JPS6057212B2 - Single sintered ceramic body and its manufacturing method - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 16
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 92
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 73
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、積層磁器コンデンサを製造するための単一
焼結セラミック体およびその製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a single sintered ceramic body for manufacturing a multilayer ceramic capacitor and a method for manufacturing the same.
この単一焼結セラミック体を使用した積層磁器コンデン
サおよびその製造方法は、本出願人に係る特願昭58−
36773号の主題である。セラミック材料から成る積
層電気部品、たとえは積層磁器コンデンサは、電気回路
に広範に使用されている。A multilayer porcelain capacitor using this single sintered ceramic body and a method for manufacturing the same are disclosed in Japanese Patent Application No. 1983-1985 filed by the present applicant.
This is the subject of No. 36773. Multilayer electrical components made of ceramic materials, such as multilayer ceramic capacitors, are widely used in electrical circuits.
一般にこれらのコンデンサは、複数の交互に重なる誘電
薄層と導電薄層とから成り、後者は内部電極として使用
される。これらのコンデンサは、単位体積当りの容量が
極めて大きい強固な単一体として形成される。これらの
一般的な製造法は、仮結合剤として樹脂を使用し、所望
の微粉砕誘電体のセラミック組成物の薄板を注型するも
のである。次いで、金属含有電極用ペーストをしばしば
シルクスクリーン法によつて複数の薄板上の所定区域に
塗布し、夫々の薄板上に多数の電極区域を作成する。こ
のように塗布した薄板を適当に方向を合せて重畳した後
に加圧して固着させる。固着した薄板の未焼成セラミッ
クブロックを適当に切断して個々の単一体を得る。これ
らの単一体を加熱焼成して薄板および電極薄層中の結合
剤を焼却し、かつセラミック材料を焼結し、これによつ
て一体化して緻密なセラミックー金属構造体を得る。こ
のように薄板に適切に塗布し、方向を合わせ積層しかつ
切断すると、夫々の単一体、中の複数の電極薄層が適当
に配列されて夫々の薄層は単一体の1端面にのみ露出し
、直接に隣接する電極薄層は単一体の対向端面に露出す
る。このようにして、絶縁された2組の内部電極が形成
される。次いで、端子電極を電極が露出する端面に!取
付けて交互に内部電極を電気接続する。上述した方法で
は、セラミックおよび内部電極は一緒に焼成されるので
、内部電極の金属とセラミックとは、例えは旧00℃の
高温に耐える必要がある。These capacitors generally consist of a plurality of alternating dielectric and conductive thin layers, the latter being used as internal electrodes. These capacitors are formed as a rigid unitary body with extremely high capacitance per unit volume. These common manufacturing methods involve casting thin sheets of the desired pulverized dielectric ceramic composition using a resin as a temporary binder. The metal-containing electrode paste is then applied to predetermined areas on the sheets, often by silk-screening, to create multiple electrode areas on each sheet. After the thin plates coated in this way are properly oriented and overlapped, they are pressed and fixed. The bonded laminar green ceramic blocks are suitably cut to obtain individual units. These units are heated and fired to burn out the binder in the thin plates and electrode layers and to sinter the ceramic material, thereby forming a compact ceramic-metal structure. When the thin plates are properly coated, oriented, laminated, and cut in this way, the multiple electrode thin layers in each single body are properly arranged and each thin layer is exposed only on one end surface of the single body. However, immediately adjacent electrode thin layers are exposed on opposite end surfaces of the unitary body. In this way, two sets of insulated internal electrodes are formed. Next, attach the terminal electrode to the end surface where the electrode is exposed! Install and electrically connect the internal electrodes alternately. In the method described above, since the ceramic and the internal electrode are fired together, the metal and ceramic of the internal electrode must be able to withstand high temperatures, such as 00°C.
また、セラミックの最適誘電特性は焼成を4酸化雰囲気
中で行つた場合に得られるので、金属はこのような温度
における酸化に耐える必要がある。従つて、高融点の貴
金属、例えばパラジウム、白金およびこれらと金の合金
を内部電極に使用するため、この種の積層コンデンサの
製造コストは高い。米国特許第2919483号明細書
には、セラミックを焼成してこれを硬化させる際に内部
金属電極の存在を必要としない積層磁器コンデンサの製
造方法が開示されている。Also, since the optimum dielectric properties of ceramics are obtained when firing is performed in a tetraoxidizing atmosphere, the metal must be resistant to oxidation at these temperatures. Therefore, since noble metals with high melting points, such as palladium, platinum, and their alloys with gold are used for the internal electrodes, the manufacturing cost of this type of multilayer capacitor is high. U.S. Pat. No. 2,919,483 discloses a method of manufacturing a laminated ceramic capacitor that does not require the presence of internal metal electrodes when firing the ceramic to harden it.
また、米国特許第3679950号明細書には、比較的
廉価な金属を内部電極用に使用する積層磁器コンデンサ
および積層磁器回路板の製造方法が開示されている。こ
の米国特許第フ367995鰻明細書に記載の方法によ
れば、誘電薄層と交互に重畳する有孔性内部薄層(すな
わち薄膜)とを有する焼結したセラミック単一体を形成
し、この有孔性積層体は従来技術の貴金属電極と同一寸
法かつ同一形状であつて、同一に方向付け・られる(す
なわち、直接隣接する有孔性積層体はチップの対向面に
開放端部を有する)。次いで、金属を有孔性セラミック
積層体内に導入し、端面電極を対向面に取付けて積層コ
ンデンサを形成する。この方法によれば、内部電極用に
鉛、錫、銀”のような金属が使用可能である。同様な方
法が、内部電極を有する積層磁器回路板の製造に使用さ
れる。米国特許第367995吟明細書に記載の方法で
製造されたセラミック単一体の有孔性薄層内に金属を導
入して内部電極を形成するのに特に便利な方法は、金属
を加圧下に導入することてある。Further, US Pat. No. 3,679,950 discloses a method of manufacturing a laminated ceramic capacitor and a laminated ceramic circuit board using relatively inexpensive metals for internal electrodes. The method described in U.S. Pat. The porous stacks are the same size, the same shape, and are oriented the same as the prior art noble metal electrodes (ie, the immediately adjacent porous stacks have open ends on opposite sides of the chip). Metal is then introduced into the porous ceramic laminate and end electrodes are attached to the opposing surfaces to form a laminate capacitor. According to this method, metals such as lead, tin, and silver can be used for the internal electrodes. A similar method is used to manufacture laminated ceramic circuit boards with internal electrodes. US Pat. No. 3,679,995 A particularly convenient method for introducing metal to form internal electrodes within the porous thin layer of a monolithic ceramic produced by the method described in the specification is to introduce the metal under pressure. .
しかしながら、溶融金属浴からの金属が冷却されて2個
以上のセラミック単一体が接着されるという問題がしば
しば発生する。従つて、金属を導入する際このセラミッ
ク単一体を分離保持しておくのが望ましいが、現在まで
のところこれを達成するのに充分満足できる方法はない
。さらに、従来知られている方法による積層磁器素子(
例えばコンデンサ)の製造において、端面電極の取付け
はさらに焼成を必要としかつ使用される電極組成物が高
価である。上記に鑑み、本発明の主たる目的は、セラミ
ック体内部へ金属を容易に導入して内部電極を廉価にか
つ一層効果的に形成しうる単一焼結セラミック体を提供
することてある。However, a problem often arises where the metal from the molten metal bath cools and bonds two or more ceramic units together. It is therefore desirable to keep this ceramic body separate during the introduction of the metal, but to date there is no fully satisfactory method of accomplishing this. Furthermore, a laminated ceramic element (
In the manufacture of capacitors, for example, the attachment of end face electrodes requires additional firing and the electrode compositions used are expensive. In view of the above, it is a primary object of the present invention to provide a single sintered ceramic body in which metal can be easily introduced into the ceramic body to form internal electrodes at a lower cost and more effectively.
この目的は重畳された多数の緻密なセラミック誘電体の
薄層と、これら薄層間に存在する薄い空間領域と、これ
ら空間領域の全外周部を覆つた誘電性セラミック外壁と
、前記多数の緻密なセラミツク誘電体の薄層を貫通しか
つ前記空間領域を1つおきに貫通するが残余の1つおき
の空間領域には連通しない第一の縦孔と、前記多数の緻
密なセラミック誘電体の薄層を貫通しかつ前記残余の1
つおきの空間領域を貫通するが前記最初の1つおきの空
間領域には連通しない第二の縦孔とからなる単一焼結セ
ラミック体により達成される。The purpose is to create a large number of superimposed dense ceramic dielectric thin layers, a thin spatial region between these thin layers, a dielectric ceramic outer wall covering the entire outer periphery of these spatial regions, and a large number of dense a first longitudinal hole extending through a thin layer of dense ceramic dielectric and passing through every other spatial region but not communicating with every other remaining spatial region; penetrating the thin layer and said residual 1
This is achieved by a single sintered ceramic body consisting of a second longitudinal hole passing through every third spatial region but not communicating with said first every other spatial region.
この単一焼結セラミック体は、微粉砕された焼結可能な
誘電性セラミック材により複数の薄板を形成し、これら
薄板にこれより小さい面積で熱焼却性の材料を塗布し、
これら塗布薄板をそれぞれ隣接するセラミック薄板間に
熱焼却性材料層が挾持されるよう重畳すると共にこれら
熱焼却性材料層の全外周部を誘電性セラミック材で密封
して生のセラミック積層体を形成し、前記セラミック積
層体を上下に貫通する一対の離間した孔部を、その第一
の孔部が前記熱焼却性材料層を1つおきに貫通するが残
余の1つおきの熱焼却性材料層からは離間しかつ第二の
孔部が前記残余の1つおきの熱焼却性材料層を貫通する
が前記最初の1つおきの熱焼却性材料層から離間するよ
う穿設し、次いで1100℃以上の酸化雰囲気中で、焼
成して前記熱焼却性材料を焼却除去することにより空間
領域を形成せしめることにより製造される。積層磁器コ
ンデンサを精造するために挿通する線状または俸状の金
属導線すなわちリード線の断面積は孔部より多少小さく
して、ある程度の力で孔部から抜き得るようにすると共
に、リード線と孔部との間隙を介して溶融金属を注入し
得るようにする。The single sintered ceramic body is formed by forming a plurality of thin plates of pulverized sinterable dielectric ceramic material, applying a thermally incinerating material to the thin plates in a smaller area;
These coated thin plates are stacked so that the heat-combustible material layer is sandwiched between adjacent ceramic thin plates, and the entire outer periphery of these heat-combustible material layers is sealed with a dielectric ceramic material to form a raw ceramic laminate. A pair of spaced apart holes vertically penetrating the ceramic laminate are formed such that the first hole penetrates every other layer of the thermally combustible material, but the remaining thermally combustible material layer penetrates every other layer. spaced apart from the layer and a second hole is drilled through said remaining every other layer of thermally incinerable material but spaced apart from said first every other layer of thermally infernible material; It is manufactured by firing in an oxidizing atmosphere at a temperature of 0.degree. The cross-sectional area of the linear or cylindrical metal conductor wire, that is, the lead wire, which is inserted in order to refine the multilayer ceramic capacitor, is made slightly smaller than the hole so that it can be pulled out from the hole with a certain amount of force, and the lead wire Molten metal can be injected through the gap between the hole and the hole.
明白な通り、金属浴の金属は米国特許第
367995吋明細書に記載されるように誘電薄層間の
空間領域を充愼して内部電極を形成するだけでなく、孔
部内のリード線の周囲の間隙もまた充填する。As can be seen, the metal of the metal bath not only fills the spatial regions between the dielectric thin layers to form internal electrodes as described in U.S. Pat. It also fills the gaps.
その結果、前記孔部に挿入された導線は金属を充填した
セラミック単一体のリード線として桟能する。その理由
は、夫々の導線は2組の内部金属電極の一方のみと電気
的に接続するからである。本発明による上述したセラミ
ック単一体を使用すれば、孔部を介して誘電薄層間の電
極領域の連通が可能となるので、この単一体は従来のよ
うに単一体の端面で開放する領域を設けることなく形成
可能である(第6図において、電極用領域33は積層単
一体の左手側端部の少し手前で終端している)。As a result, the conductive wire inserted into the hole functions as a lead wire of a single ceramic body filled with metal. This is because each conducting wire is electrically connected to only one of the two sets of internal metal electrodes. By using the above-mentioned ceramic unit according to the present invention, it is possible to communicate the electrode areas between the dielectric thin layers through the holes, so that the unitary body does not have the open area at the end face of the unitary unit as in the conventional case. (In FIG. 6, the electrode region 33 terminates a little short of the left-hand end of the single laminate).
すなわち、孔部のみによつて溶融金属は前記電極領域に
導入される。しかしながら、所望に応じて単一体の端面
まで電極領域が達するようなセラミック単一体にリード
線用の孔部を設けることも可能である(第7図において
、電極領域は積層単一体の左手端部で終端している)。
本明細書における1電極領域ョという用語は広義のもの
であつて、セラミック構造体の内部に電極を形成した領
域のみならず、将来そこに電極を形成しうる空間領域を
も意味し、積層磁器コンデンサの技術分野において電極
を形成したまたは電極を形成しうる領域として知られる
任意の形状および寸法の領域を意味する。That is, molten metal is introduced into the electrode area only through the holes. However, if desired, it is also possible to provide a hole for the lead wire in the ceramic unit so that the electrode area reaches the end face of the unit (in Figure 7, the electrode area is located at the left hand end of the stacked unit). ).
In this specification, the term ``one electrode area'' is used in a broad sense, and refers not only to an area in which an electrode is formed inside a ceramic structure, but also to a spatial area in which an electrode can be formed in the future. Refers to an area of any shape and size known in the capacitor art as an electrode-formed or electrode-formable area.
本発明の目的および利点は、添付図面を参照する以下の
詳細から明らかになるであろう。Objects and advantages of the invention will become apparent from the following details, taken in conjunction with the accompanying drawings.
添付図面は、実施例につき図面の縮尺を変化させた拡大
図である。The accompanying drawings are enlarged views of the embodiments with varying scale.
第1図は、この発明の単一焼結セラミック体を使用した
一実施例の積層磁器コンデンサを示す。FIG. 1 shows one embodiment of a multilayer ceramic capacitor using the single sintered ceramic body of the present invention.
これは垂直方向に離間した水平な金属薄層(すなわち内
部電極)21と22を有する焼結されたセラミック構造
体より成る。電極21と電極22とは交互に存在し、第
1図において電極21は電極22よりも左側端面の方向
へ長く延びているのに対し、電極22は電極21よりも
右側端面の方向へ長く延びている。かくして、第4図に
示すように、リード線25は端面23に対し近接平行し
て垂直に整列した孔部を貫通し、一方の電極21の”み
と電気接続する。同様にリード線26は端面24に対し
近接平行して垂直に整列孔部を貫通し、他方の電極22
のみと電気接続する。コンデンサのリード線として機能
する導線25と26は、後述の通りコンデンサ内に内部
電極を設ける前に、リード線がセラミック積層体の上側
面から出る位置て屈曲部28によつて適正位置に保持さ
れ、リード線はセラミック積層体の下側面から出る位置
でリード線の端部で同様な屈曲部を備える。あるいは、
導線の自由下端部に、第5図に示す通り結ノび目29を
設けてもよい。第5図は第4図と本質的に同様であるが
、より小型のコンデンサの部分断面を示している。必要
に応じて、セラミック積層体の上側面位置でリード線を
保持するため屈曲部の代りに結び目を使用してもよい。
第1図に示すコンデンサの製造には、米国特許第367
99(資)号明細書に記載の方法と実質的に同一の方法
を使用して、電極領域が介在する多数の重畳したセラミ
ック誘電材料の薄層を有する単一焼結構造体、すなわち
セラミック単一体もしくは小ブロックを形成する。It consists of a sintered ceramic structure with vertically spaced horizontal thin metal layers (ie internal electrodes) 21 and 22. The electrodes 21 and 22 are arranged alternately, and in FIG. 1, the electrode 21 extends longer than the electrode 22 in the direction of the left end surface, whereas the electrode 22 extends longer than the electrode 21 in the direction of the right end surface. ing. Thus, as shown in FIG. 4, the lead wires 25 pass through the holes aligned vertically in close proximity to the end surface 23 and are electrically connected to the holes of one electrode 21.Similarly, the lead wires 26 The other electrode 22 passes through the alignment hole in a vertical direction close to and parallel to the end surface 24.
Only make electrical connections. The conductive wires 25 and 26, which function as the leads of the capacitor, are held in place by bends 28 at the position where the leads emerge from the upper side of the ceramic laminate, before providing internal electrodes within the capacitor as described below. , the lead wire has a similar bend at the end of the lead wire at a location where it exits the lower surface of the ceramic laminate. or,
The free lower end of the conductor may be provided with a knot 29 as shown in FIG. FIG. 5 is essentially similar to FIG. 4, but shows a partial cross-section of a smaller capacitor. If desired, a knot may be used in place of the bend to hold the lead wire at the top surface of the ceramic laminate.
The manufacturing of the capacitor shown in FIG.
A single sintered structure, i.e., a ceramic monomer, having multiple superimposed thin layers of ceramic dielectric material with intervening electrode regions was prepared using substantially the same method as described in No. 99(99). Form into one piece or small blocks.
上記特許においては、電極領域は有孔性セラミック誘電
薄層であり、夫々の薄層は相互に連通した空腔部の網状
組識を有する。また、この米国特許においては、一方の
電極領域が一方の端面まで達し、かつ他方の電極領域が
他方の端面まて達している。本発明においては、このよ
うに電極領域が端面に達して開放させる必要がないため
、上記米国特許の方法を若干変更する。この変更は誘電
性セラミック材料の薄板に熱焼却性材料よりなる仮導電
体の薄層を塗布して電極領域を形成し、これら塗布した
薄板を重ね合せて1つおきの電極領域を一方の端面の方
向に、残余の1つおきの電極領域を他方の端面の方向よ
り長く延ひるよう配置するが、これら電極領域を外部へ
露出させないようこれら両端面を含め全外周を誘電性セ
ラミック材料で密封することからなつている。従つて、
本発明においてはセラミック構造体を焼成すると、内部
に2組の薄い電極領域を含む完全密封された焼結セラミ
ック単一体が得られ、これら2組の電極領域中へ後に導
電材料たとえは金属を導入して金属電極を形成する。上
記の焼結セラミック単一体内部の電極領域へ金属を導入
するには、次のようにしてこのセラミック単一体に一対
の孔部を設ける。すなわち、一方の孔部が電極領域を1
つおきに貫通する残余の.1つおきの電極領域からは離
間するようかつ他方の孔部が前記残余の1つおきの電極
領域を貫通するが前記最初の1つおきの電極領域からは
離間するように、一対の孔部をセラミック単一体に穿設
してその頂面と底面とを連通させる。これを第6図に断
面図で示す。垂直孔部31が互違いの電極領域33と連
通するセラミック構造体(すなわちセラミック単一体)
の一部を示し、他の残余の電極領域35はもう1つの垂
直孔部(図示せず)によつてチップの・対向端部(図示
せず)に近接して連通される。In that patent, the electrode region is a porous ceramic dielectric thin layer, each thin layer having a network of interconnected cavities. Also, in this patent, one electrode region extends to one end surface, and the other electrode region extends to the other end surface. In the present invention, the method of the above-mentioned US patent is slightly modified since there is no need for the electrode area to reach the end face and be opened. This modification involves coating thin plates of dielectric ceramic material with a thin layer of temporary conductor made of thermally incinerating material to form the electrode areas, and stacking these coated plates so that every other electrode area is connected to one end surface. The remaining every other electrode area is arranged to extend longer than the other end face in the direction of , but the entire outer periphery including both end faces is sealed with a dielectric ceramic material so that these electrode areas are not exposed to the outside. It's something I'm used to doing. Therefore,
In the present invention, firing the ceramic structure results in a completely sealed sintered ceramic unit containing two sets of thin electrode regions within which a conductive material, e.g. a metal, is later introduced. to form a metal electrode. In order to introduce metal into the electrode region within the sintered ceramic unit described above, a pair of holes are provided in the ceramic unit as follows. In other words, one hole covers one electrode area.
The residual penetrating every third time. a pair of holes spaced apart from every other electrode area and such that the other hole passes through said remaining every other electrode area but spaced apart from said first every other electrode area; is bored into a single ceramic body to communicate between its top and bottom surfaces. This is shown in cross section in FIG. A ceramic structure (i.e. a single ceramic body) in which vertical holes 31 communicate with alternating electrode areas 33
Another remaining electrode area 35 is communicated proximately to the opposite end (not shown) of the chip by another vertical hole (not shown).
電極領域を連通するセラミック単一体内の孔部は、穿孔
または打抜きで形成してもよい。セラミック単一体を焼
成してセラミックを焼結した後に孔部をこの単一体内に
作成してもよいが、未焼成の焼成しないセラミック単一
体に孔部を設けるのが好適である。金属を焼成したセラ
ミック単一体の電極領域内へ導入する前に、リード線(
例えば導線か棒材)を孔部内へ挿通し、すなわち孔部を
貫通させ、前に記載の通り適正な位置に適当に固定する
。使用する導線または棒材の直径は、挿入する孔部より
幾分小さくして導線の周囲に融解金属がセラミック単一
体の電極領域内へ侵入し所定″の内部電極を形成する十
分な間隙を設ける。焼結したセラミック単一体の薄い電
極領域内へ金属を導入して内部電極を成形する際に、い
かなる適当な方法を使用してもよい。例えば、前に記載
したように、リード線を取付けた焼結したセラミック単
一体を、適当な容器内で温度約350℃乃至500′C
に保つた融解鉛浴中に浸漬してもよい。この容器は、圧
力可変な密閉体中に位置させるのが好適である。その理
由は、セラミック単一体の電極領域内に溶融金属を導線
の周囲から導入させるのは、密閉体内部の圧力を先ず、
例えは約76.5Tr$THgへ減圧し、次にでこの単
一体を溶融金属に浸漬した後に圧力を上げることにより
容易になるからである。従つて、金属はセラミック単一
体中へ圧入される。このためには、約14k9/Cdの
圧力が適当であることが知られている。金属導入後、セ
ラミック単一体を金属浴から取出して冷却し、圧力を元
へ戻す。従つて第1図に示すリード線を取付けたコンデ
ンサは、端面電極を必要とせず、かつこのようなリード
線を取付けるための半田付け工程を必要とせずに得るこ
とが可能である。鉛以外の多数の金属を使用して、本発
明によるセラミック単一体内に内部電極を形成すること
もできる。例えば、必要に応じて錫、アルミニウム、銅
およびそれらの合金を使用してもよい。明らかに、使用
金属または合金は、融点が低くセラミック単一体中への
導入を適度な温度で行ないうるような低融点のものとし
、かつ使用温度で実質上気化せず、セラミック誘電材料
に悪影響を有さないのが好適である。溶融金属をセラミ
ック単一体中内へ注入する最低温度は、孔部および電極
領域の寸法、溶融金属の粘度、焼結したセラミック材料
に対する溶融金属の表面エネルギによつて明らかに異な
る。一般に、焼結したセラミ゛ソク単一体の電極領域内
へ導入される金属の融点は、この単一体の焼結温度より
低いことが必要である。内部電極と充填される孔部内の
リード線以外の金属とは、溶融金属が凝固したものであ
り、鋳造金属の特性を有する。第11図は参考例として
、金属内部電極を製造する多数の方法のうち1つを概略
的に示す。The holes in the ceramic body communicating the electrode areas may be formed by drilling or stamping. Although the holes may be created in the ceramic unit after the ceramic has been fired to sinter the ceramic, it is preferable to provide the holes in the green, unfired ceramic unit. Before introducing the metal into the electrode area of the fired ceramic unit, the lead wire (
A conductive wire or rod) is inserted into or passed through the hole and suitably fixed in position as previously described. The diameter of the wire or rod used is somewhat smaller than the hole into which it is inserted to provide sufficient clearance around the wire for the molten metal to penetrate into the electrode area of the ceramic unit and form an internal electrode of the specified size. Any suitable method may be used to introduce the metal into the thin electrode region of the sintered ceramic monolith to form the inner electrode, e.g., attaching the leads as previously described. The sintered ceramic unit is heated to a temperature of about 350°C to 500'C in a suitable container.
It may be immersed in a molten lead bath maintained at Preferably, the container is located in a variable pressure enclosure. The reason for this is that in order to introduce molten metal from around the conductor into the electrode area of a single ceramic body, the pressure inside the sealed body must first be increased.
For example, this is facilitated by reducing the pressure to about 76.5 Tr$THg and then increasing the pressure after immersing the unit in molten metal. The metal is thus pressed into the ceramic body. A pressure of about 14k9/Cd is known to be suitable for this purpose. After metal introduction, the ceramic unit is removed from the metal bath, cooled, and the pressure restored. Therefore, a capacitor with lead wires attached as shown in FIG. 1 can be obtained without requiring end face electrodes and without requiring a soldering process for attaching such lead wires. Many metals other than lead can also be used to form internal electrodes within the ceramic unitary body according to the present invention. For example, tin, aluminum, copper, and alloys thereof may be used as required. Obviously, the metal or alloy used must have a low melting point so that its incorporation into the ceramic body can be carried out at moderate temperatures, and must not substantially evaporate at the temperatures of use and have no adverse effect on the ceramic dielectric material. It is preferable not to have one. The minimum temperature at which the molten metal is injected into the ceramic body clearly depends on the dimensions of the hole and electrode area, the viscosity of the molten metal, and the surface energy of the molten metal relative to the sintered ceramic material. Generally, it is necessary that the melting point of the metal introduced into the electrode region of the sintered ceramic solid body be lower than the sintering temperature of the single body. The metal other than the internal electrode and the lead wire in the hole filled is solidified molten metal and has the characteristics of cast metal. FIG. 11 schematically shows, as a reference example, one of a number of methods for producing metal internal electrodes.
この図において、参照符号39は適当な容器すなわち密
閉体を示す。この中に適当な材料でできた、使用溶融金
属浴を有する容器40を設置する。金属浴を図示しない
適当な方法で加熱して金属を適当な温度に維持する。同
じく密閉体内部に運搬具を備える。運搬具の構造は多種
多様であるが、垂直方向に往復動する支持棒部42を有
するのが好適てある。この棒部42の下側端にスプリン
グクリップ43を取付け、これによつて前に記載した焼
結セラミック構造体、すなわちセラミック単一体45に
付属したリード線44の片方または両方を着脱自在に保
持する。従つて、セラミック単一体45を密閉体39内
部に懸吊した後に、適当に接続する真空ポンプ(図示せ
す)によつて密閉体内部を減圧し、次いて単一体を棒部
42によつて溶融金属浴内へ降下させる。In this figure, reference numeral 39 indicates a suitable container or closure. A container 40 made of a suitable material and containing the molten metal bath used is placed therein. The metal bath is heated by a suitable method not shown to maintain the metal at a suitable temperature. Similarly, a carrier is provided inside the closed body. Although the structure of the carrier may vary, it is preferred that the carrier include a support bar 42 that reciprocates in a vertical direction. A spring clip 43 is attached to the lower end of this bar 42, thereby removably holding one or both of the lead wires 44 attached to the previously described sintered ceramic structure, ie, the ceramic unitary body 45. . Therefore, after suspending the ceramic unit 45 inside the enclosure 39, the pressure inside the enclosure is reduced by a suitably connected vacuum pump (not shown), and then the unit is suspended by the rod 42. Lower into the molten metal bath.
次いて密閉体内部の圧力を適当な手段(図示せず)によ
つて上昇させて、リード線44の周囲の溶融金属をセラ
ミック単一体内の電極領域内へ圧入する。適当な発生源
からの圧縮ガスを圧力媒体に使用してもよい。次いで、
棒部42を上昇させてセラミック単一体45を金属浴か
ら取出し、これを十分に冷却してその中の金属を凝固さ
せ、その後に圧力を除去する。次いで、製造されたコン
デンサを取り外し、他のセラミック単一体と交換して金
属圧人工程を繰返す。焼結したセラミック単一体内へ溶
融金属を導入するため、他の方法および装置を使用して
もよい。例えは、ある条件下で密閉体の排気を、セラミ
ック単一体の溶融金属浴内への浸漬以後に行つてもよい
。同じく多数の運搬具を備えてもよく、2個以上のセラ
ミック単一体を金属浴内へ同時に浸漬してもよい。必要
に応じ、金属導入装置を自動化して、完成したコンデン
サを連続的に生産してもよい。第8図は誘電薄層間の電
極領域内への金属導入前に本発明にかかる単一焼結セラ
ミック体にリード線を設けるための配置の具体例を示す
。第8図は第6図に対し垂直関係にある断面図であつて
、誘電薄層51間の2組の電極領域49と50を夫々貫
通するセラミック単一体における孔部47および48は
大きめであり、垂直ではなく傾斜させる。従つてリード
線用の導線または棒材(図示せず)を孔部47と48に
挿入し、溶融金属を領域49と50にリード線の周囲の
孔部を介して導入した後には、導線または棒材と電極領
域内に金属によつて形成された内部電極との接触面積が
幾分大きくなる。第9図および第10図も参考例を示し
ている。The pressure inside the enclosure is then increased by suitable means (not shown) to force the molten metal around the lead 44 into the electrode area within the ceramic body. Compressed gas from any suitable source may be used as the pressure medium. Then,
The rod 42 is raised to remove the ceramic unit 45 from the metal bath, cool it sufficiently to solidify the metal therein, and then remove the pressure. The manufactured capacitor is then removed and replaced with another ceramic unit and the metal pressing process is repeated. Other methods and devices may be used to introduce molten metal into the sintered ceramic body. For example, under certain conditions, evacuation of the enclosure may occur after immersion of the ceramic unit into the molten metal bath. Similarly, multiple carriers may be provided and two or more ceramic units may be immersed simultaneously into the metal bath. If desired, the metal introduction equipment may be automated to continuously produce finished capacitors. FIG. 8 shows an example of an arrangement for providing leads in a single sintered ceramic body according to the invention prior to the introduction of metal into the electrode area between the thin dielectric layers. FIG. 8 is a cross-sectional view perpendicular to FIG. 6, showing that the holes 47 and 48 in the ceramic body passing through the two sets of electrode regions 49 and 50, respectively, between the thin dielectric layer 51 are larger. , make it inclined instead of vertical. Therefore, after the conductors or rods (not shown) for the leads have been inserted into the holes 47 and 48 and the molten metal has been introduced into the regions 49 and 50 through the holes around the leads, the conductors or The contact area between the bar and the internal electrode formed of metal in the electrode area is somewhat increased. FIGS. 9 and 10 also show reference examples.
ここにおいてセラミック単一体を焼成しその中の電極領
域に金属を充填する前に、未焼成セラミック単一体の側
部に空腔部を設ける。焼結したセラミック単一体52内
のこのような空腔部の夫々は(空腔部54の1つを第1
0図に示す)誘電セラミック薄層53間に位置する電極
領域55と56の1組と連通する。従つて、空腔部54
は電極領域55と連通し結合するが、セラミック単一体
の対向端部の同様な空腔部(図示せず)は互違いの電極
領域56と連通する。焼成後かつ溶融金属の電極領域5
5と56への導入前に、棒材または導線58の偏平端部
57を略矩形空腔54へ挿入し、同様な偏平棒材ままた
は導線(図示せず)をセラミック単一体の対向端部の対
応する空腔部(図示せず)内へ挿入する。導線または棒
材の端部が空腔部内で十分に嵌着して、摩擦力のため保
持され多少の力ては脱落しないようにする。しかしなが
ら同時に、この嵌着は、セラミック単一体が溶融金属浴
内に浸漬される際に、溶融金属が偏”平端部の周りの空
腔部内へかつそれを連通する夫々の電極領域内へ侵入す
るのを妨げるほどには緊密にしない。金属を導入した単
一体を金属浴から取出し冷却した後に、偏平導線または
棒材端部は空腔部内に強固に保持され、リード線と内部
金・属電極とは電気的に良好に接続される。第2図と第
3図は本発明にかかる焼結セラミック体を使用したもう
1つの実施例を示す。Here, before firing the ceramic body and filling the electrode regions therein with metal, a cavity is provided in the side of the green ceramic body. Each of such cavities within the sintered ceramic unitary body 52 (one of the cavities 54 is
It communicates with a pair of electrode regions 55 and 56 located between a dielectric ceramic thin layer 53 (as shown in FIG. 0). Therefore, the cavity 54
are in communication with and coupled to electrode regions 55, while similar cavities (not shown) at opposite ends of the ceramic unit communicate with alternating electrode regions 56. Electrode area 5 of molten metal after firing
5 and 56, the flattened end 57 of a bar or conductor 58 is inserted into the generally rectangular cavity 54, and a similar flattened bar or conductor (not shown) is inserted into the opposite end of the ceramic unit. into the corresponding cavity (not shown) of the. The end of the conducting wire or rod is sufficiently fitted within the cavity so that it is held by friction and does not fall out with some force. At the same time, however, this fit prevents molten metal from penetrating into the cavity around the flattened end and into the respective electrode area communicating with it when the ceramic unit is immersed in a molten metal bath. After the metal-loaded unit is removed from the metal bath and cooled, the ends of the flat conductor or bar are held firmly within the cavity, and the lead wire and internal metal electrode Figures 2 and 3 show another embodiment using the sintered ceramic body according to the invention.
この実施例において積層磁器コンデンサ59は、1つお
きに存在する2組の内部金属電極60と61とをノ備え
る。電極60の夫々はコンデンサの前端方向へ電極61
を越えて延び、電極61の夫々はコンデンサの後端方向
に電極60を越えて延びるが、これら電極はいずれもコ
ンデンサの外部へは露出しない。コンデンサ59の前端
部近傍において(第2図)、リード線62を離間孔部に
挿通して焼結セラミック薄層と電極60とに貫通させか
つコンデンサの底面に沿つて配置する。かくして、この
コンデンサはその頂部面から突出するリード線の自由端
を有する。図示の通り、リード線62用の孔部は、リー
ド線が電極60と接続しかつ電極61とは接続しないよ
うに配置される。リード線62と同様なリード線64を
コンデンサの後端部近傍に設け、セラミック薄層63内
の中心線を同じくする孔部に貫通させる。この孔部は、
リード線64が内部電極61と接続しかつ電極60とは
接続しないように配置される。リード線62と64はセ
ラミック単一体に金属が注入される前にこの単一体内へ
挿入され、第5図と同様に屈曲部66または結び目をリ
ード線の自由端部に設けて、注入前の脱落を防止する。
第2図と第3図で示すコンデンサの製造において、前記
米国特許明細書と極めて類似の方法を使用する。In this embodiment, the laminated ceramic capacitor 59 includes two sets of internal metal electrodes 60 and 61, which are present on every other pair. Each of the electrodes 60 is connected to an electrode 61 toward the front end of the capacitor.
, and each of the electrodes 61 extends beyond electrode 60 toward the rear end of the capacitor, but none of these electrodes are exposed to the exterior of the capacitor. Near the front end of capacitor 59 (FIG. 2), lead wire 62 is inserted through the spaced-apart hole, through the sintered ceramic thin layer and electrode 60, and is placed along the bottom surface of the capacitor. The capacitor thus has a free end of the lead wire projecting from its top surface. As shown in the figure, the hole for the lead wire 62 is arranged so that the lead wire is connected to the electrode 60 and not connected to the electrode 61. A lead wire 64, similar to lead wire 62, is provided near the rear end of the capacitor and passes through the same hole through the center line within ceramic thin layer 63. This hole is
The lead wire 64 is arranged so as to be connected to the internal electrode 61 but not to the electrode 60. Leads 62 and 64 are inserted into the ceramic body before the metal is injected into the body, and bends 66 or knots are provided at the free ends of the leads as in FIG. Prevent falling off.
In manufacturing the capacitors shown in FIGS. 2 and 3, a method very similar to that of the aforementioned US patent is used.
未焼成セラミック単一体は、仮結合された誘電性セラミ
ック材料の薄層とこれにより小さい面積の仮導電体の薄
層とを交互に重畳して作成する。次いで、孔部を穿孔な
どの方法でこれら薄層を貫通して所定の位置に設けた後
、セラミック単一体を焼成してセラミック誘電材料の薄
層を焼結し、かつ仮導電体の薄層を焼却して誘電薄層間
に薄い電極用空間領域を形成する。The green ceramic unit is created by alternating thin layers of temporarily bonded dielectric ceramic material and thereby thin layers of small area temporary conductor. Holes are then drilled or otherwise placed through these thin layers and the ceramic body is then fired to sinter the thin layer of ceramic dielectric material and form the thin layer of temporary conductor. is incinerated to form a thin electrode space between the thin dielectric layers.
仮導電体薄層は誘電性セラミック材料によりその外縁部
が密封されて外部に露出しないようにされ、しかも1つ
おきの仮導電体層と残余の1つおきの仮導電体層とが互
いに反対端面の方向へより長く延ひて、焼成時に2組の
電極用空間がセラミック積層体内部に形成されるように
する。第2図および第3図の実施例においてリード線用
孔部を、積層体の対向端部近傍てそれぞれ整列した対と
して設け、1対の.孔部を1組の電極領域に貫通させて
それを連通させ、他の1対は第2組の電極領域を貫通さ
せてそれを連通させる。明らかに、いずれの孔部も隣接
する両組の電極領域を貫通することはない。何故なら、
これはコンデンサの短絡を意味するからで・ある。セラ
ミック単一体を焼成した後に、孔部の直径より多少小さ
い導線を、夫々の孔部に通し夫々の導綿の自由端部を焼
成した積層体の頂部面から突出させ、かつ夫々の導線の
一部を積層体の底部面に沿つて夫々の対の片方の孔部か
らその対の他方の孔部へ延びるよう配置する。一方また
は両方の導線の一方または両方の端部を使用してセラミ
ック単一体を支承運搬し、次いでこの単一体に前に記載
の通り金属を注入して電極領域内に内部電極を形成する
。夫々の導線は内部電極の一方の組と電気的に接続する
から導線は完成したコンデンサのリード線として機能す
る。第2図と第3図に示すコンデンサ構造体は、コaン
デンサを回路板もしくは基板に半田によつて取付ける際
に極めて有用である。The temporary conductor thin layer is sealed at its outer edge by a dielectric ceramic material so that it is not exposed to the outside, and in addition, every other temporary conductor layer and every other remaining temporary conductor layer are opposite to each other. It extends longer in the direction of the end face so that upon firing, spaces for two sets of electrodes are formed inside the ceramic laminate. In the embodiment of FIGS. 2 and 3, the lead wire holes are provided in aligned pairs near opposite ends of the laminate; The holes pass through and communicate with one set of electrode regions, and the other pair pass through and communicate with the second set of electrode regions. Obviously, neither hole penetrates through the areas of both adjacent sets of electrodes. Because,
This is because this means a short circuit in the capacitor. After firing the ceramic unit, a conductive wire slightly smaller in diameter than the hole is passed through each hole, with the free end of each conductive cotton protruding from the top surface of the fired laminate, and one of each conductive wire is portions are arranged along the bottom surface of the laminate to extend from one hole of each pair to the other hole of that pair. One or both ends of one or both conductive wires are used to support and carry a ceramic monolith which is then implanted with metal as previously described to form internal electrodes within the electrode region. Each conductive wire is electrically connected to one set of internal electrodes so that the conductive wires function as leads for the completed capacitor. The capacitor structure shown in FIGS. 2 and 3 is extremely useful in attaching a capacitor to a circuit board or substrate by soldering.
このような使用例を第12図と第13図に示すが、適当
な絶縁材料の基板69の片面上に離間した金属性半田7
0と71を設け、この半田を夫々導体72と73に接続
する。第2図および第3図のコンデンサと実質上同様に
構成したコンデンサ74を、コンデンサの底面から突出
する夫々のリード線75と76の端面によつて、半田7
0と71に結合させる。このようにして堅固な安定した
接触面が得られる。第14図は、この発明の焼結セラミ
ック体を使用したコンデンサ、例えば第1図に示すよう
なコンデンサからのリード線の種々の使用例の1つを示
す。図示の通り、コンデンサ内で交互の内部電極(図示
せず)に夫々接続するコンデンサ81のリード線83と
84は、適当な絶縁材料の回路板82に設けた夫々の孔
部85と86を貫通し、かつ回路板の下側面上に設けた
導体87と88の対応する孔部を貫通する。リード線は
コンデンサ81を適正な位置に保持し、リード線を参照
符号89で示す通り導体に半田付けすることによりリー
ド線と導体87および88の良好な電気的接続が達成さ
れる。この発明にかかる単一焼.桔セラミック体を使用
したコンデンサは、焼結したセラミック材料内に封入さ
れることおよびリード線用孔部内の導線の周りの間隙に
金属を充填することにより実質上密封されるが、必要に
応じてさらに密封することもできる。An example of such use is shown in FIGS. 12 and 13, in which a spaced metallic solder 7 is placed on one side of a substrate 69 of a suitable insulating material.
0 and 71 are provided, and the solders are connected to conductors 72 and 73, respectively. A capacitor 74 constructed substantially similar to the capacitors of FIGS. 2 and 3 is connected to the solder 7 by the end surfaces of respective leads 75 and 76 projecting from the bottom of the capacitor.
Connect to 0 and 71. In this way a firm and stable contact surface is obtained. FIG. 14 shows one of the various uses of the leads from a capacitor using the sintered ceramic body of the present invention, such as the capacitor shown in FIG. As shown, leads 83 and 84 of capacitor 81, which respectively connect to alternating internal electrodes (not shown) within the capacitor, pass through respective holes 85 and 86 in circuit board 82 of a suitable insulating material. and pass through corresponding holes in conductors 87 and 88 provided on the underside of the circuit board. The leads hold capacitor 81 in place and good electrical connection between the leads and conductors 87 and 88 is achieved by soldering the leads to the conductors as shown at 89. Single firing according to this invention. Capacitors using a square ceramic body are substantially hermetically sealed by being encapsulated within a sintered ceramic material and by filling the gap around the conductor in the lead hole with metal; It can also be sealed further.
たとえば、第15図において、適当な密封用組成物91
をコンデンサ93のリード線92の突出部の周りに塗布
する。同様に第16図においてコンデンサ95全体を適
当な材料の被覆96によつてカプセル状に収容し、かつ
リード線97と98の周りを密封することができる。電
気部品をカプセル状に収容するために設計された既知の
ポリエチレンまたはエポキシ樹脂を使用してもよい。こ
れらの適当な密封用およびカプセル化用材料が市販され
ている。第1図、第2図、第5図および第18図の示す
形式のコンデンサや、第6図および第8図に示す形式の
セラミック積層体内に内部金属電極を設けて製造したも
のも、同様に密封可能である。前に記載の通り、本発明
の焼結セラミック体を使用したコンデンサは端面電極が
不要である。For example, in FIG. 15, a suitable sealing composition 91
is applied around the protrusion of the lead wire 92 of the capacitor 93. Similarly, in FIG. 16, the entire capacitor 95 can be encapsulated by a coating 96 of a suitable material and sealed around leads 97 and 98. Known polyethylene or epoxy resins designed for encapsulating electrical components may be used. These suitable sealing and encapsulating materials are commercially available. Capacitors of the types shown in FIGS. 1, 2, 5, and 18, as well as capacitors manufactured with internal metal electrodes inside ceramic laminates of the types shown in FIGS. 6 and 8, are similarly manufactured. Can be sealed. As previously noted, capacitors using the sintered ceramic body of the present invention do not require end face electrodes.
その理由は、内部電極を形成する金属が焼結セラミック
単一体中に設けられた導線または棒材リード線用孔部を
介して導入されるからである。従つて、リード線自体が
2組の内部電極と電気的に接続する。このため、セラミ
ック薄層間の電極領域はセラミック単一体の外側表面へ
露出させる必要がない。しかしながら、必要に応じて、
これらを次に記載する通り露出させて端面電極を取付け
た後、このような領域への開口部を単一体の外側表面か
ら被覆しかつ閉鎖してもよい。第7図は参考例であつて
、第6図に示す構造体と類似したセラミック構造体10
3を示し、ここにおいて誘電体の焼結セラミック薄層1
04とこれより小面積のかつ金属が導入される電極用空
間領域105および106とが交互に存在する。This is because the metal forming the internal electrodes is introduced through holes for conducting wires or rod lead wires provided in the sintered ceramic unitary body. Therefore, the lead wire itself is electrically connected to the two sets of internal electrodes. Therefore, the electrode area between the ceramic thin layers does not need to be exposed to the outer surface of the ceramic unit. However, if necessary,
After these are exposed and the end electrodes are attached as described below, the openings to such areas may be covered and closed from the outer surface of the unitary body. FIG. 7 is a reference example, and shows a ceramic structure 10 similar to the structure shown in FIG.
3, in which a dielectric sintered ceramic thin layer 1
04 and electrode space regions 105 and 106 smaller in area and into which metal is introduced alternately.
領域105は、構造体の端部面107まで延びている。
領域106は、同様に構造体103の対向端部面(図示
せず)まで延びている。電極領域の両組とも構造体によ
り3方側で囲撓される。端面部材109を面107全体
を覆うように設ける。端面部材109はセラミック材料
、例えば低融点の.ガラスで形成するのが便利であり、
かつ密封絶縁性のものである。その理由は、空間領域1
05と106内て電極を形成する金属が、この領域に垂
直に構造体を貫通するリード線(図示せず)を有する孔
部を介して、構造体103内へ導入される.からである
。構造体103の端面107に近傍の1つのこのような
孔部111により電極空間領域105は外部を連通し、
他の実質的に同一の孔部(図示せず)を構造体103の
対向端面の近傍に設けて、電極空間領域106と外部と
の連通を達・成する。第17図乃至第19図に本発明の
焼結セラミック体を使用したもう1つの実施例を示す。Region 105 extends to an end surface 107 of the structure.
Region 106 similarly extends to an opposite end surface (not shown) of structure 103. Both sets of electrode areas are surrounded on three sides by the structure. An end face member 109 is provided to cover the entire surface 107. The end member 109 is made of a ceramic material, for example, a low melting point. It is convenient to form it from glass,
It is also hermetically insulating. The reason is that spatial area 1
The metal forming the electrodes in 05 and 106 is introduced into structure 103 through a hole with a lead wire (not shown) passing through the structure perpendicular to this region. It is from. One such hole 111 near the end face 107 of the structure 103 allows the electrode space region 105 to communicate with the outside;
Other substantially identical holes (not shown) are provided near opposite end faces of structure 103 to provide communication between electrode space region 106 and the outside world. Another embodiment using the sintered ceramic body of the present invention is shown in FIGS. 17 to 19.
第18図と第19図とに示す構造において、参照符号1
19は、垂直孔部120を貫通する垂直リード線または
リード棒121および122を備えた積層コンデンサを
示し、リード線は参照符号123で示す通りコンデンサ
の上側および下側で折曲され容易に脱落するのを防止す
る。第17図の展開図から、この構造体の製造方法は容
易に判明するであろう。In the structure shown in FIGS. 18 and 19, reference numeral 1
19 indicates a multilayer capacitor with vertical lead wires or lead rods 121 and 122 passing through a vertical hole 120, and the lead wires are bent at the upper and lower sides of the capacitor as indicated by reference numeral 123 and easily fall off. to prevent From the developed view of FIG. 17, the method of manufacturing this structure will be readily apparent.
参照符号125は、熱板結合材料、例えば樹脂で仮結合
された微粉砕誘電性セラミック材料、例えばチタン酸バ
リウム・で形成された薄板を示す。下側4枚の薄板12
5の夫々の上に、完全熱焼却性の材料より成る(または
このような材料に無機粒子を混合含有させた)仮電極薄
膜126を付着させる。薄層126も、同じく熱板結合
材料で仮結合させるのが好適である。仮導電体、すなわ
ち仮電極薄層126と誘電性セラミック薄板125とを
、前記米国特許または本発明に記載した通りに組立る。Reference numeral 125 designates a thin plate made of a finely ground dielectric ceramic material, such as barium titanate, temporarily bonded with a hot plate bonding material, such as a resin. Lower 4 thin plates 12
5, a temporary electrode thin film 126 made of a completely thermally incinerated material (or such a material mixed with inorganic particles) is attached. Lamina 126 is also preferably temporarily bonded with a hot plate bonding material. The temporary conductor, temporary electrode thin layer 126 and dielectric ceramic thin plate 125 are assembled as described in the aforementioned US patent or the present invention.
しかしながら、この実施例においては、夫々の仮導電体
薄層をセラミック薄板の端部まで延ばさず、また全仮導
電体薄層を両端部に対し同距離まて存在させていること
に注目すべきである。これは夫々の仮導電体薄膜126
内に比較的大きな開口部127の空間区域を設けた結果
である。隣接する薄膜126内の開口部127を互いに
片寄らせ、かつ1つ置きの薄層126内の開口部が垂直
方向に整列するようにし、加圧固着させて第17図に示
す複数の薄板125と薄膜126とを組立てると、隣接
する薄板125の材料が開口部127内へ押出されてそ
こに絶縁領域を形成する。この固着体を焼結温度で加熱
焼成すると、仮導電体薄膜126の熱焼却性材料が焼却
されかつ薄板125内のセラミック材料が焼結されて単
一セラミック構造体を形成する。これは、第18図と第
19図とに示す通り、端部の周囲でかつ開口部127内
へ突出したセラミック材料によつて合体された複数の誘
電セラミック積層体129より成る。焼成後、このよう
な突出セラミック材料は、誘電薄層129間に介在する
電極空間領域内に夫々絶縁領域、すなわち絶縁性の島部
を形成する。薄膜126内の開口部127の寸法を変え
てもよい。However, it should be noted that in this example, each thin layer of temporary conductor does not extend to the edge of the ceramic sheet, and all thin layers of temporary conductor are the same distance from each end. It is. This corresponds to each temporary conductor thin film 126.
This is the result of having a relatively large opening 127 spatial area within. The openings 127 in adjacent thin films 126 are offset from each other, and the openings in every other thin layer 126 are aligned vertically, and are pressed together to form a plurality of thin plates 125 as shown in FIG. When the membrane 126 is assembled, the material of the adjacent membrane 125 is forced into the opening 127 to form an insulating region therein. When this solid body is heated and fired at a sintering temperature, the thermally incinerable material of the temporary conductor thin film 126 is incinerated and the ceramic material within the thin plate 125 is sintered to form a single ceramic structure. It consists of a plurality of dielectric ceramic laminates 129 held together by ceramic material projecting around the edges and into the opening 127, as shown in FIGS. 18 and 19. After firing, such protruding ceramic material forms respective insulating regions, ie, insulating islands, in the electrode space regions interposed between the thin dielectric layers 129. The dimensions of opening 127 in membrane 126 may vary.
一般に、その機能を達成するに必要な大きさより大きく
すべきではなく、この機能とは開口部の上側と下側のセ
ラミック薄板を焼結時に一体化して絶縁領域を電極領域
内に設け、これら絶縁領域にリード線を貫通させること
である。この絶縁領域が必要以上に大きいと容量の低下
を招く。電極130および131は金属であるのが好適
であり、加熱して仮導電体薄膜126の熱焼却性材料を
焼却して得られる電極領域内へ、リード線121と12
2の周囲の孔部120を介して溶融金属を導入する。こ
のような電極領域内への溶融金属の導入は、例えば第1
1図に示す方法て達成される。従つて、コンデンサ11
9は、内部電極を形成する金属の介在薄膜、すなわち薄
層130と131を有する複数の緻密な焼結したセラミ
ック誘電薄層から成る。In general, it should not be larger than necessary to achieve its function, which is achieved by integrating the upper and lower ceramic sheets of the opening during sintering to provide an insulating area within the electrode area. This is to pass the lead wire through the area. If this insulating region is larger than necessary, the capacitance will decrease. Electrodes 130 and 131 are preferably metal and lead wires 121 and 12 are heated to incinerate the thermally incinerating material of temporary conductor film 126 into the electrode area.
Molten metal is introduced through holes 120 around the 2. The introduction of molten metal into such an electrode region can be carried out, for example, in the first
This is accomplished by the method shown in Figure 1. Therefore, capacitor 11
9 consists of a plurality of dense sintered ceramic dielectric thin layers with intervening thin films of metal, ie, thin layers 130 and 131, forming internal electrodes.
図示の通り、電極130内の不連続な絶縁領域、すなわ
ち区域132は垂直方向に中心線を同じくし、電極13
1内の絶縁領域も同じく中心線を同じくするが、電極1
30内の絶縁領域とは互いに横方向に離間する。従つて
、孔部120に挿通したリード線121は、コンデンサ
内て電極130と電気的に接続するが、電極130と交
互に重なる電極131とは接続しない。同様に、リード
線122は電極131とのみ内部で電気的に接続する。
孔部120は、焼成前に穿孔または打抜きによつて未焼
成体内に形成するのが好適であるが、セラミック体の焼
成後に穿孔してもよい。通常、孔部は組立合体前に薄板
125および薄膜126内に存在しないが、図示の便宜
上孔部位置を第17図において参照符号120aで示す
。単一体コンデンサの寸法は、広範囲にわたつて変化さ
せてもよい。As shown, the discontinuous insulating regions or areas 132 within electrode 130 are vertically centered and
The insulation area within electrode 1 also has the same center line, but electrode 1
The insulating regions within 30 are laterally spaced apart from each other. Therefore, the lead wires 121 inserted through the holes 120 are electrically connected to the electrodes 130 within the capacitor, but are not connected to the electrodes 131 that alternately overlap the electrodes 130. Similarly, lead wire 122 is electrically connected only to electrode 131 internally.
The holes 120 are preferably formed in the green body by drilling or stamping before firing, but may also be punched after the ceramic body is fired. Typically, holes will not be present in the lamina 125 and membrane 126 prior to assembly, but for convenience of illustration, the hole location is indicated by reference numeral 120a in FIG. 17. The dimensions of the unitary capacitor may vary over a wide range.
コンデンサの寸法を変化させるだけてなく、誘電薄層と
その中の電極との数および厚さも同じく変化させてもよ
い。多くの場合、誘電薄層を導電性薄膜、すなわち電極
より厚くするのが好適であるが、これは必要に応じて変
化させてよい。厚さ約0.03=の誘電薄層2敗と厚さ
約0.0025W01Lの内部電極1敗とを有する2.
『×3.0×0.9w0nのコンデンサの製作は容易で
あり、大寸法のものももちろん可能である。所定の容量
を有するコンデンサは、誘電材料、薄層および電極の寸
法、厚さおよび数を適当に選択して得られる。コンデン
サの厚さおよび付加的機械的強度は、未焼成セラミック
構造体の頂部または底部上に薄層または薄膜を付加して
調節してもよい。誘電セラミック組成物の未印刷薄膜を
この目的のため使用してもよい。しかしながら、このよ
うな積層体の頂部誘電薄膜または薄膜上に熱焼却性付着
物が存在しても通常有害ではない。一般に、誘電薄層お
よび電極は可能な限り薄くするのが好ましい。In addition to varying the dimensions of the capacitor, the number and thickness of the thin dielectric layers and electrodes therein may be varied as well. It is often preferred that the thin dielectric layer be thicker than the thin conductive film, ie, the electrode, but this may vary as desired. 2. having two thin dielectric layers with a thickness of approximately 0.03 mm and one inner electrode with a thickness of approximately 0.0025 W01 L;
``It is easy to manufacture a capacitor of ×3.0 × 0.9w0n, and of course it is possible to manufacture a capacitor of larger dimensions. A capacitor with a given capacitance is obtained by appropriate selection of dielectric material, dimensions, thickness and number of thin layers and electrodes. The thickness and additional mechanical strength of the capacitor may be adjusted by adding thin layers or films on the top or bottom of the green ceramic structure. Unprinted thin films of dielectric ceramic compositions may be used for this purpose. However, the presence of thermally burnable deposits on the top dielectric thin film or thin films of such laminates is usually not harmful. Generally, it is preferred that the thin dielectric layers and electrodes be as thin as possible.
その理由は、高価な誘電材料の使用量が少なくコンデン
サの単位体積当りの容量が大きく、従つて回路内での所
要空間が減少するからである。誘電薄層の厚さは、この
ような薄層を緻密かつ非多孔性にしかつ印加電圧に耐え
うるように決定される。誘電材料の薄膜の表面もしくは
厚さに不規則性があると、極めて薄い仮導電体の薄膜を
使用するコンデンサの形成に問題が生ずる。その理由は
、このような不規則部が焼成後詰つてしまうためである
が、電極すなわち導電性薄膜を誘電薄層より薄く作るの
が一般に好適である。本発明にかかる単一焼結セラミッ
ク体の孔部に挿通するリード線の寸法は、極めて広範囲
に変化させてもよい。This is because less expensive dielectric material is used, the capacitor has a higher capacitance per unit volume, and therefore less space is required in the circuit. The thickness of the thin dielectric layer is determined to make such thin layer dense, non-porous, and able to withstand the applied voltage. Irregularities in the surface or thickness of thin films of dielectric material create problems in the formation of capacitors using very thin thin films of pseudoconductor. The reason for this is that such irregularities become clogged after firing, but it is generally preferable to make the electrodes, ie, the conductive thin film, thinner than the dielectric thin layer. The dimensions of the leads that pass through the holes in the single sintered ceramic body according to the invention may vary over a wide range.
一般に、リード線には直径が約0.25W0fL乃至約
0.65Tsnの導線を使用するのが好適である。しか
しながら、便宜上または必要に応じて太いまたは細い導
線を使用してもよい。従つて、第9図と第10図に示す
セラミック構造体で作成するコンデンサにおいて、リー
ド線は一般に低い。その理由はその端部が偏平化されて
コンデンサ内の金属薄膜と実質的に接続するからである
。大寸法のコンデンサにおいてリード線は必要に応じて
棒材等でもよい。焼成セラミック単一体内のリード線用
孔部の直径は、リード線より若干大きくする。一般に、
リード線と内部電極を形成する金属との接続を確実にす
るため、リード線を溶融電極金属て覆うのが好ましい。
銅が多くの場合良好であるが、他の金属も使用可能であ
る。これまで記載、図示したコンデンサは矩形であつた
。Generally, it is preferred to use a lead wire having a diameter of about 0.25W0fL to about 0.65Tsn. However, thicker or thinner conductors may be used for convenience or need. Accordingly, in capacitors made with the ceramic structures shown in FIGS. 9 and 10, the leads are generally low. This is because the ends are flattened and substantially connect with the metal thin film within the capacitor. In large-sized capacitors, the lead wire may be a bar or the like as required. The diameter of the lead wire hole in the fired ceramic unit is slightly larger than the lead wire. in general,
In order to ensure the connection between the lead wire and the metal forming the internal electrode, it is preferable to cover the lead wire with molten electrode metal.
Copper is often good, but other metals can also be used. The capacitors described and illustrated so far have been rectangular.
しかしながら、他の形状のコンデンサの製造も可能てあ
る。従つて、複数組の独立した電極を有し、夫々の組が
その電極と電気的に接続する2本以上の突出するリード
線を備えていれば、必要に応じて三角形、六角形、楕円
形もしくはいかなる他の所望の形状でもよい。本発明に
かかる単一焼結セラミック体は、前に記載した米国特許
明細書に記載したこのような薄層の製造に適したいかな
るセラミック組成物を誘電薄層の形状に使用してもよく
、かつその内の電極領域(空間領域)は前記特許に記載
のいかなる適当な組成物を使用して製造してもよい。However, it is also possible to manufacture capacitors of other shapes. Therefore, if it has multiple sets of independent electrodes, and each set has two or more protruding lead wires electrically connected to the electrodes, it can be shaped into a triangular, hexagonal, or oval shape as required. or any other desired shape. The single sintered ceramic body according to the invention may use in the form of dielectric thin layers any ceramic composition suitable for the production of such thin layers as described in the previously mentioned US patents; and the electrode regions (spatial regions) therein may be fabricated using any suitable composition described in the aforementioned patents.
しかしながら、必要に応じて他の適当な組成物を使用し
てもよい。誘電薄膜を形成する組成物が焼結可能な密実
なセラミック体を形成する微粉砕セラミック材料より成
るのが好適である。それらは同じく熱焼却性仮結合剤を
含有するのが好適てある。未焼成体内の仮導電体を形成
するため使用する薄膜は、前に記載した通り、前記米国
特許明細書に記載のいかなる組成物または他の適当な組
成物で形成してもよい。このような仮導電体薄膜は、熱
焼却性材料からなるのが好適である。いかなる場合も、
仮導電体で占有される空間は、セラミック体の焼成後、
空間領域を形成するものであり、少なくとも約40%の
空間を有し溶融金属が充填されて電極を形成する。ここ
で使用するr緻密なョという用語は、材料が水中に浸漬
される際実際的に水を吸収しないことでありJ薄いョは
相対的な術語であり、例えはセラミック薄層に関しては
0.5w0nまたはそれ以下を示す。However, other suitable compositions may be used if desired. Preferably, the composition forming the dielectric film comprises a finely divided ceramic material that forms a solid ceramic body that can be sintered. They also preferably contain a thermally incinerable temporary binder. The thin film used to form the temporary conductor within the green body may be formed of any of the compositions described in the above-referenced US patents or other suitable compositions, as previously described. Preferably, such a temporary conductor thin film is made of a thermally incinerating material. In any case,
The space occupied by the temporary conductor, after firing the ceramic body,
It forms a spatial region, which is at least about 40% empty and is filled with molten metal to form an electrode. As used herein, the term dense means that the material does not actually absorb water when immersed in water, and thin is a relative term; for example, for a thin ceramic layer, 0. Indicates 5w0n or less.
しかしながら、このような薄層も特定目的のためにはも
つと厚くてもよい。1熱焼却性ョとは、ここに記載した
条件下で気化するか、または酸化されもしくは酸化され
ることなく気化する物質に変化するものを包含する。However, such thin layers may also be thicker for specific purposes. One-thermal incineration includes substances that vaporize under the conditions described herein, or that are oxidized or transformed into vaporized substances without being oxidized.
本発明の焼結セラミック体を使用して積層磁器コンデン
サを形成する方法は、積層セラミック回路板の製造にも
容易に使用できる。The method of forming a multilayer ceramic capacitor using the sintered ceramic body of the present invention can also be easily used to manufacture multilayer ceramic circuit boards.
第20図と第21図は、参考としてそのような積層セラ
ミック回路板を示す。FIGS. 20 and 21 show such a laminated ceramic circuit board for reference.
回路板135は一体的に焼結されて、セラミック構造体
を形成する3枚の誘電性すなわち絶縁性セラミック薄層
136から成る。この構造体内に、金属で形成するのが
好適な3つの内部導体137,138,139が存在す
る。リード線140,141,142,143および1
44が回路板の外部から1またはそれ以上の内部導体ま
で延びるよう配置され(図示した例ては内部電極137
および138の2層てある)、内部導体の上側下側にセ
ラミック薄層を有する。薄層136はその端縁部の周囲
のみならず、導体の周囲および間で一体に焼結される。
回路板135の形成において、前記のコンデンサ形成と
本質的に同一な方法を使用することができる。例えば、
樹脂で仮結合した微粉砕の誘電性すなわち絶縁性セラミ
ック材料の3枚の薄板を、内部導体が必要とされる位置
のこの薄板間の仮導電体薄膜と共に組立てて固着する。
このような仮導電体、すなわち仮導電薄層は、第17図
乃至第19図に示すコンデンサ製造法を使用して形成し
てもよく、熱焼却性材料より成るのが好適である。形成
した未焼成体内にリード線用および金属導入用孔部を、
例えば穿孔または打抜きて設ける。このような孔部は頂
部と底部セラミック薄層136を貫通し、1またはそれ
以上の仮導電体へ連通もしくは貫通する。焼成に際し、
仮導電体薄層が焼却されかつ薄板のセラミック材料が焼
結されて単一セラミック構造体を形成し、ここに溶融金
属を導入して内部電極を形成する。溶融金属は、前に記
載したのと同じ方法でこのような領域内へ、頂部または
底部セラミック薄層を貫通する孔部を介して導入される
。前記コンデンサ製造法と同じく棒材もしくは導線てあ
るリード線を孔部内へ溶融金属導入前に挿入し、この導
入は第11図に示す装置で行なつてもよい。リード線の
形状は種々でよく、かつリード線は1またはそれ以上の
内部電極内へまたはそれを貫通して配置してもよい。リ
ード線は折曲しても、または参照符号146て示す通り
回路板内で細くしてもよい。コンデンサ製造と同じく、
リード線用導線または棒材の断面は挿入する孔部より若
干小さくし、このようにしてその周囲から溶融金属を注
入して内部電極を形成する。種々の金属および合金を使
用してiもよいが、構造体の焼結温度およびリード線の
融点より低い融点を有するものを使用する必要がある。Circuit board 135 is comprised of three thin dielectric or insulating ceramic layers 136 that are sintered together to form a ceramic structure. Within this structure there are three internal conductors 137, 138, 139, preferably made of metal. Lead wires 140, 141, 142, 143 and 1
44 is arranged to extend from the exterior of the circuit board to one or more internal conductors (in the illustrated example, internal electrode 137
and 138), with thin ceramic layers on the upper and lower sides of the inner conductor. Lamina 136 is sintered together around and between the conductors, as well as around their edges.
In forming circuit board 135, essentially the same methods as described above for forming capacitors can be used. for example,
Three sheets of finely divided dielectric or insulating ceramic material temporarily bonded with resin are assembled and secured together with a temporary conductor film between the sheets at the locations where internal conductors are required.
Such a temporary conductor, or thin layer, may be formed using the capacitor manufacturing method shown in FIGS. 17-19, and is preferably comprised of a thermally incinerated material. Holes for lead wires and metal introduction are made in the green body that is formed.
For example, it can be provided by perforation or stamping. Such holes pass through the top and bottom ceramic thin layers 136 and communicate with or penetrate one or more temporary conductors. When firing,
The temporary conductor thin layer is incinerated and the thin sheets of ceramic material are sintered to form a unitary ceramic structure into which molten metal is introduced to form the internal electrodes. Molten metal is introduced into such regions via holes through the top or bottom ceramic lamina in the same manner as previously described. As in the capacitor manufacturing method described above, a bar or a lead wire may be inserted into the hole before introducing the molten metal, and this introduction may be carried out using the apparatus shown in FIG. The shape of the lead may vary, and the lead may be placed into or through one or more internal electrodes. The leads may be bent or tapered within the circuit board as shown at 146. As with capacitor manufacturing,
The cross section of the lead wire or rod is made slightly smaller than the hole into which it is inserted, and molten metal is injected from around it to form internal electrodes. Various metals and alloys may be used, but must have a melting point lower than the sintering temperature of the structure and the melting point of the lead wire.
第1図は本発明にかかる単一焼結セラミック体・を使用
した積層磁器コンデンサの斜視図、第2図は同様な積層
磁器コンデンサの一改変例の頂部平面図、第3図は第2
図の3−3線垂直断面図、第4図は第1図の4−4線部
分垂直断面図、第5図は改変したリード線配置を示す第
4図と同様な部ノ分垂直断面図、第6図はセラミック体
内へのリード線の挿入および金属の導入前の積層コンデ
ンサ形成用セラミック体の部分垂直断面図、第7図は端
面部材を使用する参考例を示す第6図と類似した部分垂
直断面図、第8図はリード線用孔部の改変した配置を示
す第6図と同様な部分垂直断面図、第9図はリード線の
焼結セラミック体に取付けるための配置の参考例を示す
部分垂直断面図、第10図はリード線を除去した第9図
の10−10線部分側面図、第11図はセラミック体を
支承してその電極領域内へ金属を導入する方法を示す概
略図、第12図は回路板(断面で示す)の半田上に載置
した積層コンデンサの側面図、第13図は第12図に示
す構造体の頂部平面図、第14図は回路板(断面て示す
)内の孔部を貫通するリード線によつて載置される積層
コンデンサの側面図、第15図はコンデンサのリード線
を密封する方法を示す部分断面図、第16図は全面的に
カプセルで包んだ積層コンデンサを示す部分断面図、第
17図は本発明の焼結セラミック体を使用するもう1つ
の改変例を示す拡大斜視図、第18図は第17図に示す
素子で製造した積層コンデンサの第17図の18−18
線垂直断面図、第19図は第18図の19−19線垂直
断面図、第20図は本発明の技術を使用しうる積層回路
板の第21図の20−20線垂直断面図、第21図は第
20図の21−21線垂直断面図である。
21,22・・・電極(金属薄層)23・・・側面、2
4・・・コンデンサの他側面、25,26・・・リード
線、28・・・屈曲部、29・・・結び目、31・・・
垂直孔部、33,35・・・電極領域、39・・・容器
(密閉体)、40・・・容器、42・・・支持棒部、4
3・・・スプリングクリップ、44・・・リード線、4
7,48・・孔部、49,50・・・電極領域、52・
・・焼結セラミック単一体、53・・・薄層、54・・
・空腔部、55,56・・・電極領域、57・・・偏平
端部、58・・・棒材(導線)、59・・・コンデンサ
、60,61・・・電極、62,64・・・リード線、
63・・・薄層、69・・・基板、70,71・・・半
田、72,73・・・導体、74・・コンデンサ、75
,76・・・リード線、81・・・コンデンサ、82・
・・回路板、83,84・・・リード線、85,86・
・・孔部、87,88・・・導体、91・・密閉用組成
物、92・・・リード線、93・・・コンデンサ、95
・・・コンデンサ、96・・・被覆、97,98・・・
リード線、103・・・セラミック構造体、104・・
・薄層、105,106・・・空間領域、107・・・
構造体端面、109・・・端面部材、111・・・孔部
、119・・・積層コンデンサ、120・・・垂直孔部
、121,122・・・リード線(リード棒材)、12
5・・・薄板、126・・・仮導電体薄膜、127・・
・開口部、129・・・誘電性セラミック薄層、130
,131・・・電極、135・・・回路板。FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor using a single sintered ceramic body according to the present invention, FIG. 2 is a top plan view of a modified example of a similar multilayer ceramic capacitor, and FIG.
Figure 4 is a partial vertical cross-sectional view taken along line 4-4 in Figure 1; Figure 5 is a partial vertical cross-sectional view similar to Figure 4 showing a modified lead wire arrangement. , Fig. 6 is a partial vertical sectional view of a ceramic body for forming a multilayer capacitor before insertion of lead wires and introduction of metal into the ceramic body, and Fig. 7 is similar to Fig. 6 showing a reference example using end face members. 8 is a partial vertical sectional view similar to FIG. 6 showing a modified arrangement of the lead wire holes; FIG. 9 is a reference example of the arrangement for attaching the lead wire to the sintered ceramic body. FIG. 10 is a partial side view taken along line 10-10 of FIG. 9 with the lead wires removed; FIG. 11 shows a method of supporting a ceramic body and introducing metal into its electrode area. 12 is a side view of a multilayer capacitor mounted on solder on a circuit board (shown in cross section), FIG. 13 is a top plan view of the structure shown in FIG. 12, and FIG. Figure 15 is a partial cross-sectional view showing a method of sealing the capacitor leads, and Figure 16 is a full view. FIG. 17 is an enlarged perspective view showing another modified example using the sintered ceramic body of the present invention, and FIG. 18 is a partial cross-sectional view showing an encapsulated multilayer capacitor; FIG. 18-18 in Figure 17 of the multilayer capacitor
19 is a vertical sectional view taken along line 19-19 of FIG. 18; FIG. 20 is a vertical sectional view taken along line 20-20 of FIG. 21 is a vertical sectional view taken along the line 21-21 in FIG. 20. 21, 22... Electrode (metal thin layer) 23... Side surface, 2
4... Other side of the capacitor, 25, 26... Lead wire, 28... Bent part, 29... Knot, 31...
Vertical hole portion, 33, 35... Electrode area, 39... Container (closed body), 40... Container, 42... Support rod portion, 4
3...Spring clip, 44...Lead wire, 4
7, 48... Hole portion, 49, 50... Electrode area, 52...
... Single sintered ceramic, 53... Thin layer, 54...
- Cavity part, 55, 56... Electrode area, 57... Flat end part, 58... Bar material (conducting wire), 59... Capacitor, 60, 61... Electrode, 62, 64... ··Lead,
63... Thin layer, 69... Substrate, 70, 71... Solder, 72, 73... Conductor, 74... Capacitor, 75
, 76... Lead wire, 81... Capacitor, 82...
・・Circuit board, 83, 84 ・Lead wire, 85, 86・
... hole, 87, 88 ... conductor, 91 ... sealing composition, 92 ... lead wire, 93 ... capacitor, 95
...Capacitor, 96...Coating, 97,98...
Lead wire, 103...Ceramic structure, 104...
・Thin layer, 105, 106... Spatial region, 107...
Structure end face, 109... End face member, 111... Hole, 119... Multilayer capacitor, 120... Vertical hole, 121, 122... Lead wire (lead bar), 12
5...Thin plate, 126...Temporary conductor thin film, 127...
- Opening, 129... Dielectric ceramic thin layer, 130
, 131... Electrode, 135... Circuit board.
Claims (1)
、これら薄層間に存在する薄い空間領域と、これら空間
領域の全外周部を覆つた誘電性セラミック外壁と、前記
多数の緻密なセラミック誘電体の薄層を貫通しかつ前記
空間領域を1つおきに貫通するが残余の1つおきの空間
領域には連通しない第一の縦孔と、前記多数の緻密なセ
ラミック誘電体の薄層を貫通しかつ前記残余の1つおき
の空間領域を貫通するが前記最初の1つおきの空間領域
には連通しない第二の縦孔とからなる積層磁器コンデン
サ用の単一焼結セラミック体。 2 空間領域がそれに隣接するセラミック薄層より薄い
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の単一焼結
セラミック体。 3 空間領域の厚さが0.00254mmであることを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の単一焼結セラミ
ック体。 4 各空間領域内に、これと隣接するセラミック薄層に
一体の緻密なセラミック材料よりなる絶縁領域132が
存在し、一対の孔部の一方が1つおきの絶縁領域132
を貫通し、他方が残余の1つおきの絶縁領域132を貫
通することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の単
一焼結セラミック体。 5 微粉砕された焼結可能な誘電性、セラミック材によ
り複数の薄板を成形し、これら薄板にこれより小さい面
積で熱焼却性の材料を塗布し、これら塗布薄板をそれぞ
れ隣接するセラミック薄板間に熱焼却性材料層が挾持さ
れるよう重畳すると共にこれら熱焼却性材料層の全外周
部を誘電性セラミック材で密封して生のセラミック積層
体を形成し、前記セラミツク積層体を上下に貫通する一
対の離間した孔部を、その第一の孔部が前記熱焼却性材
料層を1つおきに貫通するが残余の1つおきの熱焼却性
材料層からは離間しかつ第二の孔部が前記残余の1つお
きの熱焼却性材料層を貫通するが前記最初の1つおきの
熱焼却性材料層から離間するよう穿設し、次いて110
0゜C以上の酸化雰囲気中で、焼成して前記熱焼却性材
料層を焼却除去することにより空間領域を形成せしめる
ことを特徴とする積層磁器コンデンサ用単一焼結セラミ
ック体の製造方法。 6 熱焼却性材料を、薄板上に薄板よりも薄い厚さに塗
布することを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の方
法。 7 各熱焼却性材料層に薄板と同一の材料よりなる絶縁
領域132を設け、一対の孔部をその一方が1つおきの
絶縁領域132を貫通し他方が残余の1つおきの絶縁領
域132を貫通するよう穿設することを特徴とする特許
請求の範囲第5項記載の方法。[Scope of Claims] 1. A large number of superimposed dense ceramic dielectric thin layers, a thin spatial region existing between these thin layers, and a dielectric ceramic outer wall covering the entire outer periphery of these spatial regions; a first vertical hole passing through the plurality of thin layers of dense ceramic dielectric and passing through every other spatial region but not communicating with every other remaining spatial region; a second longitudinal hole passing through a thin layer of ceramic dielectric and passing through every other spatial region of said remaining but not communicating with said first every other spatial region. Single sintered ceramic body. 2. A unitary sintered ceramic body according to claim 1, characterized in that the spatial region is thinner than the ceramic thin layer adjacent thereto. 3. A single sintered ceramic body according to claim 2, characterized in that the thickness of the spatial region is 0.00254 mm. 4. Within each spatial region there is an insulating region 132 made of a dense ceramic material integral with the adjacent ceramic thin layer, and one of the pair of holes is located in every other insulating region 132.
2. A single sintered ceramic body according to claim 1, wherein the single sintered ceramic body passes through one of the two remaining insulation regions. 5 Forming a plurality of thin plates from a finely ground sinterable dielectric, ceramic material, applying a heat-combustible material in a smaller area to the thin plates, and applying each coated thin plate between adjacent ceramic thin plates. Layers of heat-combustible material are sandwiched and overlapped, and the entire outer periphery of these layers of heat-combustible material is sealed with a dielectric ceramic material to form a green ceramic laminate, and the ceramic laminate is penetrated vertically. a pair of spaced apart holes, the first hole passing through every other layer of thermally incinerable material but spaced apart from the remaining every other layer of thermally incinerable material; are drilled through said remaining every other layer of thermally inflammable material but spaced apart from said first every other layer of thermally inflammable material, and then 110
A method for manufacturing a single sintered ceramic body for a laminated ceramic capacitor, characterized in that a space region is formed by firing and removing the heat-combustible material layer in an oxidizing atmosphere at a temperature of 0°C or higher. 6. A method according to claim 5, characterized in that the heat-combustible material is applied onto the thin plate to a thickness thinner than the thin plate. 7. An insulating region 132 made of the same material as the thin plate is provided in each heat-incinerating material layer, and a pair of holes are formed, one of which penetrates every other insulating region 132 and the other of which penetrates every other insulating region 132. 6. The method according to claim 5, characterized in that the method comprises drilling a hole through the hole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51089743A JPS6057212B2 (en) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Single sintered ceramic body and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51089743A JPS6057212B2 (en) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Single sintered ceramic body and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5315558A JPS5315558A (en) | 1978-02-13 |
JPS6057212B2 true JPS6057212B2 (en) | 1985-12-13 |
Family
ID=13979229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51089743A Expired JPS6057212B2 (en) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | Single sintered ceramic body and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6057212B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11664163B2 (en) | 2018-06-14 | 2023-05-30 | Knowles (UK) Ltd. | Capacitor having an electrical termination |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5768009A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-26 | Nippon Electric Co | Large capacity laminated ceramic condenser |
JPS6289118U (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-08 | ||
JPH088415B2 (en) * | 1988-06-01 | 1996-01-29 | 日本電気株式会社 | Method for manufacturing aluminum nitride multilayer wiring board |
JP4985995B2 (en) * | 2009-03-02 | 2012-07-25 | Tdk株式会社 | Thermistor element |
KR101525667B1 (en) * | 2013-07-22 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | Embedded multilayer ceramic electronic part and print circuit board having embedded multilayer ceramic electronic part |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5060507A (en) * | 1973-09-24 | 1975-05-24 |
-
1976
- 1976-07-29 JP JP51089743A patent/JPS6057212B2/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5060507A (en) * | 1973-09-24 | 1975-05-24 |
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US11664163B2 (en) | 2018-06-14 | 2023-05-30 | Knowles (UK) Ltd. | Capacitor having an electrical termination |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5315558A (en) | 1978-02-13 |
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