JPS6074815A - Clock generating circuit of switched capacitor circuit - Google Patents

Clock generating circuit of switched capacitor circuit

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JPS6074815A
JPS6074815A JP58182598A JP18259883A JPS6074815A JP S6074815 A JPS6074815 A JP S6074815A JP 58182598 A JP58182598 A JP 58182598A JP 18259883 A JP18259883 A JP 18259883A JP S6074815 A JPS6074815 A JP S6074815A
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JP
Japan
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circuit
capacitor
input
delay
output
Prior art date
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Pending
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JP58182598A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Nakayama
謙二 中山
Hiroshi Uriya
瓜屋 普
Ryuji Habuka
羽深 龍二
Tadakatsu Kimura
木村 忠勝
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NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6074815A publication Critical patent/JPS6074815A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

PURPOSE:To form a delay circuit in a small circuit scale by replacing a delay circuit using a train of inverters with a delay circuit using a capacitor. CONSTITUTION:A clock signal phi0 having a 50:50 time ratio between L and H levels is supplied to an input terminal. The signal phi0 is led to the input at one side of an NOR circuit 111 as well as to the input at one side of an NOR circuit 112 via an inverter circuit 121. The output of the circuit 111 is led to the input at the other side of the circuit 112 via a delay circuit 221 consisting of an inverter circuit 122 and a capacitor 211 as well as to output terminals 171 and 172 via an inverter circuit 124. Then clocks phi1 and phi2' are delivered from terminals 171 and 172. While the output of the circuit 112 is led to output terminals 181 and 182 via an inverter circuit. The clocks phi2 and phi2' are delivered from terminals 181 and 182. In such a constitution of a delay circuit using a capacitor, a large delay time is obtained with a small area.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野) 本発明は、スイソチト・キャパシタ・フィルタに用いら
れるクロック発生回路の構成に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field to Which the Invention Pertains] The present invention relates to the configuration of a clock generation circuit used in a Swiss-circuit capacitor filter.

〔従来技術の説明〕[Description of prior art]

スイ・7チト・キャパシタ・フィルタは、スイッチ、キ
ャパシタおよび演算増幅器から構成されるフィルタであ
り、キャパシタからキャパシタへ電荷を伝達することに
よりフィルタ動作を行っている。
A switch capacitor filter is a filter composed of a switch, a capacitor, and an operational amplifier, and performs a filter operation by transmitting electric charge from one capacitor to another.

第1図にスイソチト・キャパシタ・フィルタの簡単な回
路例を示す。同図において、1は演算増幅器、21〜2
4はクロックφ1で制御される半導体スイッチ、25〜
28はクロックφ2で制御される半導体スイッチ、31
〜33はキャパシタである。スイソチト・キャパシタ・
フィルタの動作においては、クロックφ1とφ2は第2
図の区間Tのように双方がローレベル、すなわち半導体
スイッチ21〜28がすべてオフとなる区間が必要であ
る。
FIG. 1 shows a simple circuit example of a Swissito capacitor filter. In the same figure, 1 is an operational amplifier, 21 to 2
4 is a semiconductor switch controlled by clock φ1, 25~
28 is a semiconductor switch controlled by clock φ2, 31
-33 are capacitors. suisocito capacitor
In the operation of the filter, the clocks φ1 and φ2 are the second
It is necessary to have a section where both of the semiconductor switches 21 to 28 are at a low level, such as section T in the figure, in which all the semiconductor switches 21 to 28 are off.

第2図に示すクロックを発生する従来例の回路として、
例えば第3図に示す回路、あるいは第4図に示す回路な
どが用いられている。第3図の回路ばNOR回路111
.112、インパーク回路121〜125で構成され、
第4図の回路はインバータ回路121〜125、NAN
D回路131.132、排他的OR回路14で構成され
、それぞれの回路は第2図の区間Tに対応した遅延時間
を作るためのインバータ列15を有している。これらの
第3図および第4図の回路は端子16に50%デユーテ
ィのクロ・ツクφ0が入力し、端子171、’172に
クロックφ1とilが、端子181.182にクロック
φ2とφ2が各々出力される。第2図のクロックφ1と
φ2が同時にローレベルになる時間は第3図、第4図の
インバータ列15におけるゲート遅延に対応している。
As a conventional circuit for generating the clock shown in Fig. 2,
For example, the circuit shown in FIG. 3 or the circuit shown in FIG. 4 is used. The circuit shown in FIG. 3 is the NOR circuit 111.
.. 112, composed of impark circuits 121 to 125,
The circuit in Fig. 4 is an inverter circuit 121 to 125, NAN
It consists of D circuits 131, 132 and exclusive OR circuits 14, each of which has an inverter array 15 for creating a delay time corresponding to section T in FIG. In the circuits shown in FIGS. 3 and 4, a 50% duty clock φ0 is input to the terminal 16, clocks φ1 and il are input to the terminals 171 and '172, and clocks φ2 and φ2 are input to the terminals 181 and 182, respectively. Output. The time when the clocks φ1 and φ2 in FIG. 2 are simultaneously at a low level corresponds to the gate delay in the inverter array 15 in FIGS. 3 and 4.

クロックφ1とφ2がローレベルとなる時間は通常50
ナノ秒程度必要であるので、ゲート遅延時間が5ナノ秒
のインバータを10個程度用いればこの50ナノ秒の区
間を実現できる。しかしながら、LSIのプロセス技術
の発達によりゲート遅延時間は短縮される方向にある。
The time when clocks φ1 and φ2 are low level is usually 50
Since about nanoseconds are required, this 50 nanosecond section can be achieved by using about 10 inverters with a gate delay time of 5 nanoseconds. However, with the development of LSI process technology, the gate delay time is becoming shorter.

例えば3μmルールのCMOSプロセスではゲート遅延
が1〜2ナノ秒となっている。このようなプロセスを用
いて第3図、または第4図の回路でクロックφ1、φ2
を作るためにはインバータ列15の部分のインバータ数
が極めて多くなる欠点を有している。
For example, in a CMOS process using the 3 μm rule, the gate delay is 1 to 2 nanoseconds. Using this process, clocks φ1 and φ2 can be generated in the circuit shown in FIG. 3 or 4.
The disadvantage is that the number of inverters in the inverter array 15 becomes extremely large in order to make the inverter array 15.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、上記の欠点を解決するものであり、微細高速
プロセスによりスイッチト・キャパシタ回路を製造する
場合に、その回路規模を低減し得る構成としたスイソチ
ト・キャパシタ回路用のクロック発生回路を提供するこ
とを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned drawbacks, and provides a clock generation circuit for a switched capacitor circuit having a structure capable of reducing the circuit scale when a switched capacitor circuit is manufactured by a micro-high-speed process. The purpose is to

〔発明の要点〕[Key points of the invention]

本発明は、スイソチト・キャパシタ回路のスイッチ素子
へクロックを供給するクロック発生回路においで、時間
遅延を作る目的で従来用いられていたインバータ列によ
る遅延回路をキャパシタによる遅延回路に変えたことを
特徴とする。
The present invention is characterized in that, in a clock generation circuit that supplies a clock to a switching element of a Swiss capacitor circuit, a delay circuit using an inverter array conventionally used for the purpose of creating a time delay is replaced with a delay circuit using a capacitor. do.

〔実施例による説明〕[Explanation based on examples]

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第5図は本発明第1実施例のクロック発生回路を示すブ
ロック構成図であり、本発明を第3図の従来例回路に適
用したものである。第5図において、入力端子16には
ローレベルとハイレベルの時間比が50 : 50であ
るクロック信号φ0が入力され、この信号φ0はNOR
回路111の一方の入力に導かれるとともに、インバー
タ回路121を介してNOR回路】12の一方の入力に
導かれる。NOR回路111の出力は、インバータ回路
122とキャパシタ211からなる遅延回路221を介
してNOR回路112の他方の入力に導かれるとともに
、インバータ回路124を介して出力端子171.17
2に導かれ、これらの出力端子171.172からクロ
ックψ1.71が出力される。また、NOR回路112
の出力は、インバータ回路123とキャパシタ212か
らなる遅延回路222を介してNOR回路11tの他方
の入力に導かれるとともに、インバータ回路125を介
して出力端子IL 、182に導かれ、これらの出力醋
1子181.182からクロックφ2.12が出力され
る。
FIG. 5 is a block diagram showing a clock generation circuit according to a first embodiment of the present invention, in which the present invention is applied to the conventional circuit shown in FIG. In FIG. 5, a clock signal φ0 with a time ratio of low level and high level of 50:50 is input to the input terminal 16, and this signal φ0 is a NOR signal.
It is led to one input of the circuit 111 and also to one input of the NOR circuit 12 via the inverter circuit 121. The output of the NOR circuit 111 is guided to the other input of the NOR circuit 112 via a delay circuit 221 made up of an inverter circuit 122 and a capacitor 211, and also to an output terminal 171.17 via an inverter circuit 124.
2, and a clock ψ1.71 is output from these output terminals 171 and 172. In addition, the NOR circuit 112
The output of 1 is guided to the other input of the NOR circuit 11t via a delay circuit 222 consisting of an inverter circuit 123 and a capacitor 212, and is also guided to the output terminals IL and 182 via an inverter circuit 125. Clock φ2.12 is output from children 181 and 182.

第5図から明らかなように、本発明による第1実施例回
路は第3図の従来例回路におけるインバー列15をキャ
パシタで置換したものである。このように、遅延回路に
キャパシタを用いることにより小さな面積で大きな遅延
時間を実現することができる。例えば3μmルールCM
OSプロセスでは、キャパシタ211.212として約
2.59Fのものを用いることにより、クロックφ1、
φ2が同時にローレベルになる時間として約80ナノ秒
を実現することが可能である。この第1実施例回路はイ
ンバータ列を用いた場合と比べてチップ上の面積を十分
に低減できる。
As is clear from FIG. 5, in the first embodiment circuit according to the present invention, the inverter array 15 in the conventional circuit shown in FIG. 3 is replaced with a capacitor. In this way, by using a capacitor in the delay circuit, a large delay time can be realized with a small area. For example, 3μm rule commercial
In the OS process, by using capacitors 211 and 212 of approximately 2.59F, clock φ1,
It is possible to realize approximately 80 nanoseconds as the time when φ2 becomes low level at the same time. This first embodiment circuit can sufficiently reduce the area on the chip compared to the case where an inverter array is used.

第6図は本発明の第2図実施例回路のブロック構成図で
あり、本発明を第4図の従来例回路に適用した例である
。第6図において、クロック信号φ0は排他的NOR回
路14の一方の入力に導かれるとともに、インバータ回
路122とキャパシタ213からなる遅延回路223を
介して排他的NOR回路14の他方の入力、およびNA
ND回路I31.132の一方の入力に導かれる。排他
的NOR回路14の出力は、NAND回路13> 、1
32の他方の入力に導かれ、このNAND回路1311
32の出力がそれぞれインバータ回路12+ 12sを
介して出力端子171.172と181.182に導か
れる。この第2図実施例回路においても、遅延回路22
3を従来のインバータ列に比べて大幅に小さくでき、回
路規模を低減できる。
FIG. 6 is a block diagram of the circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, and is an example in which the present invention is applied to the conventional circuit shown in FIG. In FIG. 6, the clock signal φ0 is guided to one input of the exclusive NOR circuit 14, and is also guided to the other input of the exclusive NOR circuit 14 via a delay circuit 223 consisting of an inverter circuit 122 and a capacitor 213, and to the NOR circuit 14.
It is led to one input of the ND circuit I31.132. The output of the exclusive NOR circuit 14 is the NAND circuit 13>, 1
32, this NAND circuit 1311
32 outputs are led to output terminals 171.172 and 181.182 via inverter circuits 12+12s, respectively. In this embodiment circuit of FIG. 2 as well, the delay circuit 22
3 can be significantly smaller than conventional inverter arrays, and the circuit scale can be reduced.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、本発明によれば、CMOSプロ
セス等によりスイッチト・キャパシタ回1/&を製造す
る場合にも、従来は多数のインバータを必要とするため
に回路規模が大きくなっていた遅延回路を小さな回路規
模で実現できるようになる。
As explained above, according to the present invention, even when manufacturing a switched capacitor circuit 1/& using a CMOS process or the like, conventionally, a large number of inverters were required, resulting in a large circuit scale. It becomes possible to realize a delay circuit with a small circuit scale.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はスイソチト・キャパシタ回路の回路図。 第2図はクロックφ1、φ2のタイミング図。 第3図、第4図は従来例のクロ・ツク発生回路のブロッ
ク構成図。 第5図は本発明第1実施例回路のプロ・ツク構成図。 第6図は本発明第2実施例回路のプロ・ツク構成図。 Ill、112・・・NOR回路、121〜124・・
・インバータ回路、131.132・・・NAND回路
、14・・・排他的NOR回路、211〜213・・・
キャパシタ、221〜223・・・遅延回路。 特許出願人代理人 弁理士井出直孝’l’I’(”5.j
FIG. 1 is a circuit diagram of a Swissotito capacitor circuit. FIG. 2 is a timing diagram of clocks φ1 and φ2. FIGS. 3 and 4 are block diagrams of conventional clock generation circuits. FIG. 5 is a block diagram of the program of the circuit according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a block diagram of a circuit according to a second embodiment of the present invention. Ill, 112...NOR circuit, 121-124...
・Inverter circuit, 131.132...NAND circuit, 14...Exclusive NOR circuit, 211-213...
Capacitors, 221-223...Delay circuit. Patent applicant representative patent attorney Naotaka Ide 'l'I'("5.j

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) スイッチ素子とキャパシタと演算増幅器とで構
成されるスイソチト・キャパシタ回路と、このスイソチ
ト・キャパシタ回路のスイッチ素子へ開閉制御用のクロ
ック信号を供給するクロック発生回路と が1個の集積回路に構成され、 上記クロック発生回路に含まれる時間遅延回路は時間遅
延用のキャパシタを含む回路により構成されたことを特
徴とするスイソチト・キャパシタ回路のクロック発生回
路。
(1) A Swiss-chito capacitor circuit composed of a switching element, a capacitor, and an operational amplifier, and a clock generation circuit that supplies a clock signal for opening/closing control to the switching element of this Swiss-chito capacitor circuit are integrated into one integrated circuit. A clock generation circuit of a Swisso-chito capacitor circuit, characterized in that the time delay circuit included in the clock generation circuit is constituted by a circuit including a capacitor for time delay.
(2) クロック発生回路は、第1および第2のN。 R回路と、それぞれインバータ回路とキャパシタを含む
第1および第2の遅延回路とを備え、ローレベルとハイ
レベルの時間比が50 :50である信号が上記第1N
OR回路に入力するとともにその反転信号が上記第2N
OR回路に入力し、上記第1NOR回路の出力が上記第
1遅延回路を介して上記第2NOR回路に入力し、この
第2NOR回路の出力が上記第2遅延回路を介して上記
第1NOR回路に入力し、上記第1および第2NOR回
路の出力から出力クロック信号を得るように構成された
ことを特徴とする特許請求の範囲第+11項に記載のス
イッチト・キャパシタ回路のクロック発生回路。
(2) The clock generation circuit includes first and second N clock generation circuits. R circuit, first and second delay circuits each including an inverter circuit and a capacitor, and a signal having a time ratio of low level and high level of 50:50 is the first N circuit.
The inverted signal is input to the OR circuit and the second N
The output of the first NOR circuit is input to the second NOR circuit via the first delay circuit, and the output of the second NOR circuit is input to the first NOR circuit via the second delay circuit. 12. The clock generating circuit for a switched capacitor circuit according to claim 11, wherein the clock generating circuit is configured to obtain an output clock signal from the outputs of the first and second NOR circuits.
(3) クロック発生回路は、排他的NOR回路と、第
1および第2のNAND回路と、インバータ回路および
キャパシタを含む遅延回路とを備え、ローレベルとハイ
レベルの時間比が50 + 50である信号が上記排他
的NOR回路に入力するとともに上記遅延回路を介して
上記排他的NOR回路、第1NAND回路および第2N
AND回路に入力し、上記排他的NOR回路の出力が上
記第1および第2NAND回路に入力し、この第1およ
び第2NAND回路の出力から出力クロック信号を得る
ように構成されたことを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項に記載のスイッチト・キャパシタ回路のクロック
発生回路。
(3) The clock generation circuit includes an exclusive NOR circuit, first and second NAND circuits, and a delay circuit including an inverter circuit and a capacitor, and the time ratio between low level and high level is 50 + 50. A signal is input to the exclusive NOR circuit, and passes through the delay circuit to the exclusive NOR circuit, the first NAND circuit, and the second NOR circuit.
The clock signal is input to an AND circuit, the output of the exclusive NOR circuit is input to the first and second NAND circuits, and an output clock signal is obtained from the outputs of the first and second NAND circuits. Claim No. (
A clock generation circuit for the switched capacitor circuit according to item 1).
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