JPS607432A - Improved formation of fine metal wire - Google Patents
Improved formation of fine metal wireInfo
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- JPS607432A JPS607432A JP59097401A JP9740184A JPS607432A JP S607432 A JPS607432 A JP S607432A JP 59097401 A JP59097401 A JP 59097401A JP 9740184 A JP9740184 A JP 9740184A JP S607432 A JPS607432 A JP S607432A
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- metal
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- metal layer
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、一般的に云うと極微細な金属線ケ形成する改
良された方法に関する。更に1体的に云うと、本発明は
、VHF表面音jU (SAW ) l−ランスジュー
サ耐生産するのに特によく適した1ミクロン以下の(s
ub−micron )金属線を作る方法に門才る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates generally to an improved method of forming ultrafine metal wires. More generally, the present invention provides submicron (s.
ub-micron) Expert in how to make metal wire.
発明の背景
幅が1ミクロンよりや\細い醇市性金?<の稈又はトレ
ースff:経済的に、また薗い信頼1凭で生i゛(<
−4−ることは多くの場合に必要であり、又は望ましい
ことである。例えば、幅が波長の4のトランスジューサ
フィンガな有する高周波SAWデバイスの生産において
は、一般的な圧電基板を用いる場合には幅が約μミクロ
ン又はそれ以下の線が必要となる。Background of the invention Is the width of the invention thinner than 1 micron? <'s culm or trace ff: It is economical and can be grown with just one ounce of trust (<
-4- It is often necessary or desirable to do so. For example, the production of high frequency SAW devices having transducer fingers four wavelengths wide requires lines on the order of microns or less in width when using a typical piezoelectric substrate.
電子ビーム(Eビーム)書込みを用いて、1ミクロン以
下の線を作るのに十分なほど細かい分解能をもつホトレ
ジストを露光することは理論的には可能である。しかし
、ホトレジスタ層における電荷の蓄積などの実際的な問
題が生じた結果、イh頼度の高いサブミクロン金属線ケ
作るためにいくつかの異なるイオンエツチングステップ
と組合せた数層の有機ホトレジスタ層用いた複雑なプロ
セスが開発された。これらの複雑な方法は製造プロセス
にかなりの余分な費用を尋人することになる。It is theoretically possible to use electron beam (E-beam) writing to expose photoresist with resolution fine enough to create lines of 1 micron or less. However, as a result of practical problems such as charge accumulation in the photoresist layer, it has become difficult to etch several organic photoresist layers in combination with several different ion etching steps to create reliable submicron metal wires. A complex process was developed. These complicated methods add considerable extra cost to the manufacturing process.
例えは、1980年の”超音波シンポジウム“で“サブ
ミクロン時代の電極を有する低損失0.9−t9GHz
SAWフィルタ“と題してUrabeらが説明したプ
ロセスは、PMMAおよびAZ−1350ホトレジスト
および酸素イオンおよびアルゴンイオンビームエツチン
グステップの両方化用いている。こび〕フ”ロセスは複
雑であり、システムを汚染し、l、)ぐつカ・の精密に
制御されたエツチング速度を必要とする。For example, at the "Ultrasonic Symposium" in 1980, "Low loss 0.9-t9GHz with submicron era electrodes"
The process described by Urabe et al. under the title "SAW filter" uses PMMA and AZ-1350 photoresists and both oxygen ion and argon ion beam etching steps. , l,) requires a precisely controlled etching rate.
発明の要約
従って本発明の目的は、微細な金属線ケ作る改良された
方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an improved method of making fine metal wires.
本発明のもう1つの目的は、Eビーム露光火用いて微細
な金属線ケ作る改良された方法ケ提供゛イーることであ
る。Another object of the present invention is to provide an improved method of making fine metal wires using E-beam exposure.
本発明の特定の実施例は、Eビーム書込みによるPMM
A (ポリメチルメタクリレート)ホトレジストの熱光
を含む方法から成る。分解能の低「をきたすホトレジス
ト層への重荷#積はホトレジストの下にあるアルミニウ
ム層によって調口11されう。A specific embodiment of the present invention provides a PMM with E-beam writing.
A (polymethyl methacrylate) photoresist method involving thermal light. The stress on the photoresist layer that results in poor resolution is accounted for by the aluminum layer underlying the photoresist.
尭毘されたホトレジストが除去され5と、♀表面にわた
ってチタン層が堆積される。次に、残つCいるホトレジ
ストおよび、lrO上にあるチタンケ除去し、アルミニ
ウム層とその上にあるチタンf1つ線を残す。次に、ア
ルミニウムは除去すうがチ、タンは除去しない化学的エ
ツチング液3表面に噌用ゴる。従って、チタンによって
覆われていないアルミニウム層の部分は除去される。好
ましい実施例ではSAWトランスジューサ?構成する残
存金属線は、下方にある厚さ約500−1000オング
ストロームのアルミニウム層と厚さ約200−3.、I
Oオングストロームの上方のチタン層とから作られる。The stripped photoresist is removed 5 and a titanium layer is deposited over the ♀ surface. Next, the remaining C photoresist and the titanium film on the lrO are removed, leaving the aluminum layer and one titanium line on it. Next, a chemical etching solution is applied to the surface of the etching solution 3, which removes the aluminum but does not remove the tan. Therefore, the parts of the aluminum layer not covered by titanium are removed. In a preferred embodiment, a SAW transducer? The remaining metal lines comprise an underlying aluminum layer approximately 500-1000 angstroms thick and approximately 200-3. , I
an overlying titanium layer of 0 angstroms.
このプロセスにより作られる2 Jiの金属線はμミク
ロン又はそれ以下の幅で高い48頼5−tもって経l所
的に製造することかでさる。更に、金属線が都電性金属
の2層馨含むという子実は線の電気特性を改善する。The 2 Ji metal wires produced by this process can be fabricated locally with a width of microns or less and a high thickness of 48 mm. Furthermore, the fact that the metal wire contains two layers of metal improves the electrical properties of the wire.
本発明のこれらの、およびその他の利点は図面ならびに
下記の詳細な説明から当業者には明らρ・になるでめろ
う。These and other advantages of the present invention will be apparent to those skilled in the art from the drawings and detailed description below.
第1図は、本発明の原理による処理をうけるデバイスの
’LAJ’r面図である。本発明の1自定の実施例では
、このプロセスはLiNb0j基板上のSAWデバイス
のトランスジユーザを作るのに用いられている。FIG. 1 is a 'LAJ'r view of a device undergoing processing in accordance with the principles of the present invention. In one particular embodiment of the present invention, this process is used to create transusers for SAW devices on LiNb0j substrates.
使用された1LiNboxの特定のカット(128°Y
−Xカット)上の表面音波速度は約3995メ一トル
/抄であり、製作されるデバイスの中心局7JJi叡は
約930メ〃ヘルツであるので、幅が3波長である個々
のトランスシュータフィンガは幅が約0.5ミクロンと
なるはずである。Specific cut of the 1LiNbox used (128°Y
The surface acoustic velocity on the - should be approximately 0.5 microns wide.
基板はこの特殊な応用例にノ1え当なよ5な焼なましく
anneatlng)および清子化ステップにコニリ
従来σフ方法で阜備されている。高温を用いるtべての
プロセスステップの場合と同様に、焼なましステップは
特にLiNbO5の128°Y−Xカットでは十分′/
、[応力緩和のために十分な冷却時間化かけなけ3げな
らない。第1金属の層11 を気相成長又はスバッ、タ
リングなどのプロセスによって敬【1オングストローム
の厚さに堆積させる。第1に考えるべきことは層11に
ピンポールが殆んどないようにすることである。こ\に
開示する本発明の特殊な実施例においては、層11は約
700オングストロームのアルミニウムから成る。The substrate is provided in a conventional sigma method for this particular application with an annealing step which is not appropriate for this particular application. As with all process steps that use high temperatures, the annealing step is sufficient, especially for the 128° Y-X cut of LiNbO5.
[3] Sufficient cooling time must be provided for stress relaxation. A layer 11 of the first metal is deposited to a thickness of approximately 1 angstrom by vapor deposition or by a process such as sputtering or taring. The first consideration is to ensure that layer 11 has almost no pinpoles. In the particular embodiment of the invention disclosed herein, layer 11 comprises approximately 700 angstroms of aluminum.
次にホトレジスト層12ヲ金属層11の−1に堆積させ
る。好ましいホトレジストは、ろ)尚しウェ−ハの回転
中にその中央に滴下したPMMA (ポリメチルメタク
リシート)の4チ溶液である。先づ最初にウェーハ6約
500 rpmで回転させる。60秒の間にその回転速
曳電徐々に早くして54[)Orpmにまでする。PM
MAホトレジストリ場合には、ウェーハはホトレジスト
で成環する前に焼成(baking) Lなければなら
ない。これが終ったら電子ビーム14を用して電極パタ
ーン馨露光する。1平方センチメートル当たり2ナノア
ンペアのEビーム電流および110マイクロクーロンの
電荷(Charge )が満足すべきものであることが
見出された。Eビーム露光期間中のPMMAへの電荷蓄
積は接地層(groundingムyer)11によっ
て制御される。接地がなくてもある程度の制御は行われ
るが、接地が好ましい。A photoresist layer 12 is then deposited on metal layer 11 -1. A preferred photoresist is a solution of PMMA (polymethyl methacrylate) dropped onto the center of the wafer while it is being rotated. First, the wafer 6 is rotated at about 500 rpm. The rotational speed is gradually increased to 54[) Orpm during 60 seconds. PM
In the case of MA photoresist, the wafer must be baked before ring formation with photoresist. After this is completed, the electrode pattern is exposed using the electron beam 14. An E-beam current of 2 nanoamps per square centimeter and a Charge of 110 microcoulombs was found to be satisfactory. Charge accumulation on the PMMA during E-beam exposure is controlled by a grounding layer 11. Although some control can be achieved without grounding, grounding is preferred.
さて第2図を参照すると、その後の処理段階における第
1図のウェーハが示されている。金属層11はまだ基板
10上にある。ホトレジスト層12は、その露光部分?
除去するように現像される。PMMAホトレジストはウ
ェーッ\をメチルイソブチルケン) (MIBK)中に
温度60℃で70秒間浸漬することによって現像するこ
とができる。ウェーッ・)どイソブチルアルコール3部
とMI旧(1部の溶液中に5秒間PRiftし、次にイ
ングロビルアルコール液中に浸漬する・:とによって直
ちにウェーッ・をゴすぐ。Referring now to FIG. 2, the wafer of FIG. 1 is shown at a subsequent processing stage. Metal layer 11 is still on substrate 10. Is the exposed portion of the photoresist layer 12?
Developed to remove. PMMA photoresists can be developed by dipping the film in methyl isobutylkene (MIBK) for 70 seconds at a temperature of 60°C. Immediately rinse off the water by immersing it in a solution of 3 parts isobutyl alcohol and 1 part MI solution for 5 seconds, then dipping into Inglovir alcohol.
その後ウェーッ・は回転させホット窒素で乾燥させなが
らメタノールで洗浄する。ウェーッ・が乾燥しだらウェ
ーッーを15秒間酸素プラグ・マにさらすことによって
現像した部分に残っているP M M Aがあればそt
tV除去することが有用であることが見出されている。The tube is then rotated and dried with hot nitrogen while being washed with methanol. Once the wafer has dried, expose the wafer to an oxygen pragma for 15 seconds to remove any remaining PMMA from the developed area.
It has been found that removing tV is useful.
第6図Aを参照すると、その後の処理段階における第1
図および第2図のウェーッ・が示さ才しCいる。基板1
0.金属層11および現像[7たホトレジヌ) 121
;t、前のま\残つ℃いる。更に、@4J2金属の層1
6がウェーハ全体の上に堆積されている。Referring to FIG. 6A, the first
The diagrams in Figure 2 and Figure 2 are clearly illustrated. Board 1
0. Metal layer 11 and development [7 photoresin] 121
;t, the previous one remains ℃. Furthermore, @4J2 metal layer 1
6 is deposited over the entire wafer.
チタンであることが好ましい弔2金属は、Bp、 1金
属を除去する化学的エッチYントが弔2金属に殆んど影
響を与えないように選択されている。従って、)gq1
6は層11の化学的エツチングステップにおけるマスク
として用いられる。層16は好走しい実施例ではEビー
ム蒸着チャンノ(内で15メ一ングストローム/秒の速
度で約200オングストロームの厚さに堆積される。ウ
ェーッ・は第2金属カーそこから蒸着されるるつぼと関
連して第2金属が90゜の入射角で近づけるように配置
されなけれはならない。このためにはウェー)Sとるつ
ぼとの間に最大実用間隔化おく必要がある。The second metal, which is preferably titanium, is selected so that the chemical etch that removes the second metal has little effect on the second metal. Therefore,)gq1
6 is used as a mask in the chemical etching step of layer 11. In a preferred embodiment, layer 16 is deposited to a thickness of about 200 angstroms at a rate of 15 angstroms per second in an E-beam evaporation chamber. The second metal must be placed in close proximity at an angle of incidence of 90°.This requires a maximum practical spacing between the wire and the crucible.
第3図Bを参照すると、第3図Aに示したウェーハの拡
大図が示されている。現像プロセスの間に除去されたホ
トレジスタ層120部分に隣接するホトレジスト層12
の壁20はや\凹形になっている。これは現像プロセス
ケ確実に完全に11L行させることによって連成される
。ホトレジスト層σ〕現像が不十分であると、所望する
側Ai幾何構造が得られず、その後のプロセスステップ
が妨げら′iする。第6図Bにみられるように、金属層
11σ)1−ぐ上にある金属+門isの部分の幅Wはホ
トレジスト層12の上方の縁によって決定される。こυ
〕・ことは金属層16は現像した領域の縁におI/Aて
とぎれており、その後のリフトオフプロセスを促造する
ことlaS保g11−する。所望の側壁幾何イト¥造り
j:’fi rj−1−るにはプロセスバラメークゲ少
し新化さ−1−る必・川があるであろう。Referring to FIG. 3B, an enlarged view of the wafer shown in FIG. 3A is shown. Photoresist layer 12 adjacent to the portion of photoresist layer 120 that was removed during the development process
The wall 20 is somewhat concave. This is coupled by ensuring that the development process runs completely 11L. Insufficient development of the photoresist layer σ does not result in the desired side Ai geometry and hinders subsequent process steps. As seen in FIG. 6B, the width W of the portion of the metal+gate is overlying the metal layer 11σ)1 is determined by the upper edge of the photoresist layer 12. This υ
The fact is that the metal layer 16 is truncated at the edge of the developed area to facilitate the subsequent lift-off process. The desired sidewall geometry may require some modification of the process structure.
第4図夕呑照イーると、その後のプロセス1ノセ出・し
〔お1・するウェーッ\が示されている。7′i二1し
う5ス1層の現像不足の部分およびホトレジストσ)−
1−にろ−った層16の川(3)はリットオフさ第1.
てIl)る。こ第1+!。Figure 4 shows the subsequent process of starting the process. 7'i21 Underdeveloped area of 5th layer and photoresist σ)-
1 - The river (3) of the 16th layer is lit off the first.
Ill). This is the first +! .
ウェーッ・ケアセトンに1受清することに人一つ−C’
4’j i)れZ)。アセトンに浸偵しでもリフトオフ
プr・セスがif I¥よく完了しない場合には、こく
短11J1間1ンエーハ馨アルミニウムエツチーング液
に’1.+:i’+”t L超t1θヴ振HijII火
加える・二とが一01能である。し、力用7.7101
/シストおよび過豹1の弔2金N+層の完全な1jフ1
メフケ(r(if実に行う最も効果的II方法モj1.
31,1.イCタフ゛口lイスの終点を慎i1(にさぬ
ることである。現f(過11(。It's one person to receive one blessing from Wet Keaseton-C'
4'j i)reZ). If the lift-off process is not completed well even after soaking in acetone, add aluminum etchant to the aluminum etching solution. +: i'+"t L super t1θ V vibration HijII fire addition ・2 is 101 ability. And force 7.7101
/ Cyst and Leopard 1 Funeral 2 Gold N+ layer complete 1jfu 1
Mefke(r(if actually the most effective method II)
31,1. It is important to carefully mark the end point of the chair at i1(.
現像不足および酸素プラズマ・\の籍出過各は、1゜べ
で所望しl、(い側壁幾何上1′4造ゲ形成博−イ・=
SS能力カーる。リフトオフプロセスが完了すると、損
われないよ\σ) F(! i金j1ハ1fi11.お
よびQフトノ−フフ゛ロセスで除去されなかった第2金
1i4%I?/i16σ9・−JL「)の部分によって
範囲を限定された電極パターンとともに基板10が残る
。Insufficient development and excessive release of oxygen plasma are desired at 1°, (1'4 artificial ridge formation on the side wall geometry =
SS ability car. Once the lift-off process is complete, it will not be damaged\σ) by the portion of the second gold 1i4%I?/i16σ9・-JL'' that was not removed in the F (! The substrate 10 remains with the defined electrode pattern.
第5図乞参照すると、完成したデバイスが示されている
。第1金属層11は第2金属層16をマスクとして用い
てエツチングされ、基板1oの表面上に分離した金属線
が残されている。上述したアルミニウムーチタニウム系
の場合には、アルミニウムエツチング液は硝酸1部、脱
イオン水4部。Referring to FIG. 5, the completed device is shown. First metal layer 11 is etched using second metal layer 16 as a mask, leaving isolated metal lines on the surface of substrate 1o. In the case of the aluminum-titanium system mentioned above, the aluminum etching solution was 1 part nitric acid and 4 parts deionized water.
燐酸18部とすることが好ましい。このエツチングプロ
セスは約60秒間室温で行うか、又はF方の基板10が
現われるまで行う。エツチング液しすぎないよう注意す
べきである。ウェーハは脱イオン水およびイソプロピル
アルコール中で直ちにすすぎ洗いをすべきである。It is preferable to use 18 parts of phosphoric acid. This etching process is carried out for about 60 seconds at room temperature or until the F-side substrate 10 is exposed. Care should be taken not to use too much etching solution. The wafer should be immediately rinsed in deionized water and isopropyl alcohol.
開示したプロセスを用いて幅が’Aミクロンのトランス
ジューサフィンガを有するSAWデバイスを商い信頼度
ケもって経済的に生産することが可能なことが見出され
ている。本発明は先行技術のプロセスに含まれる多重ホ
トレジスト層およびイオンビームエッチングステップケ
用いないですむだけでなく、作られた金属線は最終金属
線が2つの金属層からなるという事実により改良された
電気特性を有する。このことは、いづれかの全1出層の
ピンホールがデバイスの電気的性能に著じるしい影響9
与える巧能性ケ少なくする。It has been found that it is possible to commercially and reliably and economically produce SAW devices having transducer fingers that are 'A microns wide using the disclosed process. Not only does the present invention eliminate the multiple photoresist layers and ion beam etching steps involved in prior art processes, but the metal lines produced have improved electrical properties due to the fact that the final metal line consists of two metal layers. have characteristics. This means that pinholes in any one full layer can have a significant effect on the electrical performance of the device9.
Give less skill.
本発明をその好ましい実施例に関連して特に示し記述し
たが、本発明の精神および範囲を逸脱せずに本発明の原
理から他のか(■々の変形および変更が本発明に対し行
われることが当業者により理解されるであろう。Although the invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it is contemplated that other modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit and scope of the invention. will be understood by those skilled in the art.
第1図は、本発明の原理により処理を5けるデバイスの
一部分の断面図である。
第2図は、本発明の原理による処理のその後の段階にお
けるデバイスの第1図に対応ゴーるし91四図である。
第3図Aは、本発明の原理による処理のその後の段階の
期間中のデバイスの第2図に対応する]()[面図であ
る。
第3図Bは、第6図Aに示したデバイスの一部分の拡大
断面図である。
第4図は、本発明の原理による処理のその後の段階にお
けるデバイスの第6図Aに対応する断面図である。
第5図は、本発明の原理による処理が完了した後のデバ
イスの第4図に対応する断面図である。
第3図Aにおいて、
10は基板
11は金属層
12は現像したホトレジスト層
16は第2金属層(チタン)
特許出願人 モトローラ・インコーボレーデッド代理人
弁理士 玉蟲久五即
1
F’lG、 1
77″G、 2
F’lG、3△
F’、IC,3:9
P’IC,5’FIG. 1 is a cross-sectional view of a portion of a device processed in accordance with the principles of the present invention. FIG. 2 is a diagram 914 corresponding to FIG. 1 of the device at a subsequent stage of processing in accordance with the principles of the present invention. FIG. 3A is a top view corresponding to FIG. 2 of the device during a subsequent stage of processing in accordance with the principles of the present invention. FIG. 3B is an enlarged cross-sectional view of a portion of the device shown in FIG. 6A. FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 6A of the device at a subsequent stage of processing in accordance with the principles of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4 of the device after processing according to the principles of the present invention has been completed. In FIG. 3A, 10 is a substrate 11 is a metal layer 12 is a developed photoresist layer 16 is a second metal layer (titanium) Patent applicant Motorola Inc. Patent attorney Patent attorney Kugo Tamamushi 1 F'lG, 1 77″G, 2 F'lG, 3△ F', IC, 3:9 P'IC, 5'
Claims (1)
させるステップと、 Eビーム?用いて所定のパターンにて前記ホトレジスト
?露光するステップと、 前記ホトレジスト’に現像させるステップと、前記ホト
レジスト層及び第1金夙屓上に、選択された第2金属層
な堆積させ、前記第1金属ケ除去する作用物質によって
殆んど影付ソ受けないようにするステップと、 前記ホトレジストの残っている部分および前記ホトレジ
ストの上にある前記第2金属層の部分とを除去するステ
ップと、 前記第2金属層により保獲されない前記第1金属層の部
分ン前記作用物により除去するステップと、を具えるこ
とを特徴とする 金属線形成法。 2、前記EビームyK光の期間中前記第1金属層を接地
するステップを更に具える前記特fl″請求の範囲第1
項による金属線形成法。 ろ、前記ホトレジスト’に現像するステップは、更に、
前記ホトレジスト乞現像剤に充分な時間露光し、凹形構
造?つくるスデノプ欠県える前記特許請求の範囲第1項
による金属線形成法。Claims: 1. Depositing a first metal on a substrate surface; depositing an E-beam photoresist on the first metal layer; E-beam? The photoresist in a predetermined pattern using? exposing the photoresist to light; developing the photoresist; depositing a selected second metal layer on the photoresist layer and the first metal layer; removing the remaining portions of the photoresist and portions of the second metal layer overlying the photoresist; and removing the remaining portions of the second metal layer that are not captured by the second metal layer. removing a portion of one metal layer with said agent. 2. The feature further comprises the step of grounding the first metal layer during the period of the E beam yK light.Claim 1
Metal wire forming method according to section. The step of developing the photoresist' further comprises:
The photoresist requires exposure to a developer for a sufficient time to form a concave structure? The metal wire forming method according to claim 1, which lacks the ability to make a metal wire.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49958083A | 1983-05-31 | 1983-05-31 | |
US499580 | 1983-05-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607432A true JPS607432A (en) | 1985-01-16 |
Family
ID=23985815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59097401A Pending JPS607432A (en) | 1983-05-31 | 1984-05-15 | Improved formation of fine metal wire |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607432A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2361551A (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-24 | Nec Corp | Reticle |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59097401A patent/JPS607432A/en active Pending
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GB2361551A (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-24 | Nec Corp | Reticle |
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