JPS6061994A - Control circuit of dynamic memory - Google Patents

Control circuit of dynamic memory

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Publication number
JPS6061994A
JPS6061994A JP58169871A JP16987183A JPS6061994A JP S6061994 A JPS6061994 A JP S6061994A JP 58169871 A JP58169871 A JP 58169871A JP 16987183 A JP16987183 A JP 16987183A JP S6061994 A JPS6061994 A JP S6061994A
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JP
Japan
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address
memory
data
refresh
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP58169871A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Yanagi
柳 寿男
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6061994A publication Critical patent/JPS6061994A/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent reduction of the processing speed of a data processor by performing a data refresh action of a memory block at the other side in the same memory cycle of the other memory block while an access is given to either one of even and odd memory blocks. CONSTITUTION:The least significant bit address 35 among addresses of an address bus 13 is set at level ''0'', and a row address strobe signal 19 given from a timing generating circuit 15 is lowered down to level ''0''. Under such conditions, memory blocks 24 and 25 of the ven side receive accesses to a request given from a processor 11 and perform the transfer of data with a data bus 14 via data buses 29 and 30. For memory blocks 26 and 27 of the odd side, an address which is designated by a refresh address address 75 is refreshed since the supply is inhibited for a column address strobe signal 39 by an NAND gate 34. When the address 35 is set at level ''1'', the data receives an access at blocks 26 and 27. Then the data is refreshed at blocks 24 and 25.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はデータ処理システムに設けられるダイナミッ
ク型メモリに関し、特にそのデータリフレッシ−制御を
行なうダイナミック型メモリの制御回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a dynamic memory provided in a data processing system, and more particularly to a control circuit for a dynamic memory that performs data refresh control.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、ダイナミック型メモリセルを使用したメモリにお
けるリフレッシ−動作は、メモリセル固有のリフレッシ
ュサイクル数と等しいビット数を有するカウンタ回路を
用意し、このカウント回路のカウント出力として得られ
るリフレッシュアドレスに基づいて一定時間毎にリフレ
ッシ−サイクルを挿入して実行するようにしている。こ
のようなりフレッシ瓢動作を実行する場合、リフレッシ
−サイクル中にデータアクセス要求が生じたときには、
このアクセス要求を出力した装置たとえばマイクロプロ
セッサにウェイト信号を送ることによりマイクロプロセ
ッサを一時的に停止させるか、あるいはマイクロプロセ
ッサの状態を観察することによってマイクロプロセッサ
の空き時間を検出し、この時間内にリフレッシュサイク
ルを終らせるようにしている。上記後者の方法は前者の
ものにくらべて、リフレッシ−サイクルの存在を感じさ
せ々いようにすることができる。
Conventionally, the refresh operation in a memory using dynamic memory cells involves preparing a counter circuit with a number of bits equal to the number of refresh cycles specific to the memory cell, and performing a refresh operation at a constant value based on the refresh address obtained as the count output of this counter circuit. A refresh cycle is inserted and executed every hour. When performing such a refresh operation, when a data access request occurs during the refresh cycle,
The device that outputs this access request, for example, either temporarily stops the microprocessor by sending a wait signal to the microprocessor, or detects the idle time of the microprocessor by observing the state of the microprocessor, and I'm trying to finish the refresh cycle. The latter method can make the presence of the refresh cycle more noticeable than the former method.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

従来のリフレッシュ制御技術のうち、マイクロプロセッ
サからのアクセス要求に対し、ウェイト信号によってマ
イクロプロセッサの動作を停止させてリフレッシュを行
なうものは構成が簡単ではあるが、マイクロプロセッサ
の実行速度を低下させてしまうという欠点がある。
Among the conventional refresh control technologies, those that stop the microprocessor's operation using a wait signal to perform refresh in response to an access request from the microprocessor have a simple configuration, but they slow down the execution speed of the microprocessor. There is a drawback.

他方、マイクロプロセッサの空き時間を検出してリフレ
ッシ−サイクルを挿入するものでは、プロセッサ自体が
高速でメモリをアクセスするために空き時間を検出する
のが困難になってきておシ、回路構成が複雑となる欠点
がある。
On the other hand, with a system that detects free time in a microprocessor and inserts a refresh cycle, it becomes difficult to detect free time because the processor itself accesses memory at high speed, and the circuit configuration is complicated. There is a drawback.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は、ダイナミック型メモリを備えたデー
タ処理システムにおいて、メモリのデータリフレッシュ
動作のだめにデータ処理装置のメモリサイクルを犠牲に
することなく、これを言い換えれば、データ処理装置の
実行速度を低下させることがなく、シかも回路構成が比
較的簡単なダイナミック型メモリの制御回路を提供する
ことにある。
The present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to sacrifice memory cycles of a data processing device in order to refresh data in the memory in a data processing system equipped with a dynamic memory. In other words, it is an object of the present invention to provide a dynamic memory control circuit that does not reduce the execution speed of a data processing device and has a relatively simple circuit configuration.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

一般に、マイクロプロセッサを備えたデータ処理システ
ムにおいて、マイクロプロセッサはメモリに予め格納さ
れている命令群をシーケンシャルに実行、消費していく
。このことは命令のフェッチという点からみれば、アド
レスの単位増加が操り返され、プロセッサの基本語長を
単位とすればアドレスの偶、奇が交互に変化するという
ことになる。ただし、分岐命令等にょシ、たとえば奇数
アドレスへのアクセスが連続したりあるいは長い内部処
理時間を要する命令をプロセッサが実行してメモリアク
セスが発生しないような場合もある。ところが、プロセ
ッサのノJ?イブライン処理やゾロセッサ内部の実行ユ
ニットたとえばパス制御ユニットの分離等により、偶、
奇どちらかのアドレスへのアクセスが長時間連続したり
、長時間にわたってメモリアクセスが発生しないような
ことはほとんどない。そこで、この発明によるダイナミ
ック型メモリの制御回路では、ダイナミック型メモリを
備えたデータ処理システムにおいて、このメモリを奇数
アドレスメモリブロックと偶数アドレスメモリブロック
とに分割し、それぞれのメモリブロックに対して独立し
たデータアクセス制御回路とデータリフレッシュ制御回
路とを設け、偶、奇いずれか一方のメモリブロックが、
データ処理装置であるマイクロプロセッサからのデータ
アクセス要求に応じてアクセスされているとき、これと
同じメモリサイクルで他方のメモリブロックのデータリ
フレッシュ動作を行なわせることによって、ダイナミッ
ク型メモリの持つメモリサイクル時間のすべてをプロセ
ッサの5− ために使用することができるようにしたものである。
Generally, in a data processing system equipped with a microprocessor, the microprocessor sequentially executes and consumes a group of instructions stored in advance in a memory. From the point of view of fetching instructions, this means that the unit increase in addresses is manipulated, and if the basic word length of the processor is used as a unit, the even or odd address changes alternately. However, there are cases in which the processor executes branch instructions, etc., such as consecutive accesses to odd addresses or instructions that require a long internal processing time, and no memory access occurs. However, the processor NoJ? Due to e-line processing and the separation of the execution unit inside the processor, such as the separation of the path control unit,
There are almost no cases where accesses to one of the odd addresses continue for a long time, or where no memory access occurs for a long time. Therefore, in a dynamic memory control circuit according to the present invention, in a data processing system equipped with a dynamic memory, this memory is divided into an odd address memory block and an even address memory block, and an independent A data access control circuit and a data refresh control circuit are provided, and either the even or odd memory block
When data is being accessed in response to a data access request from a microprocessor, which is a data processing device, the memory cycle time of dynamic memory can be reduced by refreshing the data of the other memory block in the same memory cycle. All of them can be used for five processors.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。第
1図はこの発明に係るダイナミック型メモリの制御回路
を、マイクロコンピュータシステムに実施した場合の回
路構成図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit configuration diagram when a dynamic memory control circuit according to the present invention is implemented in a microcomputer system.

図において11は取扱うデータの1語およびデータバス
のビット幅がたとえば16ビツトであって、基本語長が
16ビツトのマイクロ7’oセツサであり、12,1.
9.14はそれぞれこのプロセッサ11のコントロール
パス、アドレスバス、データバスである。15は上記コ
ントロールパス12を介して上記プロセッサ11からア
クセス要求信号16が、また、後述する2つのりフレッ
シ瓢要求カウンタから出力されるリフレッシュ要求信号
17がそれぞれ入力されておυ、さらにリフレッシュサ
イクルであるか否かの状態を示すリフレッシ−サイクル
信号18、行アドレスストローブ信号19、列アドレス
ス6− トロープ信号20、書込イネーブル信号21、アドレス
選択信号22およびウェイト信号23をそれぞれ発生す
るタイミング発生回路である。
In the figure, 11 is a micro 7'o setter in which one word of data to be handled and the bit width of the data bus are, for example, 16 bits, and the basic word length is 16 bits; 12, 1 .
9.14 are the control path, address bus, and data bus of this processor 11, respectively. Reference numeral 15 indicates an access request signal 16 from the processor 11 via the control path 12, and a refresh request signal 17 output from two fresh gourd request counters to be described later. A timing generation circuit that generates a refresh cycle signal 18, a row address strobe signal 19, a column address 6-trope signal 20, a write enable signal 21, an address selection signal 22, and a wait signal 23, respectively. be.

24ないし27はそれぞれダイナミック型メモリセルで
構成されているメモリブロックであド分記憶するダイナ
ミック型メモリ28を構成しており、1つのメモリブロ
ック24は偶数アドレスの上位8ビツト側を記憶し、1
つのメモリブロック25は偶数アドレスの下位8ビツト
側を記憶し、1つのメモリブロック26は奇数アドレス
の上位8ビツト側を記憶し、1つのメモリブロック27
は奇数アドレスの下位8ビツト側を記憶する。すなわち
、このダイナミック型メモリ28は、上記マイクロプロ
セッサ11の物理アドレス空間をその基本語長である1
6ビツ°ト単位で奇数および偶数アドレス毎に分割され
、さらにそれぞれ上位と下位のバイト毎に分割されてい
るものである。そして上記メモリブロック24ないし2
7は、上位もしくは下位バイトのデータバス29.30
を介して前記データバス14に結合されている。
24 to 27 are memory blocks composed of dynamic memory cells, respectively, and constitute a dynamic memory 28 that stores addresses; one memory block 24 stores the upper 8 bits of an even address;
One memory block 25 stores the lower 8 bits of even addresses, one memory block 26 stores the upper 8 bits of odd addresses, and one memory block 27 stores the upper 8 bits of odd addresses.
stores the lower 8 bits of odd addresses. That is, this dynamic memory 28 divides the physical address space of the microprocessor 11 into its basic word length of 1.
It is divided into odd and even addresses in units of 6 bits, and further divided into upper and lower bytes, respectively. and the memory block 24 to 2
7 is the upper or lower byte data bus 29.30
The data bus 14 is coupled to the data bus 14 via the data bus 14 .

NORゲート31.32およびNANDゲート33゜3
4からなる回路は、前記アドレスバス13で伝送される
アドレスのうち最下位ビットのアドレス35、前記リフ
レッシュサイクル信号18およびインバータ36による
前記列アドレスストローブ信号20の反転信号37が入
力され、上記偶数メモリブロック24.25に対する列
アドレスストローブ信号38と上記奇数メモリブロック
26.2’iに対する列アドレスストローブ信号39を
出力するものである。また、NANDゲート40ないし
43からなる回路は、前記コントロールパス12で伝送
され上位バイトを選択するための上位バイト選択信号4
4、上記NORゲート31.32からの出力信号45゜
46およびインバータ47による前記行アドレスストロ
ーブ信号19の反転信号48が入力され、上記偶数側で
上位バイトのメモリブロック24に対する行アドレスス
トローブ信号49および上記奇数側で上位バイトのメモ
リブロック26に対する行アドレスストローブ信号50
を出力するものである。同様にNANDゲート51ない
し54からなる回路は、前記コントロールバス12で伝
送され下位バイトを選択するだめの下位バイト選択信号
55、上記信号45,46゜48が入力され、上記偶数
側で下位バイトのメモリブロック25に対する行アドレ
スストローブ信号56および上記奇数側で下位バイトの
メモリブロック27に対する行アドレスストローブ信号
57を出力するものである。なお、上記NANDゲート
40.41,51.52の出力信号58ないし61は、
信号45.46がOレベルの期間前記メモリブロック2
4ないし27に対するリフレッシ−要求信号として使用
される。
NOR gate 31.32 and NAND gate 33°3
The circuit consisting of 4 receives the address 35 of the least significant bit of the address transmitted on the address bus 13, the refresh cycle signal 18, and an inverted signal 37 of the column address strobe signal 20 by the inverter 36, and is connected to the even memory. It outputs a column address strobe signal 38 for blocks 24.25 and a column address strobe signal 39 for the odd memory blocks 26.2'i. Further, a circuit consisting of NAND gates 40 to 43 receives an upper byte selection signal 4 transmitted through the control path 12 for selecting an upper byte.
4. Output signals 45° 46 from the NOR gates 31 and 32 and an inverted signal 48 of the row address strobe signal 19 by the inverter 47 are input, and the row address strobe signal 49 and Row address strobe signal 50 for the upper byte memory block 26 on the odd number side
This outputs the following. Similarly, the circuit consisting of NAND gates 51 to 54 receives the lower byte selection signal 55 transmitted through the control bus 12 and for selecting the lower byte, and the signals 45, 46° 48, and selects the lower byte on the even number side. It outputs a row address strobe signal 56 for the memory block 25 and a row address strobe signal 57 for the memory block 27 of the lower byte on the odd number side. Note that the output signals 58 to 61 of the NAND gates 40.41 and 51.52 are as follows.
During the period when the signals 45 and 46 are at O level, the memory block 2
4 to 27 is used as a refresh request signal.

62および63はそれぞれ前記偶数側および奇数側のメ
モリブロック24.25および26゜27に対するアド
レスマルチグレサであり、前記信号45.46がOレベ
ルに設定されるとき9− に後述する2つのリフレッシュカウンタからの出力をア
ドレス64.65として前記メモリブロック24ないし
27に供給するとともに、前記アドレス選択信号22の
レベルに応じて、前記アドレスバス13で伝送される上
位8ビツトのアドレス66および下位8ビツトのアドレ
ス61を上記アドレス64.65としてメモリブロック
24ないし27に選択的に供給する。
62 and 63 are address multigrazers for the even and odd side memory blocks 24, 25 and 26, 27, respectively, and when the signals 45, 46 are set to the O level, two refresh operations, which will be described later, are performed at 9-. The output from the counter is supplied as address 64.65 to the memory blocks 24 to 27, and in accordance with the level of the address selection signal 22, the upper 8 bits of the address 66 and the lower 8 bits transmitted on the address bus 13 are The address 61 is selectively supplied to the memory blocks 24 to 27 as the address 64.65.

68および69はそれぞれ偶数側メモリブロック24,
25、奇数側メモリブロック26゜27に対するリフレ
ッシ−カウンタである。この各リフレッシュカウンタ6
B、69は、上記信号45と前記行アドレスストローブ
信号19とを入力とするNORゲート70の出力信号7
1および上記信号46と行アドレスストローブ信号19
とを入力とするNORゲート72の出力信号73をカウ
ント入力信号とし、そのカウント出力信号はりフレッシ
ェアドレス74.75.!:して上記アドレスマルチプ
レクサ62.63に供給される。
68 and 69 are even-numbered memory blocks 24 and 69, respectively.
25, a refresh counter for odd-numbered memory blocks 26 and 27; Each refresh counter 6
B, 69 is the output signal 7 of the NOR gate 70 which receives the signal 45 and the row address strobe signal 19 as input.
1 and the above signal 46 and the row address strobe signal 19
The output signal 73 of the NOR gate 72 whose input is the count input signal, and the count output signal is the frequency address 74, 75 . ! : and is supplied to the address multiplexers 62 and 63.

10− 76および77は、発振回路78からの発振出力信号を
順次カウントし、フルカウント状態に、なるとリフレッ
シュ要求信号79.80を出力するリフレッシュ要求カ
ウンタである。この2つのカウンタ76.77からのリ
フレッシュ要求信号?9.lJOはNORゲート81を
介し前記リフレッシュ要求信号17として前記タイミン
グ発生回路15に供給される。さらに上記両カウンタ’
16.71には前記信号11.13がリセット信号とし
て入力されている。
Refresh request counters 10-76 and 77 sequentially count the oscillation output signals from the oscillation circuit 78, and output a refresh request signal 79.80 when a full count is reached. Refresh request signals from these two counters 76 and 77? 9. lJO is supplied to the timing generation circuit 15 as the refresh request signal 17 via the NOR gate 81. Furthermore, both of the above counters'
The signal 11.13 is inputted to 16.71 as a reset signal.

また、前記各メモリブロック24ないし27には、タイ
ミング発生回路15で発生される書込イネーブル信号2
1が供給されておシ、各メモリブロック24ないし27
におけるデータ書込み動作はこの信号2ノが0レベルに
設定されているときに許可される。
Further, each of the memory blocks 24 to 27 receives a write enable signal 2 generated by the timing generation circuit 15.
1 is supplied to each memory block 24 to 27.
The data write operation in is permitted when this signal 2 is set to 0 level.

次に上記のように構成された回路の動作を、第2図に示
すタイミングチャートを用いて説明する。まず、コント
ロールバス12を介してマイクロプロセッサ11からタ
イミング発生回路15に入力されるアクセス要求信号1
6が0レベルに下げられる。このとき、ダイナミック型
メモリ28ではいずれのメモリブロックでもリフレッシ
ュ動作が行なわれていす、タイミング発生回路15で発
生しているリフレッシュサイクル信号18は0レベルに
されているとする。
Next, the operation of the circuit configured as described above will be explained using the timing chart shown in FIG. First, an access request signal 1 is input from the microprocessor 11 to the timing generation circuit 15 via the control bus 12.
6 is lowered to 0 level. At this time, it is assumed that a refresh operation is being performed in every memory block in the dynamic memory 28, and the refresh cycle signal 18 generated by the timing generation circuit 15 is set to 0 level.

また、上記アクセス要求信号16が0レベルに下げられ
るときに、アドレスバス13におけるアドレスの最下位
ビットアドレス35が0レベルに設定されるものとする
。すhわちこのとき、アドレスバス13上のアドレスは
偶数アドレスである。いま、上記最下位ビットアドレス
35およびリフレッシュサイクル信号18がともに0レ
ベルであるので、NORゲート3ノの出力信号45−1
tsルベル、NORゲート32の出力信号46がOレベ
ルにそれぞれ設定される。これにより、2つのNAND
ゲート33.34のうち一方のNANDゲート33が開
き、列アドレスストローブ信号20は信号38として偶
数側の上位バイトおよび下位バイトの2つのメモリブロ
ック24.25に対して供給可能となる。上記信号45
がルベルに設定されることにより、アドレスマルチプレ
クサ62によるリフレッシュカウンタ68からのりフレ
・、シュアドレス74の選択が禁止される。さらにこの
アドレスマルチプレクサ62は、アドレス選択信号22
に基づいて上位、下位各8ビ、トのアドレス66.61
を選択し、これをアドレス64として偶数側の2つのメ
モリブロック24.25に供給する。
It is also assumed that when the access request signal 16 is lowered to the 0 level, the least significant bit address 35 of the address on the address bus 13 is set to the 0 level. That is, at this time, the addresses on the address bus 13 are even addresses. Now, since the least significant bit address 35 and the refresh cycle signal 18 are both at 0 level, the output signal 45-1 of the NOR gate 3 is
ts level and the output signal 46 of the NOR gate 32 are set to O level. This allows two NAND
One of the NAND gates 33 and 34 is opened, and the column address strobe signal 20 can be supplied as a signal 38 to the two memory blocks 24 and 25 of the upper and lower bytes on the even-numbered side. The above signal 45
is set to the level, thereby prohibiting the address multiplexer 62 from selecting the positive address 74 from the refresh counter 68. Furthermore, this address multiplexer 62 receives the address selection signal 22.
Based on the upper and lower 8 bits, the address of 66.61
is selected and supplied as address 64 to the two even-numbered memory blocks 24 and 25.

一方、上記信号46がθレベルに設定されることにより
、アドレスマルチプレクサ63はりyレッシュカウンタ
69からのリフレッシュアドレス75を選択して、これ
をアドレス65として奇数側の2つのメモリブロック2
6.27に供給する。したがって、偶数側の2つのメモ
リブロック24.25はアドレスバス13上のアドレス
66.6f!によってアドレス指定がなされ、奇数側の
2つのメモリプロ、り26.1#はリフレッシュカウン
タ69からのりフレッシーアドレス751Cよってアド
レス指定がなされ13− る。
On the other hand, by setting the signal 46 to the θ level, the address multiplexer 63 selects the refresh address 75 from the Y refresh counter 69 and uses this as the address 65 for the two odd-numbered memory blocks 2.
Supply on 6.27. Therefore, the two even-numbered memory blocks 24.25 have addresses 66.6f! on the address bus 13! The two memory processors on the odd side, 26.1#, are addressed by the fresh address 751C from the refresh counter 69 (13-).

一方、上記信号46が0レベルに設定されているので、
NANDゲー)4J 、52の出力信号である奇数側の
メモリブロック26.27に対するリフレッシ−要求信
号59.61はともにルベルに設定される。したがって
、NANDゲート43.54の出力信号として得られる
行アドレスストローブ信号50.57は、奇数側の2つ
のメモリブロック26.27に対して供給可能となる。
On the other hand, since the signal 46 is set to 0 level,
The refresh request signals 59 and 61 for the odd-numbered memory blocks 26 and 27, which are the output signals of the NAND game) 4J and 52, are both set to the level. Therefore, the row address strobe signal 50.57 obtained as the output signal of the NAND gate 43.54 can be supplied to the two odd-numbered memory blocks 26.27.

他方、偶数側の2つのメモリブロック24.25に対す
る行アドレスストローブ信号49.56は、プロセッサ
11からの上位バイト選択信号44および下位バイト選
択信号55に応じて制御され、指定され九ノ々イトのみ
あるいは両方のバイトに対して許可される。
On the other hand, the row address strobe signals 49.56 for the two even-numbered memory blocks 24.25 are controlled in accordance with the upper byte selection signal 44 and the lower byte selection signal 55 from the processor 11, and are controlled in accordance with the upper byte selection signal 44 and the lower byte selection signal 55 from the processor 11. Or allowed for both bytes.

次に、この状態で、タイミング発生回路15からの行ア
ドレスストローブ信号19がOレベルに下げられると、
偶数側の2つのメモリブロック24.25のいずれか一
方あるいは両方はプロセッサ11からの要求に対して正
常にアク14− セスされ、データバス29.31を介してデータバス1
4とデータの受授を行なう。またこのとき、データの書
込み、読出しモードに応じて書込みイネーブル信号21
のレベルが設定される。一方、奇数側の2つのメモリブ
ロック26゜22は、NANDゲート34によって列ア
ドレスストローブ信号39の供給が禁止されているので
、前記リフレッシュアドレス75によって指定されるア
ドレスがリフレッシュされる。さらに行アドレスストロ
ーブ信号19がOレベルに下げられる毎にNORゲート
72の出力信号73がルベルとされ、リフレッシ−カウ
ンタ69はこの信号73を順次カウントしてりフレッシ
ュアドレス75の更新を行なう。したがって、奇数側の
2つのメモリブロック26.27では、行アドレススト
ローブ信号19がOレベルに下げられる毎に新たなアド
レスのリフレッシュが行なわれる。さらにリフレッシュ
カ、ウンタ69がカウントアツプする毎にリフレッシュ
要求カウンタ77が信号73によってリセットされる。
Next, in this state, when the row address strobe signal 19 from the timing generation circuit 15 is lowered to O level,
One or both of the two even-numbered memory blocks 24, 25 are normally accessed in response to a request from the processor 11, and the data bus 14-2 is accessed via the data bus 29, 31.
4 and receive and receive data. At this time, the write enable signal 21 is activated depending on the data write/read mode.
level is set. On the other hand, since the supply of the column address strobe signal 39 to the two odd-numbered memory blocks 26 and 22 is prohibited by the NAND gate 34, the address specified by the refresh address 75 is refreshed. Further, each time the row address strobe signal 19 is lowered to the O level, the output signal 73 of the NOR gate 72 is set to a level, and the refresh counter 69 sequentially counts this signal 73 to update the fresh address 75. Therefore, in the two odd-numbered memory blocks 26 and 27, a new address is refreshed every time the row address strobe signal 19 is lowered to the O level. Further, a refresh request counter 77 is reset by a signal 73 every time the refresh counter 69 counts up.

これによりリフレッシュ要求信号80の出力が抑制され
、カウンタ77はカウント0の状態から新たに発振回路
78の発振出力信号をカウントする。
As a result, the output of the refresh request signal 80 is suppressed, and the counter 77 newly counts the oscillation output signal of the oscillation circuit 78 from the count 0 state.

このようにして、偶数側の2つのメモリブロック24.
25でデータのアクセスがなされる場合には、このメモ
リサイクル内で奇数側の2つのメモリブロック26.2
7のリフレッシュが行なわれる。一方、前記最下位ビッ
トアドレス35がルベルに設定される場合には、上記と
は反対に奇数側の2つのメモリブロック26゜27でデ
ータのアクセスがなされ、これと同じメモリサイクルで
偶数側の2つのメモリブロック24.25でデータのり
フレッシーが上記と同様にして行なわれる。
In this way, the two even-numbered memory blocks 24.
When data is accessed in 25, the two odd-numbered memory blocks 26.2 are accessed in this memory cycle.
7 refreshes are performed. On the other hand, when the least significant bit address 35 is set to the level, contrary to the above, data is accessed in the two memory blocks 26 and 27 on the odd number side, and in the same memory cycle, data is accessed in the two memory blocks 26 and 27 on the even number side. Data freshening is performed in the two memory blocks 24 and 25 in the same manner as described above.

プロセッサ11からのアクセス要求が停止し、信号16
が所定期間起動されず、リフレッシ−要求カウンタ76
.77の少なくともいずれか一方がカウントアツプして
りフレッシュ要求信号79.80のいずれか一方が出力
されると、タイミング発生回路15にはりフレッシュ要
求信号17が入力する。これによシタイミング発生回路
15はリフレッシ−サイクル信号18を強制的にルベル
に設定する。するとNORゲート31゜32の出力信号
45.46がともにOレベルに設定され、これによって
ダイナミック型メモリ28内のすべてのメモリブロック
24ないし27はリフレッシュ状態に選択され、信号7
1.73によってリフレッシュ要求カウンタ7!6.7
7は同時にリセットされる。そして、リフレッシュ要求
カウンタ76.77がカウントアツプした後にさらに再
びタイミング発生回路15はリフレッシュサイクル信号
18を強制的にルベルに設定する。したがりて、長期間
プロセッサ11からアクセス要求がなければ、ダイナミ
ック型メモリ28内のすべてのメモリブロック24ない
し27の異なるアドレスが、リフレッシ瓢カウンタ68
.69からのリフレッシュアドレスに応じて順次リフレ
ッシュされる。ところで、このリフレッシュサイクルの
途中でプロセッサ1117− からのアクセス要求信号16が0レベルに下げられ、ア
クセス要求が発生した場合、タイミング発生回路15は
ウェイト信号23をマイクロプロセッサ11に出力する
。このウェイト信号23が入力することによシ、プロセ
ッサ11は待機状態となり、この間に実行中のリフレッ
シュが終了されるので問題は生じない。
The access request from the processor 11 is stopped and the signal 16
is not activated for a predetermined period, and the refresh request counter 76
.. When at least one of the refresh request signals 79 and 77 is counted up and either one of the refresh request signals 79 and 80 is output, the refresh request signal 17 is input to the timing generation circuit 15. As a result, the refresh timing generating circuit 15 forcibly sets the refresh cycle signal 18 to the level. Then, the output signals 45 and 46 of the NOR gates 31 and 32 are both set to O level, thereby all the memory blocks 24 to 27 in the dynamic memory 28 are selected to the refresh state, and the signal 7
Refresh request counter 7 by 1.73!6.7
7 are reset at the same time. Then, after the refresh request counters 76 and 77 have counted up, the timing generation circuit 15 again forcibly sets the refresh cycle signal 18 to the level. Therefore, if there is no access request from the processor 11 for a long period of time, the different addresses of all memory blocks 24 to 27 in the dynamic memory 28 will be stored in the refresh counter 68.
.. It is sequentially refreshed according to the refresh address from 69. By the way, in the middle of this refresh cycle, the access request signal 16 from the processor 1117- is lowered to the 0 level, and when an access request is generated, the timing generation circuit 15 outputs the wait signal 23 to the microprocessor 11. By inputting this wait signal 23, the processor 11 enters a standby state, and the refresh being executed during this time is completed, so no problem occurs.

このように上記実施例回路では、ダイナミック型メモリ
28を偶数アドレスのメモリブロック24.25と奇数
アドレスのメモリブロック26.27との2つに分割し
、一方のメモリブロック24.25あるいは26.27
でデータのアクセスが行なわれているメモリサイクルで
は他方のメモリブロック26.27あるいは24゜25
でデータのリフレッシュを行なうようにしたものである
。従って、データのアクセスが行なわれていると同時に
リフレッシュを実行するととができる。そしてマイクロ
プロセッサ11の動作を停止させて待機させるのは、長
時間データアクセスがなかった後にアクセス要求が生1
8− じる際の極くわずかな期間であり、この後はデータアク
セスと同時にリフレッシ−を実行することができるので
、リフレッシュを実行することによるマイクロプロセッ
サ11の実行速度の低下はほとんど生じない。しかもこ
の特徴は、対象となるマイクロプロセッサの高級化たと
えばパイプライン処理対応等に伴い増々顕著なものとな
る。しかも、偶数、奇数のメモリブロックの一方でデー
タアクセスがなされるときに、他方のメモリブロックで
は自動的にリフレッシ−を行なえばよく、タイミング発
生回路15としては偶、奇両方のメモリブロックに対し
て共通に用いており、ここで発生される各信号も単純な
ものであるため、従来のように高速でプロセッサの空き
時間を検出してリフレッシ−サイクルを挿入する場合に
比較して、回路構成は比較的簡単にすることができる。
In this manner, in the above embodiment circuit, the dynamic memory 28 is divided into two, the memory block 24.25 with an even number address and the memory block 26.27 with an odd number address, and one memory block 24.25 or 26.27 is divided into two.
In the memory cycle in which data is accessed in the other memory block 26, 27 or 24° 25
The data is refreshed using the . Therefore, it is possible to perform refresh at the same time that data is being accessed. The operation of the microprocessor 11 is stopped and put on standby when an access request is generated after there has been no data access for a long time.
This is a very short period of time when refreshing the data, and after that, refresh can be executed at the same time as data access, so there is almost no reduction in the execution speed of the microprocessor 11 due to refreshing. Moreover, this feature becomes more and more prominent as target microprocessors become more sophisticated, for example, as they become compatible with pipeline processing. Furthermore, when data is accessed in one of the even-numbered and odd-numbered memory blocks, the other memory block only needs to be automatically refreshed, and the timing generation circuit 15 can handle both the even and odd memory blocks. Since they are commonly used and the signals generated here are simple, the circuit configuration is simpler than the conventional method, which detects idle time in the processor at high speed and inserts a refresh cycle. It can be done relatively easily.

なお、この発明は上記した実施例に限定されるものでは
なく種々の変形が可能であることはいうまでもない。た
とえば上記実施例では1語が16ビツトであシ偶、奇両
方のメモリブロックが上位バイトと下位バイトの2つか
らそれぞれ構成される場合について説明したが、これは
1語がたとえば8ビツトで構成されるマイクロプロセッ
サを用いたデータ処理システムにこの発明を実施する場
合には、上位バイトもしくは下位バイトの2つのメモリ
ブロックは不要テアリ、これに付随した回路も不要とな
る。さらに上記実施例ではデータ処理装置がマイクロプ
ロセッサである場合について説明したが、これはプロセ
ッサからのアクセスだけではな(DMAコントローラを
用いたデータ処理システムにおいて、このDMAコント
ローラからのメモリアクセスに対してもウェイトサイク
ルを挿入することなしにデータのりフレッシュを行なわ
せることもできる。
It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various modifications can be made. For example, in the above embodiment, one word is made up of 16 bits, and both even and odd memory blocks are made up of two upper bytes and lower bytes. When the present invention is implemented in a data processing system using a microprocessor, the two memory blocks of the upper byte and the lower byte are unnecessary, and the circuit associated therewith is also unnecessary. Furthermore, in the above embodiment, the data processing device is a microprocessor, but this applies not only to access from the processor (in a data processing system using a DMA controller, it also applies to memory access from the DMA controller). Data can also be refreshed without inserting a wait cycle.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明によれば、ダイナミック
型メモリを備えたデータ処理システムにおいて、メモリ
のリフレッシュ動作のためにデータ処理装置の実行速度
を低下させることがなく、シかも回路構成も比較的簡単
なダイナミック型メモリの制御回路を提供することがで
きる。
As explained above, according to the present invention, in a data processing system equipped with a dynamic memory, the execution speed of the data processing device is not reduced due to memory refresh operation, and the circuit configuration is relatively simple. A simple dynamic memory control circuit can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例による構成を示す回路図、
第2図はそのタイミングチャートである。 11・・・マイクロプロセッサ、15・・・タイミング
発生回路、24.25.26.27・・・メモリブロッ
ク、28・・・ダイナミック型メモリ、62.63・・
・アドレスマルチゾレクサ、68.69・・・リフレッ
シュカウンタ、76.77・・・リフレッシュ要求カウ
ンタ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦21−
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a timing chart thereof. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Microprocessor, 15... Timing generation circuit, 24.25.26.27... Memory block, 28... Dynamic type memory, 62.63...
-Address multizolexer, 68.69...Refresh counter, 76.77...Refresh request counter. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue 21-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ダイナミック型メモリを備えたデータ処理システムにお
いて、上記データ処理システムの物−環アドレス空間を
その基本語長単位で奇数および偶数アドレスに分割しこ
れに対応して上記メモリを奇数側と偶数側に分割し、奇
数側および偶数側のメモリに対してデータアクセス制御
手段とデータリフレッシュ制御手段をそれぞれ設け、奇
数側メモリが上記データアクセス制御手段により制御さ
れるメモリサイクルの際には偶数側メモリを上記データ
リフレッシュ制御手段で制御させ、偶数側メモリが上記
データアクセス制御手段により制御されるメモリサイク
ルの
In a data processing system equipped with a dynamic memory, the object-ring address space of the data processing system is divided into odd and even addresses in basic word length units, and the memory is correspondingly divided into an odd number side and an even number side. A data access control means and a data refresh control means are respectively provided for the odd and even memories, and when the odd memory is in a memory cycle controlled by the data access control means, the even memory is controlled by the data access control means. The memory cycle is controlled by the refresh control means, and the even-numbered memory is controlled by the data access control means.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229486A (en) * 1990-12-27 1992-08-18 Nec Home Electron Ltd Memory access controller

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JPS5248441A (en) * 1975-05-28 1977-04-18 Hitachi Ltd Memory system
JPS5447444A (en) * 1977-09-21 1979-04-14 Hitachi Ltd Memory unit

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