JPS6051688A - 不純物の偏析方法 - Google Patents
不純物の偏析方法Info
- Publication number
- JPS6051688A JPS6051688A JP15635883A JP15635883A JPS6051688A JP S6051688 A JPS6051688 A JP S6051688A JP 15635883 A JP15635883 A JP 15635883A JP 15635883 A JP15635883 A JP 15635883A JP S6051688 A JPS6051688 A JP S6051688A
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- JP
- Japan
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- crystal
- impurities
- melt
- segregation
- interface
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/06—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting the molten zone not extending over the whole cross-section
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、結晶中に微量に含まれる不純物を結晶表面に
偏析させる方法に関し、特に、微量不純物の分析方法で
ある２次イオン分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析する場
合に、不純物濃度が抄出感度以下であっても、前処理と
してＷＩ量不純物を偏析させることにより容易に分析測
定を行えるようにするものである。
偏析させる方法に関し、特に、微量不純物の分析方法で
ある２次イオン分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析する場
合に、不純物濃度が抄出感度以下であっても、前処理と
してＷＩ量不純物を偏析させることにより容易に分析測
定を行えるようにするものである。
従来行われているＳｌについてのレーザーアニーリング
においては、不純物イオンを注入した半導体結晶にパル
スレーザ−ビーム（シリコン結晶に対し、パルス幅約２
Ｑｎｓ 、エネルギー畜度１．５Ｊ／ Ｃｍ２程度のル
ビ′−パルスレーザ−）を！１１遍身４レて表面層を融
解させ、続いて未融解部を基様結晶としてｉ’；ｌｉ速
固化を起こさせる。１−・１化速度（成長速度）は、」
二連のレーザーアニーリングの場合４ｍ／ｓにも達し、
固化の過程においてＡｓ、Ｐ、Ｂなどの不純物は偏析せ
ず、従って界面の偏析係数に゛はほぼｌに近い１゛１白
と考えられている（ここでに−＝Ｃｓ／’：”、 、Ｃ
ｓは結晶中の不純物濃度、呼は界面に接する融液中の不
純物ａ度である）。
においては、不純物イオンを注入した半導体結晶にパル
スレーザ−ビーム（シリコン結晶に対し、パルス幅約２
Ｑｎｓ 、エネルギー畜度１．５Ｊ／ Ｃｍ２程度のル
ビ′−パルスレーザ−）を！１１遍身４レて表面層を融
解させ、続いて未融解部を基様結晶としてｉ’；ｌｉ速
固化を起こさせる。１−・１化速度（成長速度）は、」
二連のレーザーアニーリングの場合４ｍ／ｓにも達し、
固化の過程においてＡｓ、Ｐ、Ｂなどの不純物は偏析せ
ず、従って界面の偏析係数に゛はほぼｌに近い１゛１白
と考えられている（ここでに−＝Ｃｓ／’：”、 、Ｃ
ｓは結晶中の不純物濃度、呼は界面に接する融液中の不
純物ａ度である）。
−上述したレーザーアニーリングで偏析が起こらないの
は、固化速度が極めて大きいために、融液中の不純物原
子が母体原子の固化に巻き込まれて結晶内に取り込まれ
てしまうからであると考えられていた。後述するように
、この考えは誤りであり、不純物原子と母体原子は独立
に結晶内に取り込まれる。
は、固化速度が極めて大きいために、融液中の不純物原
子が母体原子の固化に巻き込まれて結晶内に取り込まれ
てしまうからであると考えられていた。後述するように
、この考えは誤りであり、不純物原子と母体原子は独立
に結晶内に取り込まれる。
一力、これとは逆にエネルギービームを照射して結晶内
部に均一に分布する不純物原子を表面に多部：に堆積さ
せるためには、不純物の偏析係数に１が小さいことが必
要である。
部に均一に分布する不純物原子を表面に多部：に堆積さ
せるためには、不純物の偏析係数に１が小さいことが必
要である。
本発明の目的は、偏析係数に′が固化速１＝＆Ｖと密接
なる関連を有することに着目し、結晶中に均一に分布す
る微ｙ４の不純物を、エネルギービームを照射すること
により、結晶表面に有効に堆積させ、もって、検出感度
以下の微量不純物の分析をｉｆ能ならしめようとするも
のである。
なる関連を有することに着目し、結晶中に均一に分布す
る微ｙ４の不純物を、エネルギービームを照射すること
により、結晶表面に有効に堆積させ、もって、検出感度
以下の微量不純物の分析をｉｆ能ならしめようとするも
のである。
かかる目的を達成するために、本発明では、エネルギー
ビームを結晶表面に照射して結晶の表面層を融解し、続
いて未融解部を基板結晶として結晶成長させるにあたり
、固化速度を Ｄ／ａ （Ｄは８１体融液中における不純物原子の拡散係数、ａ
は前記結晶の原子間距ｇ１）よりほぼ１積置七小さくす
る。
ビームを結晶表面に照射して結晶の表面層を融解し、続
いて未融解部を基板結晶として結晶成長させるにあたり
、固化速度を Ｄ／ａ （Ｄは８１体融液中における不純物原子の拡散係数、ａ
は前記結晶の原子間距ｇ１）よりほぼ１積置七小さくす
る。
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、界面偏析係数と成長速度との関係を示す。界
面での不純物原子の偏析は融液噛結晶間の原子の移動を
必要とするので、界面偏析係数に７は固化速度Ｖに依存
する。一般に、固化速度Ｖが小ざいと原子の移動が十分
繰り返されるので界面は平衡状態となり、平衡偏析係数
に、で偏析が起こる。しかし、固化速度Ｖが十分大きい
場合にはこの平衡状態の実現が困難となり、界面の原子
が凍結される。その結果、界面偏析係＃ ｋ’は、第１
図に示すようなＶ依存性をもつ、従来行われているレー
ザーアニーリングはＶ〜４ｍ／ｓであり、第１図の斜線
部に相当し、 ｋ゛〜１の速度領域である。
面での不純物原子の偏析は融液噛結晶間の原子の移動を
必要とするので、界面偏析係数に７は固化速度Ｖに依存
する。一般に、固化速度Ｖが小ざいと原子の移動が十分
繰り返されるので界面は平衡状態となり、平衡偏析係数
に、で偏析が起こる。しかし、固化速度Ｖが十分大きい
場合にはこの平衡状態の実現が困難となり、界面の原子
が凍結される。その結果、界面偏析係＃ ｋ’は、第１
図に示すようなＶ依存性をもつ、従来行われているレー
ザーアニーリングはＶ〜４ｍ／ｓであり、第１図の斜線
部に相当し、 ｋ゛〜１の速度領域である。
第２図は、均一に不純物Ｓｉを含むＧａＡｓ単結晶にパ
ルスレーザ−を照射した後の不純物の再分布を示す本発
明の実施例である。本図において、Ｃ０はレーザー照射
前に結晶中に均一に分布していた不純物濃度、０ｓ（ｘ
）はレーザー照射後の不純物濃度、スは結晶表面からの
深さである。
ルスレーザ−を照射した後の不純物の再分布を示す本発
明の実施例である。本図において、Ｃ０はレーザー照射
前に結晶中に均一に分布していた不純物濃度、０ｓ（ｘ
）はレーザー照射後の不純物濃度、スは結晶表面からの
深さである。
第２図の右上に示す挿入図は、界面偏析係数かに’＜１
の不純物に対するエネルギービーム照用後の不純物の再
分布を示す。この分布曲線は初期過渡曲ｖｊ、（右端）
、定常状態、終端過渡曲線（左端）からなり、第２図は
終端過渡曲線に相当する。図中の曲線はＧａＡｓ中の不
純物Ｓｉについての一実施例を示したもので、それぞれ
に’ ＝０．３５． ｋ“＝０．２としたときの理論曲
線である。詳しくはブイ・ジーφスミス他の著によるカ
ナダづアン・ジャーナルΦオブ・フィジッ、クス（Ｖ、
Ｃ。
の不純物に対するエネルギービーム照用後の不純物の再
分布を示す。この分布曲線は初期過渡曲ｖｊ、（右端）
、定常状態、終端過渡曲線（左端）からなり、第２図は
終端過渡曲線に相当する。図中の曲線はＧａＡｓ中の不
純物Ｓｉについての一実施例を示したもので、それぞれ
に’ ＝０．３５． ｋ“＝０．２としたときの理論曲
線である。詳しくはブイ・ジーφスミス他の著によるカ
ナダづアン・ジャーナルΦオブ・フィジッ、クス（Ｖ、
Ｃ。
Ｓｍ１ｔｈ ｅｔ ａｌ、 Ｃａｎａｄｉａｎ Ｊｏｕ
ｒ＋＋ａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）３３巻、７２３頁
、１９５５年 を参照されたい。
ｒ＋＋ａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）３３巻、７２３頁
、１９５５年 を参照されたい。
この図から明らかなように、いずれも界面偏析係数はに
′＜１であり、１１００ａｔ アルゴン中で照射した場
合には界面偏析係数に′は平衡偏析係数に、の値にほぼ
等しく、平衡偏析係数に、で偏析していることがわかる
。特に、空気中、すなわち酸素謬囲気中では不純物の偏
析は大きく、表面に高濃度のＳｉ層が得られている。
′＜１であり、１１００ａｔ アルゴン中で照射した場
合には界面偏析係数に′は平衡偏析係数に、の値にほぼ
等しく、平衡偏析係数に、で偏析していることがわかる
。特に、空気中、すなわち酸素謬囲気中では不純物の偏
析は大きく、表面に高濃度のＳｉ層が得られている。
第２−に示した偏析は、融解後の固化速度が約１ｍへで
行われたものである。上述したように通常のレーザーア
ニーリングでは融解後の固化速度は〜４ｍ／ｓであり、
不純物の偏析は起こりにくい。このようにｌｌｌ１／ｓ
の固化速度を得るために、本実施例（ＧａＡｓの場合）
ではパルス幅２０ｎｓｅｃ 、エネルギー密度ｌＪ／ｃ
＋ｏ２のルビーレーザーを用いた。
行われたものである。上述したように通常のレーザーア
ニーリングでは融解後の固化速度は〜４ｍ／ｓであり、
不純物の偏析は起こりにくい。このようにｌｌｌ１／ｓ
の固化速度を得るために、本実施例（ＧａＡｓの場合）
ではパルス幅２０ｎｓｅｃ 、エネルギー密度ｌＪ／ｃ
＋ｏ２のルビーレーザーを用いた。
以下、本発明に係る不純物を有効に偏析させるための固
化速度ｖについで述べる。
化速度ｖについで述べる。
上述した１＋ｎ／ｓｅｃの固化速興で成長が進行する場
合、一原子層ａ（ａは原子間距ｌ１１）を固化するに要
する時間はａ／Ｖ−１０″’ ｓｅｃである。この短時
間の間でも、不純物原子が上述したように平衡偏析係数
に、で偏析する（すなわち、界面が平衡状態となる）。
合、一原子層ａ（ａは原子間距ｌ１１）を固化するに要
する時間はａ／Ｖ−１０″’ ｓｅｃである。この短時
間の間でも、不純物原子が上述したように平衡偏析係数
に、で偏析する（すなわち、界面が平衡状態となる）。
このようにす衡になるためには、Ｉｔｌ” ｓｅｃの間
に界面上の原子と液体中の原子の位ｉＭ変換が十分行わ
れる必要がある。液体中の原子の位置交換に要する時間
は１０ ｓｅｃであり、このことから界面上の原子はま
だ固化の潜熱を放出する以前の状態であることがわかる
。
に界面上の原子と液体中の原子の位ｉＭ変換が十分行わ
れる必要がある。液体中の原子の位置交換に要する時間
は１０ ｓｅｃであり、このことから界面上の原子はま
だ固化の潜熱を放出する以前の状態であることがわかる
。
結局、不純物原子の偏析は第３図に示す如く、界面の融
液側で生じ、固化の進行と共に界面の状ｊｔ（かそのま
ま凍結されている。すなわち、不純物 、原子と母体原
子は独立に結晶に取り込まれる。従来のレーザーアニー
リングにおけるに＃〜ｌの結果は、あまりにも高速成長
であるので、第３図示の界面Ｓと融液しとの間において
すら平衡状態が成立せず偏析が妨げられている。
液側で生じ、固化の進行と共に界面の状ｊｔ（かそのま
ま凍結されている。すなわち、不純物 、原子と母体原
子は独立に結晶に取り込まれる。従来のレーザーアニー
リングにおけるに＃〜ｌの結果は、あまりにも高速成長
であるので、第３図示の界面Ｓと融液しとの間において
すら平衡状態が成立せず偏析が妨げられている。
不純物の偏析を有効に行わせるためには、なるへ〈ｋ゛
が小さい成長を行わせる必要がある。このためには、少
なくとも第３図示の界面Ｓで偏析を起こさせる必要があ
る。このために、界面原子が融液中へ拡散する速度Ｄ／
ａ （既述のように界面自身も融液状態にあるので、Ｄ
は融液中における不純物原子の拡散係数、ａは結晶の原
子間距＃）より固化速度Ｖを小さくとる必要がある。す
なわち、Ｖ＜Ｄ／ａ とする。
が小さい成長を行わせる必要がある。このためには、少
なくとも第３図示の界面Ｓで偏析を起こさせる必要があ
る。このために、界面原子が融液中へ拡散する速度Ｄ／
ａ （既述のように界面自身も融液状態にあるので、Ｄ
は融液中における不純物原子の拡散係数、ａは結晶の原
子間距＃）より固化速度Ｖを小さくとる必要がある。す
なわち、Ｖ＜Ｄ／ａ とする。
一般に口は不純物および母体元素に依存せず、Ｄ 〜１
０− ｃｔａ２／ｓｅｃ程度である。またａは半導体で
は３人位であるので、Ｄ／ａはほぼＩＯｍ／ ｓとなる
。
０− ｃｔａ２／ｓｅｃ程度である。またａは半導体で
は３人位であるので、Ｄ／ａはほぼＩＯｍ／ ｓとなる
。
以上の説明および実験事実から明らかなように、固化速
度Ｖは１ｍ八もしくはそれ以下、換ｄすれば固化速度Ｖ
はＤ／ａの１１１０もしくはそれ以下に設定することに
より不純物の有効な偏析を行うことができる。
度Ｖは１ｍ八もしくはそれ以下、換ｄすれば固化速度Ｖ
はＤ／ａの１１１０もしくはそれ以下に設定することに
より不純物の有効な偏析を行うことができる。
以上述べたことから明らかなよフに照射ビームはレーザ
ービームに限られず、電子ビームｊ赤外線などを用いて
も同様の効果が得られることは勿論である。
ービームに限られず、電子ビームｊ赤外線などを用いて
も同様の効果が得られることは勿論である。
さらに、本発明は次に示す第１表に見られる如く、Ｇａ
Ａｓ中におけるに、＜１のすべての不純物（Ａｌ、 Ｐ
、Ｂｅは除く）に対して適用することかできる。
Ａｓ中におけるに、＜１のすべての不純物（Ａｌ、 Ｐ
、Ｂｅは除く）に対して適用することかできる。
以下に示す第１表は、ＧａＡｓ中におシするイζ細物の
平衡偏析係数を示す、この表シよＲ，Ｋ 。
平衡偏析係数を示す、この表シよＲ，Ｋ 。
Ｗｉｌｌａｒｄｓｏｎ ａｎｄ Ｗ、Ｐ、Ａｌ１ｒｅｄ
、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆＩｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＧａＡｓ、 Ｒｅ
ａｄｉｎｇ＋９８１３゜ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ
Ｐｈｙｓｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ。
、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆＩｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＧａＡｓ、 Ｒｅ
ａｄｉｎｇ＋９８１３゜ Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ
Ｐｈｙｓｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ。
Ｌｏｎｄｏｎ、Ｐａｇｅ ３５゜
ｒＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ
ｓ ｉｎ ＧａｌｌｉｕｍａｒｓｅｎｉｄｅＪから抜粋
したものである。
ｓ ｉｎ ＧａｌｌｉｕｍａｒｓｅｎｉｄｅＪから抜粋
したものである。
ｐ〕ｌ −・
Ａｌ ３０．２
Ｓｂ （Ｑ、０２ ０．Ｏ’＋８
Ｂｉ ５ ＸＩＯ’
Ｂｅ ３
Ｃａ （０，０２２ＸＩＯう
Ｃ０１８
Ｃｒ ｔ３．４ＸＩｏ″ ５．７ ＸＩＯ”ｒ、’ｏ
８．０Ｘ１０′４ ＸＩＯ″Ｉ′Ｊｕ２×１０う ぐＸ
１ｌ）−” Ｇｅ Ｏ，０３Ｌｌ、Ｇ１８ ０．０１１ｎ ０．１
７ ＸＩＯ’ Ｆｅ ２．０ＸＩＯ’ ３ ＸＩＯ’ ｌ Ｘｌ０−３
Ｐｂ （０，０２ぐｌＸｌ０′ Ｍｇ ’ ０．０４７ ０．３ ０．１Ｍｎ Ｑ、０２
１ ０．０５’ ０．０２Ｎｉ ８．０ＸＩＩｌ−（０
，ｔ１２ ４ Ｘ１ｌｌ−Ｐ ２ ３ ３ Ｓｅ Ｏ，４０，４４〜０．５５ ０．３０Ｓｉ ０．
１＋ ０．１３ ０．＋ ０．１４ ０．１４Ａｇ Ｑ
、Ｉ （４ＸｌＯ”’ Ｓ Ｏ，１？ ０．３ ０．５〜１．０ ０．３０Ｔｅ
Ｏ，０２５０，３０，０５４〜０．１８ ０．０５１
］Ｓｎ Ｏ，０４８０，０３０，０８ Ｚｎ ’ ０．３６ ０．１ ０．２７−０．ｆｌ Ｏ
，４０＋６６＋１：ＩＩＩ）、ｐｒｅＢｅｎｔＷｏｒｋ
。
８．０Ｘ１０′４ ＸＩＯ″Ｉ′Ｊｕ２×１０う ぐＸ
１ｌ）−” Ｇｅ Ｏ，０３Ｌｌ、Ｇ１８ ０．０１１ｎ ０．１
７ ＸＩＯ’ Ｆｅ ２．０ＸＩＯ’ ３ ＸＩＯ’ ｌ Ｘｌ０−３
Ｐｂ （０，０２ぐｌＸｌ０′ Ｍｇ ’ ０．０４７ ０．３ ０．１Ｍｎ Ｑ、０２
１ ０．０５’ ０．０２Ｎｉ ８．０ＸＩＩｌ−（０
，ｔ１２ ４ Ｘ１ｌｌ−Ｐ ２ ３ ３ Ｓｅ Ｏ，４０，４４〜０．５５ ０．３０Ｓｉ ０．
１＋ ０．１３ ０．＋ ０．１４ ０．１４Ａｇ Ｑ
、Ｉ （４ＸｌＯ”’ Ｓ Ｏ，１？ ０．３ ０．５〜１．０ ０．３０Ｔｅ
Ｏ，０２５０，３０，０５４〜０．１８ ０．０５１
］Ｓｎ Ｏ，０４８０，０３０，０８ Ｚｎ ’ ０．３６ ０．１ ０．２７−０．ｆｌ Ｏ
，４０＋６６＋１：ＩＩＩ）、ｐｒｅＢｅｎｔＷｏｒｋ
。
以上説明したとおり、本発明によれば、■ ２次イオン
質量分析法（ＳＩＭＳ）や放射化分析なとのノ〕法にお
いて検出感度以下の微量不純物を、結晶表面に高密度に
て堆積させることができるので、従来検出不能であった
微量不純物の検出が可能である。
質量分析法（ＳＩＭＳ）や放射化分析なとのノ〕法にお
いて検出感度以下の微量不純物を、結晶表面に高密度に
て堆積させることができるので、従来検出不能であった
微量不純物の検出が可能である。
■ エネルギービームとしてレーザービームを用いた場
合には、ビームを絞ることにより局所的に不純物を堆積
させることができるので、不純物の空間分布を知ること
ができる。
合には、ビームを絞ることにより局所的に不純物を堆積
させることができるので、不純物の空間分布を知ること
ができる。
■ 半絶縁性結晶、例えば半絶縁ＧａＡｓのような結晶
では、キャリアを供給する不純物、例えばＳｌが表面に
堆積させられることにより表面・が低抵抗化するので、
２次イオン質量分析法を用いてａ ｊａ−不純物を検出
する場合、１次イオン照射による結晶表面の帯電を防止
することができる。
では、キャリアを供給する不純物、例えばＳｌが表面に
堆積させられることにより表面・が低抵抗化するので、
２次イオン質量分析法を用いてａ ｊａ−不純物を検出
する場合、１次イオン照射による結晶表面の帯電を防止
することができる。
■ ウェーハ上の特定の場所にエネルギービームを照射
することにより、ウェーハ」二に局所的に不純物を分１
１ｊさせることかできるので、デバイスの製造にも利用
することができる。
することにより、ウェーハ」二に局所的に不純物を分１
１ｊさせることかできるので、デバイスの製造にも利用
することができる。
■ 本発明はゾーンメルティングと比較して、処理時間
が短く且つ設備も簡単なものであるうえ、ウェーハの様
な薄板に対しても適用することかできる。
が短く且つ設備も簡単なものであるうえ、ウェーハの様
な薄板に対しても適用することかできる。
■ 多種類の不純物の検出に適用することができるつ
第１図は界面偏析係数と成長速度との関係を示す線図、
イシ２１？７１はＧａＡｓ試料に均一にドープされたＳ
ｉに対してパルスレーザ−を照射した後のＳｉの分布を
説明する線図、 第３図は成長界面近傍の原子状態を１悦明する図である
。 し・・・融液、 Ｓ・・・界面、 Ｃ・・・結晶。
ｉに対してパルスレーザ−を照射した後のＳｉの分布を
説明する線図、 第３図は成長界面近傍の原子状態を１悦明する図である
。 し・・・融液、 Ｓ・・・界面、 Ｃ・・・結晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ） エネルギービームを結晶表面に照射して前記結晶
の表面層を融解し、続いて未融解部を基板結晶として結
晶成長させるにあたり、固化速度を Ｄ／ａ （０は７ｉ）体融液中における不純物原子の拡散係数、
ａは前記結晶の原子間距離）よりほぼ１積置」−小さく
することを特徴とする不純物の偏析方法。 ２）前記エネルギービームをレーザビーム、電子ビーム
もしくは赤外線とすることを特徴とする１Ｆ詐請求の範
囲第１項記載の不純物の偏析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15635883A JPS6051688A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 不純物の偏析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15635883A JPS6051688A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 不純物の偏析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051688A true JPS6051688A (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0377156B2 JPH0377156B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=15626008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15635883A Granted JPS6051688A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 不純物の偏析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051688A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560087A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor material refining method |
| JPS5637292A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-10 | Toshiba Corp | Crystal growing method |
| JPS5777099A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-14 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor material and manufacture |
| JPS5820794A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-07 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15635883A patent/JPS6051688A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560087A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor material refining method |
| JPS5637292A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-10 | Toshiba Corp | Crystal growing method |
| JPS5777099A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-14 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor material and manufacture |
| JPS5820794A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-07 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377156B2 (ja) | 1991-12-09 |
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