JPS6058717A - 超高周波信号の切替マトリクス - Google Patents

超高周波信号の切替マトリクス

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JPS6058717A
JPS6058717A JP59169886A JP16988684A JPS6058717A JP S6058717 A JPS6058717 A JP S6058717A JP 59169886 A JP59169886 A JP 59169886A JP 16988684 A JP16988684 A JP 16988684A JP S6058717 A JPS6058717 A JP S6058717A
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    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超高周波範囲で作動するモノリシック切替マト
リクスに係る。マトリクスのすべての交点は同一であシ
、かつ特に個々の切替点または接続点で損失を補正また
は平衡化することを可能にする利得をもつ電界効果トラ
ンジスタ(以下FETと略記〕より々る能動素子で構成
される。
超高周波切替マトリクスは電気通信においてビームの通
路をベースバンドでの復調なしに切替えるために使用さ
れる。このシステムはハイプリツr構造をもち、従って
その面積および体積は集積回路より大きなものとなる。
さらに固有利得をもたない受動素子をもつ切替マトリク
スでは、個々のカップラの損失を考慮する必要があるた
め、交点はマトリクス内での位置に従つてすべて異なシ
、従って結合は各点で異なシ、カップラも同様に違う。
モノリシック技術は切替マトリクスの製造に完壁に適し
ており、体積の面でも熱放散の面でも節約が可能である
。2つの基本素子、主としてPINダイオードとFET
 、が用いられる。
これら2flの素子は、超音周波電気通信の工業化にと
って独創的かつ興味深い解決法をもたらすモノリシック
集積回路よりなる2種の異なる構造に対応する。
本発明の切替マトリクスはモノリシックであり。
切替信号を前記の方法によシ切替損失とは無関係に平衡
化しうる利得を有する能動素子を使用している。本発明
の切替マトリクスは切替点が全部同一であり、従って集
積回路の製造が容易化されるという利点を有する。本発
明の切替マトリクスでは、第1通路すなわちチャンネル
から送出される信号は、少くとも1個の2ドレインまた
は2ソース形FETか、もしくは2個の並列形F’ET
かを用いる第1システムすなわち分割器によって分割さ
れる。この信号の第2通路すなわちチャンネルへの伝送
は、1個の2グリツドFETか、2個の直列形FETか
、もしくは1個のPINダイオードかによって制御され
る。、第1チヤンネルの信号と第2チヤンネルとの結合
は第2システムすなわち電力結合器により得られるが、
この電力結合器は切替システム、すなわち1個の多重グ
リッドトランジスタまたは複数個の直列形トランジスタ
と同一でありうる。モノリシック集積回路では、集積回
路チップの基板面上に金属ラインの形で形成された切替
マトリクスの通路の交点は、誘電層によシ絶縁されたブ
リッジ、2本の通路を空中で交差させるエアブリッジ、
または半導体材料で2本の通路を交差させるかまたはメ
タリゼーションポ −ルを用いて集積回路チップの第1
面から第2而に伝ワる多重レベルシールディングによる
公知形の絶縁ブリッジ技術によって製造することができ
る。
従って本発明の切替マトリクスを製造するために使用さ
れる手段は1、それらが集積回路であり、FET であ
シ、導電性の金属付着部、好ましくはPINダイオード
であることから、これら全部が1個の半導体材料チップ
上に作りつけられる。このことは、酸化ベリリウムまた
はアルミナの基板上にマイクロストリップを形成するハ
イブリッド技術を用いる公知形切替マトリクスと比較し
て明らかに有利である。
本発明は特に、第1の複数個の入力チャンネルすなわち
列から第2の複数個の出力チャンネルすなわち行へ超高
周波電気信号を切替えるためのマトリクスであって、入
力チャンネルから出力チャンネルへの信号の伝達が交点
でおこなわれ、夫々−人力チャンネルによシ伝送される
信号を入力側で受信し、複数個の等信号に分割された信
号を出力側で送出する電力分割器 一外剖信号により制御され、電力分割器から送出される
信号を電力結合器に転送する制御スイッチ(前記電力結
合器は前記スイッチにより伝達された信号を出力チャン
ネルに伝達し、電力分割器、制御スイッチおよび電力結
合器により構成されるシステムはFET形能動素子によ
り得られる。) を包有することを特徴とする。
以下に本発明の切替マトリクスのいくつかの具体例につ
き添付図面を参照してさらに詳しく説明する。
第1図は直列式に接続された切替マトリクスの概略図で
ある。この切替マトリクスでは、簡単のため列と呼称す
る複数のチャンネル、たとえば、L、〜L4が、行と呼
称する第2の複数のチャンネルC1〜C4と切替え可能
である。第1列、たとえば、Lsは、所定数の切替交点
P1〜P4で、第2行Ci〜C4の任意の1行と切替え
ることができる。夫々の切替交点で、第1図の矢印は1
列し!からの信号が、行C1−04のうち1行又はそれ
以上に切替えられうる制御動作をおられす。
第1図は、図を理解しやすくするための切替マトリクス
のごく1部だけを示しておシ、従って、実際は、切替マ
トリクスは多数のチャンネルを有している。
今まで、とくに本発明がカッ9−する超高周波範囲では
、切替マトリクスは、第2図に示す変動手段を用いて製
作されてきた。
第1図では、列Lsは、たとえば、行Csと切替光られ
る・先行技術によれば、列L1は、列L1に属するマイ
クロストリップよシなるカップラと、第1マイクロスト
リツプ1と並列に配置された第2マイクロストリツプ2
を包有する。マイクロストリップ1,2よシなるカップ
ラの抽出する電力は、行c3へ向かい、行c3は、さら
に、列L1のマイクロストリップ2と結合するマイクロ
ストリップ4および行C3に属するマイクロストリップ
5によシ構成される第2カツプラを有する。
列L1と行C3との間の結合は、スイッチ3によって制
御される。スイッチが開くと、交点P3には結合がなく
、このスイッチ3が閉じると、結合がおこなわれる。今
までは、スイッチは主として。
PINダイオードで構成され、また時には、電界効果ト
ランジスタで構成されている。
このタイプの交点は受動手段にょシ全体が構成され、電
界効果トランジスタがスイッチとして使用される場合は
、結合損失を補償するための利得は何ら供給しない。従
って、先行技術の切替マトリクスは、各交点P1. P
g 、 Pa・・・Piで損失があシ、電力がスイッチ
のすべての行に均等に分配されるためには、カップラ内
のこれらの損失を考慮しなければならない。従って、マ
イクルストリップの寸法が各交点について差があるとす
れば、結合レベルは、種々の交点に対して1/10.1
/8.1/2である。
本発明によれば、切替マトリクスのすべての交点は、全
く同じである。なぜならば、これらの交点が、利得をも
ち、かつマトリクス行内に分配された電力にノ々ランス
をつけるため電気信号によシ制御されうゐ能動素子、す
なわち、電界効果トランジスタで構成されるからである
第3図は、切替マトリクスを直列分配するだめの本発明
に従う交点の構成を示す。第3図は、比較を容易にする
ため、同じ列L1が同じ行CS上で切替えられる第2図
と比較すれば有利である。
列L+から送られる信号は、2個の出カフ、8をもつ増
幅器6としてあられされている電力2分割器によシ各交
点について先ず分割される。第1の出カフは、列L!を
連続させ、第3図は、交点P3を例として示しているか
ら、次の交点P4に向けられる。第2の出力8は、制御
スイッチ9に向かい、このスイッチ9は第1人力口で分
割器6からの信号を受信し、第2人力口で制御信号1o
を受信する。制御スイッチ9の出力信号は、電力結合器
12に伝えられ、との電力結合器12は電力分割器6と
制御スイッチ9を介して列L1からの第1人力信号11
を第1人力口で受信する。第2人力口では、行C3から
の信号13を受信し、電力結合器12からの出力信号は
、行Csの出力となる。
第3図の電力分割器、電力結合器および制御スイッチは
信号的に示されている。電力分割器は、事実上は、2ド
レインまたは2ソーストランジスタである〃ζこの場合
は、利得は何ら得られない。
電力分割器6は、差動増幅器、あるいは並列接続した2
個の増幅器でもよい。重要なことは、電力分割器6の入
力口に伝送される信号が2個の出カフおよび8の間で細
分割されることである。
制御スイッチ9は、よシ有利には、2グリツド形電界効
果トランジスタであって、これらの1つは電力分割器6
からの入力信号を集めるためのものでsb、制御信号1
0は、他のスイッチに送られる。この制御スイッチは、
さらに2個の直列電界効果トランジスタを含むことがで
き、これらは2個で1個の2グリツド形電界効果トラン
ジスタに相当する。制御スイッチ9は、2つの2進状態
0および1に適合されることが望ましい。開路状態での
絶縁はきわめて重要で、40dB以上でなければならな
い。
電力結合器12は、2個の入力と1個の出力を備える増
幅器であって、入力と出力の間に相互作用が存在しない
ことが必要である。電力結合器の好ましい具体例は、2
グリツド形F’ETであって、ここでは、電力分割器6
、制御スイッチ9及び電力結合器12はFETによって
、すなわち同一技術を用いて形成されるから、集積回路
の製造を簡単化するととができる。電力結合器12は、
2グリツP形FETであるか、または制御スイッチの場
合と同様、直列接続された単一グリッド形の2個のFE
Tで構成してもよい。
第4図は、並列接続した切替マトリックスの概略図であ
る。この切替マトリックスの構造によれば、Elのよう
な第1チヤンネルは、出力チャネルS!、 S! 、 
Ssのような複数個の他チャネルと並列ではなく直列に
接続されうる。入力チャネルE1から送出される信号は
、電力分割器DIによって複数個の信号に分割され、こ
れらの信号は夫々、再結合デバイスR4、& −Rsを
介して出力チャネルに付加されるが、その前に制御スイ
ッチ3を通過する。少数の入力チャンネルE1〜E3お
よび出力チャネル5l−8sが図面を簡単にするため使
用されているだけだが、本発明のスイッチの範囲はこれ
のみに限定され々い。並列接続では、第1図の直列接続
での交点P1〜P4のような交点は存在しない。また各
信号は出力信号の数に等しい数に再分割される。各チャ
ンネルは別個に切換えられ、出力は単一の操作でマトリ
クスの1つの出力上に再集合され、再結合される。
先行技術では、第4図の電力分割器D1〜D3は、縦続
接続形のウィルキンソン式分割結合器である。本発明で
は、それらは多重入力または多重出力FET、すなわち
多重ソース、多重ドレインまたは多重グリッド形FET
であるが、この種のトランジスタについては、信号レベ
ルを一定に維持する利得をもたせるのが有利である。
制御スイッチ3はことでも2グリツドFETである。
再結合装置R,〜iは好ましくは多重入力または多重出
力FET、すなわち多重ソース、多重ドレインまたは多
重グリッド形FETである。分割または再結合システム
は多重ソース、多1ドレインまたは多重グリッド、トラ
ンジスタであることは明らかである。夫々の接続法は夫
々の可能性と欠点があシ、本発明の集積回路を形成する
だめの好ましい接続形式については後に検討する。これ
らは、集積回路の構造を簡単化する接続法であって、好
ましくは反復装置内の交点の同一機能についてはすべて
同形のトランジスタを使用するのが好ましい。
第5図は、本発明の切替マトリクスの直列接続構造の非
限定的な第1の具体例をあられす。第5図は第3図を正
確に引写したものであるが、さらに細部を記入しである
。従って列L1からの信号は、交点P3で行C3と接続
する。第3図と比較すれば、電力結合システム12は、
電圧V−を電源とする2グリツドFETであシ、第1グ
リツド、では、制御スイッチ9からの信号11を、第2
グリツドではコラムC3がらの信号13を受信すること
がわかる。
第3図の制御スイッチ9は、電圧V+を印加される2グ
リツドFETによシ構成され、第1グリツドでは電力分
割システムからの信号8を、第2グリツPでは制御信号
10を受信する。制御累子9および結合累子12は同一
技術で構成された2グリツrFETであることが有利で
ある。
最後に、第3図の分割増幅器6け、2個のFET14.
15によ多形成される差分増幅器の形状である。これら
は共通ソース方式で接続され、電流ソース方式の第3の
FET 16によって給電される。切替マトリクス列L
1にょシ搬送される信号はトランジスタ14.15の2
個のグリッドに同時に付毒され、2個の等信号、すなわ
ち列L1の7に送られる1fliffiと制御スイッチ
9の8に送られる1個に分割される。
2個のトランジスタ14.15よシなる差分増幅器に代
って、列Llに伝えられる信号が付加される単1グリッ
ドと、列り、の7に対応する第1ドレインと制御スイッ
チの8に対応する第2ドレインの2個のドレインとを有
する単−個のトランジスタを使用することもできょう。
優た1グリツド、2ソースを有する単−個のトランジス
タを使用することもできるが、この場合は切替損失を補
償するための利得は何も存在しない。最後に、2個の増
幅器を並列に接続して使用してもよい。
この場合は、制御スイッチ9は2個のグリッドを有する
単一トランジスタとして示されている。
2個の直列接続した単一グリッドトランジスタは2グリ
ッドトランジスタ1個と等量であることは公知である。
これら2個のトランジスタは1個のドレイン、1個のソ
ースにょ多接続され、第1のトランジスタのグリッドは
電力分割器から信号を受信し、第2のトランジスタのグ
リッドは制御信号を受信し、第1のトランジスタのソー
スはバイアスを受け、第2のトランジスタのドレインは
出力システムを構成し、この出方は信号結合器のグリッ
ドに適用される。
第6図は、第4図の並列切替マ) IJクスの1具体例
である。但しこの種の切替マトリクスの並列接続構造は
、直列切替マ) IJクスの場合のように交点を分離す
ることができない。少くとも2個の交点を示す必要があ
シ、第6図は第2図との対応をよくするため非限定的に
そのうちの3個を使用している。
但し、本発明の構成単位を明確にするため、電力分割器
は第6図では61.62.63で示している。これらは
第3図の電力分割器6に対応しておシ、制御スイッチは
91〜99で、電力結合器は121.122.123で
示し、第3図の制御スイッチ9および電力結合器12に
対応している。
3個の入力E1、E3、E3 から発出する信号は、本
発明の並列切替マトリクス内では、第4図の分割システ
ムDI、D、、Dmに対応する3個のFET61.62
.63の3個のグリッドに付加される。
辷れらのトランジスタは複数個のドレインを有し、個々
のトランジスタは、給電される出力チャンネルと同数の
ドレイン、すなわちこの場合は3個の出力チャンネルに
対して3個のドレインを備えている。電力分割器トラン
ジスタ61.62.63よシ発する信号は、入力チャン
ネルに出力チャンネル数を乗じた数と同数のFET91
〜99に付与される。トランジスタ91〜99は制御ス
イッチで、第6図に示した方法で接続され、分割器61
からの信号はトランジスタ91のソースに与えられる。
これらのトランジスタはまた第5図のトランジスタ9に
ついて示したように2グリツドトランジスタでもよい。
2f固のグリノPのうち一方は電力分割器から信号を受
信し他方のグリッドは制御信号を受信する。第6図の場
合、各制御トランジスタのグリッド上の矢印は制御作用
をあられす。
最後に、入力チャンネルからの信号は、個々の場合に入
力チャンネルと同数のグリッドをもつ結合器トランジス
タ121.122.123に付加される。
これらのFET121.122.123はアースされた
ソースをもち、出力列S1.S*、S3はトランジスタ
121.122.123のドレインにそれぞれ接続する
第4図を、第6図に適合して観察すれば、3個の入力チ
ャンネルと3121の出力チャンネルが見分けられる力
ζこれは限定的なものではなく、可変数の入力2インと
、入力ラインの数に等しくない可変数の出力ラインよ多
構成することもできる。
但し、たとえば、8人力、8出力または16人力、16
出力のマトリクスについて、2個ないし3個のグリッド
をもつトランジスタが可変数の信号を結合しうるような
数の結合器トランジスタ121゜122%123を再集
合することが好ましい。
本発明の切替マトリクスの特徴は、入カー出カライン即
ちマトリクス形式の関数としての行及び列を形成する金
属付着部を交差させることである。
いずれの場合でも、この種の金属付着部は第1の能動素
子を第2の能動素子に結びつけるために交差している。
切替マトリクスは主として極超短波に関係するから、集
積回路を形成する半導体材料のチップには接続の問題が
生じる。このため、考え得る種々の解決方法のうち、エ
アーブリッジまたはチップ内のメタリゼーションホール
ヲ介シて2個の導体を交差させるような公知技術が好ま
しい。2個の交差する金属ライン間の接続を防ぐため、
シールディングをおこなう必要があるだろう。
す々わち、2個の金属ライン間にアースした金属コーテ
ィングを被覆し、この金属コーティングを2つの絶縁層
によって2個の金属ラインから分離する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、直列接続切替マトリクスの概略図、第2図は
先行技術の交点をあられす説明図、第3図は直列接続構
造のための発明に従う交点をあられす説明図、第4図は
並列接続切替マトリクスの概略図、第5図は直列接続構
造のための発明に従う交点をあられす説明図、第6図は
並列接続構造のための発明に従う交点をあられす説明図
である。 L l= L4・・・列、 CI′C4…行、 Pg−P4・・・交点、 1,2 ・・・ マイクロストリップ、3 ・・・ ス
イッチ、 4.5 ・・・ マイクロストリップ、6 ・・・増幅
器、 7.8 ・・・ 出力、 9 ・・・ 制御スイッチ、 10・・・制御信号、 11.13・・・グリッド信号、 12・・・電力結合器。 23−

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1の複数個の入力チャンネル、すなわち、列か
    ら第2の複数個の出力チャンネル、すなわち、行へ超高
    周波電気信号を切替えるためのマトリクスにおいて、入
    力チャンネルから出力チャンネルへの信号伝達が交点で
    実殉され、夫々の切替点が、入力チャンネルにより伝達
    される信号を入力側で受信し、複数個の等信号に分割さ
    れた信号を出力側で送出する電力分割器と、外部信号に
    より制御され、電力分割器から送出される信号を電力結
    合器に転送する制御スイッチとを有してお夛、前記電力
    結合器が前記スイッチによシ伝達された信号を出力チャ
    ンネルに伝達し、電力分割器、告制御スイッチ卦kn省
    V力鈷を9唱rh膚スジステムが電界効果トランジスタ
    形の能動素子によシ得られることを特徴とする切替マト
    リクス。
  2. (2)直列接続構造をもち、同一人力チャンネルの切替
    点が複数個の出力チャンネルの方に切替わるため前記入
    力チャンネル上に直列式に接続されて成る特許請求の範
    囲第1項に記載の切替マトリクス。
  3. (3)並列接続構造をもち、同−切替点が入力チャネル
    の信号を複数個の出力チャネルに向って細分割する特許
    請求の範囲第1項に記載の切替マトリクス。
  4. (4) 夫々の切替点において、電力分割器が多重ドレ
    イン(利得あ#))マたは多重ソース(利得なし)電界
    効果トランジスタが、電界効果トランジスタを有する差
    動増幅器か、若しくは並列形電界効果トランジスタを有
    する増幅器かである特許請求の範囲第1項に記載の切替
    マトリクス。
  5. (5)制御スイッチが1個の2グリッド電界効果トラン
    ジスタ若しくは直列接続された2個の単一グリッド電界
    効果トランジスタである特許請求の範囲第1項に記載の
    切替マトリクス。
  6. (6)電力結合器が1個の多重グリッド電界効果トラン
    ジスタか若しくは直列接続された2個の単一グリッド電
    界効果トランジスタである特許請求の範囲第1項に記載
    の切替マトリクス。
  7. (7)切替点が全剖同−である特許請求の範囲第1項に
    記載の切替マトリクス。
  8. (8)切替点の素子が電界効果トランジスタであシ、電
    力分割器内で分割された信号がトランジスタの利得によ
    り増幅される特許請求の範囲第1項に記載の切替マトリ
    クス。
  9. (9)モノリシック集積回路技術によル製造される特許
    請求の範囲第1項に記載の切替マトリクス。 GO+ モノリシック集積回路構造において、入力チャ
    ンネルと出力チャンネルを構成する金属付着部間の交点
    が多重レベルシールディングもしくはエアーブリッジに
    よって得られる特許請求の範囲第1項に記載の切替マ)
     +7クス。
JP59169886A 1983-08-17 1984-08-14 超高周波電気信号の切替用マトリクス Expired - Lifetime JPH0656948B2 (ja)

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