点は発振周波数帯域よりも低い周波数に設定
する。
の並列共振点は発振周波数帯域よりも低い周波数に設定
する。
ここでＬを一定とした場合が、１−１図に示した発振回
路に相当する。
路に相当する。
一方、第３図に示す本実施例では、同調電圧を上げると
ダイオード１３及びダイオード°２０の容量が小さくな
り、Ｃの値及び等価的にＬの値が小さくなる。従ってげ
）式に示す様に、本実施例では矛１図に示したＬ一定で
ある発振回路に比べて同調電圧に対するアドミタンス変
化が太き（なり、ダイオード１３の等価的な容量変化比
が大さくなることで発振周波数の変化範囲が広げられる
。
ダイオード１３及びダイオード°２０の容量が小さくな
り、Ｃの値及び等価的にＬの値が小さくなる。従ってげ
）式に示す様に、本実施例では矛１図に示したＬ一定で
ある発振回路に比べて同調電圧に対するアドミタンス変
化が太き（なり、ダイオード１３の等価的な容量変化比
が大さくなることで発振周波数の変化範囲が広げられる
。
本実施例によれば、共振器の損失の原因となる内部直列
抵抗を有するダイオード１′５及びダイオード２０は、
マイクロストリップ線路１０から見て並列に接続された
ことになるから共振器の損失はそれほど増加せず、従来
例に比べて回路のＱを低下しないで発振回路の発振周波
数変化範囲を広げることができる。また、ダイオードの
容ｉｔ＆化範囲に余裕ができるため、最低同調電圧をあ
る程度高い電圧に設定でき、低い発振周波数において、
共振器のＱの低下による発振停止やダイオード容量の温
度特性から（る発振周波数温度変動の増力口といった問
題点を改善できる。また、発振周波数の変化範囲を広げ
ることが可能となることからコンデンサ１２の容量値を
小さくでき、共振器のＱの向上が図れる。さらに、線路
１４及びダイオード２０を含む共振系での異常発振につ
いては−ダイオード２０の内部直列抵抗が大きく該共振
系のＱは低下するために異常発振が生じに（くなる。
抵抗を有するダイオード１′５及びダイオード２０は、
マイクロストリップ線路１０から見て並列に接続された
ことになるから共振器の損失はそれほど増加せず、従来
例に比べて回路のＱを低下しないで発振回路の発振周波
数変化範囲を広げることができる。また、ダイオードの
容ｉｔ＆化範囲に余裕ができるため、最低同調電圧をあ
る程度高い電圧に設定でき、低い発振周波数において、
共振器のＱの低下による発振停止やダイオード容量の温
度特性から（る発振周波数温度変動の増力口といった問
題点を改善できる。また、発振周波数の変化範囲を広げ
ることが可能となることからコンデンサ１２の容量値を
小さくでき、共振器のＱの向上が図れる。さらに、線路
１４及びダイオード２０を含む共振系での異常発振につ
いては−ダイオード２０の内部直列抵抗が大きく該共振
系のＱは低下するために異常発振が生じに（くなる。
なお、本実施例では共振器のＱ向上のために可変容量ダ
イオードをシングルで用いているが、ダイオードを２個
直列に接続した場合にも同様の効果が得られる。さらに
本実施例では能動素子としてＦＥＴを用いたか、トラン
ジスタを用いることによっても同様の効果が得られる。
イオードをシングルで用いているが、ダイオードを２個
直列に接続した場合にも同様の効果が得られる。さらに
本実施例では能動素子としてＦＥＴを用いたか、トラン
ジスタを用いることによっても同様の効果が得られる。
また、１６図に示したダイオード２０に直列または並列
にコンデンサを接続して発振周波数変化範囲を調整する
ことも可能である。
にコンデンサを接続して発振周波数変化範囲を調整する
ことも可能である。
本発明によれば、バイアス供給線路のりアクタンスを第
２の可変容量ダイオードを用いて発振周波数によって可
変にするだけで、発振周波数変化範囲が広くなり、しか
も共振回路のＱか高く発振停止が起こりに（（なるとい
う効果かある。またさらには１発振スベクドラムノイズ
の少ない、温度特性に対する発振周波数変動の小さい安
定な発振回路を得ることができる。
２の可変容量ダイオードを用いて発振周波数によって可
変にするだけで、発振周波数変化範囲が広くなり、しか
も共振回路のＱか高く発振停止が起こりに（（なるとい
う効果かある。またさらには１発振スベクドラムノイズ
の少ない、温度特性に対する発振周波数変動の小さい安
定な発振回路を得ることができる。
第１図、第２図はそれぞれ従来の発振回路を示す回路図
、第３図は不発明の一実施例を示す回路図、である。 符号説明 １・・・ＦＥＴ、１０・・・マイクロストリップ線路、
１２．１７・・・コンデンサ、１３１１８．１９゜２０
・・・可変容量ダイオード、１４・・・同調電圧供給線
路。 第１図 第２図 第 ３ 図
、第３図は不発明の一実施例を示す回路図、である。 符号説明 １・・・ＦＥＴ、１０・・・マイクロストリップ線路、
１２．１７・・・コンデンサ、１３１１８．１９゜２０
・・・可変容量ダイオード、１４・・・同調電圧供給線
路。 第１図 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）マイクロストリップ線路をコンデンサ及び坩・１の
可変容量ダイオードを介して終端することにより形成さ
れた共振器をトランジスタあるいはＦＥＴを歩な（も含
む負性抵抗回路と結合させ、前記共振器の共振周波数と
ほぼ同一の周波数で発振させるようにした発振回路にお
いて、前記第１の可変容量ダイオードのバイアス供給線
路な矛２の可変容量ダイオードで短絡したことを特徴と
する発振回路。 ２、特許請求の範囲矛１項に記載の発振回路において、
前記牙２の可変容量ダイオードで終端された前記バイア
ス供給線路のりアクタンスを発振周波数範囲内で誘導性
とし、前記バイアス供給線路と前記２１の可変容量ダイ
オードの並列共振点を発振周波数範囲よりも低い周波数
としたことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19075183A JPS6083405A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19075183A JPS6083405A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083405A true JPS6083405A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16263132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19075183A Pending JPS6083405A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083405A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPH07154140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Kansai Ltd | 電圧制御発振回路 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19075183A patent/JPS6083405A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPH07154140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Kansai Ltd | 電圧制御発振回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5406224A (en) | Circuit for stabilizing RF amplifier | |
| US4435688A (en) | FET Microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| US5231361A (en) | Voltage controlled push-push oscillator with parallel resonant tank circuits | |
| KR930001293B1 (ko) | 고주파전력증폭회로 | |
| US4906946A (en) | Microwave oscillator having series and parallel feedback | |
| US10476436B2 (en) | Resonant unit, voltage controlled oscillator (VCO) implementing the same, and push-push oscillator implementing a pair of VCOs | |
| US5440276A (en) | Voltage controlled oscillating circuit for preventing a load pulling | |
| JP2003332842A (ja) | 発振器 | |
| US20050083140A1 (en) | Crystal oscillator circuit | |
| JPS6083405A (ja) | 発振回路 | |
| US4540956A (en) | High frequency band-pass amplifier with adjustable impedance and oscillator including it | |
| US4797638A (en) | Oscillator including a transistor used both as constant current source and amplifier | |
| US5017887A (en) | High frequency IC power amplifier | |
| US4104599A (en) | Crystal oscillating circuit | |
| JPS5885603A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH0535923B2 (ja) | ||
| JPH1056330A (ja) | 電圧制御圧電発振器 | |
| JP2576193B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPS6130804A (ja) | 可変発振回路 | |
| JPH0563438A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH056363B2 (ja) | ||
| JPH04332205A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2000101393A (ja) | アクティブインダクタ | |
| JPH0317454Y2 (ja) | ||
| JPH03131104A (ja) | 電圧制御発振器 |