JPS6055525A - 光メモリ材料 - Google Patents
光メモリ材料Info
- Publication number
- JPS6055525A JPS6055525A JP58164377A JP16437783A JPS6055525A JP S6055525 A JPS6055525 A JP S6055525A JP 58164377 A JP58164377 A JP 58164377A JP 16437783 A JP16437783 A JP 16437783A JP S6055525 A JPS6055525 A JP S6055525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyacetylene
- isomerization
- cis
- state
- trans
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、追記型（ａａｄ ｏｎ型）光メモリ材料に
関するものである。
関するものである。
第１図は、従来の追記型光メモリの断面図であり、図に
おいて、（１）は例えばポリメチルメタアクリレ−）
（ＰＭＭＡ）等の基板、（２）は記録媒体で、（３）は
収光したレーザビームで記録媒体（２）に熱的刺戟を与
えてピットを記録するものである。
おいて、（１）は例えばポリメチルメタアクリレ−）
（ＰＭＭＡ）等の基板、（２）は記録媒体で、（３）は
収光したレーザビームで記録媒体（２）に熱的刺戟を与
えてピットを記録するものである。
次にこの記録方法について説明する。即ち、レーザ光（
３）にエリ記録媒体（２）の状態を変えて２値状ＬＩＩ
メモリーすることはどの場合でも同じである。
３）にエリ記録媒体（２）の状態を変えて２値状ＬＩＩ
メモリーすることはどの場合でも同じである。
しかしながらこの記録媒体（２）の状態変化にげ狸々の
ものがあり、大きく分けて、第１ＫはＴｅやＴｅＣｌＯ
３２−Ｔｅおよび有機材料に穴をあけて記録するもの、
第２に１ｄＴｅｏｚやカルコゲナイドガラスのアモルフ
ァス−結晶相変化を利用するものがある。
ものがあり、大きく分けて、第１ＫはＴｅやＴｅＣｌＯ
３２−Ｔｅおよび有機材料に穴をあけて記録するもの、
第２に１ｄＴｅｏｚやカルコゲナイドガラスのアモルフ
ァス−結晶相変化を利用するものがある。
このとき記録されたピット情報の読出しＶｒは、反射率
や透過率の変化を検知する。
や透過率の変化を検知する。
しかし、従来の記録媒体には、感度が悪い２コストが高
い、およびＴｅの毒性が問題となるなどの欠点があった
。
い、およびＴｅの毒性が問題となるなどの欠点があった
。
この発明に上記従来のものの欠点を除去するためになさ
れたもので、ポリアセチレンにより構成され、光エネル
ギーによるポリアセチレンのシス状態からトランス状態
への異性化を利用して記録し、この記録状態を光の照射
による反射率の変化で再生するものケ用いることにより
従来のアモルファス−結晶相変化に比べて、シス−トラ
ンス異性化は低エネルギーで生じるため感度が良く、安
価で無毒な光メモリ材料全提供することを目的とする。
れたもので、ポリアセチレンにより構成され、光エネル
ギーによるポリアセチレンのシス状態からトランス状態
への異性化を利用して記録し、この記録状態を光の照射
による反射率の変化で再生するものケ用いることにより
従来のアモルファス−結晶相変化に比べて、シス−トラ
ンス異性化は低エネルギーで生じるため感度が良く、安
価で無毒な光メモリ材料全提供することを目的とする。
第２図は、この発（７）の一実施例の材料ケ用いる光メ
モリの断面図であり、（４）は基板で、少くとも光照射
側ｉｊ透り１であり、例えば５１０２等が用いらねる。
モリの断面図であり、（４）は基板で、少くとも光照射
側ｉｊ透り１であり、例えば５１０２等が用いらねる。
（ｆｉｌ ｉｊシス−ポリアセチレンフィルム、ｆｌｉ
ｌＵポリアセチレンフィルムが大気中で不安定なため基
板（４）間？封じる封止材料である。
ｌＵポリアセチレンフィルムが大気中で不安定なため基
板（４）間？封じる封止材料である。
記録方法は従来と同じで、収光したレーザービームを照
射することによりポリアセチレンのシス−トランス異性
化を用いる。第３，４図にシスポリアセチレンとトラン
スポリアセチレンの分子構造ヲ示す。構造的にみてトラ
ンスポリアセチレンの方が安定で、従ってレーザー照射
でシスからトランスの異性化が生じそれに伴う反射率の
変化で情報音読み出す。
射することによりポリアセチレンのシス−トランス異性
化を用いる。第３，４図にシスポリアセチレンとトラン
スポリアセチレンの分子構造ヲ示す。構造的にみてトラ
ンスポリアセチレンの方が安定で、従ってレーザー照射
でシスからトランスの異性化が生じそれに伴う反射率の
変化で情報音読み出す。
なお、上記実流側では片面記録の場合分述べたが、両面
記録の場合には、例えば第５図のような構造にすればよ
い。すなわち、基板（４）とポリアセチレンフィルム（
５１’ｉ２組真空スペース全おいて（６）で封じる構造
にすればよい。
記録の場合には、例えば第５図のような構造にすればよ
い。すなわち、基板（４）とポリアセチレンフィルム（
５１’ｉ２組真空スペース全おいて（６）で封じる構造
にすればよい。
以上説明したとおり、この発８Ａはポリアセチレンによ
り構成され、光エネルギーＫＬるポリアセチレンのシス
状態からトランス状態への異性化を利用して記録し、こ
の記録状態を光の照射による反射率の変化で再生するも
のを用いることにより、従来のアモルファス−結晶相変
化に比べてシス−トランス異性化は低エネルギーで生じ
るため感度が良く、安価で、無毒な光メモリ材料ケ得る
ことができる。
り構成され、光エネルギーＫＬるポリアセチレンのシス
状態からトランス状態への異性化を利用して記録し、こ
の記録状態を光の照射による反射率の変化で再生するも
のを用いることにより、従来のアモルファス−結晶相変
化に比べてシス−トランス異性化は低エネルギーで生じ
るため感度が良く、安価で、無毒な光メモリ材料ケ得る
ことができる。
また、例えばこの発明の光メモリ材料の形状が円板状で
あれば、光デイスクメモリ用として、テープ状にして将
来的な光記録テープ用として、さらにカードに用いる記
録材料用として等、種々の応用が可能である。
あれば、光デイスクメモリ用として、テープ状にして将
来的な光記録テープ用として、さらにカードに用いる記
録材料用として等、種々の応用が可能である。
第１図は従来の光メモリの断面図、第２図はこの発明の
一実施例によるポリアセチレンヲ用いた光メモリの断面
図、第３図はシスポリアセチレンの分子構造？示す図、
第４図はトランスポリアセチレンの分子構造ケ示す図、
第５図はこの発明の一実施例の材料ケ用いた他の構造の
光メモリの断面図である。 図において、ＩＩＩは基板、（２）は光記録媒体、（３
）はレーザー光、（４）は基板、＋５１Ｕポリアセチレ
ンフイルム、（０）ハ封止材料である。 なよ！、図中同一符号は同一または相当部分ケ示す。 代理人 大岩増雄 Ｆｉｌ 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
一実施例によるポリアセチレンヲ用いた光メモリの断面
図、第３図はシスポリアセチレンの分子構造？示す図、
第４図はトランスポリアセチレンの分子構造ケ示す図、
第５図はこの発明の一実施例の材料ケ用いた他の構造の
光メモリの断面図である。 図において、ＩＩＩは基板、（２）は光記録媒体、（３
）はレーザー光、（４）は基板、＋５１Ｕポリアセチレ
ンフイルム、（０）ハ封止材料である。 なよ！、図中同一符号は同一または相当部分ケ示す。 代理人 大岩増雄 Ｆｉｌ 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- ポリアセチレンにより構成され、光エネルギーによるポ
リアセチレンのシス状態からトランス状態への異性化を
利用して記録し、この記録状態を光の照射による反射率
の変化で再生する光メモリ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164377A JPS6055525A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 光メモリ材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164377A JPS6055525A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 光メモリ材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055525A true JPS6055525A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15791969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164377A Pending JPS6055525A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 光メモリ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111308812A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58164377A patent/JPS6055525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111308812A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
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