JPS6056342A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
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- JPS6056342A JPS6056342A JP58165628A JP16562883A JPS6056342A JP S6056342 A JPS6056342 A JP S6056342A JP 58165628 A JP58165628 A JP 58165628A JP 16562883 A JP16562883 A JP 16562883A JP S6056342 A JPS6056342 A JP S6056342A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
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- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はイオンビーム発生装置の改良に関する。殊に
連続運転、高電流密度運転を行いたい場合などに適用し
て特1て効果が著るしい新規のイオンビーム発生装置に
関する。
連続運転、高電流密度運転を行いたい場合などに適用し
て特1て効果が著るしい新規のイオンビーム発生装置に
関する。
この種の装置は、非常に細いビームを取り出すことがで
きるため、マイクロエレクトロニクスの分野では大きな
期待が持たれている。しかし、これまでの装置は幾日も
連続運転をする必要があったり、高い′電流密度で運転
したいなどの場合に不向な点が多くその応用分野を限定
している。
きるため、マイクロエレクトロニクスの分野では大きな
期待が持たれている。しかし、これまでの装置は幾日も
連続運転をする必要があったり、高い′電流密度で運転
したいなどの場合に不向な点が多くその応用分野を限定
している。
この発明の目的は、イオンビームとL7て11.Qり出
す物質を気体として装置内に送り込むことにより。
す物質を気体として装置内に送り込むことにより。
イオンを連続的に長期にわたって発生させ、装置1りの
長期運転を可能にさせることにある。
長期運転を可能にさせることにある。
この発明の別の目的は、イオンの種類を1ハ単に変更で
きる装置の提供にある。
きる装置の提供にある。
この発明の他の目的は、針状陽極の温度];、v節を簡
単且つ確実に行うことによジ信頼度の高い装rrt。
単且つ確実に行うことによジ信頼度の高い装rrt。
を提供することにある。
仁の発明の他の目的は、より高輝度のイオンビームを取
り出すことのできる装置の提供にある。
り出すことのできる装置の提供にある。
この発明の別の目的は、イオン種を簡単に切換えられる
と同時に、その純度を極めて高く維持できる装置の提供
にある。
と同時に、その純度を極めて高く維持できる装置の提供
にある。
この発明の他の目的は、各種のイオンをより常温に近い
状態で取り出すことの出来る装置の提供にある。
状態で取り出すことの出来る装置の提供にある。
気体を送りこんでその気体に含まれる元素等をイオンビ
ームとして取出す技術は極く最近の技術に属しその文献
は下記の如く極めて少い。文献の一つは次のものである
。
ームとして取出す技術は極く最近の技術に属しその文献
は下記の如く極めて少い。文献の一つは次のものである
。
−jo、m1y−IM、 5iqeL 〕(ヅ、 Vc
tc、Sot: 、 TecJ< xθL 、、 /l
(6)、NoV−/pI2c、/?7デ Qc ノn
oAhりQ )’ i CI2/71 ノ’zcuax
c 5oct−e、製 この文献では冷却用に液体ヘリウムを使用し。
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(6)、NoV−/pI2c、/?7デ Qc ノn
oAhりQ )’ i CI2/71 ノ’zcuax
c 5oct−e、製 この文献では冷却用に液体ヘリウムを使用し。
?シ込む気体としては水素f)さんでいる。
j、J丸ty>f仁Φ−フ/j
’−f ’i)、−、鋤〃v工用 カ゛′ズf才〉gヶ
」〔堀内 敬、外4名〕(日本学術振興会第132委員
会第81回研究会費料(57,9,24)第21頁)こ
の文献でに、冷却用に液体窒素を使用し、送シ込む気体
としては水素を選んでいる。壮#α文襟せ≠番今妥≠ト
キ これら液体ヘリウム、液体窒素等を冷却に用いるもので
はそれら冷媒の固有の極めて狭い温度範囲しか使用でき
ない欠点があり、それは選定でき温度をその点に設置す
ることが必須であるが、それがこれ寸での装置では考慮
の外にある。
」〔堀内 敬、外4名〕(日本学術振興会第132委員
会第81回研究会費料(57,9,24)第21頁)こ
の文献でに、冷却用に液体窒素を使用し、送シ込む気体
としては水素を選んでいる。壮#α文襟せ≠番今妥≠ト
キ これら液体ヘリウム、液体窒素等を冷却に用いるもので
はそれら冷媒の固有の極めて狭い温度範囲しか使用でき
ない欠点があり、それは選定でき温度をその点に設置す
ることが必須であるが、それがこれ寸での装置では考慮
の外にある。
次にこの発明を図面により実施例を用いて詳しく説明す
る。筐1図訃よび第2図の実施例に卦いて、(ho’)
はイオン源で、(1,1)が針状陽極、(12)がそ
の先端、(13)が基底fキ+!、(1,4)が冷媒溜
、(15)が例えば液体窒素などの冷媒、(16)はガ
ス容器C17)は絶縁体(19)は加速電源であろう冷
媒輝(]4)を接地電位に対して正の高′ル位にしたく
ない場合は、基底部C13)をサファイヤなどの熱絶縁
物で作り 針状陽極(11)のみを正の高電位に保つと
よい。その場合、絶縁体(17)kま通常の金屑でよい
。(20)は加熱手段で(21)はヒーター、(22)
はリード辺、(23)は電源、(24)Fi絶縁体、(
25”Iは温r・−調節機である。
る。筐1図訃よび第2図の実施例に卦いて、(ho’)
はイオン源で、(1,1)が針状陽極、(12)がそ
の先端、(13)が基底fキ+!、(1,4)が冷媒溜
、(15)が例えば液体窒素などの冷媒、(16)はガ
ス容器C17)は絶縁体(19)は加速電源であろう冷
媒輝(]4)を接地電位に対して正の高′ル位にしたく
ない場合は、基底部C13)をサファイヤなどの熱絶縁
物で作り 針状陽極(11)のみを正の高電位に保つと
よい。その場合、絶縁体(17)kま通常の金屑でよい
。(20)は加熱手段で(21)はヒーター、(22)
はリード辺、(23)は電源、(24)Fi絶縁体、(
25”Iは温r・−調節機である。
2
ヒーター(21)が針状陽極(−4!=1=)の近傍の
電界を乱すおそれのある場合は(26)の位置に設置す
るとよい。ヒーターの電位は、正の高電位でも接地電位
でもよく、必要性によって足める。(30)は所定のガ
スを送る手段で(31)は送ガス管(32)は熱的電気
的絶縁体、(33)はガス吹付管(34)け流危調節機
。
電界を乱すおそれのある場合は(26)の位置に設置す
るとよい。ヒーターの電位は、正の高電位でも接地電位
でもよく、必要性によって足める。(30)は所定のガ
スを送る手段で(31)は送ガス管(32)は熱的電気
的絶縁体、(33)はガス吹付管(34)け流危調節機
。
(35)はバルブ、(36)はボンベである。
前述の基底部(13)を絶縁物で作る場合通常絶縁体(
32)は不要である。(4(Y)lはイオン引出系で、
(4])が引出電極、(42)Id引出電源である。(
50)はその他の諸系で必要により例えば、イオンと一
ムをし/Yるためのレンズ系、ビームを偏向させるため
の偏向系、不純物を遠別しまたすするだめの、電場や磁
場のいづれか又は両方を使った各種の系などが月1いら
れる。(51)はそのだめの@1重電極を総括し−C示
しである。(52)はそのための電源である。(60)
は真空系で、(61)が真空容器である。真空ポンプな
どけ図示してないが、必要度によって各種のボである。
32)は不要である。(4(Y)lはイオン引出系で、
(4])が引出電極、(42)Id引出電源である。(
50)はその他の諸系で必要により例えば、イオンと一
ムをし/Yるためのレンズ系、ビームを偏向させるため
の偏向系、不純物を遠別しまたすするだめの、電場や磁
場のいづれか又は両方を使った各種の系などが月1いら
れる。(51)はそのだめの@1重電極を総括し−C示
しである。(52)はそのための電源である。(60)
は真空系で、(61)が真空容器である。真空ポンプな
どけ図示してないが、必要度によって各種のボである。
(80)はガスを送る手段(30)から送り込まれた余
剰ガスを排気する手段で、(81)が排気管。
剰ガスを排気する手段で、(81)が排気管。
(82)は熱的′mm気絶絶縁体 (’R3)は排出口
で、矢印(84)の方向に1図に示されてないポンプで
排気する。
で、矢印(84)の方向に1図に示されてないポンプで
排気する。
この装置は1通常のイオンビーム装置と同様に大路次の
ように運転する。、まず、A空容器(61)の内部を所
定の圧力2例えばH1’器以下の圧力に排気後、冷媒溜
(14)に冷媒(]、5 )として例えば液体窒素を注
入する。その後、ガス吹付管(33)からどを導入する
。冷却され、且つヒーター(21)により−C所定の温
度に設定された針状陽極(11)の表面には、ジボラン
d凝結し丁度液体でぬらしたように々る。ついで、引出
電源(42)と加速電源(1つ)を動作させると、針状
陽極(1])の先端からボロンのイオンを、極く細いビ
ームとして取り出すことが出来る。このイオンビームは
諸系(51)ニより。
ように運転する。、まず、A空容器(61)の内部を所
定の圧力2例えばH1’器以下の圧力に排気後、冷媒溜
(14)に冷媒(]、5 )として例えば液体窒素を注
入する。その後、ガス吹付管(33)からどを導入する
。冷却され、且つヒーター(21)により−C所定の温
度に設定された針状陽極(11)の表面には、ジボラン
d凝結し丁度液体でぬらしたように々る。ついで、引出
電源(42)と加速電源(1つ)を動作させると、針状
陽極(1])の先端からボロンのイオンを、極く細いビ
ームとして取り出すことが出来る。このイオンビームは
諸系(51)ニより。
1更用目的に合わせてしぼったり、偏向させたシ。
あるいは不純物の分離を行ったりして使用する。
例えば基板としてシリコンウェハを用いれば、こしK
ホ07を一様に、あるいは所定のパターンによって打込
むことが出来る。別のイオンを用いればエツチングを行
ったり、感光材を感光させたりすることができる。針状
陽極の温度としては、針状陽極の材質と表面に出来る液
体の組み合せによって大きく変るが、沸点と融点の間で
粘度に大きな差がなければ一般に両者の中点から沸点寄
りのところがよい、しかし蒸気圧などを考えて融点寄り
のところを便うこともある。粘度に大きな差があるとき
は、粘度がなるべく小さい点がよい。また針状陽極の材
質も所定のガスとの組み合せによって決足されるし、そ
の形状も表面を多孔質にする2階段状にするあるいは表
面のづζIど=爺に所足ノカスにとくになじみゃすい材
料を配するなど。
ホ07を一様に、あるいは所定のパターンによって打込
むことが出来る。別のイオンを用いればエツチングを行
ったり、感光材を感光させたりすることができる。針状
陽極の温度としては、針状陽極の材質と表面に出来る液
体の組み合せによって大きく変るが、沸点と融点の間で
粘度に大きな差がなければ一般に両者の中点から沸点寄
りのところがよい、しかし蒸気圧などを考えて融点寄り
のところを便うこともある。粘度に大きな差があるとき
は、粘度がなるべく小さい点がよい。また針状陽極の材
質も所定のガスとの組み合せによって決足されるし、そ
の形状も表面を多孔質にする2階段状にするあるいは表
面のづζIど=爺に所足ノカスにとくになじみゃすい材
料を配するなど。
いろいろと必要によって定められる。
この装置は、ボンベ(36)内にあるガスがなくなる迄
は連続して運転を行うことができ、半導体素子などの生
産において最も重要な事項である連続運転を難なく行う
ことができる。寸だ、ボンベを交換したり、多数のガス
ラインを用いてガスの切換えを行えば、各種のイオンを
いとも簡単に取り出すことができる。イオンを安定にと
り出すためには、針状陽極(11)の先端の温度とその
安定さが極めて大切であるが、ヒーターと冷wlτより
温度制御を行うので温度制御を極めて安定に行うことが
出来る。ガスの切換は、ヒータ(73)により冷媒の部
分を加熱し、前に使った気体を徹底的に得い出すことに
より常に高純度のイオンの取り出しと。
は連続して運転を行うことができ、半導体素子などの生
産において最も重要な事項である連続運転を難なく行う
ことができる。寸だ、ボンベを交換したり、多数のガス
ラインを用いてガスの切換えを行えば、各種のイオンを
いとも簡単に取り出すことができる。イオンを安定にと
り出すためには、針状陽極(11)の先端の温度とその
安定さが極めて大切であるが、ヒーターと冷wlτより
温度制御を行うので温度制御を極めて安定に行うことが
出来る。ガスの切換は、ヒータ(73)により冷媒の部
分を加熱し、前に使った気体を徹底的に得い出すことに
より常に高純度のイオンの取り出しと。
迅速なガスの交換を行うことができる。寸たl Jl’
1常ボロノボロン、イオンとして取り出すときけ。
1常ボロノボロン、イオンとして取り出すときけ。
針状陽極の温度として数百度Cを必要とするが。
うな極低温を必要とするが2本発明によれば、一般的に
高い温、明でよく、いずれの場合もより常温に近い状態
で、イオンを取り出すことができる。
高い温、明でよく、いずれの場合もより常温に近い状態
で、イオンを取り出すことができる。
このように、イオンにしたい金属、#導体、水素などの
q1定物質の水素化物、ハロゲン化物、炭化物などは、
それ自身より、より常温に近い温度で液化できる。この
ことは本発明の重要な点の一つで、不発明により殆んど
の物質をそれ自身より。
q1定物質の水素化物、ハロゲン化物、炭化物などは、
それ自身より、より常温に近い温度で液化できる。この
ことは本発明の重要な点の一つで、不発明により殆んど
の物質をそれ自身より。
より常温に近い温度でイオンとすることができる第3図
には別の実施例を示しである。この実施例では、イオン
ビームを水平方向に取り出すことカニ出来、且つ真空容
器(61)に対する排気系と、第λ 3図矢印(84)の方向へ排気する排気系を共用してよ
い場合について示しである。また、針状陽極■はねじ(
18)を用いて交換できるようになっている。
には別の実施例を示しである。この実施例では、イオン
ビームを水平方向に取り出すことカニ出来、且つ真空容
器(61)に対する排気系と、第λ 3図矢印(84)の方向へ排気する排気系を共用してよ
い場合について示しである。また、針状陽極■はねじ(
18)を用いて交換できるようになっている。
その他のことは、第1図に示した実施例と同様に理解出
来る。
来る。
左
@4図にはさらに別の実施例が示しである。この実施例
においてtま、針状陽極(111)が、筒状になってい
て、その内部に凝結棒(l12)があり、凝結した液体
は内部にたま5(’11.3)のごとくなる。
においてtま、針状陽極(111)が、筒状になってい
て、その内部に凝結棒(l12)があり、凝結した液体
は内部にたま5(’11.3)のごとくなる。
その他については第1図の実施例と同様である。
この実施例においてイオンを水平方向に取出したい場合
は先端(114)を水平方向に曲げればよいし。
は先端(114)を水平方向に曲げればよいし。
第3図における実施例のようにしてもよい。この実施例
においては利用する気体がその内部にのみ凝結するので
気体の利用率がよいばか9で々く他への汚染も少ない。
においては利用する気体がその内部にのみ凝結するので
気体の利用率がよいばか9で々く他への汚染も少ない。
なお、凝結棒の温1「け例えば第5図の実施例のように
してもよいし、必要なところにヒータを設置してもよい
。
してもよいし、必要なところにヒータを設置してもよい
。
第5図には、さらに別の実施例を示しである。
この実施例において(はヒータ(21)がfl状陽極(
11)の内部に納められ、且つその位置は絶縁体C−1
−1+)により維持されている。この実施例では、ヒー
タが所定のガスが存在する空間に露出することがないの
で、ガスの純度の維持、ヒーター自身の寿命の点からも
優れた実施例である。
11)の内部に納められ、且つその位置は絶縁体C−1
−1+)により維持されている。この実施例では、ヒー
タが所定のガスが存在する空間に露出することがないの
で、ガスの純度の維持、ヒーター自身の寿命の点からも
優れた実施例である。
第6図には、さらに他の実施例を示しである。
この実施例においては、第5図の実施例1cおける先端
伺徊十今内部に針状陽極0月)を挿入することにより、
一層イオン源の輝度を向上させることを狙っている。そ
の他絶縁体(82)と(32)の近傍の絶縁を保持する
ためにヒータ(27)と(?8)が設けられ、且つ所定
のガスが凝結する器壁全体がほぼ同一温度に寿るように
ヒーター(21)が針状陽極全体に配置されている。そ
の他のことについては、第7図および第5図の実施例と
同様に理解される。
伺徊十今内部に針状陽極0月)を挿入することにより、
一層イオン源の輝度を向上させることを狙っている。そ
の他絶縁体(82)と(32)の近傍の絶縁を保持する
ためにヒータ(27)と(?8)が設けられ、且つ所定
のガスが凝結する器壁全体がほぼ同一温度に寿るように
ヒーター(21)が針状陽極全体に配置されている。そ
の他のことについては、第7図および第5図の実施例と
同様に理解される。
なお所定ガスの入口(33)と出口(B1);寸、基底
部(J3)を置端して冷媒の中を通って針状陽極(11
1’)の内部に導いてもよい。その場合、冷媒によって
適冷されないよう熱絶繰あるいけ、第5図に示すように
管の内部にヒーターを挿入するなどが望ましい。
部(J3)を置端して冷媒の中を通って針状陽極(11
1’)の内部に導いてもよい。その場合、冷媒によって
適冷されないよう熱絶繰あるいけ、第5図に示すように
管の内部にヒーターを挿入するなどが望ましい。
以上実施例を述べたがこれら1づ、何ら限定的な意味を
持つもので(dなく多数の変形が可能でちることは云う
迄もない。例えば冷媒として、ドライアイスを用いた冷
媒、液体水素、液体ヘリウムなどを用いることができる
。もちろん冷凍機を用いてもよい。加熱方法も、ヒータ
ー(21)を熱陰極として電子衝撃によって加熱しても
よい。さらに、ここに述べたことを従来技術をどのよう
にA且み立てるかは、必要性によって定められることで
ちる。
持つもので(dなく多数の変形が可能でちることは云う
迄もない。例えば冷媒として、ドライアイスを用いた冷
媒、液体水素、液体ヘリウムなどを用いることができる
。もちろん冷凍機を用いてもよい。加熱方法も、ヒータ
ー(21)を熱陰極として電子衝撃によって加熱しても
よい。さらに、ここに述べたことを従来技術をどのよう
にA且み立てるかは、必要性によって定められることで
ちる。
第1図および第2図はこの発明の実施例を示す図、坑3
1図、第4図、館5図は、それぞt1別の実廼例を示す
図である。 国中、(60)が真空系てr61)がyt、空容器、(
ll)が針状陽極、r42)が引出′電源、(19)が
加速電源、(51)が各と■電極1浅構、(30)がガ
スを送る手段、(2o’+がυ1謔手段、(1,4−)
が冷媒溜である。 手続補正書c方式) 昭で1!′;C−で7.2月 70 特許庁長官 殿 1.1□。7ケ (′頓 \ ・ 2、昭和58年 特許願 第165628号2 @明の
名称 イオンビーム発生装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都府中市17!l]証5−8−15 補正
により増加する発明の数 。 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 7、補正の同番 明細書の第12頁の3行目の「第5図は、」を「第5図
、第6図は」と補正する。
1図、第4図、館5図は、それぞt1別の実廼例を示す
図である。 国中、(60)が真空系てr61)がyt、空容器、(
ll)が針状陽極、r42)が引出′電源、(19)が
加速電源、(51)が各と■電極1浅構、(30)がガ
スを送る手段、(2o’+がυ1謔手段、(1,4−)
が冷媒溜である。 手続補正書c方式) 昭で1!′;C−で7.2月 70 特許庁長官 殿 1.1□。7ケ (′頓 \ ・ 2、昭和58年 特許願 第165628号2 @明の
名称 イオンビーム発生装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都府中市17!l]証5−8−15 補正
により増加する発明の数 。 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 7、補正の同番 明細書の第12頁の3行目の「第5図は、」を「第5図
、第6図は」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内部を所定の圧力になる迄排気する真空容器。 該真空容器の内部にあって先端が鋭くとがった針状陽極
澹′該針状陽極の表面に存在する物質をイオン化しlイ
オンとしてと力出すための電源装置と各種電極機構をそ
なえたイオンビーム発生装置において、該針状陽極の近
傍に所定のガスを送る手段たらびにその針状陽極の先端
の温度を調節するだめの加熱手段ならびに該針状陽極の
一部を冷却する手段を具えたことを特徴とするイオンビ
ーム発生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58165628A JPS6056342A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | イオンビ−ム発生装置 |
US06/646,438 US4638209A (en) | 1983-09-08 | 1984-09-04 | Ion beam generating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58165628A JPS6056342A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6056342A true JPS6056342A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15815971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58165628A Pending JPS6056342A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4638209A (ja) |
JP (1) | JPS6056342A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6448353A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method for ion implantation by focused ion beam |
JPH01189839A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-31 | Nec Corp | 電界電離ガスイオン化方法とそのイオン源 |
JPH0334087U (ja) * | 1989-08-15 | 1991-04-03 | ||
JP2010114082A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | デュアルモードのガス電界イオン源 |
JP2016001606A (ja) * | 2007-08-08 | 2016-01-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた試料加工方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4778561A (en) * | 1987-10-30 | 1988-10-18 | Veeco Instruments, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
JP3117836B2 (ja) * | 1993-03-02 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置 |
JP2000223055A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Toshiba Mach Co Ltd | 真空処理装置及びイオンポンプ |
US7554097B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-06-30 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7786451B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-08-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7557359B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7511280B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7601953B2 (en) * | 2006-03-20 | 2009-10-13 | Alis Corporation | Systems and methods for a gas field ion microscope |
US9159527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
US7557358B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7518122B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-04-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US8110814B2 (en) | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7511279B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7557361B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7786452B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-08-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7557360B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-07-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7521693B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-04-21 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7554096B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-06-30 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
TW200737267A (en) * | 2006-03-20 | 2007-10-01 | Alis Corp | Systems and methods for a helium ion pump |
EP1860679A1 (en) * | 2006-05-23 | 2007-11-28 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Charged particle beam device with a gas field ion source and a gas supply system |
US7804068B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-09-28 | Alis Corporation | Determining dopant information |
EP2012341B1 (en) * | 2007-07-06 | 2012-05-02 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Modular gas ion source |
FR2918790A1 (fr) * | 2007-07-09 | 2009-01-16 | Orsay Physics Sa | Source micronique d'emission ionique |
JP5086105B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2012-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス電界電離イオン源 |
JP5409780B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-02-05 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | イオン源、システムおよび方法 |
US8026492B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-09-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Dual mode gas field ion source |
EP2182542B1 (en) * | 2008-11-04 | 2017-12-20 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of operating a focused ion beam device with a dual mode gas field ion source |
JP6608769B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2019-11-20 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イオンビーム装置 |
DE102016114480B4 (de) * | 2016-08-04 | 2023-02-02 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Ionenstrahlquelle und Verfahren zur Ionenstrahlbehandlung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57180047A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ion beam generator |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL213062A (ja) * | 1956-01-27 | |||
US3046429A (en) * | 1958-06-06 | 1962-07-24 | Thomson Houston Comp Francaise | High frequency energy interchange device |
US3369148A (en) * | 1961-07-05 | 1968-02-13 | William J. Hitchcock | System for mixing opposite polarity ions on magnetic field axis |
US3409529A (en) * | 1967-07-07 | 1968-11-05 | Kennecott Copper Corp | High current duoplasmatron having an apertured anode comprising a metal of high magnetic permeability |
DE2143460C3 (de) * | 1971-08-31 | 1974-05-16 | Hans Dr. 2000 Norderstedt Knof | Ionenquelle |
DE2333866A1 (de) * | 1973-07-03 | 1975-01-23 | Max Planck Gesellschaft | Felddesorptions-ionenquelle und verfahren zu ihrer herstellung |
JPS5838906B2 (ja) * | 1981-09-03 | 1983-08-26 | 日本電子株式会社 | 金属イオン源 |
JPS58158844A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Jeol Ltd | イオン銃 |
JPS58198824A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-18 | Hitachi Ltd | 電子衝撃型電界放出イオン源 |
JPS5931542A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-20 | Hitachi Ltd | 液体金属イオン源 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58165628A patent/JPS6056342A/ja active Pending
-
1984
- 1984-09-04 US US06/646,438 patent/US4638209A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57180047A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ion beam generator |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6448353A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method for ion implantation by focused ion beam |
JPH01189839A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-31 | Nec Corp | 電界電離ガスイオン化方法とそのイオン源 |
JPH0334087U (ja) * | 1989-08-15 | 1991-04-03 | ||
JP2016001606A (ja) * | 2007-08-08 | 2016-01-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた試料加工方法 |
JP2010114082A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | デュアルモードのガス電界イオン源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4638209A (en) | 1987-01-20 |
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