JPS6063839A - 温度ヒユ−ズ - Google Patents
温度ヒユ−ズInfo
- Publication number
- JPS6063839A JPS6063839A JP17156983A JP17156983A JPS6063839A JP S6063839 A JPS6063839 A JP S6063839A JP 17156983 A JP17156983 A JP 17156983A JP 17156983 A JP17156983 A JP 17156983A JP S6063839 A JPS6063839 A JP S6063839A
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- Japan
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- plating layer
- temperature
- copper
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特定温度で溶融する絶縁性化学物質よりな
る感温ベレ、ｌ−を月１いた無復帰型の温度ヒユーズの
改良に関する。
る感温ベレ、ｌ−を月１いた無復帰型の温度ヒユーズの
改良に関する。
背景技（ホす
電気機器の安全性のｎｌＡ点から温度ｉ６Ｖ、＋昇防止
装脳が使用されるようになってきているが、最近では特
定温度で溶副１する絶縁１’ｌ化学物質よりなる感温ベ
レノ１−を用いた無ＩＭ帰型の？ｆｉｉｌＬ度ヒユーズ
が賞用されている。この種のｌＫ１１１度ヒユーズの代
表的なものは、第１図に示す構造を有する。図において
、１は銅、黄銅等の良導電１イ１かつ良熱伝導１−′Ｉ
金金属りなる円筒状の金属ケースで、その一端に銅より
なるリード線２がかしめ固定されている。３は特定温度
で溶融する絶縁１ト１化学物質よりなる円柱状の感温ベ
レ７１・、４および５ｉｄ後述する強圧縮ばね（６）９
弾力を前記感温ベレット８および後述する可動接点（７
）に平均化して与えるための銅等よりなる押圧板、６は
前記押圧板４，５の間に圧縮状昨で介在されている閉路
Ｊ−ｊ＋の強圧縮ばね、７は良導る可動接点で、その周
囲に複数個の舌片７ａをｒ丁し、各舌片７ａは金属ケー
７１の内面に抑圧接触している。前記感温ペレット３な
いし＋ｊＪ動接点７は、先に述べた順序で金属り゛−ス
１内に収容さｈている。８は金属ケース１の開１１端を
閉塞するセラミック等よりなる絶縁ブッシングで、その
人１η部８ａの内方端は金属ケース１に形成された段部
１ａＶｃ係合されており、かつ金属ケース１の開ＩＴＩ
端の絶縁ブッシング８よりもはみ出す部分１ ｂは中心
軸に向って屈曲されており、絶縁ゾリシング８が内方お
よび外方に向って移動するのを１りノ＋Ｌ： している
。９は＋ｌＪ記絶縁ブリシング８の中心化をＥ１通する
リード線で、その内方端にｎＩ前記＋、ｉＪ動ｊｉ点７
と接触する固定接点ｌＯを備えており、かっこの固定接
点１０の近傍および絶縁ブッシング８の外側に隣接する
部分に膨大部９ａ、、９１ｒを設けて、リード線９が外
方および内方に移動するのを防止している。１２は絶縁
ブッシング８の外側面に被着されたエポキシ樹脂等より
なる封１−１樹脂である。
装脳が使用されるようになってきているが、最近では特
定温度で溶副１する絶縁１’ｌ化学物質よりなる感温ベ
レノ１−を用いた無ＩＭ帰型の？ｆｉｉｌＬ度ヒユーズ
が賞用されている。この種のｌＫ１１１度ヒユーズの代
表的なものは、第１図に示す構造を有する。図において
、１は銅、黄銅等の良導電１イ１かつ良熱伝導１−′Ｉ
金金属りなる円筒状の金属ケースで、その一端に銅より
なるリード線２がかしめ固定されている。３は特定温度
で溶融する絶縁１ト１化学物質よりなる円柱状の感温ベ
レ７１・、４および５ｉｄ後述する強圧縮ばね（６）９
弾力を前記感温ベレット８および後述する可動接点（７
）に平均化して与えるための銅等よりなる押圧板、６は
前記押圧板４，５の間に圧縮状昨で介在されている閉路
Ｊ−ｊ＋の強圧縮ばね、７は良導る可動接点で、その周
囲に複数個の舌片７ａをｒ丁し、各舌片７ａは金属ケー
７１の内面に抑圧接触している。前記感温ペレット３な
いし＋ｊＪ動接点７は、先に述べた順序で金属り゛−ス
１内に収容さｈている。８は金属ケース１の開１１端を
閉塞するセラミック等よりなる絶縁ブッシングで、その
人１η部８ａの内方端は金属ケース１に形成された段部
１ａＶｃ係合されており、かつ金属ケース１の開ＩＴＩ
端の絶縁ブッシング８よりもはみ出す部分１ ｂは中心
軸に向って屈曲されており、絶縁ゾリシング８が内方お
よび外方に向って移動するのを１りノ＋Ｌ： している
。９は＋ｌＪ記絶縁ブリシング８の中心化をＥ１通する
リード線で、その内方端にｎＩ前記＋、ｉＪ動ｊｉ点７
と接触する固定接点ｌＯを備えており、かっこの固定接
点１０の近傍および絶縁ブッシング８の外側に隣接する
部分に膨大部９ａ、、９１ｒを設けて、リード線９が外
方および内方に移動するのを防止している。１２は絶縁
ブッシング８の外側面に被着されたエポキシ樹脂等より
なる封１−１樹脂である。
１８は必要により絶縁ブッシング８の外側面に封口樹脂
１２を介して接着固定されたセヲミノク等よりなる絶縁
筒体である。
１２を介して接着固定されたセヲミノク等よりなる絶縁
筒体である。
上記の構成において、常温時は感温ペレット３が固体で
あり、強圧縮ばね６は弱圧縮ばね１１の弾性力に抗して
可動接点７を固定接点１０に強く押圧接触せしめている
。したかって、リード線２−金属ケースト可＃ｌ接点７
−固定接点１０− ＩＪ−ド線９の経路で、リード線２
および９間が導通伏熊に保持されている。
あり、強圧縮ばね６は弱圧縮ばね１１の弾性力に抗して
可動接点７を固定接点１０に強く押圧接触せしめている
。したかって、リード線２−金属ケースト可＃ｌ接点７
−固定接点１０− ＩＪ−ド線９の経路で、リード線２
および９間が導通伏熊に保持されている。
周囲温度が異常士別して感温ペレット３の融点に達する
と、１さ温ベレノ’１８が溶融し、かつ従って強圧縮ば
ね６が伸張してその弾は力が減少する結果、弱圧縮ばね
ＩＪの＋７１１性力が弾圧縮ばね６の弾性力を凌駕して
、弱圧絡ｉ ’ｔ−Ｊ、ね１１が伸張するので、可動接
点７が第２図に示すように固定接点１０かも南開して、
リード線２および９間が非導通状態になる。
と、１さ温ベレノ’１８が溶融し、かつ従って強圧縮ば
ね６が伸張してその弾は力が減少する結果、弱圧縮ばね
ＩＪの＋７１１性力が弾圧縮ばね６の弾性力を凌駕して
、弱圧絡ｉ ’ｔ−Ｊ、ね１１が伸張するので、可動接
点７が第２図に示すように固定接点１０かも南開して、
リード線２および９間が非導通状態になる。
上記の温度ヒューヌ冒ｄ、絶縁１生化学物質よりなる感
温ペレット８の安定な融点を利用して、精度の高い動作
が得られるのみならず、感温ベレット８として所望の融
点のものを用いれば、同一構造で任意の動作温度の温度
ヒユーズが得らり、るという利点がある。
温ペレット８の安定な融点を利用して、精度の高い動作
が得られるのみならず、感温ベレット８として所望の融
点のものを用いれば、同一構造で任意の動作温度の温度
ヒユーズが得らり、るという利点がある。
ところで、上記のように金属ケースｌそのものを導電路
の一部として用い、かつ金Ｊａｒ！：ケーヌＩと可動接
点７とを当接して電気的に接続する場合、金属ケース１
と可動接点７との接触抵抗を小さくするために、第８図
に示すように、金属ケース本体１４の全面に厚さ５μ程
度の銀メノギ層１５を形成している。しかしながら、こ
の４’ｌｉ、 ｉ＋ｌ’＋ 没ヒ、−ズは動作温度によ
っては、評価試験費使月ｌ法部で１００℃以上の高温に
曝されることがあり、銅や黄銅等の銅系材料よりなる金
属、ケース本体１４の構成材料である銅が銀メリギ１１
’＋１１５に拡散し−Ｃふ艮メ、キ層１５の表面に滲出
して酸化さノすることにより、金属ケースＩの内面では
＋ｉＪ動接点７との屡触抵抗の増加をきたし、外面でに
１変巴（（より商品価直を落とし捺印表示が不可・明に
なるという欠１【ζＬがあった。このような問題点を解
決するためには、ｆｉｌジげ鴇メ 、キ圓ＩＦＩの１グ
七か−１−４）聞／子Ｊ＋ １．−１’ Ｉ・いが、銀
メッキ層１５を厚くすると著しく原価高となるのみなら
ず、金属ケースｌの内面に対する可動接点７の摺動性が
悪くなるという問題点があった。
の一部として用い、かつ金Ｊａｒ！：ケーヌＩと可動接
点７とを当接して電気的に接続する場合、金属ケース１
と可動接点７との接触抵抗を小さくするために、第８図
に示すように、金属ケース本体１４の全面に厚さ５μ程
度の銀メノギ層１５を形成している。しかしながら、こ
の４’ｌｉ、 ｉ＋ｌ’＋ 没ヒ、−ズは動作温度によ
っては、評価試験費使月ｌ法部で１００℃以上の高温に
曝されることがあり、銅や黄銅等の銅系材料よりなる金
属、ケース本体１４の構成材料である銅が銀メリギ１１
’＋１１５に拡散し−Ｃふ艮メ、キ層１５の表面に滲出
して酸化さノすることにより、金属ケースＩの内面では
＋ｉＪ動接点７との屡触抵抗の増加をきたし、外面でに
１変巴（（より商品価直を落とし捺印表示が不可・明に
なるという欠１【ζＬがあった。このような問題点を解
決するためには、ｆｉｌジげ鴇メ 、キ圓ＩＦＩの１グ
七か−１−４）聞／子Ｊ＋ １．−１’ Ｉ・いが、銀
メッキ層１５を厚くすると著しく原価高となるのみなら
ず、金属ケースｌの内面に対する可動接点７の摺動性が
悪くなるという問題点があった。
そこで、このような問題点を解決するために、本出願人
は先に、第４図に示すように、銅系材料。
は先に、第４図に示すように、銅系材料。
すなわち銅または黄銅等よりなる金属ケース本体１４０
表面に厚さ１μ以」二の無電解のニッケルメッキ層１゛
７を形成し、この二・ノヶルメ・ツギ層１７の上に厚さ
１〜２μ程度の銀メＩキ層１８を形成した金属ケース１
６を用いることを提案した。
表面に厚さ１μ以」二の無電解のニッケルメッキ層１゛
７を形成し、この二・ノヶルメ・ツギ層１７の上に厚さ
１〜２μ程度の銀メＩキ層１８を形成した金属ケース１
６を用いることを提案した。
上記の構成によれば、銅系の金旙１ケース本体１４の全
面に無電解ニッケルメッキ層１７を介して銀メッキ層１
８を形成しているので、評価試験や１吏／（Ｉ状態で１
００℃以−にの高温に１収さｉｔｋ際に、金属ケース本
体１４の銅が銀メッキ層１８へ拡散しようとしても無電
解ニッケＩＶ層１７によって阻１１４されるので、銀メ
ッキ層１８の表面に銅が滲出してくることがなく、かつ
したがって、銅の酸化によって可動接点７との接触抵抗
が増大したり、外観不良となったり表示捺印が不１！１
Ｆ明になるといったことか皆無となる。また、銀メッキ
層１８を従来の銀メッキ層１５よりも格段に薄くできる
ので原価低減も図れる。
面に無電解ニッケルメッキ層１７を介して銀メッキ層１
８を形成しているので、評価試験や１吏／（Ｉ状態で１
００℃以−にの高温に１収さｉｔｋ際に、金属ケース本
体１４の銅が銀メッキ層１８へ拡散しようとしても無電
解ニッケＩＶ層１７によって阻１１４されるので、銀メ
ッキ層１８の表面に銅が滲出してくることがなく、かつ
したがって、銅の酸化によって可動接点７との接触抵抗
が増大したり、外観不良となったり表示捺印が不１！１
Ｆ明になるといったことか皆無となる。また、銀メッキ
層１８を従来の銀メッキ層１５よりも格段に薄くできる
ので原価低減も図れる。
ところが、無電解ニッケルメッキ層１７ ｉ、Ｉ−１表
面の活性化が困難であり、＆ｌＪノノキ層１８との密着
性が悪いために、剥れや高温保管時にフクレを発生して
、商品価値が低下するのみならず、勃に感温ペレツト３
の溶融時に０■動接点７の円滑ｆＬｊｌｊｌ＋作が困難
に方り、温度ヒユーズの信頼１イ１：が低下するという
新たな問題に遭遇した。
面の活性化が困難であり、＆ｌＪノノキ層１８との密着
性が悪いために、剥れや高温保管時にフクレを発生して
、商品価値が低下するのみならず、勃に感温ペレツト３
の溶融時に０■動接点７の円滑ｆＬｊｌｊｌ＋作が困難
に方り、温度ヒユーズの信頼１イ１：が低下するという
新たな問題に遭遇した。
発明の開示
〔目的〕
この発明は、金属ケースの銀メッキ層表面に銅が滲出酸
化することがなく、しかも銀メッキ層の剥れやフクレを
生じない温度ヒユーズをＩｊ＋冒ノ（することを目的と
する 〔構成〕 この発明は銅系の材料よりなる金属ケース本体に無電解
ニッケルメッキ層と？Ｅ気二・ノケルメ・ツキ層とを介
して銀メッキ層を形成した金属ケースを用いることを特
徴とするものである。
化することがなく、しかも銀メッキ層の剥れやフクレを
生じない温度ヒユーズをＩｊ＋冒ノ（することを目的と
する 〔構成〕 この発明は銅系の材料よりなる金属ケース本体に無電解
ニッケルメッキ層と？Ｅ気二・ノケルメ・ツキ層とを介
して銀メッキ層を形成した金属ケースを用いることを特
徴とするものである。
この発明によれば、銅系の）ｌ′Ａ判よりなる全１萬ケ
ーヌ本体に、捷ず無電解ニッケルメッキ層を形成するの
で、一端が閉じたイ〕底円筒状の金属ケース本体の外面
はもちろん内面にも−・様な無電解ニッケルメッキ層を
Ｊし成することができる。１だ、」ニ記無電解ニッケル
メッキ層十に電りＣ二、ケルメッキ層を形成して銀メノ
ギ層を形成するので、無電解ニッケルメッキ層と電気工
、ノケルメノキ層は共にニッケルメッキ層のため密着性
がよく、電気ニッケルメ・フキ層は無電解二、ソケルメ
・ツキ層よりも表面が活性であるため、電気工・ノケル
メ・ツキ層と銀メッキ層との密着性もよく、銀メ・ツキ
層の剥れや高温保管によるフクレが発生しない。また、
高温保管時に銅系４ｚ料よりなる金属ケース本体の銅が
銀メッキ層へ拡散しようとしても、無電解ニッケｌレノ
１．キ層および電気ニソケルメ・ツキ層で二重に阻止さ
れるため、銀メツキ層表面への銅の拡散滲出および酸化
は確実に防止され、内７７１Ｓヤ（抗の増大や変色によ
る商品価値の低下が発生しなくなる。
ーヌ本体に、捷ず無電解ニッケルメッキ層を形成するの
で、一端が閉じたイ〕底円筒状の金属ケース本体の外面
はもちろん内面にも−・様な無電解ニッケルメッキ層を
Ｊし成することができる。１だ、」ニ記無電解ニッケル
メッキ層十に電りＣ二、ケルメッキ層を形成して銀メノ
ギ層を形成するので、無電解ニッケルメッキ層と電気工
、ノケルメノキ層は共にニッケルメッキ層のため密着性
がよく、電気ニッケルメ・フキ層は無電解二、ソケルメ
・ツキ層よりも表面が活性であるため、電気工・ノケル
メ・ツキ層と銀メッキ層との密着性もよく、銀メ・ツキ
層の剥れや高温保管によるフクレが発生しない。また、
高温保管時に銅系４ｚ料よりなる金属ケース本体の銅が
銀メッキ層へ拡散しようとしても、無電解ニッケｌレノ
１．キ層および電気ニソケルメ・ツキ層で二重に阻止さ
れるため、銀メツキ層表面への銅の拡散滲出および酸化
は確実に防止され、内７７１Ｓヤ（抗の増大や変色によ
る商品価値の低下が発生しなくなる。
発明を実施するだめの最良の形態
以下に、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第５図は温度ヒユーズの断面図を示し、第６図は金属ケ
ース１９の要部拡大断面図を示す。
ース１９の要部拡大断面図を示す。
第５図において、次の点を除いては第１図と同様であり
、同一部分には同−参１！（符号をｆ、１シている。第
１図との相違点は、金属ケース１に代えて金属ケー７１
９を用いていることである。１）１１記金属ケース１９
は、第６図に示すように、銅または黄銅等の銅系利料よ
りなる金属ケース本体１４の内外両面に、次亜リン酸塩
の還元反応を利用して厚さ１μ以上の無電解ニッケルメ
ッキ層２０を形成し、この無電解二１．ケルメリキ層２
０上に塩化ニッケル浴を用いて厚さ０．．０５７１以上
の電気工。
、同一部分には同−参１！（符号をｆ、１シている。第
１図との相違点は、金属ケース１に代えて金属ケー７１
９を用いていることである。１）１１記金属ケース１９
は、第６図に示すように、銅または黄銅等の銅系利料よ
りなる金属ケース本体１４の内外両面に、次亜リン酸塩
の還元反応を利用して厚さ１μ以上の無電解ニッケルメ
ッキ層２０を形成し、この無電解二１．ケルメリキ層２
０上に塩化ニッケル浴を用いて厚さ０．．０５７１以上
の電気工。
ケルメッキ層２１を形成し、さらに、この電気ニッケル
メッキ層２１上に厚さ１〜２μ程度の銀メケルメッキ層
２１は無電解ニッケルメッキ層２０の表面を活性化する
ためのものであるから余り厚くする必要はないが、０．
０５μ以上ないとピンホールやばらつきにより全面に形
成できない。
メッキ層２１上に厚さ１〜２μ程度の銀メケルメッキ層
２１は無電解ニッケルメッキ層２０の表面を活性化する
ためのものであるから余り厚くする必要はないが、０．
０５μ以上ないとピンホールやばらつきにより全面に形
成できない。
上記の構成によれば、銅系の金属ケース本体１４に無電
解ニッケルメッキ層２０および電気ニッケル７７４層２
１を介在して銀メ・ツキ層２２を形成゛しているので、
高温保管′：ｑの￥１′価試験や使Ｊｊｌ状態で１００
℃以上の高温に曝されて、全独１ケース本体１４の銅が
銀メッキ層２２の表面へ拡散滲出することが防止され、
かつしたがって銅の酸化によって、金属ケース１９の内
面側では、可動接点７との接触抵抗の増大に起因する内
部抵抗の増大が防止され、外面側では銀メツキ層２２表
面の父色による外観不良や表示捺印が不鮮明になるとい
ったことが皆無になる。
解ニッケルメッキ層２０および電気ニッケル７７４層２
１を介在して銀メ・ツキ層２２を形成゛しているので、
高温保管′：ｑの￥１′価試験や使Ｊｊｌ状態で１００
℃以上の高温に曝されて、全独１ケース本体１４の銅が
銀メッキ層２２の表面へ拡散滲出することが防止され、
かつしたがって銅の酸化によって、金属ケース１９の内
面側では、可動接点７との接触抵抗の増大に起因する内
部抵抗の増大が防止され、外面側では銀メツキ層２２表
面の父色による外観不良や表示捺印が不鮮明になるとい
ったことが皆無になる。
また、無電解ニッケルメッキ層２０の表面を電気ニッケ
ルメ・フキ１＃２１によって活性化して銀メ７ キ層２
２を形成したので、銀メ・ｌキ腑２２（７）密感温ベレ
ノ１−８の溶融時に可動接点７が円滑に移動する信頼性
の高い温度ヒユーズが得らノ１．る。
ルメ・フキ１＃２１によって活性化して銀メ７ キ層２
２を形成したので、銀メ・ｌキ腑２２（７）密感温ベレ
ノ１−８の溶融時に可動接点７が円滑に移動する信頼性
の高い温度ヒユーズが得らノ１．る。
第１図は従来の温度ヒユーズの断面図である。
第２図は第１図の温度ヒユーズの動作後の快適を示す断
面図である。 第３図は第１図の温度ヒユーズにおける金属ケースの要
部拡大断面図である。 第４図はこの発明の背景となる温度ヒユーズにおける金
属ケースの要部拡大１１ノ１而図である。１第５図はこ
の発明の一実施例のｌ１ｆｕ’ｔ １．ｌＪヒユーズの
断面図である。 第６図は第５図の温度ヒユーズＶこＪｌ、ｌいらノＬる
金属ケースの要部拡大断面図である。 ３ ・・・・１さ温ぺ１ノ、１−１ ６ ・・・ ・強圧縮ばね、 ７ ・・・・・・・可動接点、 ８ ・・・・・・絶縁ブッシング、 ９ ・・・・・・ リード線、 １０・ ・ 固定接点、 １１・・−・・・弱圧縮ばね、 １４・ ・ 金属ケース本体、 １９ ・・・・・金属ケース、 ２０・・・・・・無電解ニッケルメ・ツキ層、２１ ・
・・・電気ニノグルメリキ層、２２・ ・・・銀メッキ
層。 第１図 第２図 第３図 １４ 耶 第５図 図 ］９
面図である。 第３図は第１図の温度ヒユーズにおける金属ケースの要
部拡大断面図である。 第４図はこの発明の背景となる温度ヒユーズにおける金
属ケースの要部拡大１１ノ１而図である。１第５図はこ
の発明の一実施例のｌ１ｆｕ’ｔ １．ｌＪヒユーズの
断面図である。 第６図は第５図の温度ヒユーズＶこＪｌ、ｌいらノＬる
金属ケースの要部拡大断面図である。 ３ ・・・・１さ温ぺ１ノ、１−１ ６ ・・・ ・強圧縮ばね、 ７ ・・・・・・・可動接点、 ８ ・・・・・・絶縁ブッシング、 ９ ・・・・・・ リード線、 １０・ ・ 固定接点、 １１・・−・・・弱圧縮ばね、 １４・ ・ 金属ケース本体、 １９ ・・・・・金属ケース、 ２０・・・・・・無電解ニッケルメ・ツキ層、２１ ・
・・・電気ニノグルメリキ層、２２・ ・・・銀メッキ
層。 第１図 第２図 第３図 １４ 耶 第５図 図 ］９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属ケースと、金属ケース内に収容さノしたハぎ／ｉｌ
Ａベレット、強圧縮ばねおよび川！ＩＨ＃ ｌ’！’点
と、金属ケースの開口端を閉塞するＸ（へ縁ブッシング
と、この絶縁ブッシングを貫通し内力端に１）１１記川
動接点と接触する固定接点を備えたＩ＋ −１’線と、
ｕｉｌ ｉｊ＋、！絶縁ブッシングと可動接点との間に
介在さノ］、た弱１．１： ＆ｉばねとを有するものに
おいて、 前記金属ケースが銅系ＡＡ本１よりなる金属ケース内体
の表面に無電解ニッケルメッキ層ト、’ｉｌｊ’、 ’
、ｘにノケルメ ツキ層とを介して銀メ ツキ層をノし
成したものであることを特徴とするン晶度ヒュース”。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17156983A JPS6063839A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 温度ヒユ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17156983A JPS6063839A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 温度ヒユ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063839A true JPS6063839A (ja) | 1985-04-12 |
| JPS6336094B2 JPS6336094B2 (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=15925570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17156983A Granted JPS6063839A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 温度ヒユ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063839A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102187421A (zh) * | 2009-11-30 | 2011-09-14 | 宝商株式会社 | 温敏颗粒型温度熔断器 |
| WO2022178002A1 (en) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | Therm-O-Disc Incorporated | Thermal cut-off device having a single-sided silver-plated housing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190636U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-12-03 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17156983A patent/JPS6063839A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190636U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-12-03 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102187421A (zh) * | 2009-11-30 | 2011-09-14 | 宝商株式会社 | 温敏颗粒型温度熔断器 |
| WO2022178002A1 (en) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | Therm-O-Disc Incorporated | Thermal cut-off device having a single-sided silver-plated housing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6336094B2 (ja) | 1988-07-19 |
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