JPS6056342A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents

イオンビ−ム発生装置

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JPS6056342A
JPS6056342A JP58165628A JP16562883A JPS6056342A JP S6056342 A JPS6056342 A JP S6056342A JP 58165628 A JP58165628 A JP 58165628A JP 16562883 A JP16562883 A JP 16562883A JP S6056342 A JPS6056342 A JP S6056342A
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JP
Japan
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anode
gas
needle
temperature
ion beam
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JP58165628A
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English (en)
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Tatsuo Asamaki
麻蒔 立男
Takao Kato
隆男 加藤
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Anelva Corp
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/08Ion sources; Ion guns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/061Construction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/08Ion sources
    • H01J2237/0802Field ionization sources
    • H01J2237/0807Gas field ion sources [GFIS]

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はイオンビーム発生装置の改良に関する。殊に
連続運転、高電流密度運転を行いたい場合などに適用し
て特1て効果が著るしい新規のイオンビーム発生装置に
関する。
この種の装置は、非常に細いビームを取り出すことがで
きるため、マイクロエレクトロニクスの分野では大きな
期待が持たれている。しかし、これまでの装置は幾日も
連続運転をする必要があったり、高い′電流密度で運転
したいなどの場合に不向な点が多くその応用分野を限定
している。
この発明の目的は、イオンビームとL7て11.Qり出
す物質を気体として装置内に送り込むことにより。
イオンを連続的に長期にわたって発生させ、装置1りの
長期運転を可能にさせることにある。
この発明の別の目的は、イオンの種類を1ハ単に変更で
きる装置の提供にある。
この発明の他の目的は、針状陽極の温度];、v節を簡
単且つ確実に行うことによジ信頼度の高い装rrt。
を提供することにある。
仁の発明の他の目的は、より高輝度のイオンビームを取
り出すことのできる装置の提供にある。
この発明の別の目的は、イオン種を簡単に切換えられる
と同時に、その純度を極めて高く維持できる装置の提供
にある。
この発明の他の目的は、各種のイオンをより常温に近い
状態で取り出すことの出来る装置の提供にある。
気体を送りこんでその気体に含まれる元素等をイオンビ
ームとして取出す技術は極く最近の技術に属しその文献
は下記の如く極めて少い。文献の一つは次のものである
−jo、m1y−IM、 5iqeL 〕(ヅ、 Vc
tc、Sot: 、 TecJ< xθL 、、 /l
 (6)、NoV−/pI2c、/?7デ Qc ノn
oAhりQ )’ i CI2/71 ノ’zcuax
c 5oct−e、製 この文献では冷却用に液体ヘリウムを使用し。
?シ込む気体としては水素f)さんでいる。
j、J丸ty>f仁Φ−フ/j ’−f ’i)、−、鋤〃v工用 カ゛′ズf才〉gヶ
」〔堀内 敬、外4名〕(日本学術振興会第132委員
会第81回研究会費料(57,9,24)第21頁)こ
の文献でに、冷却用に液体窒素を使用し、送シ込む気体
としては水素を選んでいる。壮#α文襟せ≠番今妥≠ト
キ これら液体ヘリウム、液体窒素等を冷却に用いるもので
はそれら冷媒の固有の極めて狭い温度範囲しか使用でき
ない欠点があり、それは選定でき温度をその点に設置す
ることが必須であるが、それがこれ寸での装置では考慮
の外にある。
次にこの発明を図面により実施例を用いて詳しく説明す
る。筐1図訃よび第2図の実施例に卦いて、(ho’)
 はイオン源で、(1,1)が針状陽極、(12)がそ
の先端、(13)が基底fキ+!、(1,4)が冷媒溜
、(15)が例えば液体窒素などの冷媒、(16)はガ
ス容器C17)は絶縁体(19)は加速電源であろう冷
媒輝(]4)を接地電位に対して正の高′ル位にしたく
ない場合は、基底部C13)をサファイヤなどの熱絶縁
物で作り 針状陽極(11)のみを正の高電位に保つと
よい。その場合、絶縁体(17)kま通常の金屑でよい
。(20)は加熱手段で(21)はヒーター、(22)
はリード辺、(23)は電源、(24)Fi絶縁体、(
25”Iは温r・−調節機である。
2 ヒーター(21)が針状陽極(−4!=1=)の近傍の
電界を乱すおそれのある場合は(26)の位置に設置す
るとよい。ヒーターの電位は、正の高電位でも接地電位
でもよく、必要性によって足める。(30)は所定のガ
スを送る手段で(31)は送ガス管(32)は熱的電気
的絶縁体、(33)はガス吹付管(34)け流危調節機
(35)はバルブ、(36)はボンベである。
前述の基底部(13)を絶縁物で作る場合通常絶縁体(
32)は不要である。(4(Y)lはイオン引出系で、
(4])が引出電極、(42)Id引出電源である。(
50)はその他の諸系で必要により例えば、イオンと一
ムをし/Yるためのレンズ系、ビームを偏向させるため
の偏向系、不純物を遠別しまたすするだめの、電場や磁
場のいづれか又は両方を使った各種の系などが月1いら
れる。(51)はそのだめの@1重電極を総括し−C示
しである。(52)はそのための電源である。(60)
は真空系で、(61)が真空容器である。真空ポンプな
どけ図示してないが、必要度によって各種のボである。
(80)はガスを送る手段(30)から送り込まれた余
剰ガスを排気する手段で、(81)が排気管。
(82)は熱的′mm気絶絶縁体 (’R3)は排出口
で、矢印(84)の方向に1図に示されてないポンプで
排気する。
この装置は1通常のイオンビーム装置と同様に大路次の
ように運転する。、まず、A空容器(61)の内部を所
定の圧力2例えばH1’器以下の圧力に排気後、冷媒溜
(14)に冷媒(]、5 )として例えば液体窒素を注
入する。その後、ガス吹付管(33)からどを導入する
。冷却され、且つヒーター(21)により−C所定の温
度に設定された針状陽極(11)の表面には、ジボラン
d凝結し丁度液体でぬらしたように々る。ついで、引出
電源(42)と加速電源(1つ)を動作させると、針状
陽極(1])の先端からボロンのイオンを、極く細いビ
ームとして取り出すことが出来る。このイオンビームは
諸系(51)ニより。
1更用目的に合わせてしぼったり、偏向させたシ。
あるいは不純物の分離を行ったりして使用する。
例えば基板としてシリコンウェハを用いれば、こしK 
ホ07を一様に、あるいは所定のパターンによって打込
むことが出来る。別のイオンを用いればエツチングを行
ったり、感光材を感光させたりすることができる。針状
陽極の温度としては、針状陽極の材質と表面に出来る液
体の組み合せによって大きく変るが、沸点と融点の間で
粘度に大きな差がなければ一般に両者の中点から沸点寄
りのところがよい、しかし蒸気圧などを考えて融点寄り
のところを便うこともある。粘度に大きな差があるとき
は、粘度がなるべく小さい点がよい。また針状陽極の材
質も所定のガスとの組み合せによって決足されるし、そ
の形状も表面を多孔質にする2階段状にするあるいは表
面のづζIど=爺に所足ノカスにとくになじみゃすい材
料を配するなど。
いろいろと必要によって定められる。
この装置は、ボンベ(36)内にあるガスがなくなる迄
は連続して運転を行うことができ、半導体素子などの生
産において最も重要な事項である連続運転を難なく行う
ことができる。寸だ、ボンベを交換したり、多数のガス
ラインを用いてガスの切換えを行えば、各種のイオンを
いとも簡単に取り出すことができる。イオンを安定にと
り出すためには、針状陽極(11)の先端の温度とその
安定さが極めて大切であるが、ヒーターと冷wlτより
温度制御を行うので温度制御を極めて安定に行うことが
出来る。ガスの切換は、ヒータ(73)により冷媒の部
分を加熱し、前に使った気体を徹底的に得い出すことに
より常に高純度のイオンの取り出しと。
迅速なガスの交換を行うことができる。寸たl Jl’
1常ボロノボロン、イオンとして取り出すときけ。
針状陽極の温度として数百度Cを必要とするが。
うな極低温を必要とするが2本発明によれば、一般的に
高い温、明でよく、いずれの場合もより常温に近い状態
で、イオンを取り出すことができる。
このように、イオンにしたい金属、#導体、水素などの
q1定物質の水素化物、ハロゲン化物、炭化物などは、
それ自身より、より常温に近い温度で液化できる。この
ことは本発明の重要な点の一つで、不発明により殆んど
の物質をそれ自身より。
より常温に近い温度でイオンとすることができる第3図
には別の実施例を示しである。この実施例では、イオン
ビームを水平方向に取り出すことカニ出来、且つ真空容
器(61)に対する排気系と、第λ 3図矢印(84)の方向へ排気する排気系を共用してよ
い場合について示しである。また、針状陽極■はねじ(
18)を用いて交換できるようになっている。
その他のことは、第1図に示した実施例と同様に理解出
来る。
左 @4図にはさらに別の実施例が示しである。この実施例
においてtま、針状陽極(111)が、筒状になってい
て、その内部に凝結棒(l12)があり、凝結した液体
は内部にたま5(’11.3)のごとくなる。
その他については第1図の実施例と同様である。
この実施例においてイオンを水平方向に取出したい場合
は先端(114)を水平方向に曲げればよいし。
第3図における実施例のようにしてもよい。この実施例
においては利用する気体がその内部にのみ凝結するので
気体の利用率がよいばか9で々く他への汚染も少ない。
なお、凝結棒の温1「け例えば第5図の実施例のように
してもよいし、必要なところにヒータを設置してもよい
第5図には、さらに別の実施例を示しである。
この実施例において(はヒータ(21)がfl状陽極(
11)の内部に納められ、且つその位置は絶縁体C−1
−1+)により維持されている。この実施例では、ヒー
タが所定のガスが存在する空間に露出することがないの
で、ガスの純度の維持、ヒーター自身の寿命の点からも
優れた実施例である。
第6図には、さらに他の実施例を示しである。
この実施例においては、第5図の実施例1cおける先端
伺徊十今内部に針状陽極0月)を挿入することにより、
一層イオン源の輝度を向上させることを狙っている。そ
の他絶縁体(82)と(32)の近傍の絶縁を保持する
ためにヒータ(27)と(?8)が設けられ、且つ所定
のガスが凝結する器壁全体がほぼ同一温度に寿るように
ヒーター(21)が針状陽極全体に配置されている。そ
の他のことについては、第7図および第5図の実施例と
同様に理解される。
なお所定ガスの入口(33)と出口(B1);寸、基底
部(J3)を置端して冷媒の中を通って針状陽極(11
1’)の内部に導いてもよい。その場合、冷媒によって
適冷されないよう熱絶繰あるいけ、第5図に示すように
管の内部にヒーターを挿入するなどが望ましい。
以上実施例を述べたがこれら1づ、何ら限定的な意味を
持つもので(dなく多数の変形が可能でちることは云う
迄もない。例えば冷媒として、ドライアイスを用いた冷
媒、液体水素、液体ヘリウムなどを用いることができる
。もちろん冷凍機を用いてもよい。加熱方法も、ヒータ
ー(21)を熱陰極として電子衝撃によって加熱しても
よい。さらに、ここに述べたことを従来技術をどのよう
にA且み立てるかは、必要性によって定められることで
ちる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明の実施例を示す図、坑3
1図、第4図、館5図は、それぞt1別の実廼例を示す
図である。 国中、(60)が真空系てr61)がyt、空容器、(
ll)が針状陽極、r42)が引出′電源、(19)が
加速電源、(51)が各と■電極1浅構、(30)がガ
スを送る手段、(2o’+がυ1謔手段、(1,4−)
が冷媒溜である。 手続補正書c方式) 昭で1!′;C−で7.2月 70 特許庁長官 殿 1.1□。7ケ (′頓 \ ・ 2、昭和58年 特許願 第165628号2 @明の
名称 イオンビーム発生装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都府中市17!l]証5−8−15 補正
により増加する発明の数 。 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 7、補正の同番 明細書の第12頁の3行目の「第5図は、」を「第5図
、第6図は」と補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 内部を所定の圧力になる迄排気する真空容器。 該真空容器の内部にあって先端が鋭くとがった針状陽極
    澹′該針状陽極の表面に存在する物質をイオン化しlイ
    オンとしてと力出すための電源装置と各種電極機構をそ
    なえたイオンビーム発生装置において、該針状陽極の近
    傍に所定のガスを送る手段たらびにその針状陽極の先端
    の温度を調節するだめの加熱手段ならびに該針状陽極の
    一部を冷却する手段を具えたことを特徴とするイオンビ
    ーム発生装置。
JP58165628A 1983-09-08 1983-09-08 イオンビ−ム発生装置 Pending JPS6056342A (ja)

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