JPS607224A - Data latch circuit - Google Patents

Data latch circuit

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Publication number
JPS607224A
JPS607224A JP58115444A JP11544483A JPS607224A JP S607224 A JPS607224 A JP S607224A JP 58115444 A JP58115444 A JP 58115444A JP 11544483 A JP11544483 A JP 11544483A JP S607224 A JPS607224 A JP S607224A
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JP
Japan
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circuit
channel
latch circuit
input
data
Prior art date
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Pending
Application number
JP58115444A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Takaguchi
高口 憲二
Koji Saito
斉藤 幸治
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS607224A publication Critical patent/JPS607224A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors

Abstract

PURPOSE:To attain low power consumption without giving limit conditions to the level of input data by allowing an input buffer circuit to be in operating state only when the input data is fed to a latch circuit, that is, to be in the normal operation while being connected to a power supply. CONSTITUTION:Either a P-channel MOSFET31 or an N-channel MOSFET32 constituting a CMOS inverter 33 is turned on by an output of a clocked CMOS inverter 38 in the data holding operation by a latch circuit 12. When a current path is produced between an output terminal 26 and a VDD supply terminal or a ground potential supply terminal in a series circuit 213 of the final stage of an input buffer circuit 11 in this case, a through-current flows between the VDD and ground in a circuit combining the input buffer circuit 11 and the latch circuit 12, but no current path is produced both for the P-channel and the N-channel side of each series circuit 21 in this period, and each output terminal 26 is brought into a high impedance state and no through-current is produced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は低消費電力化をはかった0MO8形のデータ
ラッチ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a 0MO8 type data latch circuit that reduces power consumption.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

第1図は従来の0MO8形のデータラッチ回路の回路図
である。このデータラッチ回路は、入力データInをラ
ッチ回路動作に必要な電圧レベルに増幅もしくはレベル
変換するためのcNasインバータからなる人力バッフ
ァ回路1と、入力データを保持しておくためのラッチ回
路2とから楢成されている。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional 0MO8 type data latch circuit. This data latch circuit consists of a manual buffer circuit 1 consisting of a cNas inverter for amplifying or level converting input data In to a voltage level necessary for latch circuit operation, and a latch circuit 2 for holding input data. It is being constructed.

第1図の従来回路では、gH2図のタイミングチャート
に示される如く入力データInはラッチコントロール信
号の低レベル期間にラッチ回路2に取り込まれ、ラッチ
コントロール信号が低レベルから高レベルに反転した後
にラッチ回路2で保持される。そしてラッチコントロー
ル信号が高レベルとなっている期間では、入力データI
rIに関係なくラッチ回路2のデータは保持されている
。また第2図において、入力データInおよびラッチデ
ータOutのハツチングを内域はデータが不定となって
いる領域であり、区間a。
In the conventional circuit shown in FIG. 1, input data In is taken into the latch circuit 2 during the low level period of the latch control signal as shown in the timing chart shown in FIG. It is held in circuit 2. During the period when the latch control signal is at a high level, the input data I
The data in the latch circuit 2 is held regardless of rI. Further, in FIG. 2, the area inside the hatching of the input data In and the latch data Out is an area where the data is undefined, and is the area a.

Cはラッチ回路2の保持データが変化しない区間であり
、区間すは入力データInがそのままラッチデータOu
tとして出力される区間である。
C is an interval in which the data held in the latch circuit 2 does not change, and in this interval, the input data In is changed to the latch data O
This is the section output as t.

ところで、このようなデータラッチ回路において、ラッ
チ回路2が動作を停止している場合、このラッチ回路2
に微少電流しか流れないような回路構成にしても、入力
データ1nの電圧が入力8フフフ きい値電圧VTHC近傍の中間レベルになると入力パッ
ブア回路1で大きな電流が流れてしまう。
By the way, in such a data latch circuit, if the latch circuit 2 stops operating, this latch circuit 2
Even if the circuit is configured such that only a small current flows in the input circuit 1, a large current will flow in the input pub circuit 1 when the voltage of the input data 1n reaches an intermediate level near the input 8fufufu threshold voltage VTHC.

第3図は入力8フフフ データInの電圧VINに対する貫通電流IDの関係を
示す特性図である。第3図に示すように■INがV丁,
、cとなっているときには入力8フフフには最も大きな
貫通電流が流れる。このために、第1図の従来回路では
、回路全体として倣少電流回路を実現することができな
い。従って、この従来回路で低消費電力化を実現しよう
とすると、入力データInの電圧レベルを電源電圧もし
くは接地レベルに固定し1よければ1よらないとい〔発
明の目的〕 この発明は上記のよう1よ事情を考慮してなされたもの
であり、その目的は入力データのレベルに制約条件を持
たせることなしに低消費電力化が実現できるデータラッ
チ回路を提供することにある。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the through current ID and the voltage VIN of the input 8-fufufu data In. As shown in Figure 3, ■IN is V-cho,
, c, the largest through current flows through the input 8fufufu. For this reason, in the conventional circuit shown in FIG. 1, it is not possible to realize a low scanning current circuit as a whole. Therefore, in order to achieve low power consumption with this conventional circuit, the voltage level of the input data In must be fixed to the power supply voltage or ground level, and if 1 is better than 1, it is not necessary. The purpose of this design is to provide a data latch circuit that can realize low power consumption without imposing any restrictions on the level of input data.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明によるデータラッチ回路では、入力8フフフ るために、入力8フフフ ッチ回路に伝達する期間のみ動作状態すなわち電源と接
続して通常動作を行なわせ、それ以外の期間は入力8フ
フフ ようにしている。
In the data latch circuit according to the present invention, in order to input 8 fuff, the input 8 is in an operating state, that is, it is connected to the power supply and performs normal operation only during the period when the input is transmitted to the latch circuit, and the input 8 is set to be 8 fhuf during the other periods. .

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
4図において1ノは入力8フフファ回路11およびラッ
チ回路12を制御するための制御信号を発生する制御信
号発生回路、14は入力データInの入力端子、15は
ラッチコントロール信号入力端子である。入力バッファ
回路1ノには、正極性の電源電位vDD供給端と出力端
16との間に2個のPチャネルMO8FET17、18
を直列接続しさらに出力端16と接地電位供給端との間
に2個のNチャネル□□□5FET19、20を直列接
続して構成される直列回路21が211〜213の3回
路設けられている。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 4, 1 is a control signal generation circuit that generates a control signal for controlling the input 8 buffer circuit 11 and the latch circuit 12, 14 is an input terminal for input data In, and 15 is a latch control signal input terminal. The input buffer circuit 1 includes two P-channel MO8FETs 17 and 18 between the positive power supply potential vDD supply terminal and the output terminal 16.
Three series circuits 21, 211 to 213, are provided by connecting in series the output terminal 16 and the ground potential supply terminal, and further connecting two N-channel □□□5FETs 19 and 20 in series. .

各直列回路2i1〜213のうち、1個のPチャネルM
)SFET i gと1個のNチャネルMO8FET’
190ケ°−ト電極が共通接続され、この共通接続点が
各直列回路211〜213のデータ入力端22とされる
。そして上記3つの直列回路21、〜213は、前段の
出力端16を後段のデータ入力端22と接続して多段縦
列接続され、初段回路211のデータ入力端22は前記
入力端子14に接続される。さらに上記3つの直列回路
211〜213において、Pチャネル用5FET J 
7の各ダート電極が並列的に接続され、同様にNチャネ
ルM)SFET 、? oの各ダート電極が並列的に接
続されている。
Of each series circuit 2i1 to 213, one P channel M
) SFET i g and one N-channel MO8FET'
190 gate electrodes are commonly connected, and this common connection point serves as the data input terminal 22 of each series circuit 211-213. The three series circuits 21 to 213 are connected in multi-stage cascade by connecting the output terminal 16 of the previous stage to the data input terminal 22 of the latter stage, and the data input terminal 22 of the first stage circuit 211 is connected to the input terminal 14. . Furthermore, in the three series circuits 211 to 213, P channel 5FET J
7 dart electrodes are connected in parallel and similarly N-channel M) SFET, ? o dart electrodes are connected in parallel.

う、子回路12には、■DD供給端と接地電位供給端と
の間にPチャネルMO8FET s JおよびNチャネ
ルM)SFET s zを直列接続してなり、この両(
イ)SFET s x 、 s zのダート電極が共通
に接続されたCMOSインバータ33と、vDD供給端
と接地電位供給端との間にそれぞれ2個ずつのPチャネ
ルMO8FET s 4 、 s sおよびNチャネル
MO8FET s e 、 s 7を直列接続してなり
、上記側MO8FET s s 、 s t;のゲート
電極が共通に接続されたいわゆるクロックドC…Sイン
バータ38とが設けられている。そして上記CMOSイ
ンバータ33の入力端は前記入力パッファ回路11内の
最終段の直列回路213の出力端16に接続され、さら
にこのCMOSインバータ33に対して上記クロックド
CMOSインバータ38が逆並列接続される。
The child circuit 12 consists of a P-channel MO8FET s J and an N-channel M) SFET s z connected in series between the DD supply terminal and the ground potential supply terminal.
b) A CMOS inverter 33 to which the dirt electrodes of SFETs s A so-called clocked C...S inverter 38 is provided in which the MO8FETs s e and s 7 are connected in series, and the gate electrodes of the MO8FETs s s and s 7 are connected in common. The input terminal of the CMOS inverter 33 is connected to the output terminal 16 of the final stage series circuit 213 in the input buffer circuit 11, and the clocked CMOS inverter 38 is connected in antiparallel to the CMOS inverter 33. .

制御信号発生回路ノ3は、3段のインバータ41〜43
からなりラッチコントロール信号を所定期間遅延しかつ
反転する遅延回路44と、NANDダート45およびも
う1個のインバータ46とで構成され、ラッチコントロ
ール信号の立上りエツジで第5図に示すような所定パル
ス幅を持ち互いに相補関係にある一対の制御信号L E
 、 L Eを出力する。そしてこのうちの一方の制御
信号LEは前記入力バッファ回路1ノ内の各Pチャネル
M)SFET J 7のr−ト電極の並列接続点および
前記ラッチ回路12内のNチャネルTh/DSFET 
、V 7のケ゛−ト電極に供給され、他方の制御信号L
 Fは前記入力バッファ回路1ノ内の各NチャネルMO
8FET 2oのダート電極の並列接続点および前記ラ
ッチ回路J2内のNチャネル1lvK)SFET s 
4のゲート電極に供給される。
The control signal generation circuit No. 3 includes three stages of inverters 41 to 43.
A delay circuit 44 that delays and inverts the latch control signal for a predetermined period, a NAND dart 45 and another inverter 46, and a predetermined pulse width as shown in FIG. A pair of control signals L E having a complementary relationship with each other.
, LE is output. One of these control signals LE is applied to the parallel connection point of the r-to electrode of each P-channel M) SFET J7 in the input buffer circuit 1 and the N-channel Th/DSFET in the latch circuit 12.
, V7, and the other control signal L
F is each N-channel MO in the input buffer circuit 1
8FET 2o dart electrode parallel connection point and N channel 1lvK) SFET s in the latch circuit J2
It is supplied to the gate electrode of No. 4.

第4図のような構成でなるデータラッチ回路にあっては
、制御信号LEが低レベルとなっている期間に各M)S
FET J 7がオン状態となり、かつ制御信号LEが
高レベルとなっている期間に各MO8FET 2oがオ
ン状態となる。この結果、入力バッファ回路11のPチ
ャネルMO8FET J sおよびNチャネルMO8F
ET 19からなる各インパークは電源電位VDDおよ
び接地電位にそれぞれ接続されて通常のインバータとし
て働き(バッファイネーブル期間)、入力データInを
反転した状態でラッチ回路12に伝える。またこのラッ
チ回路12では、制御信号LEが低レベル、LEが高レ
ベルとなっ′〔いる期間にクロックドCM)S 4 :
/バー タ37内ノPチャネルMO8FET34および
NチャネルMO8FET s 7はそれぞれオフ状態と
されるので、クロックドCM)Sインバータ38は動作
しない。したがって、この場合、入力バッファ回路11
の出力はラッチ回路12内のCMOSインバータ33に
よって単に反転され出レベルとなっている期間では、入
力パッファ回路1ノにおいて各Nす5FET J yお
よび各MO8FET20がとも些オフ状態にされる。す
ると各直列回路211〜213におけるPチャネルMO
8FET18およびNチャネルMO8FET J 9か
らなる各インバータは電源電位および接地電位から供に
切り離されるため(バッファディスエーブル期間)、入
力データInの電圧レベルにかかわらず入力バッファ回
路11ではVDDと接地間に貫通電流が流れることはな
い。一方、この期間ではラッチ回路J2のクロックドC
MOSインバータ37内のMOSFET s 4 、 
s yがともにオン状態にされ、これによってこのクロ
ックドCMOSインバータ38が働き、入力バッファ回
路11からの出力はラッチ回路12においてCMOSイ
ンバータ33とクロックドCMOSインバータ38から
なる帰還ループによって安定に保持される。すなわち、
ラッチ回路12は制御信号LEが低レベルかつLEが高
レベルの期間に入力バッファ回路11から伝達されたデ
ータを取り込み、次に信号LEが高レベルかつLEが低
レベルの期間に取り込んだデータを保持する。ここで上
記ラッチ回路12によるデータの保持動作の際、CMO
Sインバータ33を構成するPチャネルM)SFET 
31およびNチャネルMO8FET s 2のいずれか
一方はクロックドCMOSインバータ38の出力によっ
てオン状態にされている。したがってこのとき、入力バ
ッファ回路11の最終段の直列回路213において出力
端26とVDD供給端もしくは接地電位供給端との間に
電流経路が生じていれば入力・々ツファ回路11とラッ
チ回路12とを組合せた回路でVDDと接地間に貫通電
流が流れてしまう。ところが、この期間では各直列回路
210Pチヤネル側およびNチャネル側供に電流経路が
生じることがなく、各出力端26はすべて高インピーダ
ンス状態とされるので、上記のような貫通電流が生じる
恐れもない。
In the data latch circuit configured as shown in FIG. 4, each M)S
During the period when FET J 7 is on and the control signal LE is at a high level, each MO8FET 2o is on. As a result, the P-channel MO8FET J s and the N-channel MO8F of the input buffer circuit 11
Each impark consisting of ET 19 is connected to the power supply potential VDD and the ground potential, respectively, and functions as a normal inverter (during the buffer enable period), and transmits input data In to the latch circuit 12 in an inverted state. In addition, in this latch circuit 12, the control signal LE is at a low level and the control signal LE is at a high level' (clocked CM during the period) S4:
Since the P-channel MO8FET 34 and the N-channel MO8FET s7 in the inverter 37 are each turned off, the clocked CM)S inverter 38 does not operate. Therefore, in this case, the input buffer circuit 11
During a period in which the output is simply inverted by the CMOS inverter 33 in the latch circuit 12 and is at the output level, each of the N5FETs Jy and each MO8FET 20 in the input buffer circuit 1 are slightly turned off. Then, the P channel MO in each series circuit 211 to 213
Since each inverter consisting of 8FET18 and N-channel MO8FET J9 is disconnected from both the power supply potential and the ground potential (buffer disable period), the input buffer circuit 11 has a through-hole between VDD and ground regardless of the voltage level of the input data In. No current flows. On the other hand, in this period, the clocked C of latch circuit J2
MOSFET s 4 in the MOS inverter 37,
Both s and y are turned on, which causes the clocked CMOS inverter 38 to work, and the output from the input buffer circuit 11 is held stably by a feedback loop consisting of the CMOS inverter 33 and the clocked CMOS inverter 38 in the latch circuit 12. Ru. That is,
The latch circuit 12 takes in the data transmitted from the input buffer circuit 11 during a period when the control signal LE is at a low level and LE is at a high level, and then holds the data taken in during a period when the signal LE is at a high level and LE is at a low level. do. Here, during the data holding operation by the latch circuit 12, the CMO
P channel M) SFET that constitutes the S inverter 33
31 and the N-channel MO8FET s 2 are turned on by the output of the clocked CMOS inverter 38. Therefore, at this time, if a current path is generated between the output terminal 26 and the VDD supply terminal or the ground potential supply terminal in the final stage series circuit 213 of the input buffer circuit 11, the input buffer circuit 11 and the latch circuit 12 In a circuit that combines these, a through current will flow between VDD and ground. However, during this period, no current path occurs on the channel side and the N channel side of each series circuit 210P, and each output terminal 26 is all in a high impedance state, so there is no possibility that the above-mentioned through current will occur. .

したがって、この実施例回路では、入力データInは制
御信号LE 、LEが高レベル、低レベルの期間にのみ
必要なレベルに設定するだけでよく、その他の期間は入
力データ1nのレベルに入力バッファ回路11は無関係
となり、回路全体の低消費電力化が実現できる。
Therefore, in this embodiment circuit, the input data In need only be set to the necessary level during the periods when the control signals LE and LE are at high and low levels, and the input buffer circuit sets the input data In to the level of the input data 1n during other periods. 11 becomes irrelevant, and the power consumption of the entire circuit can be reduced.

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
種々の応用が可能である。たとえば接続された直列回路
で構成する場合について説明したが、これは1段以上で
あれば何段でもよ℃1゜ 〔発明の効果〕 以−七説明したようにこの発明によれば、入力データを
ラッチした後は入力バッファ回路を電源電位および接地
電位から供に切り離す構成としたので、入力データのレ
ベルのいかんにかかわらず低消費電力化を実現し得るデ
ータラッチ回路を提供することができる。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various applications are possible. For example, although we have described the case where the circuit is configured with connected series circuits, any number of stages may be used as long as it is one or more stages. After latching, the input buffer circuit is disconnected from both the power supply potential and the ground potential, so it is possible to provide a data latch circuit that can achieve low power consumption regardless of the level of input data.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のデータラッチ回路の回路図、第2図は8
F 1図回路のタイミングチャート、第3図は一般的な
CMOSインバータの電圧−電流特性図、第4図はこの
発明の一実施例の回路図、第5図は第4図の実施例回路
のタイミングチャートである。 11・・・入力バッファ回路、12・・・ラッチ回路、
13・・・制御信号発生回路。
Figure 1 is a circuit diagram of a conventional data latch circuit, and Figure 2 is a circuit diagram of a conventional data latch circuit.
Fig. 3 is a voltage-current characteristic diagram of a general CMOS inverter, Fig. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and Fig. 5 is a timing chart of the circuit of Fig. 4. This is a timing chart. 11... Input buffer circuit, 12... Latch circuit,
13...Control signal generation circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1の電位供給端と出力端との間にPチャネルの第1、
第2のMOSFETを直列押入し、第2の電位供給端と
前記出力端との間にNチャネルの第3、第4のMOSF
ETを直列仲人し、前記第2、第3のへり5FETのケ
ゞ−ト電極を共通接続してデータ入力端としてなる回路
を1段以上縦列接続した人力バッファ回路と、この人力
バッファ回路の出力を取り込んでラッチするラッチ回路
と、前記第1、第4のムリ5FETをそれぞれ所定期間
導通させるとともにこの期間内に前記ラッチ回路で前記
人力バッファ回路からの出力を取り込ませる手段とを具
備したことを特徴とするデータラッチ回路。
A first P channel between the first potential supply end and the output end;
A second MOSFET is inserted in series, and N-channel third and fourth MOSFETs are inserted between the second potential supply end and the output end.
A human-powered buffer circuit in which one or more stages of circuits are connected in series to serve as data input terminals by connecting the gate electrodes of the second and third edge 5FETs in series, and the output of this human-powered buffer circuit. and a means for making the first and fourth 5FETs conductive for a predetermined period and causing the latch circuit to take in the output from the manual buffer circuit within this period. Characteristic data latch circuit.
JP58115444A 1983-06-27 1983-06-27 Data latch circuit Pending JPS607224A (en)

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