JPS607233A - 光周波数変調装置 - Google Patents
光周波数変調装置Info
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- JPS607233A JPS607233A JP58114236A JP11423683A JPS607233A JP S607233 A JPS607233 A JP S607233A JP 58114236 A JP58114236 A JP 58114236A JP 11423683 A JP11423683 A JP 11423683A JP S607233 A JPS607233 A JP S607233A
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- optical frequency
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Signal Processing (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明のＦｌする技術分野−Ｉ
この発明は、光；【１信に於ける半導体発光素子の光出
力を変言周するだめの光周波数変調装置に係り、特に光
出力強度を安定化した光周波数変調装置に関するっ ［従来技術とその問題へ］ 半導体レーザには、注入電流を変化することにより、光
出力の強度変化と共に発振周波数が変化するという特徴
がある。この場合発振周波数の変化は、変化速度が遅い
領域では熱的によるもので、また変化速度が速い領域で
はキャリア効果によるものである。これは、例えばＡ４
ＧａＡｓレーザの発振周波数は、熱的には４ ＧＨｚ／
ｍ人程度変化し、キャリア効果では４ＱＯＭＨｚ／ｍλ
程度変化する。
力を変言周するだめの光周波数変調装置に係り、特に光
出力強度を安定化した光周波数変調装置に関するっ ［従来技術とその問題へ］ 半導体レーザには、注入電流を変化することにより、光
出力の強度変化と共に発振周波数が変化するという特徴
がある。この場合発振周波数の変化は、変化速度が遅い
領域では熱的によるもので、また変化速度が速い領域で
はキャリア効果によるものである。これは、例えばＡ４
ＧａＡｓレーザの発振周波数は、熱的には４ ＧＨｚ／
ｍ人程度変化し、キャリア効果では４ＱＯＭＨｚ／ｍλ
程度変化する。
近時、このような半導体レーザの発振周波数が変化する
とい、う特徴を生かして、半導体レーザの光出力の変調
信号を伝送した後、受光信号を８／Ｎ良く検出するとい
う考案がなされている。尚、半導体レーザの発振周波数
及び光強度は、半導体レーザの周囲温度によっても影響
を受ける。
とい、う特徴を生かして、半導体レーザの光出力の変調
信号を伝送した後、受光信号を８／Ｎ良く検出するとい
う考案がなされている。尚、半導体レーザの発振周波数
及び光強度は、半導体レーザの周囲温度によっても影響
を受ける。
これは、例えばＡ／ＧａＡｓレーザに於いてその発振周
波数は１周囲温度が１ ’０変化するにあ、たり加乃至
３０ ＧＨ３程度の変化がある。従って、半導体レーザ
の発振周波数変化を光通信に用いるには、半導体レーザ
の注入電流の安定化と周囲温度の安定化とを図る必要が
ある。このうち半導体レーザの注入電流の安定化に関し
ては、従来第１図に示すようなものが考案されている。
波数は１周囲温度が１ ’０変化するにあ、たり加乃至
３０ ＧＨ３程度の変化がある。従って、半導体レーザ
の発振周波数変化を光通信に用いるには、半導体レーザ
の注入電流の安定化と周囲温度の安定化とを図る必要が
ある。このうち半導体レーザの注入電流の安定化に関し
ては、従来第１図に示すようなものが考案されている。
これは半導体レーザの注入電流に半導体レーザの発振周
波数の変化分を帰還して発振周波数の安定化を図−でい
るものである。
波数の変化分を帰還して発振周波数の安定化を図−でい
るものである。
即ち、半導体レーザ（１）の出力光の一部を２個のビー
ムスプリッタ（２１、（３）により夫々第１の光出力及
び第２の光出力をＪｉり出す。この第１の光出力は直接
第１の光検出器（４）で受光され、第２のゲＣ出力は光
周波数の変化分を光強度変化に変換する光共振器（５）
を経た後第２の光検出器（６）で受）′Ｃする。
ムスプリッタ（２１、（３）により夫々第１の光出力及
び第２の光出力をＪｉり出す。この第１の光出力は直接
第１の光検出器（４）で受光され、第２のゲＣ出力は光
周波数の変化分を光強度変化に変換する光共振器（５）
を経た後第２の光検出器（６）で受）′Ｃする。
次に、第１及び第２の光検出器（４）及び（６）の受光
信号を夫々差動増幅器（力に入力し、第２の）Ｙ：検出
器（６）の受光信号の第１の光検出器（４）の受光信号
に対する差を取り出す。この差動増幅器（力の出力をＤ
Ｃバイアス用電極（８）の出力電圧に重畳し、半導体レ
ーザ（１）に帰還をかけている。
信号を夫々差動増幅器（力に入力し、第２の）Ｙ：検出
器（６）の受光信号の第１の光検出器（４）の受光信号
に対する差を取り出す。この差動増幅器（力の出力をＤ
Ｃバイアス用電極（８）の出力電圧に重畳し、半導体レ
ーザ（１）に帰還をかけている。
以上の構成に於いて、第１の光検出器（４）によゆ実際
の半導体レーザ（１）の光出力強度を検出して差動増幅
器（力に入力する革命信号を得ている。従って、半導体
レーザ（１）の出力光強度が変化しても発振周波数は安
定化できる。まだ、このような注入電流帰還により半導
体レーザの発振周波数安定化の手法としては、第１図に
於いて第１のビームスプリッタと第１の光検出素子との
間の光出力経路に光共振器を設は他方の光共振器（５）
と差動形にしたものもある。
の半導体レーザ（１）の光出力強度を検出して差動増幅
器（力に入力する革命信号を得ている。従って、半導体
レーザ（１）の出力光強度が変化しても発振周波数は安
定化できる。まだ、このような注入電流帰還により半導
体レーザの発振周波数安定化の手法としては、第１図に
於いて第１のビームスプリッタと第１の光検出素子との
間の光出力経路に光共振器を設は他方の光共振器（５）
と差動形にしたものもある。
このように半導体レーザの発振光周波数の安定化を行な
った後、発振光周波数の変調を行うには注入電流帰還の
帯域を十分越えた信号成分をＤＣバイアス電流に重畳す
る方法が従来より行われている０ しかしながら半導体レーザへの注入電流を変化させて発
振光周波数の変調を行う２、これと同時に強度変調も行
われるので、例えば光伝送系等の周波数応答を測定する
場合等の周波数変化のみを利用して信号の伝送を行う際
は、半導体レーザの出力光強度が変化することにより正
確な測定が行えないという欠点がある。
った後、発振光周波数の変調を行うには注入電流帰還の
帯域を十分越えた信号成分をＤＣバイアス電流に重畳す
る方法が従来より行われている０ しかしながら半導体レーザへの注入電流を変化させて発
振光周波数の変調を行う２、これと同時に強度変調も行
われるので、例えば光伝送系等の周波数応答を測定する
場合等の周波数変化のみを利用して信号の伝送を行う際
は、半導体レーザの出力光強度が変化することにより正
確な測定が行えないという欠点がある。
また光通信に用いる場合では半導体レーザの出力光強度
の変調波が混在するために位相歪等が生じＳ／Ｎが劣化
してしまうことがある。
の変調波が混在するために位相歪等が生じＳ／Ｎが劣化
してしまうことがある。
［発明の目的１
本発明は、上述の問題点を考慮してなされたもので、半
導体レーザの出力光強度を変化させることなく出力光周
波数のみを変化させることのできる光周波数変調装置を
提供することを目的とする。
導体レーザの出力光強度を変化させることなく出力光周
波数のみを変化させることのできる光周波数変調装置を
提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明の光周波数変調装置は、第１の帰還ループと第２
の帰還ループとを有している。
の帰還ループとを有している。
第１の帰還ループは、直流バイアスにより駆動する半導
体レーザと、この半導体レーザの出力光周波数との共振
光周波数を変化し得る第１の光共振器と、この第１の光
共振器の出力光を分岐する第１の光分岐器と、この第１
の光分岐器の一方の出力光の出力光強度を検出する第１
の光検出器とこの第１の光検出器の出力電圧と第１の基
準電圧とを比較する第１の差動増幅回路とから成りこの
第１の差動増幅回路の出力を半導体レーザの直流バイア
スに重畳している。
体レーザと、この半導体レーザの出力光周波数との共振
光周波数を変化し得る第１の光共振器と、この第１の光
共振器の出力光を分岐する第１の光分岐器と、この第１
の光分岐器の一方の出力光の出力光強度を検出する第１
の光検出器とこの第１の光検出器の出力電圧と第１の基
準電圧とを比較する第１の差動増幅回路とから成りこの
第１の差動増幅回路の出力を半導体レーザの直流バイア
スに重畳している。
また第２の帰還ループは、第１の光分岐器の他方の出力
光周波数との共振光周波数を変化し得る第２の光共振器
と、この第２の光共振器の出力光を分岐して一方を外部
への出力光とし他方の一部を検出用の出力光とする第２
の光分岐器に１この検出ｆｆ＋の出力光の出力光強度を
検出する第２の光検出器と、この第２のうＹ４検出器の
出力電圧と第２の基準電圧とを比較する第２の差動増幅
回路とから成りこの第２の差動増幅回路の出力により第
１の光共振器の共振光周波数を変化させている。
光周波数との共振光周波数を変化し得る第２の光共振器
と、この第２の光共振器の出力光を分岐して一方を外部
への出力光とし他方の一部を検出用の出力光とする第２
の光分岐器に１この検出ｆｆ＋の出力光の出力光強度を
検出する第２の光検出器と、この第２のうＹ４検出器の
出力電圧と第２の基準電圧とを比較する第２の差動増幅
回路とから成りこの第２の差動増幅回路の出力により第
１の光共振器の共振光周波数を変化させている。
「発明の効果］
半導体レーザの出力光強度を安定化させる第１の帰還ル
ープとさらに出力光周波数変調を制御する第２の帰ｊ！
ループにより半導体レーザの出力光を出力光強度を変化
させることなく出方周波数のみを変化させることができ
る光周波数変調装置を得る仁とができる。
ープとさらに出力光周波数変調を制御する第２の帰ｊ！
ループにより半導体レーザの出力光を出力光強度を変化
させることなく出方周波数のみを変化させることができ
る光周波数変調装置を得る仁とができる。
［発明の実施例コ
以下本発明の一実施例を第２図乃至第６図を参照して説
明する。
明する。
第２図に本発明による光周波数変調装置の構成図を示す
。
。
これはまず、直流バイアス用電源θ（のによる直流バイ
アスにより駆動する半導体レーザ（１１）と、光アイソ
レータａ２を通ｊυした半導体レーザ０１）の出刃）Ｙ
：の光周波数上の共振光周波数を印加電圧により変化し
得る第１の光共振器（１３）とから成っている。
アスにより駆動する半導体レーザ（１１）と、光アイソ
レータａ２を通ｊυした半導体レーザ０１）の出刃）Ｙ
：の光周波数上の共振光周波数を印加電圧により変化し
得る第１の光共振器（１３）とから成っている。
また、第１の光共振器０３）の出方）Ｙ：を分岐する、
例えばビームスプリッタからなる第１の光分岐器側と、
この第１の光分岐器（１４１の一方の出カゲＣのうＹ；
強度を検出する第１の光検出器（＋５１．’−，この第
１の光検出器０９の出力型［、’−第１の基準電源（１
（ｏの第１の基準電圧とを比較する第１の差動増幅回路
（ｌηとから成り、この第１の差Ｕ１増幅回路の出方を
半導体レーザ０１）の直流バイアスに重畳する第１の帰
還ループを構成している。
例えばビームスプリッタからなる第１の光分岐器側と、
この第１の光分岐器（１４１の一方の出カゲＣのうＹ；
強度を検出する第１の光検出器（＋５１．’−，この第
１の光検出器０９の出力型［、’−第１の基準電源（１
（ｏの第１の基準電圧とを比較する第１の差動増幅回路
（ｌηとから成り、この第１の差Ｕ１増幅回路の出方を
半導体レーザ０１）の直流バイアスに重畳する第１の帰
還ループを構成している。
さらに、前記第１の光分岐ｇＨ（［４）の他方の出力光
の光周波数上の共振光周波数を変化し得る第２の光共振
器ｆ１８１と、この第２の光共振器（Ｉｉｎの出力光を
分岐して、一方を外部への出力光とし、他方の一部を検
出用の出力光とする、例えばビームスプリッタから成る
第２の光分岐器０９と、この検出用の出力光の光強度を
検出する第２の光検出器Ｃ；０）とから成っている。
の光周波数上の共振光周波数を変化し得る第２の光共振
器ｆ１８１と、この第２の光共振器（Ｉｉｎの出力光を
分岐して、一方を外部への出力光とし、他方の一部を検
出用の出力光とする、例えばビームスプリッタから成る
第２の光分岐器０９と、この検出用の出力光の光強度を
検出する第２の光検出器Ｃ；０）とから成っている。
また、第２の光検出器（２ｆｌｌの出力電圧上第２の基
準電源（２Ｉ）の第２の基準電圧とを比較する第２の差
動増幅回路（、！２＋が設けられ、この第２の差動増幅
回路ｅ功の出力により前記第１の光共振器（１３）の印
加電圧を制御して、この共振光周波数を変化させる第２
の帰還ループを構成している。半導体レーザ０１）は、
直流バイアス用電源（１０）によりしきい値以上の電流
を注入されシングルモード発振している。
準電源（２Ｉ）の第２の基準電圧とを比較する第２の差
動増幅回路（、！２＋が設けられ、この第２の差動増幅
回路ｅ功の出力により前記第１の光共振器（１３）の印
加電圧を制御して、この共振光周波数を変化させる第２
の帰還ループを構成している。半導体レーザ０１）は、
直流バイアス用電源（１０）によりしきい値以上の電流
を注入されシングルモード発振している。
第１及び第２の光共振器（１３１、（１８１は、例えば
ＬｉＮｂＯ３等の電気光学結晶から成り、光の入射面及
び出射面に、例えば誘電体多層膜からなる半透明膜を形
成し、光の入出射面に垂直となる面に対向して電極が設
けられておシ、この電極の印加電圧に応じて結晶内の屈
折率が変化し入射光に対する共振光周波数が変化するも
のである。
ＬｉＮｂＯ３等の電気光学結晶から成り、光の入射面及
び出射面に、例えば誘電体多層膜からなる半透明膜を形
成し、光の入出射面に垂直となる面に対向して電極が設
けられておシ、この電極の印加電圧に応じて結晶内の屈
折率が変化し入射光に対する共振光周波数が変化するも
のである。
この第１及び第２の光共振器（＋３） 、 Ｏｓ＋の共
振光周波数に応じて所望の光出力を得るためには、第１
及び第２の光共振器Ｑ、３１ 、 ＱＲＩを構成する結
晶の屈折率を左右する光路長及び端面反射率で決定され
る。
振光周波数に応じて所望の光出力を得るためには、第１
及び第２の光共振器Ｑ、３１ 、 ＱＲＩを構成する結
晶の屈折率を左右する光路長及び端面反射率で決定され
る。
この第１の光共振器（１，１の久方光と出方光の周波数
関係を第３図により説明する。
関係を第３図により説明する。
半導体レーザα１）の出力光周波数を１１とすると、と
のｆｌの変化を光強度として変換できるように、第１の
光共振器Ｈの共振特性の共振ピークに於ける共振光周波
数ｆ２はｆｌと少したけ異なった光周波数に設定されて
いる。この第１の光共振器（１階の共振光周波数ｆ２の
設定は、前述のごとき光共振器長即ち光路長の制御また
は印加するバイアス電圧の制御により行われる。
のｆｌの変化を光強度として変換できるように、第１の
光共振器Ｈの共振特性の共振ピークに於ける共振光周波
数ｆ２はｆｌと少したけ異なった光周波数に設定されて
いる。この第１の光共振器（１階の共振光周波数ｆ２の
設定は、前述のごとき光共振器長即ち光路長の制御また
は印加するバイアス電圧の制御により行われる。
この状態でｆｌが変化した場合、第１の光共振器ｆｌ：
（ｌの出力）Ｙ；はｆｌの変化に比例するだめ、第２図
中のビームスプリッタ（１４１により分岐された第］の
光共振器（ｌ（の出力光の一部は、第１の光検出器０勺
を経た後、所望の光周波数を有する光の第１の光検出器
（＋５１の出力電圧と同電圧を出力する第１の基準Ｔｊ
ｌ 淵（Ｉｌｉｌとの差を取り増幅し半導体レーザ（１
１）の注入電流に帰還する第１の帰還ループにより第１
の光共振器（１３）の出力光の光周波数は安定化される
。
（ｌの出力）Ｙ；はｆｌの変化に比例するだめ、第２図
中のビームスプリッタ（１４１により分岐された第］の
光共振器（ｌ（の出力光の一部は、第１の光検出器０勺
を経た後、所望の光周波数を有する光の第１の光検出器
（＋５１の出力電圧と同電圧を出力する第１の基準Ｔｊ
ｌ 淵（Ｉｌｉｌとの差を取り増幅し半導体レーザ（１
１）の注入電流に帰還する第１の帰還ループにより第１
の光共振器（１３）の出力光の光周波数は安定化される
。
次に、例えば第１の光共振器（！３＋の印加電圧を変化
させて共振光周波数を１２からｆ２′に変化させると、
第１の光共振器（画の出力光の安定点は、第１の点Ｃ（
０）から第２の点（）１）に移動する。
させて共振光周波数を１２からｆ２′に変化させると、
第１の光共振器（画の出力光の安定点は、第１の点Ｃ（
０）から第２の点（）１）に移動する。
第３図中の点線により、この安定点が変化すると共に半
導体レーザ０１）の出力光強度も変化することを示して
いる。このような第１の光共振器（１濠による安定点の
移動により第１の光共１い器１３１の出力光は、光強（
ａ−が一定で）Ｙ−周波θはｆｌから（、／に変化ｊ−
る。しかし、この場合第１の光共振器ｆＩ（］の印印加
圧の変化分△■と第１の）′ｒ：共振器（１３）出力光
の光周波数の変化分へｆの関係は、この第１の帰還ルー
プによる半導体レーザａ１）への注入電流の変化によシ
半導体レーザＯｎの出力光強度が変化するだめ第４図の
実線Ｇ４で示すように非直線的となる。
導体レーザ０１）の出力光強度も変化することを示して
いる。このような第１の光共振器（１濠による安定点の
移動により第１の光共１い器１３１の出力光は、光強（
ａ−が一定で）Ｙ−周波θはｆｌから（、／に変化ｊ−
る。しかし、この場合第１の光共振器ｆＩ（］の印印加
圧の変化分△■と第１の）′ｒ：共振器（１３）出力光
の光周波数の変化分へｆの関係は、この第１の帰還ルー
プによる半導体レーザａ１）への注入電流の変化によシ
半導体レーザＯｎの出力光強度が変化するだめ第４図の
実線Ｇ４で示すように非直線的となる。
次に第２の帰還ループを説明するが、まず第２の光共振
器０秒は第１の光共振器０３）と同様の育成で印加電圧
の変化により共振光周波数がｆｌｉｌｌ 御できるもの
である。この第２の帰還ループも第１の帰還ループと同
様に、第２の光検出器（２０）の出力電圧と所望の光周
波数を有する光の第２の光検出器（２（ｆ）出力電圧と
同電圧を出力する第２の基１４” ｆｉ（源（２１）と
の差を取シ増幅した後記１の光共振器（１３）の印加電
圧を制御しでいるため、この第２の光共振器帥による安
定点は第５図に示すように第１の点（３ｏ）から第３の
点０ωに移動する。
器０秒は第１の光共振器０３）と同様の育成で印加電圧
の変化により共振光周波数がｆｌｉｌｌ 御できるもの
である。この第２の帰還ループも第１の帰還ループと同
様に、第２の光検出器（２０）の出力電圧と所望の光周
波数を有する光の第２の光検出器（２（ｆ）出力電圧と
同電圧を出力する第２の基１４” ｆｉ（源（２１）と
の差を取シ増幅した後記１の光共振器（１３）の印加電
圧を制御しでいるため、この第２の光共振器帥による安
定点は第５図に示すように第１の点（３ｏ）から第３の
点０ωに移動する。
この場合の出力光周波数の安定化は、半導体レーザ０１
）の出力光周波数ｆ１が少し変化したとへに考慮される
◎第１の帰還ループによる注入電流の変化により、半導
体レーザＯＬ！の出力光周波数がｆ、かうｆｌ−△ｆ１
に変化する際この第１の帰葭ループによる注入電流が一
△■ｏ変化するものとする。
）の出力光周波数ｆ１が少し変化したとへに考慮される
◎第１の帰還ループによる注入電流の変化により、半導
体レーザＯＬ！の出力光周波数がｆ、かうｆｌ−△ｆ１
に変化する際この第１の帰葭ループによる注入電流が一
△■ｏ変化するものとする。
このとき第１のｉｍ ｔＲ小ループ於ける帰還ゲインｆ
ｆｉは、半導体レーザ０１）固有の周０け変化をΔＦ／
△□０とすると、 で示される。
ｆｉは、半導体レーザ０１）固有の周０け変化をΔＦ／
△□０とすると、 で示される。
しかし、第２の帰還ループによる第１の光共振ｒｊ；ｖ
（１３）の印加電圧の変化に伴う共振光周波数の変化
を考枦、する２、半導体レーザｏ１）の出力光周波数の
変化△ｆｏ筺より第１の光共振器（ロ）の共振光周波数
は、第２の帰還ループの帰還ゲインをｇＨとするとｇ［
△ｆｏ だけ変化することになる。
（１３）の印加電圧の変化に伴う共振光周波数の変化
を考枦、する２、半導体レーザｏ１）の出力光周波数の
変化△ｆｏ筺より第１の光共振器（ロ）の共振光周波数
は、第２の帰還ループの帰還ゲインをｇＨとするとｇ［
△ｆｏ だけ変化することになる。
ＬＹ−で、第１の帰還ループに於ける近似的に半導体レ
ーザαＪ）の出力光周波数の変化は（１＋ｇ□）△「。
ーザαＪ）の出力光周波数の変化は（１＋ｇ□）△「。
となり、第２の帰還ループを考慮した第１の帰還ループ
の帰還ゲインｇ□′は、 ｇｌ”＝’ （ｔ＋ｇ、 ） ｇＩ となる。即ち、第２の帰還ループをイ」加することによ
り第１のｄ：＊ ｉ”！＋ループの帰還ゲインが増大し
、第１及び第２の帰還ループの位相回転の適切な決定に
より半導体レーザ（１１）の出力光周波数の安定化が図
られている。
の帰還ゲインｇ□′は、 ｇｌ”＝’ （ｔ＋ｇ、 ） ｇＩ となる。即ち、第２の帰還ループをイ」加することによ
り第１のｄ：＊ ｉ”！＋ループの帰還ゲインが増大し
、第１及び第２の帰還ループの位相回転の適切な決定に
より半導体レーザ（１１）の出力光周波数の安定化が図
られている。
次に、第２の光共振器（１８）の印加電ｌＦを変化する
ことにより、第２の光共振器（１８）による安定屯は第
５図に示すように第１の点（（１，１）→第３の点（１
４）→ｊ１）４の点（３’９ Ｋ瞬時に変化Ｌ７、第２
の光共振器（国の出方光周波数けｆｌから１１′ に変
化する。
ことにより、第２の光共振器（１８）による安定屯は第
５図に示すように第１の点（（１，１）→第３の点（１
４）→ｊ１）４の点（３’９ Ｋ瞬時に変化Ｌ７、第２
の光共振器（国の出方光周波数けｆｌから１１′ に変
化する。
第５図中の実線及び点線は第２のゲｒ、共振器（Ｉｆｌ
の光透過特性のローレンツ曲線を示すもので、この各曲
線上の安定点、即ち第１及びｇＴ ４の壱、（：うｏ）
、Ｃ（っは各透過特性の同様の位置となっている。
の光透過特性のローレンツ曲線を示すもので、この各曲
線上の安定点、即ち第１及びｇＴ ４の壱、（：うｏ）
、Ｃ（っは各透過特性の同様の位置となっている。
このことは即ち、第２の光共振器（１８）の印加電圧の
変化分△Ｖと紀２の尤共振器θン：）出力光の）“ｃ箇
波数の変化分へｆの関係が、第４図中の点に＝’ｄ Ｃ
：１）で示すように直線的となることを示すものである
。
変化分△Ｖと紀２の尤共振器θン：）出力光の）“ｃ箇
波数の変化分へｆの関係が、第４図中の点に＝’ｄ Ｃ
：１）で示すように直線的となることを示すものである
。
この場合の光周波数の変化分ｌ′＼ｆは、第２の光共振
器０１（ｌをＬｉＮｂ（Ｊ３電気光学結晶によりＩ’ｉ
ｉ成し１、Ｘ−ｙ面に電極を設ければ、 △ｆｆｌｎ２「ＩＣ「。
器０１（ｌをＬｉＮｂ（Ｊ３電気光学結晶によりＩ’ｉ
ｉ成し１、Ｘ−ｙ面に電極を設ければ、 △ｆｆｌｎ２「ＩＣ「。
で表わされる。
ことに、ｎは入射光偏光方向を結晶軸、即ちＺ軸とした
時の屈折率、「け電気光学定数、Ｅは内部電界、ｆｏは
半導体レーザ（１１）の出力光周波数である。
時の屈折率、「け電気光学定数、Ｅは内部電界、ｆｏは
半導体レーザ（１１）の出力光周波数である。
この場合、例えば結晶のｘ−ｙ方向の厚さを１朋光波長
を０．８５μｍ とすれば、 △ｆ ＝、＋２６ Ｍｌ（Ｚ／Ｖ となる。
を０．８５μｍ とすれば、 △ｆ ＝、＋２６ Ｍｌ（Ｚ／Ｖ となる。
以上、この実施例により光強度が一定で、第２の光共振
器Ｑ８）の印加電圧に応じて光周波数が直線的に変化す
る出力光を得ることができる。
器Ｑ８）の印加電圧に応じて光周波数が直線的に変化す
る出力光を得ることができる。
尚、上述の一実施例で示しだ装置に於いて、第１及び第
２ ｔｖ を共！５（＋３） 、 （＋ｌ：、Ｌ １Ｎ
ｂｏ３ｉｃ 代表すれる電気光学結晶に定められるもの
でな、く、液晶やＰＬＺＴ等を用いた光共振器で構成す
ることもできる。
２ ｔｖ を共！５（＋３） 、 （＋ｌ：、Ｌ １Ｎ
ｂｏ３ｉｃ 代表すれる電気光学結晶に定められるもの
でな、く、液晶やＰＬＺＴ等を用いた光共振器で構成す
ることもできる。
また、第１および第２の光共振器（１（６）、 （１８
１と第１および第２の光分岐器（１４１、Ｏりを、第６
図に示すような分布ブラッグ反射形の光共振部ｆｉ６）
’および導波路形分岐部（３７）により構成することも
できる。
１と第１および第２の光分岐器（１４１、Ｏりを、第６
図に示すような分布ブラッグ反射形の光共振部ｆｉ６）
’および導波路形分岐部（３７）により構成することも
できる。
実施例を示す図、第３図は第２図中の第１の光共振器の
出力特性を示す図、第４図は第２図に示す一実施例の入
出力特性を示す図、第５図は第２図中の第２の光共振器
の出力特性を示す図、第６図は第２図中の第１および第
２の光共振器と第１および第２の光分岐器の変形例を示
す図である。 １０・・・直流バイアス用電源、 １】・・・半導体レーザ、 １３ 、１８・・・光共振器、 １４ 、１９・・・光分岐器、 １５ 、２０・・・光検出器、 １６ 、２１・・・基準電源、 １７ 、２２・・・差動増幅回路。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 第 ３ 図
出力特性を示す図、第４図は第２図に示す一実施例の入
出力特性を示す図、第５図は第２図中の第２の光共振器
の出力特性を示す図、第６図は第２図中の第１および第
２の光共振器と第１および第２の光分岐器の変形例を示
す図である。 １０・・・直流バイアス用電源、 １】・・・半導体レーザ、 １３ 、１８・・・光共振器、 １４ 、１９・・・光分岐器、 １５ 、２０・・・光検出器、 １６ 、２１・・・基準電源、 １７ 、２２・・・差動増幅回路。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 第 ３ 図
Claims (5)
- （１）直流バイアスにより駆動する半導体レーザと、こ
の半導体レーザの出力光周波数との共振光周波数を印加
電圧により変化し得る第１の光共振器と。 この第１の光共振器の出力光を分岐する第１の光分岐器
と、この第１の光分岐器の一方の出力光の強度を検出す
る第１の光検出器と、この第１の光検出器の出力電子と
第１の基準電圧吉を比較する第１の差ｍＪ１増幅回路と
、こめ第１の差動増幅回路の出力を前記直流バイアスに
重畳する第１の帰還ループを有し、かつ前記第１の光分
岐器の他方の出力光周波数との共振光周波数を変化し得
る第２の光共振器吉、この第２の光共振器の出力光を分
岐して一方を外部への出力光とし他方の一部を検出用の
出力ゲｒ：とＪ−る第２の光分岐器と、この検出用の出
力）′ｒ；の光強１ち二を検出−ｌる第２の光検出器上
、この第２の光検出器の出力電圧と第２の、１８ｆｔ１
１電圧吉を比較すみ第２の差動１曽幅回路と、この第２
の差動増幅回路の出力によシ前記第１の光共１辰器の印
加電圧を制御し共振光周波数を変化させる第２の帰還ル
ープを有することを特徴とする光周波数変調装置。 - （２）第１および第２の光共振器は、 ＬｉＮｂＯ３電
気光学結晶、液晶、ＰＬＺ’ｒのいずれか一つからなる
ことを特徴とする特ｒｒ請求の範囲第１項記載の光周波
数変調装置。 - （３）第１および第２の光分岐器は、ビームスプリッタ
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光周波数変調装置。 - （４）第１の光共振器および光分岐器は、分布ブラッグ
反射形の光共振部と導波路形分岐部からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光周波数変調装置。 - （５）第２の光共振器および光分岐器は、分布ブラッグ
反射形の光共振部と導波路形分岐部からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光周波数変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114236A JPS607233A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光周波数変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114236A JPS607233A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光周波数変調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607233A true JPS607233A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14632668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114236A Pending JPS607233A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 光周波数変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257285A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-25 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体レーザーの放射波長および光パワーの制御または調節装置 |
| US6946431B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution including aqueous ammonia solution, acetic acid and deionized water for integrated circuit devices and methods of cleaning integrated circuit devices using the same |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58114236A patent/JPS607233A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257285A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-25 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体レーザーの放射波長および光パワーの制御または調節装置 |
| US6946431B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution including aqueous ammonia solution, acetic acid and deionized water for integrated circuit devices and methods of cleaning integrated circuit devices using the same |
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