JPS6080222A - マルチ荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
マルチ荷電ビ−ム露光装置Info
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- JPS6080222A JPS6080222A JP18840583A JP18840583A JPS6080222A JP S6080222 A JPS6080222 A JP S6080222A JP 18840583 A JP18840583 A JP 18840583A JP 18840583 A JP18840583 A JP 18840583A JP S6080222 A JPS6080222 A JP S6080222A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- plate
- blanker
- matrix
- sample
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、集積回路素子等の製造工程におし１てウェハ
やマスク基板の試料に各種電子部品用微細バタンを形成
するマルチ荷電ビーム露光装置に関するもので、特に、
チップ内に任意に配置した任意の大きさのバタンの露光
を可能にすると共に描画時間の短縮を図ったものである
。
やマスク基板の試料に各種電子部品用微細バタンを形成
するマルチ荷電ビーム露光装置に関するもので、特に、
チップ内に任意に配置した任意の大きさのバタンの露光
を可能にすると共に描画時間の短縮を図ったものである
。
ＬＳＩ製造におけるバタン描画方法として、電子ビーム
露光法がある。電子ビーム露光法は、（１）解像度が高
い、（２）バタンデータの変更だけで望む、（タンを描
画できるという利点がある反面、生産性ＩＩ４４１いと
いう問題点がある。近年、生産性の改善を図る方法とし
てマルチ荷電ビーム露光方式が提案されるようになった
。
露光法がある。電子ビーム露光法は、（１）解像度が高
い、（２）バタンデータの変更だけで望む、（タンを描
画できるという利点がある反面、生産性ＩＩ４４１いと
いう問題点がある。近年、生産性の改善を図る方法とし
てマルチ荷電ビーム露光方式が提案されるようになった
。
第１図は従来のマルチ電子ビーム発生装置の一例を示す
全体構成図であり、詳細は文献「’ＡＭｕ−１ｔｉｐｌ
ｅ−、Ｅｌｅｃ、Ｌｒｏｎ−Ｂｅａｍ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｔｈｒｏｕ−ｇ
ｈｐｕｔ、 ＤｉｒｅｃＬ−Ｗ ｒｉｔｅ Ｓｕｂｍｉ
ｃｒｏｎｍｅｔｅｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、 ＩＥ
Ｅ ＥＴｒａｎｓ、 ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、 ＥＤ−２８，Ｎ（１１１，ｐ、
１４２２（１９８１）Ｊに掲載されている。１０１は
電子銃部、１０２はブランカ、１０３および１０４は偏
向器、１０５は１０ Ｘ １０個の静電レンズを配置し
たスクリーンレンズ、１０６はステージ、１０７はウニ
ノ颯、１０８は電子ビーム、１０９は対物絞りである。
全体構成図であり、詳細は文献「’ＡＭｕ−１ｔｉｐｌ
ｅ−、Ｅｌｅｃ、Ｌｒｏｎ−Ｂｅａｍ Ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｔｈｒｏｕ−ｇ
ｈｐｕｔ、 ＤｉｒｅｃＬ−Ｗ ｒｉｔｅ Ｓｕｂｍｉ
ｃｒｏｎｍｅｔｅｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、 ＩＥ
Ｅ ＥＴｒａｎｓ、 ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、 ＥＤ−２８，Ｎ（１１１，ｐ、
１４２２（１９８１）Ｊに掲載されている。１０１は
電子銃部、１０２はブランカ、１０３および１０４は偏
向器、１０５は１０ Ｘ １０個の静電レンズを配置し
たスクリーンレンズ、１０６はステージ、１０７はウニ
ノ颯、１０８は電子ビーム、１０９は対物絞りである。
スクリーンレンズ１０５ノ各静電レンズにより、対物絞
り１０９の像がウェハ１０７上に１０ Ｘ １０個投影
される。偏向器１０３、１０４により１０×川本の電子
ビーム１０８は一斉に偏向される。１０ Ｘ １０個の
チップを同時に描画することで生産性の向上を図ってい
るが、本装置では、（１）チップ配置の間隔は静電レン
ズ配置の間隔で固定される、（２）偏向歪補正およびつ
ｊ−／＼歪補正において、各ビームごとの照射位置補正
が第２図は特願昭５６−１４３４２５ Ｉ”荷電ビーム
露光装置」に記載されたマルチ電子ビーム発生方法を示
す斜視図である。２０１．２０２は荷電ビーム、２０３
は成形板、２０４はブランキングアパーチャ、２０５は
ブランカである。成形アパーチャ２０３は直列に配列さ
れた複数のスリット孔を有している。成形板２０３によ
り成形した複数の矩形荷電ビームの中から必要なビーム
を、ブランカ２０５で適当に選択して試料面上に照射し
ている。この方法による装置では、（１）荷電ビームの
形状は成形板２０３におけるスリット孔により固定され
てしまうため任意の大きさのパタンを描画することが困
ＡＩＩ＋である、（２）描画の最小パタンは成形アパー
チャ２０３のスリブ！・孔で決定され、この最小パタン
をつなぎ合わせてい（ため、最小パタンの倍数の幅のパ
タンしか描画できないという問題がある。
り１０９の像がウェハ１０７上に１０ Ｘ １０個投影
される。偏向器１０３、１０４により１０×川本の電子
ビーム１０８は一斉に偏向される。１０ Ｘ １０個の
チップを同時に描画することで生産性の向上を図ってい
るが、本装置では、（１）チップ配置の間隔は静電レン
ズ配置の間隔で固定される、（２）偏向歪補正およびつ
ｊ−／＼歪補正において、各ビームごとの照射位置補正
が第２図は特願昭５６−１４３４２５ Ｉ”荷電ビーム
露光装置」に記載されたマルチ電子ビーム発生方法を示
す斜視図である。２０１．２０２は荷電ビーム、２０３
は成形板、２０４はブランキングアパーチャ、２０５は
ブランカである。成形アパーチャ２０３は直列に配列さ
れた複数のスリット孔を有している。成形板２０３によ
り成形した複数の矩形荷電ビームの中から必要なビーム
を、ブランカ２０５で適当に選択して試料面上に照射し
ている。この方法による装置では、（１）荷電ビームの
形状は成形板２０３におけるスリット孔により固定され
てしまうため任意の大きさのパタンを描画することが困
ＡＩＩ＋である、（２）描画の最小パタンは成形アパー
チャ２０３のスリブ！・孔で決定され、この最小パタン
をつなぎ合わせてい（ため、最小パタンの倍数の幅のパ
タンしか描画できないという問題がある。
第３図□は特願昭５６−９０９０２ Ｆ電子線描画装置
」に記載されたマルチ電子ビーム発生装置を示す斜視図
であり、マトリクス状に配置された複数のスリット孔を
有する２枚のスリット板２１０．２２０に挾まれて配置
された一組の値向器２３０と、スリット板の後に配置さ
れた縮小投影レンズ２５０とによって、描画すべきパタ
ンに応じて偏向量と縮小率を制御して、所定の寸法の矩
形ビームを同時に複数個形成する構成を採用している。
」に記載されたマルチ電子ビーム発生装置を示す斜視図
であり、マトリクス状に配置された複数のスリット孔を
有する２枚のスリット板２１０．２２０に挾まれて配置
された一組の値向器２３０と、スリット板の後に配置さ
れた縮小投影レンズ２５０とによって、描画すべきパタ
ンに応じて偏向量と縮小率を制御して、所定の寸法の矩
形ビームを同時に複数個形成する構成を採用している。
第３図はスリット孔を２×２のマトリクス状に配置した
場合で、２１１〜２１４は第１のスリット板２１０にあ
けたスリット孔、２２１〜２２４は第２のスリット仮２
２０にあけたスリット孔、２６１〜２６４は第１のスリ
ット板２１０のスリット孔を通過した電子線が第２のス
リット板２２０の上に照射された像（第１スリット板の
投影像）、２４１〜２４４は上記２６１〜２６４の像を
第２のスリット板２２０のスリット孔によって成形した
像が縮小投影レンズ２５０により縮小されて得られる像
である。この第３図構成によれば、１回の露光で同時に
多数個（第３図では４個）のパタンを描画できるので、
露光時間を短かくできる利点はあるが、しかし、第３図
構成では、各ビームをブランキング制御するブランカが
なく一初数のスリット孔の像を試料面上に全て同時に照
射する構成であることから、任意に配置したパタンを描
画てきないという問題点がある。
場合で、２１１〜２１４は第１のスリット板２１０にあ
けたスリット孔、２２１〜２２４は第２のスリット仮２
２０にあけたスリット孔、２６１〜２６４は第１のスリ
ット板２１０のスリット孔を通過した電子線が第２のス
リット板２２０の上に照射された像（第１スリット板の
投影像）、２４１〜２４４は上記２６１〜２６４の像を
第２のスリット板２２０のスリット孔によって成形した
像が縮小投影レンズ２５０により縮小されて得られる像
である。この第３図構成によれば、１回の露光で同時に
多数個（第３図では４個）のパタンを描画できるので、
露光時間を短かくできる利点はあるが、しかし、第３図
構成では、各ビームをブランキング制御するブランカが
なく一初数のスリット孔の像を試料面上に全て同時に照
射する構成であることから、任意に配置したパタンを描
画てきないという問題点がある。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、チップ内に任意に配置した任意の大きさのパタンの露
光を可能にし、かつ複数本のビームの中から所定の本数
のビームを選択して一斉に照射することで描画時間の短
縮をｉｌ能にし、かつ複数の荷電ビームを一斉に照射す
る範囲を狭めることにより、偏向歪に対する補正及びウ
ェハ歪に対する補正を容易にし得るマルチ荷電ビーム露
光装置を提供することにある。
、チップ内に任意に配置した任意の大きさのパタンの露
光を可能にし、かつ複数本のビームの中から所定の本数
のビームを選択して一斉に照射することで描画時間の短
縮をｉｌ能にし、かつ複数の荷電ビームを一斉に照射す
る範囲を狭めることにより、偏向歪に対する補正及びウ
ェハ歪に対する補正を容易にし得るマルチ荷電ビーム露
光装置を提供することにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、複数のス
リット孔をそれぞれに備えた第１と第２の成形板及び両
成形板の間に配置されて第１の成形板のスリット孔の像
の第２の成形板上への投影位置を可変に偏向させる可変
成形用偏向器を備えた装置において、さらに、第２の成
形板から試料側に放射する複数のビームのそれぞれに対
応して設けられる複数のブランカから成り、上記複数の
ビームのうちの所定の本数のビームのみを選択して試料
に到達させ、残りのビームの試料到達を遮断するマトリ
クスブランカを設ける構成とするにある。
リット孔をそれぞれに備えた第１と第２の成形板及び両
成形板の間に配置されて第１の成形板のスリット孔の像
の第２の成形板上への投影位置を可変に偏向させる可変
成形用偏向器を備えた装置において、さらに、第２の成
形板から試料側に放射する複数のビームのそれぞれに対
応して設けられる複数のブランカから成り、上記複数の
ビームのうちの所定の本数のビームのみを選択して試料
に到達させ、残りのビームの試料到達を遮断するマトリ
クスブランカを設ける構成とするにある。
以下、本発明の実施例を、電子ビームを使用するマルチ
電子ビーム露光装置の場合について説明する。イオンビ
ームを使用するマルチイオンビーム露光装置も同様の（
１に成により可能である。第４図は本実施例マルチ電子
ビーム露光装置の電子光学鏡筒を示す。第４図において
、３０１は電子銃、３０２は陽極、３０３ 、３０４
、３０５及び３０６は電子レンズ、３０７はマトリクス
状に配置された複数のビーム成形用スリット孔を持つ第
１の成形板、３０８は第１の成形板３０７のそれぞれの
スリット孔に対応した複数のビーム成形用スリット孔を
持つ第２の成形板、３０９は可変成形用偏向器、３１０
は第１の成形板３０７の複数のスリット孔に対応した複
数のブランカを持つマトリクスブランカ、３１１はブラ
ンキングアパーチャ、３１２及び３１３は主副２段の照
射位置設定用偏向器、３１４は試料、３１５はステージ
である。
電子ビーム露光装置の場合について説明する。イオンビ
ームを使用するマルチイオンビーム露光装置も同様の（
１に成により可能である。第４図は本実施例マルチ電子
ビーム露光装置の電子光学鏡筒を示す。第４図において
、３０１は電子銃、３０２は陽極、３０３ 、３０４
、３０５及び３０６は電子レンズ、３０７はマトリクス
状に配置された複数のビーム成形用スリット孔を持つ第
１の成形板、３０８は第１の成形板３０７のそれぞれの
スリット孔に対応した複数のビーム成形用スリット孔を
持つ第２の成形板、３０９は可変成形用偏向器、３１０
は第１の成形板３０７の複数のスリット孔に対応した複
数のブランカを持つマトリクスブランカ、３１１はブラ
ンキングアパーチャ、３１２及び３１３は主副２段の照
射位置設定用偏向器、３１４は試料、３１５はステージ
である。
電子銃３０１からでた電子ビームは電子レンズ３０３に
より、第１の成形板３０７上を一様に照射する。第１の
成形板３０７からブランギングアパーチャ３１１まてが
電子ビームの発生機構である。第１の成形板３０７のス
リット孔の像は第２の成形板３０８１に等倍に投影され
、第２の成形板３０８のスリット孔により生じる像は試
料３１４に到達するまでに、電子レンズ３０５及び３０
６により１／１００に縮小されて投影される。
より、第１の成形板３０７上を一様に照射する。第１の
成形板３０７からブランギングアパーチャ３１１まてが
電子ビームの発生機構である。第１の成形板３０７のス
リット孔の像は第２の成形板３０８１に等倍に投影され
、第２の成形板３０８のスリット孔により生じる像は試
料３１４に到達するまでに、電子レンズ３０５及び３０
６により１／１００に縮小されて投影される。
第５図はマルチ電子ビームの発生機構を示す斜視図であ
る。４０１は矩形ビーム、４０２及び４０３はマトリク
スブランカ３１０中の個々のブランカ、４０４及び４０
５は矩形ビームである。偏向器３０９は図に示す方向と
垂直方向、即ち紙面に対して表裏方向にもう１組設置さ
れているが、ここでは１組のみを示している。第１の成
形板３０７及び第２の成形板３０８のスリット孔はいず
れも１００μｍＤであり、スリット孔の間隔はいずれも
１．００μｍである。
る。４０１は矩形ビーム、４０２及び４０３はマトリク
スブランカ３１０中の個々のブランカ、４０４及び４０
５は矩形ビームである。偏向器３０９は図に示す方向と
垂直方向、即ち紙面に対して表裏方向にもう１組設置さ
れているが、ここでは１組のみを示している。第１の成
形板３０７及び第２の成形板３０８のスリット孔はいず
れも１００μｍＤであり、スリット孔の間隔はいずれも
１．００μｍである。
また、スリット孔はマトリクス状に５×５個配置されて
いるが、ここではその一部のみを示している。可変成形
用偏向器３０９を用いて、第１の成形板３０７のスリッ
ト孔の、第２の成形板３０８上への投影位置を変化させ
ることにより、試料３１４上で最大寸法が１μｍ［Ｊと
なる任意の大きさの矩形ビームを発生することかできる
。この時、５×５本のビームのうち、必要なビームをマ
トリクスブランカ３１０で選択して照射する。例えば、
ブランカ４０２のように、ビームをブランキングすると
、矩形ビーム４０４はブランキングアパーチャ３１１で
遮られ、試料３１４には到達しない。また、ブランカ４
０３のように、ビームをブランキングしない場合ニハ、
矩形ビーｌ、４０５はブランキングアパーチャ３１１で
遮られることなく、試料３１４に到達する。
いるが、ここではその一部のみを示している。可変成形
用偏向器３０９を用いて、第１の成形板３０７のスリッ
ト孔の、第２の成形板３０８上への投影位置を変化させ
ることにより、試料３１４上で最大寸法が１μｍ［Ｊと
なる任意の大きさの矩形ビームを発生することかできる
。この時、５×５本のビームのうち、必要なビームをマ
トリクスブランカ３１０で選択して照射する。例えば、
ブランカ４０２のように、ビームをブランキングすると
、矩形ビーム４０４はブランキングアパーチャ３１１で
遮られ、試料３１４には到達しない。また、ブランカ４
０３のように、ビームをブランキングしない場合ニハ、
矩形ビーｌ、４０５はブランキングアパーチャ３１１で
遮られることなく、試料３１４に到達する。
第６図は、本実施例のマルチ電子ビームによる試料３１
４上での描画方法を説明するための図である。５０１は
ｉ μｍ バタン、５０２は１μｍ×０．５μｍパタン
である。５０１で代表される１μＩｎロバタンのみに着
目すると、５×３個のバタンか配置されており、パタン
間のＸ方向間隔は１μｍ、Ｘ方向間隔は３ ｐｍ テあ
る。５０２で代表される１ μｍ Ｘ Ｏ，５１ｔｍパ
タンのみに着１．１すると、４×５個のバタンか配置さ
れており、バタン間のＸ方向間隔は１μｌＴｊ、Ｘ方向
間隔は１．５μ口１である。
４上での描画方法を説明するための図である。５０１は
ｉ μｍ バタン、５０２は１μｍ×０．５μｍパタン
である。５０１で代表される１μＩｎロバタンのみに着
目すると、５×３個のバタンか配置されており、パタン
間のＸ方向間隔は１μｍ、Ｘ方向間隔は３ ｐｍ テあ
る。５０２で代表される１ μｍ Ｘ Ｏ，５１ｔｍパ
タンのみに着１．１すると、４×５個のバタンか配置さ
れており、バタン間のＸ方向間隔は１μｌＴｊ、Ｘ方向
間隔は１．５μ口１である。
まず、試イ′・［３１４上で１μｍ１パタンが照射でき
るように、１１ｆ変成形用偏向器３０９を動作させる。
るように、１１ｆ変成形用偏向器３０９を動作させる。
次に、マトリクスブランカ３１０により、パタンに対応
した５×３本の矩形ビームを試料３１４上に一斉に照射
する。続いて、次の一斉照射位置が、前述の照射位置か
らＸ方向に１μｍ、Ｘ方向に０．５μｍ移動した位置と
なるように、照射位置設定用偏向器３１２を動作させる
。次に、試料３１４上て１μｍＸＱ、５７ｚｌ’ｌｌパ
タンが照射できるように、可変成形用偏向器３０９を動
作させる。次に、マトリクスブランカ３１０でパタンに
対応した４×５本の矩形ビームを試料３１４１に一斉に
照射する。以上の２回の一斉照射により第６図に示した
パタンの描画は全て終了する。
した５×３本の矩形ビームを試料３１４上に一斉に照射
する。続いて、次の一斉照射位置が、前述の照射位置か
らＸ方向に１μｍ、Ｘ方向に０．５μｍ移動した位置と
なるように、照射位置設定用偏向器３１２を動作させる
。次に、試料３１４上て１μｍＸＱ、５７ｚｌ’ｌｌパ
タンが照射できるように、可変成形用偏向器３０９を動
作させる。次に、マトリクスブランカ３１０でパタンに
対応した４×５本の矩形ビームを試料３１４１に一斉に
照射する。以上の２回の一斉照射により第６図に示した
パタンの描画は全て終了する。
第６図のパタンを、１μｍＸＱ、５μｍの固定成形ビー
ム１本で描画する場合には５０回の照射が必要である。
ム１本で描画する場合には５０回の照射が必要である。
また、１本の可変成形ビームを用いても、３５回の照射
が必要である。一方、本実施例装置による場合は、前述
のように、２回の照射で全パタンを描画することができ
る。このため、照射時間及び照射回数で決まる実描画時
間、及びＤ／Ａ変換器の整定時間等の偏向むだ時間を大
幅に減少させることができ、描画効率は飛躍的に向上す
る。
が必要である。一方、本実施例装置による場合は、前述
のように、２回の照射で全パタンを描画することができ
る。このため、照射時間及び照射回数で決まる実描画時
間、及びＤ／Ａ変換器の整定時間等の偏向むだ時間を大
幅に減少させることができ、描画効率は飛躍的に向上す
る。
第７図は本発明の別の実施例であり、ここでは、第２の
成形板３０８及びマトリクスブランカ３１０の一部のみ
を示しＣいる。装置の全体構成は、第４図に示した構成
と同じである。第５図実施例と異なる部分は、マトリク
スブランカ３１０の内部の構成である。６０１は第２の
成形板３０８の５×１個のスリット孔に対応して設置し
た組ブランカ、６０２はブランキングされた矩形ビーム
、６０３はブランキングされていない矩形ビームである
。マトリクスブランカ３１０は６０１に代表される組ブ
ランカの５組より構成されている。即ち、第１の成形板
、３０７、第２の成形板３０８及び可変成形用偏向器３
０９により成形された５×５本の矩形ビームを５×１本
を組にして５組に分けてブランキングする。
成形板３０８及びマトリクスブランカ３１０の一部のみ
を示しＣいる。装置の全体構成は、第４図に示した構成
と同じである。第５図実施例と異なる部分は、マトリク
スブランカ３１０の内部の構成である。６０１は第２の
成形板３０８の５×１個のスリット孔に対応して設置し
た組ブランカ、６０２はブランキングされた矩形ビーム
、６０３はブランキングされていない矩形ビームである
。マトリクスブランカ３１０は６０１に代表される組ブ
ランカの５組より構成されている。即ち、第１の成形板
、３０７、第２の成形板３０８及び可変成形用偏向器３
０９により成形された５×５本の矩形ビームを５×１本
を組にして５組に分けてブランキングする。
マトリクスブランカ３１０はブランカが密集しているた
め、小型のブランカの製造及びその配線は容易でない。
め、小型のブランカの製造及びその配線は容易でない。
しかし、第７図実施例によれば、第５図実施例の場合に
比較して、組ブランカの寸法を個々のブランカの寸法よ
り大きくし、かつ配線数をへらすことができるという利
点かある。しかも、複数の寸法可変の矩形ビームを一部
に照射できるので、描画効率を向上できる。
比較して、組ブランカの寸法を個々のブランカの寸法よ
り大きくし、かつ配線数をへらすことができるという利
点かある。しかも、複数の寸法可変の矩形ビームを一部
に照射できるので、描画効率を向上できる。
以上述べたように、本発明によれば、寸法可変の複数本
のビームの中から特定のビームを選択し、かつ例えば１
０μｍ０程度の狭い領域でマルチ荷電ビームを一括照射
するので、従来のマルチ荷電ビーム露光装置と異なり、
（１）任意に配置したパタンの露光が可能である、（２
）偏向歪補正が容易である、（３）ウェハ直接露光の場
合のウェハ歪に対する補正か容易である、という利点が
あり、また、従来の１本のビームを用いる装置と比較し
て、（４１照射時間及び偏向むだ時間を大幅に短縮させ
ることができ、生産性を著しく向上させることができる
。
のビームの中から特定のビームを選択し、かつ例えば１
０μｍ０程度の狭い領域でマルチ荷電ビームを一括照射
するので、従来のマルチ荷電ビーム露光装置と異なり、
（１）任意に配置したパタンの露光が可能である、（２
）偏向歪補正が容易である、（３）ウェハ直接露光の場
合のウェハ歪に対する補正か容易である、という利点が
あり、また、従来の１本のビームを用いる装置と比較し
て、（４１照射時間及び偏向むだ時間を大幅に短縮させ
ることができ、生産性を著しく向上させることができる
。
第１図は従来のマルチ電子ビーム発生装置の全体構成の
一例を示す図、第２図及び第３図はそれぞれ従来装置に
おけるマルチ電子ビーム発生機構を説明する斜視図、第
４図は本発明の実施例によるマルチ電子ビーム露光装置
の電子光学鏡筒、第５図はそのマルチ電子ビーム発生機
構を説明する斜視図、第６図はマルチ電子ビームによる
描画方法を説明する図、第７図は本発明の別の実施例を
示す斜視図である。 く符号の説明〉 ３０１・・・電子銃 ３０２・・・陽極 ３０３〜３０６・・・電子レンズ ３０８・・・第２の成形板 ３０９・・・可変成形用偏向器 ３１０・・・マトリクスブランカ ３１１・・・ブランキングアパーチャ ３１２、３１３・・・照射位置設定用偏向器３１４・・
・試料 ３１５・・・ステージ ４０１、４０４．４０５，６０２．６０３・・・矩形ビ
ーム４０２、４０３・・・ブランカ ５０１・・・１μｍＤパタン ５０２・・・１μｍｘ□、５μｍバタン６０１・・・組
ブランカ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 スｐ１ 図 ′１ｊｆ３ 図
一例を示す図、第２図及び第３図はそれぞれ従来装置に
おけるマルチ電子ビーム発生機構を説明する斜視図、第
４図は本発明の実施例によるマルチ電子ビーム露光装置
の電子光学鏡筒、第５図はそのマルチ電子ビーム発生機
構を説明する斜視図、第６図はマルチ電子ビームによる
描画方法を説明する図、第７図は本発明の別の実施例を
示す斜視図である。 く符号の説明〉 ３０１・・・電子銃 ３０２・・・陽極 ３０３〜３０６・・・電子レンズ ３０８・・・第２の成形板 ３０９・・・可変成形用偏向器 ３１０・・・マトリクスブランカ ３１１・・・ブランキングアパーチャ ３１２、３１３・・・照射位置設定用偏向器３１４・・
・試料 ３１５・・・ステージ ４０１、４０４．４０５，６０２．６０３・・・矩形ビ
ーム４０２、４０３・・・ブランカ ５０１・・・１μｍＤパタン ５０２・・・１μｍｘ□、５μｍバタン６０１・・・組
ブランカ 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 スｐ１ 図 ′１ｊｆ３ 図
Claims (1)
- （１） マトリクス状に配置された複数の矩形スリット
孔を有する第１の成形板と、この第１の成形板の各スリ
ット孔位置のそれぞれに対応する位置に矩形スリット孔
を有する第２の成形板と、上記両成形板の間に配置され
て第１の成形板のスリット孔の像の第２の成形板上への
投影位置を可変に偏向させる可変成形用偏向器とを備え
て複数の荷電ビーム成形像を同時に試料上に描画させる
マルチ荷電ビーム露光装置において、第２の成形板から
試料側に放射する複数のビームのそれぞれに対応して設
けられる複数のブランカから成り、上記複数のビームの
うちの所定の本数のビームのみを選択して試料に到達さ
せ残りのビームの試料到達を遮断するマトリクスブラン
カを設けたことを特徴とするマルチ荷電ビーム露光装置
。 前記マトリクスブランカは、机内にそれぞれ数個ずつの
ブランカを有する組ブランカに分割されており各机内の
ブランカは前記ビームの選択的通過及び遮断の制御を同
時に行なうマトリクスブランカであることを４’、＋ｉ
徴とするマルチ荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18840583A JPS6080222A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | マルチ荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18840583A JPS6080222A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | マルチ荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080222A true JPS6080222A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16223067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18840583A Pending JPS6080222A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | マルチ荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP18840583A patent/JPS6080222A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258842A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 |
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