JPS6049635A - チップのマウント方法 - Google Patents
チップのマウント方法Info
- Publication number
- JPS6049635A JPS6049635A JP58156486A JP15648683A JPS6049635A JP S6049635 A JPS6049635 A JP S6049635A JP 58156486 A JP58156486 A JP 58156486A JP 15648683 A JP15648683 A JP 15648683A JP S6049635 A JPS6049635 A JP S6049635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- weight
- paste
- resin composition
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のチップをリードフレーム上にマウ
ントする方法に関するものである。更に詳しくは、ポリ
イミド−エポキシ系耐熱性樹脂組成物を用いる高温接着
性のすぐれたチップマウント方法である。
ントする方法に関するものである。更に詳しくは、ポリ
イミド−エポキシ系耐熱性樹脂組成物を用いる高温接着
性のすぐれたチップマウント方法である。
従来、チップのマウント方法としてはペースト状の導電
性接着剤をリードフレーム上にディスペンサー、スタン
ピング、スクリーン印刷などにより所要量を所定の位置
(=塗布し1次いでチップをその上に塔載し、熱盤上ま
たはオープン中で加熱硬化させることによりチップをマ
ウントする方法がとられていた、 これ(=対しチップに分割する前(ニシリコーンウエハ
ーに導電ペーストを塗布し、適宜加熱して半硬化させた
後、チップ(二分割しこれをリードフレーム上(=圧着
し加熱硬化させること(二より、テップをマウントする
別法が提案されている。後者の方法は明らか(二前者の
方法(二比し、工数の節減、レジンの立上り(:よるチ
ップ汚染の防止などの面ではすぐれたよい方法である。
性接着剤をリードフレーム上にディスペンサー、スタン
ピング、スクリーン印刷などにより所要量を所定の位置
(=塗布し1次いでチップをその上に塔載し、熱盤上ま
たはオープン中で加熱硬化させることによりチップをマ
ウントする方法がとられていた、 これ(=対しチップに分割する前(ニシリコーンウエハ
ーに導電ペーストを塗布し、適宜加熱して半硬化させた
後、チップ(二分割しこれをリードフレーム上(=圧着
し加熱硬化させること(二より、テップをマウントする
別法が提案されている。後者の方法は明らか(二前者の
方法(二比し、工数の節減、レジンの立上り(:よるチ
ップ汚染の防止などの面ではすぐれたよい方法である。
しかしペースト状樹脂組成物を加熱して半硬化させる条
件の調整が困難であるのが欠点である。
件の調整が困難であるのが欠点である。
即ち半硬化が不十分であると樹脂の塗布面がタックフリ
ー(=ならないし、半硬化が進みすぎると加熱しても樹
脂の塗布面が十分に粘着せず、所謂再活性化が十分でな
く、チップマウントの接着力が著しく低下するのでいず
れも望ましくない。また、上記のペースト状樹脂組成物
にエポキシ樹脂を用いるのが普通であるが、高温接着力
の面ではやや不十分であった。
ー(=ならないし、半硬化が進みすぎると加熱しても樹
脂の塗布面が十分に粘着せず、所謂再活性化が十分でな
く、チップマウントの接着力が著しく低下するのでいず
れも望ましくない。また、上記のペースト状樹脂組成物
にエポキシ樹脂を用いるのが普通であるが、高温接着力
の面ではやや不十分であった。
本発明者らはこれらの点について種々検討した結果、塗
布後半(−溶剤を揮発させるだけでタックフリーの樹脂
塗布面が直ちに得られるよう(二、用いる熱硬化性樹脂
組成物として可溶可融性の固形エポキシ樹脂と熱可塑性
ポリイミド系樹脂とのブレンドよりなる耐熱性樹脂組成
物を用いるとよいことを見出し本発明をなす(=至った
。
布後半(−溶剤を揮発させるだけでタックフリーの樹脂
塗布面が直ちに得られるよう(二、用いる熱硬化性樹脂
組成物として可溶可融性の固形エポキシ樹脂と熱可塑性
ポリイミド系樹脂とのブレンドよりなる耐熱性樹脂組成
物を用いるとよいことを見出し本発明をなす(=至った
。
即ち本発明の方法に於いては樹脂塗布面をタックフリー
にするの(二全く半硬化の工程を必要としないものであ
る。
にするの(二全く半硬化の工程を必要としないものであ
る。
本発明は可溶可融性の固形エポキシ樹脂及び熱可塑性ポ
リイミド系樹脂よりなる耐熱性樹脂組成物、銀粉及び溶
剤よりなる導電性耐熱性接着剤を用いることを特長とす
るものであり、該導電性接着剤を分割前のシリコーンウ
ェハー(=塗布した後溶剤を揮発させ粘着性がなくなる
まで乾−燥し、次いでチップに分割し、更に得られた個
々の半導体チップの樹脂塗布面を加熱したリードフレー
ム上(二圧着させ硬化させることによるチップのマウン
ト方法である。
リイミド系樹脂よりなる耐熱性樹脂組成物、銀粉及び溶
剤よりなる導電性耐熱性接着剤を用いることを特長とす
るものであり、該導電性接着剤を分割前のシリコーンウ
ェハー(=塗布した後溶剤を揮発させ粘着性がなくなる
まで乾−燥し、次いでチップに分割し、更に得られた個
々の半導体チップの樹脂塗布面を加熱したリードフレー
ム上(二圧着させ硬化させることによるチップのマウン
ト方法である。
本発明のチップマウント方法の特長は、塗布面の乾燥は
単に溶剤の揮発のみで十分であり、樹脂の反応の調整を
要する半硬化は全く必要としないことであり、従って半
硬化条件の詳細な検討は全く必要でなく、再活性が容易
でしかもタックフリーな樹脂塗布面が容易(−得られる
ことである。しかも樹脂塗布面の厚さの調整が容易で均
一な厚さのものが得やすいこと、従って樹脂屑がはみ出
してチップ汚染をおこすおそれがないことなどの特長が
ある。更に接着層はエポキシ樹脂単独のもの(二比しは
るかに耐熱性においてすぐれている。
単に溶剤の揮発のみで十分であり、樹脂の反応の調整を
要する半硬化は全く必要としないことであり、従って半
硬化条件の詳細な検討は全く必要でなく、再活性が容易
でしかもタックフリーな樹脂塗布面が容易(−得られる
ことである。しかも樹脂塗布面の厚さの調整が容易で均
一な厚さのものが得やすいこと、従って樹脂屑がはみ出
してチップ汚染をおこすおそれがないことなどの特長が
ある。更に接着層はエポキシ樹脂単独のもの(二比しは
るかに耐熱性においてすぐれている。
このように本発明のチップのマウント方法は数々の利点
があり、半導体部品製造工業に於いて極めて有用なもの
である。
があり、半導体部品製造工業に於いて極めて有用なもの
である。
また本発明のチップマウント用の導電ペースト(二於い
てはクロルイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不
純物は勿論のこと、プレッシャークツカーテストの際加
水分解されて出て来る加水分解性のクロル基を可及的(
=含まないことが、半導体部品の信頼性向上、特に耐湿
通電テスト(二よる性能劣化のないことのため(:は必
須条件であり極めて重要な要件である。従って用いる耐
熱性樹脂 5− 組成物としては、クロルイオン、アルカリ金属イオンな
どのイオン性不純物がそれぞれ10 ppm以下である
こと、加水分解性クロル基が400pI)m、好ましく
は300 I)I)m以下であることが望ましい。本発
明の用途のためにはその高度信頼性は上記の含有不純物
量(二比例して劣化していくことが知られているので、
用いるエポキシ樹脂組成物として可及的(二高純度のも
のを用いることが望ましい。
てはクロルイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不
純物は勿論のこと、プレッシャークツカーテストの際加
水分解されて出て来る加水分解性のクロル基を可及的(
=含まないことが、半導体部品の信頼性向上、特に耐湿
通電テスト(二よる性能劣化のないことのため(:は必
須条件であり極めて重要な要件である。従って用いる耐
熱性樹脂 5− 組成物としては、クロルイオン、アルカリ金属イオンな
どのイオン性不純物がそれぞれ10 ppm以下である
こと、加水分解性クロル基が400pI)m、好ましく
は300 I)I)m以下であることが望ましい。本発
明の用途のためにはその高度信頼性は上記の含有不純物
量(二比例して劣化していくことが知られているので、
用いるエポキシ樹脂組成物として可及的(二高純度のも
のを用いることが望ましい。
本発明(二用いる銀粉としては、へロゲンイオン、アル
カリイオン等のイオン性不純物の含有量がそれぞれ10
ppm以下であり、粒径は0.1乃至50μの範囲であ
り、要すればやや粗なフレーク状または樹枝状のものと
やや細い粒状のものとが適宜混合したものである。
カリイオン等のイオン性不純物の含有量がそれぞれ10
ppm以下であり、粒径は0.1乃至50μの範囲であ
り、要すればやや粗なフレーク状または樹枝状のものと
やや細い粒状のものとが適宜混合したものである。
また銀粉製造(二際しては適宜滑剤として金属石鹸など
を添加してもよいが、その場合には熱水洗滌などC二よ
り除去することが好ましい。また洗滌は銀粒子表面の汚
染の除去、活性化(=も効果があるが、粒度分布をかな
り変化させることがあるので注意を要する。
を添加してもよいが、その場合には熱水洗滌などC二よ
り除去することが好ましい。また洗滌は銀粒子表面の汚
染の除去、活性化(=も効果があるが、粒度分布をかな
り変化させることがあるので注意を要する。
6−
本発明に於ける鍜粉の混合割合としては組成物C二対し
て70〜95重@%であることが望ましい。
て70〜95重@%であることが望ましい。
これより少ないと沈降分離し易くなること、導電性が低
くなることなどで望ましくなく、それ以上用いても導電
性がさほど向上しないの(ニコストが著しく増大する」
−に接着力などの低下をおこすので望ましくない。
くなることなどで望ましくなく、それ以上用いても導電
性がさほど向上しないの(ニコストが著しく増大する」
−に接着力などの低下をおこすので望ましくない。
本発明(=用いる耐熱性樹脂組成物は、可融可溶性の固
形のエポキシ樹脂40〜90重量%及びこれと相溶性の
よい熱可塑性ポリイミド樹脂10〜60重量%よりなる
ものであり、両者のブレンドレジンとして可溶可融性の
固形であり、軟化点は60℃以上であることが必要であ
る。液状、または固形でも軟化点60℃以下の場合には
いずれも溶剤を揮発させただけのブレンド状態ではタッ
クフリーの塗布面を与え齢いので好ましくない。
形のエポキシ樹脂40〜90重量%及びこれと相溶性の
よい熱可塑性ポリイミド樹脂10〜60重量%よりなる
ものであり、両者のブレンドレジンとして可溶可融性の
固形であり、軟化点は60℃以上であることが必要であ
る。液状、または固形でも軟化点60℃以下の場合には
いずれも溶剤を揮発させただけのブレンド状態ではタッ
クフリーの塗布面を与え齢いので好ましくない。
上記の要件を充たすためには、用いるエポキシ樹脂とし
ては樹脂本体と共にその硬化剤、硬化促進剤などを適宜
含むものであり、固形で軟化点60℃以上であることが
好ましい。そのため(−は樹脂が液状であっても硬化剤
がやや高軟化点の固形であること、または硬化剤が液状
であっても樹脂がやや高軟化点の固形であることなどの
組合せ(二より、これらを配合したエポキシ樹脂として
反応を伴わないで粘着性のない固形となるものであれば
よい。しかし本発明の目的のため(二は樹脂、硬化剤共
に軟化点60℃以上の固形であることが更(−好ましい
。
ては樹脂本体と共にその硬化剤、硬化促進剤などを適宜
含むものであり、固形で軟化点60℃以上であることが
好ましい。そのため(−は樹脂が液状であっても硬化剤
がやや高軟化点の固形であること、または硬化剤が液状
であっても樹脂がやや高軟化点の固形であることなどの
組合せ(二より、これらを配合したエポキシ樹脂として
反応を伴わないで粘着性のない固形となるものであれば
よい。しかし本発明の目的のため(二は樹脂、硬化剤共
に軟化点60℃以上の固形であることが更(−好ましい
。
本発明の耐熱性組成物としては、熱可塑性ポリイミド樹
脂を含むのであるが、これは通常粘着性のない固形物で
あり、従って通常のものをそのまま用いることが出来る
。即ち耐熱性樹脂組成物の塗膜のタックフリー性を保持
するにはその成分であるエポキシ樹脂の固形化をはかる
だけで十分である、 半導体テップをマウントする時(−、タックフリーにな
った樹脂ペーストを再活性させる重要な工程がある。そ
の際本発明の樹脂組成物は熱可塑性樹脂を含んでいるた
めに、すぐに溶融し粘着性の樹脂層を形成するので再活
性が容g1であることが大きな特長である。
脂を含むのであるが、これは通常粘着性のない固形物で
あり、従って通常のものをそのまま用いることが出来る
。即ち耐熱性樹脂組成物の塗膜のタックフリー性を保持
するにはその成分であるエポキシ樹脂の固形化をはかる
だけで十分である、 半導体テップをマウントする時(−、タックフリーにな
った樹脂ペーストを再活性させる重要な工程がある。そ
の際本発明の樹脂組成物は熱可塑性樹脂を含んでいるた
めに、すぐに溶融し粘着性の樹脂層を形成するので再活
性が容g1であることが大きな特長である。
また樹脂組成物としてイミド結合を含むので耐熱性がす
ぐれており高温での接着強度が増大する。
ぐれており高温での接着強度が増大する。
半導体組立工程ではテノプマウット後200−380℃
の高温でワイヤーボンディングを行うため、このような
高温での接着強度が特(−必要とされるのである。
の高温でワイヤーボンディングを行うため、このような
高温での接着強度が特(−必要とされるのである。
耐熱性樹脂組成物(−於けるエポキシ樹脂と熱可塑性ポ
リイミド系樹脂との混合割合は、エポキシ樹脂の割合が
」二記の範囲より大きすぎると接着力の耐熱性が著しく
低下するので好ましくなく、逆(=ポリイミド系樹脂の
割合が上記の範囲より大きくなると両者のレジンの相溶
性が悪くなり、不均一な混合物しか得られず、かえって
接着性や耐熱性を著しく低下させたり、そのバラツキを
かなり大きくしたりするので好ましくない。
リイミド系樹脂との混合割合は、エポキシ樹脂の割合が
」二記の範囲より大きすぎると接着力の耐熱性が著しく
低下するので好ましくなく、逆(=ポリイミド系樹脂の
割合が上記の範囲より大きくなると両者のレジンの相溶
性が悪くなり、不均一な混合物しか得られず、かえって
接着性や耐熱性を著しく低下させたり、そのバラツキを
かなり大きくしたりするので好ましくない。
本発明(二相いる耐熱性樹脂組成物は、また加水分解性
クロル基が300 pI)m以下であることが望ましい
。同時ロクロルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオ
ン性不純物がそれぞれ10 ppm以下であ 9− ることか好ましい。これに対して上記の各種小机物の量
が多いと著しく信頼性を低下させるので好ましくない。
クロル基が300 pI)m以下であることが望ましい
。同時ロクロルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオ
ン性不純物がそれぞれ10 ppm以下であ 9− ることか好ましい。これに対して上記の各種小机物の量
が多いと著しく信頼性を低下させるので好ましくない。
従って本発明(=用いるエポキシ樹脂は、加水分解性ハ
ロゲン基含有量が600 T)pm以下、好ましくは3
00 pr)m以下であることが望ましい。そのため(
−予めアルカリ洗滌などの精製を行ってハロゲン含有量
の減少をはかったものであることが好ましい。またクロ
ルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオン性不純物が
10ppm以下であることが望ましい。これらの条件を
充たさないで上記の不純物を多く含むものを用いると、
耐湿通電テストなどの信頼性(−於いて著しい劣化をき
たすので好ましくない。
ロゲン基含有量が600 T)pm以下、好ましくは3
00 pr)m以下であることが望ましい。そのため(
−予めアルカリ洗滌などの精製を行ってハロゲン含有量
の減少をはかったものであることが好ましい。またクロ
ルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオン性不純物が
10ppm以下であることが望ましい。これらの条件を
充たさないで上記の不純物を多く含むものを用いると、
耐湿通電テストなどの信頼性(−於いて著しい劣化をき
たすので好ましくない。
更に本発明(二相いるエポキシ樹脂は分子当り平均2.
5ケ以上のエポキシ基を含有するものであることが望ま
しい。これより官能性が低いと硬化性が劣化し、硬化物
の耐熱性が著しく低下するので好ましくない。なお本発
明の樹脂組成物(−於いては加水分解性ハロゲン基を本
質的に含まない熱可塑 10− 性のポリイミド系樹脂とブレンドして用いているので、
その量は更(二少くなるので好ましい。
5ケ以上のエポキシ基を含有するものであることが望ま
しい。これより官能性が低いと硬化性が劣化し、硬化物
の耐熱性が著しく低下するので好ましくない。なお本発
明の樹脂組成物(−於いては加水分解性ハロゲン基を本
質的に含まない熱可塑 10− 性のポリイミド系樹脂とブレンドして用いているので、
その量は更(二少くなるので好ましい。
本発明(二相いるエポキシ樹脂としては、上記の要件を
充たすものであれはいずれも同様に用いることが出来る
。代表的なものとしては次のようでアル。フロログルν
シールドリグリシジールエーテル、トリヒドロキシビフ
ェニルのトリグリシシールエーテル、テトラヒドロキン
ビスフェノールFのテトラグリシシールエーテル、テト
ラヒドロキンベンゾフェノンのテトラグリシシールエー
テル、テトラフェノールのテトラグリンジールエーテル
エボキシ化ノボラック、エポキシ化ポリビニルフェノー
ル、トリグリシシールイソシアヌレート、トリグリレゾ
ール8−)リアジン、テトラグリレゾールピロメリット
酸エステル、トリグリシシールトリメリット酸エステル
などの3またはそれ以上の多官能のもの及びジクリシジ
ールレゾルシン、ジグリシジールビスフェノールA、ジ
グリシジールピスフェノールF、ジグリνジールビスフ
ェノールS、ジヒドロキシベンゾフェノンのジグリシジ
ールエーテル、ジグシシジールオキシ安息香酸、ジグリ
シジールフタル酸類、ジグリシジールヒダントインなど
の2官能のものであり、官能性が2.5以上となるよう
(:これらを適宜配合して用いてもよい。
充たすものであれはいずれも同様に用いることが出来る
。代表的なものとしては次のようでアル。フロログルν
シールドリグリシジールエーテル、トリヒドロキシビフ
ェニルのトリグリシシールエーテル、テトラヒドロキン
ビスフェノールFのテトラグリシシールエーテル、テト
ラヒドロキンベンゾフェノンのテトラグリシシールエー
テル、テトラフェノールのテトラグリンジールエーテル
エボキシ化ノボラック、エポキシ化ポリビニルフェノー
ル、トリグリシシールイソシアヌレート、トリグリレゾ
ール8−)リアジン、テトラグリレゾールピロメリット
酸エステル、トリグリシシールトリメリット酸エステル
などの3またはそれ以上の多官能のもの及びジクリシジ
ールレゾルシン、ジグリシジールビスフェノールA、ジ
グリシジールピスフェノールF、ジグリνジールビスフ
ェノールS、ジヒドロキシベンゾフェノンのジグリシジ
ールエーテル、ジグシシジールオキシ安息香酸、ジグリ
シジールフタル酸類、ジグリシジールヒダントインなど
の2官能のものであり、官能性が2.5以上となるよう
(:これらを適宜配合して用いてもよい。
また特殊なタイプとしてアリル化ポリフェノールまたは
メタアリル化ポリフェノールの過酸によるエポキシ化物
のようにグリシシールエーテル基と核置換のグリシシー
ル基とを有しているものも上記の条件を充たしているな
らば同様(=用いることが出来る。これらの中、固形で
軟化点60℃以上のエポキシ化ノボラック、特(=オル
ソクレゾールノボラック系のものが好ましい。
メタアリル化ポリフェノールの過酸によるエポキシ化物
のようにグリシシールエーテル基と核置換のグリシシー
ル基とを有しているものも上記の条件を充たしているな
らば同様(=用いることが出来る。これらの中、固形で
軟化点60℃以上のエポキシ化ノボラック、特(=オル
ソクレゾールノボラック系のものが好ましい。
本発明(二相いるエポキシ樹脂の硬化剤はエポキシ基と
反応して架橋(二あずかる活性水素基を分子当り2.5
ケ以上有する多官能性のものであることが好ましい。
反応して架橋(二あずかる活性水素基を分子当り2.5
ケ以上有する多官能性のものであることが好ましい。
このような活性水素を有する化合物としては、多価フェ
ノール類が特に好ましい。
ノール類が特に好ましい。
多価フェノール類としてはフェノール類とホルマリンな
どのアルデヒド類との縮合物でありフリーフェノール類
は5重句%以丁、好ましくは1重爪%以下のものである
ことが望ましい1、またフェノール類としては特(ニオ
ルックレゾールを用いたものが軟化点が高く、シかも溶
融粘度の低いものが碍やすいので特(=好ましい。
どのアルデヒド類との縮合物でありフリーフェノール類
は5重句%以丁、好ましくは1重爪%以下のものである
ことが望ましい1、またフェノール類としては特(ニオ
ルックレゾールを用いたものが軟化点が高く、シかも溶
融粘度の低いものが碍やすいので特(=好ましい。
また硬化剤としてジンアンジアミドの微粉末を用いても
よい。何れの硬化剤を用いる場合にも、硬化促進剤とし
て、第3級アミンの有機酸またはフェノールの塩を用い
ることが好ましい。これらの硬化剤、硬化促進剤はいず
れもクロルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオン性
不純物はそれぞれ10 ppm以下であることが好まし
い。
よい。何れの硬化剤を用いる場合にも、硬化促進剤とし
て、第3級アミンの有機酸またはフェノールの塩を用い
ることが好ましい。これらの硬化剤、硬化促進剤はいず
れもクロルイオン、アルカリ金属イオンなどのイオン性
不純物はそれぞれ10 ppm以下であることが好まし
い。
本発明(二相いる熱可塑性ポリイミド系樹脂は、イミド
結合と共(ニアミド結合、エステル結合、エーテル結合
などの極性を有する裁を含有する熱可塑性タイプのほぼ
線状のポリマーまたはオリゴマーであり、主としてイミ
ド結合よりなる所謂ポリイミド樹脂に比し耐熱性はやや
低いが、各種溶剤(二対する溶解性、エポキシ樹脂に対
する相溶性の 13− 面ですぐれたものであり、本発明のようにエポキシ樹脂
とのブレンドフェスとして用いる場合(=は使い易いも
のである。これらの代表的なものとしては、ポリアミド
イミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂などがある。ポリ
イミド樹脂では、イミド環の形に開環する以前のポリア
ミック酸の形でないと溶剤(=溶けないが、ポリアミド
イミド樹脂やポリエステルイミド樹脂などの熱可塑性ポ
リイミド系樹脂では、イミド環に閉環した形でも溶解性
があり、溶液としての粘度は低く、保存性、安定性にす
ぐれている。またN−メチルピロリドン、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミドなどの特殊溶剤の外に
シクロヘキサノン、クレゾールなどのより汎用の溶剤が
有効(二使えるので好ましい。
結合と共(ニアミド結合、エステル結合、エーテル結合
などの極性を有する裁を含有する熱可塑性タイプのほぼ
線状のポリマーまたはオリゴマーであり、主としてイミ
ド結合よりなる所謂ポリイミド樹脂に比し耐熱性はやや
低いが、各種溶剤(二対する溶解性、エポキシ樹脂に対
する相溶性の 13− 面ですぐれたものであり、本発明のようにエポキシ樹脂
とのブレンドフェスとして用いる場合(=は使い易いも
のである。これらの代表的なものとしては、ポリアミド
イミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂などがある。ポリ
イミド樹脂では、イミド環の形に開環する以前のポリア
ミック酸の形でないと溶剤(=溶けないが、ポリアミド
イミド樹脂やポリエステルイミド樹脂などの熱可塑性ポ
リイミド系樹脂では、イミド環に閉環した形でも溶解性
があり、溶液としての粘度は低く、保存性、安定性にす
ぐれている。またN−メチルピロリドン、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミドなどの特殊溶剤の外に
シクロヘキサノン、クレゾールなどのより汎用の溶剤が
有効(二使えるので好ましい。
また、これらの熱可塑性ポリイミド樹脂は本質的(:加
水分解性クロル基は含まないものであることが大きな利
点であり、更にクロルイオン、ナトリウムイオンなどの
イオン性不純物が10 ppm以下のものであることが
必要である。
水分解性クロル基は含まないものであることが大きな利
点であり、更にクロルイオン、ナトリウムイオンなどの
イオン性不純物が10 ppm以下のものであることが
必要である。
’−14−
また、これらは熱可塑性の固形レジンであるため、本発
明の樹脂組成物(二対して室温ではタックフリー性を付
与し易く、しかも加熱時には溶融し粘着し易い性質を付
与しているのが大きな特長である。
明の樹脂組成物(二対して室温ではタックフリー性を付
与し易く、しかも加熱時には溶融し粘着し易い性質を付
与しているのが大きな特長である。
また本発明i二相いる溶剤はクロルイオン、ナトリウム
イオンなどのイオン性不純物の含有量が10ppm以下
であることが好ましい。更にエポキシ樹脂のよう(=加
水分解性ハロゲン基を不純物として本質的(=含まない
ものを溶剤として選ぶことが好ましい。
イオンなどのイオン性不純物の含有量が10ppm以下
であることが好ましい。更にエポキシ樹脂のよう(=加
水分解性ハロゲン基を不純物として本質的(=含まない
ものを溶剤として選ぶことが好ましい。
用いる溶剤の田は所望の流動性が得られ、所望の厚さの
塗布が容易となるよう(二適宜調整することが出来る。
塗布が容易となるよう(二適宜調整することが出来る。
本発明においては要すれば脱泡剤を適宜用いてもよい。
脱泡剤としては、シリコーン系、弗累系その他のものの
いずれでもほぼ同様(二用いられる。
いずれでもほぼ同様(二用いられる。
但し芳香族系の低沸点の溶剤に含まれていないことが好
ましい。
ましい。
また接点不良の原因(二ならないようにシリコーン系の
ものは用いない方がよい。
ものは用いない方がよい。
イオン性不純物の試験方法は次のようである。
クロルイオンは、試料15gをトルエン30 ml−二
溶かし、純水100fn、eと2時間振盪後、水層な遠
心分離し検液とする。次(二検液15ccをホールピペ
ットで採取し、これに鉄ミョウバン6重量%の水溶液4
ml、チオシアン酸水銀0.3重量%のエタノール溶液
2−を加え25m1’nなるまで純水で稀釈する。
溶かし、純水100fn、eと2時間振盪後、水層な遠
心分離し検液とする。次(二検液15ccをホールピペ
ットで採取し、これに鉄ミョウバン6重量%の水溶液4
ml、チオシアン酸水銀0.3重量%のエタノール溶液
2−を加え25m1’nなるまで純水で稀釈する。
得られた検波は分光光度計で460闘mの波長(=於け
る吸光度を測定し、ブランクテストとの対比に於いて予
め作成した検量線を用いて不純物として含まれるクロル
イオンの濃度をめる。ナトリウムイオンは、上記検液を
フレームレス原子吸光分析装置を用いて330.2 n
mの波長の吸光度よりブランクテストとの対比(=おい
て、予め作成した検量線を用いて不純物として含まれる
ナトリウムイオン濃度をめる。
る吸光度を測定し、ブランクテストとの対比に於いて予
め作成した検量線を用いて不純物として含まれるクロル
イオンの濃度をめる。ナトリウムイオンは、上記検液を
フレームレス原子吸光分析装置を用いて330.2 n
mの波長の吸光度よりブランクテストとの対比(=おい
て、予め作成した検量線を用いて不純物として含まれる
ナトリウムイオン濃度をめる。
エポキシ樹脂の加水分解性クロル基の定量法は、樹脂0
.5.9をジオキサン30tnlに溶かし、更(−1N
KOH−エタノール溶液5tnlと共に30分間加熱還
流させ、次に生成したクロルイオンの量を0.01 N
Ag+Nu。
.5.9をジオキサン30tnlに溶かし、更(−1N
KOH−エタノール溶液5tnlと共に30分間加熱還
流させ、次に生成したクロルイオンの量を0.01 N
Ag+Nu。
でめ加水分解性塩素量とする。
プレッンヤークッカーテストによる熱分解性クロルイオ
ンの測定法は次のようである。導電ペーストを200℃
、30分で硬化させ、次(=硬化物を粉砕する。得られ
た粉末試料2gを分解ルツボ中でエタノール3fnlを
加えて十分浸漬させる。次(二純水40m1を加えた後
、完全i二密封し125℃、20時間処理する。処理後
要すれば遠心分離し上澄液を検液とする。
ンの測定法は次のようである。導電ペーストを200℃
、30分で硬化させ、次(=硬化物を粉砕する。得られ
た粉末試料2gを分解ルツボ中でエタノール3fnlを
加えて十分浸漬させる。次(二純水40m1を加えた後
、完全i二密封し125℃、20時間処理する。処理後
要すれば遠心分離し上澄液を検液とする。
検液中のイオン性不純物の測定法は上記の通りである。
本発明の導電ペーストの製造方法は次のようである。先
ず所定量のエポキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、
硬化剤、硬化促進剤、溶剤をそれぞれ秤取し、混練し均
一溶液または分散液とする。
ず所定量のエポキシ樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、
硬化剤、硬化促進剤、溶剤をそれぞれ秤取し、混練し均
一溶液または分散液とする。
この場合混線(=は通常の攪拌槽、揺潰器、インクミル
のような三本ロールなどを単独または適宜組合せて用い
てもよい。
のような三本ロールなどを単独または適宜組合せて用い
てもよい。
次に所定量の銀粉を秤取し、上記樹脂溶液と混 17
− 練し完全(=均一なペースト状にする。この場合(−も
攪拌槽、拙潰器、三本ロールなどを適宜用いる。
− 練し完全(=均一なペースト状にする。この場合(−も
攪拌槽、拙潰器、三本ロールなどを適宜用いる。
得られたペースト状樹脂組成物を真空チャンバー中で脱
泡する。この場合樹脂組成物の液体の層が厚いと十分に
脱泡出来なくなるので、100闘、好ましくは50闘以
下の薄い層(−拡げてから真空脱泡することが好ましい
。
泡する。この場合樹脂組成物の液体の層が厚いと十分に
脱泡出来なくなるので、100闘、好ましくは50闘以
下の薄い層(−拡げてから真空脱泡することが好ましい
。
以上のようC二して得られた導電ペーストは一15℃ま
たはそれ以下の温度で貯蔵し輸送することが必要である
。これより高い温度では貯蔵寿命が著しく低下するので
好ましくない。
たはそれ以下の温度で貯蔵し輸送することが必要である
。これより高い温度では貯蔵寿命が著しく低下するので
好ましくない。
本発明の導電ペーストは従来品(二比し次のような特長
を有している。
を有している。
■ 用いる樹脂組成物が耐熱性であるので、高温時の接
着力が大である。その結果、後工程のワイヤーボンディ
ングなどに於ける高温時(二十分なチップ接着力を有し
ていて、安定した作業を行うことが可能である。
着力が大である。その結果、後工程のワイヤーボンディ
ングなどに於ける高温時(二十分なチップ接着力を有し
ていて、安定した作業を行うことが可能である。
■ 高純度であること、即ちイオン性不純物は勿論のこ
と、加水分解性クロル基の量が極めて 18− 少ない。その結果プレッシャークツカーテストロ於ける
イオン性不純物の溶出量は少なく、信頼性は極めて高い
ものである。
と、加水分解性クロル基の量が極めて 18− 少ない。その結果プレッシャークツカーテストロ於ける
イオン性不純物の溶出量は少なく、信頼性は極めて高い
ものである。
■ 作業性がすぐれていること、即ちチップ(二分割前
のシリコンウェハー1′:塗布後溶剤を揮発させると直
ちCニタソクフリーの塗布面を与える。
のシリコンウェハー1′:塗布後溶剤を揮発させると直
ちCニタソクフリーの塗布面を与える。
しかもこの塗布面は室温数ケ月保存しても安定であり、
120℃乃至200℃(=加熱すると溶融して粘着しゃ
すい粘稠液状を呈し活性化が容易である。しかもオーブ
ン中200℃、40分;180℃、60分;150℃、
120分以内(−1熱盤上350℃、30秒以内C二い
ずれも硬化可能である。
120℃乃至200℃(=加熱すると溶融して粘着しゃ
すい粘稠液状を呈し活性化が容易である。しかもオーブ
ン中200℃、40分;180℃、60分;150℃、
120分以内(−1熱盤上350℃、30秒以内C二い
ずれも硬化可能である。
■ その他の特性はいずれも従来品とほぼ同等である。
本発明の導電ペーストを用いたチップマウント方法は次
のようである。
のようである。
チップに分割する前のシリコーンウェハーの接合すべき
面に本発明の導電ペーストを一面に均一の厚さく=塗布
する。塗布はロールコータ−などにより自動的(:精度
よく行うことが出来る。次にこのようにして得られた塗
布膜より溶剤を揮発させることによりタックフリーとな
るようにする。用いる溶剤の沸点、種類、量などにより
乾燥条件は多少異るが乾燥した風または熱風を当てるこ
となどにより速やか(二乾燥させることが出来る。この
場合、本発明の樹脂組成物に於いては、この開始んど反
応の進行はなく樹脂の性状は殆んど変化しない(:も拘
らず、本来固形の樹脂組成物を用いているので溶剤の揮
発のみで再活性が容易であり、かつ所望のタックフリー
性を有する樹脂塗布膜が容易(=、安定して、直ち(=
得られることが大きな特長の1つである。即ち、この間
所謂半硬化させることにより樹脂塗布膜のタックフリー
化をはかることは不要である。一般に熱硬化性樹脂(二
於いてA状態の液状の樹脂を半硬化させて再活性可能な
り状態となし、更(二高温(−加熱して不溶不融化して
硬化させC状態となすことはよく行われることである。
面に本発明の導電ペーストを一面に均一の厚さく=塗布
する。塗布はロールコータ−などにより自動的(:精度
よく行うことが出来る。次にこのようにして得られた塗
布膜より溶剤を揮発させることによりタックフリーとな
るようにする。用いる溶剤の沸点、種類、量などにより
乾燥条件は多少異るが乾燥した風または熱風を当てるこ
となどにより速やか(二乾燥させることが出来る。この
場合、本発明の樹脂組成物に於いては、この開始んど反
応の進行はなく樹脂の性状は殆んど変化しない(:も拘
らず、本来固形の樹脂組成物を用いているので溶剤の揮
発のみで再活性が容易であり、かつ所望のタックフリー
性を有する樹脂塗布膜が容易(=、安定して、直ち(=
得られることが大きな特長の1つである。即ち、この間
所謂半硬化させることにより樹脂塗布膜のタックフリー
化をはかることは不要である。一般に熱硬化性樹脂(二
於いてA状態の液状の樹脂を半硬化させて再活性可能な
り状態となし、更(二高温(−加熱して不溶不融化して
硬化させC状態となすことはよく行われることである。
しかし、このような半硬化に基〈従来品はその調整は極
めて困難であり、やや不十分であるとタックフリー性が
不十分となり、やや行き過ぎるとタックフリー性は十分
であっても再活性が不十分となり安定した接着性が得ら
れ難くなるおそれがあるのが大きな欠点であった。
めて困難であり、やや不十分であるとタックフリー性が
不十分となり、やや行き過ぎるとタックフリー性は十分
であっても再活性が不十分となり安定した接着性が得ら
れ難くなるおそれがあるのが大きな欠点であった。
本発明に於いては工程上のこの点(=於いて大幅な改善
をはかろうとするものである。
をはかろうとするものである。
本発明の塗膜乾燥の条件は室温でも十分であり、適宜温
度を上げて促進してもよい。
度を上げて促進してもよい。
このようにしてシリコーンウェハーの面にタックフリー
な樹脂塗布膜を形成せしめた後、所定の大きさのチップ
C:分割する。分割されたチップは予め120℃乃至1
80℃(二加熱したリードフレーム上の所定の位置に圧
着することC:より、チップの樹脂塗布面を再活性化さ
せ粘着させる。更に200℃乃至350℃(二加熱して
硬化させ接着させる。この際再活性化が安定してすぐれ
ているので、接着性も極めて安定してすぐれている。
な樹脂塗布膜を形成せしめた後、所定の大きさのチップ
C:分割する。分割されたチップは予め120℃乃至1
80℃(二加熱したリードフレーム上の所定の位置に圧
着することC:より、チップの樹脂塗布面を再活性化さ
せ粘着させる。更に200℃乃至350℃(二加熱して
硬化させ接着させる。この際再活性化が安定してすぐれ
ているので、接着性も極めて安定してすぐれている。
以上のよう(二本発明のチップマウント方法は作業性が
特(二安定してすぐれていること、及び得られた半導体
部品の信頼性が極めて高いことが従来法(二比し大きな
特長である。
特(二安定してすぐれていること、及び得られた半導体
部品の信頼性が極めて高いことが従来法(二比し大きな
特長である。
21−
以下実施例につき説明する。
実施例
軟化点65℃、エポキシ当量205、数平均分子量79
0、加水分解性クロル基400 ppmの固形のエポキ
シ化0−クレゾールノボラック樹脂をブチルセロソルブ
アセテートに溶解し50重量%溶液にしだもの30重量
部、活性水素当量105、数平均分子量420、軟化点
70℃のノボラックをブチルセロソルブアセテートに溶
解し50重量%の溶液(ニジたもの30重量部、及びト
リスジメチルアミノメチルフェノールのノボラック塩0
.01重量部よりなるエポキシ樹脂組成物(二、数平均
分子量s、oooのポリアミドイミド樹脂をN−メチル
−2ピロリドンに溶解し、固形分20重量%とじた溶液
150重量部を加え、更に銀粉240重量部を配合し、
三本ロールで混練し銀ペーストを得る。この銀ペースト
を直径3インチのシリコーンウェハーの裏面にスクリー
ン印刷機で塗布する。次に80℃、40分乾燥し溶剤を
揮発させ樹脂塗布面をタックフリーにする。25℃で一
定期間放置後、スクライバ−でシリコーンウニ 22− バーを2 i+it角に個片化し半導体チップとする。
0、加水分解性クロル基400 ppmの固形のエポキ
シ化0−クレゾールノボラック樹脂をブチルセロソルブ
アセテートに溶解し50重量%溶液にしだもの30重量
部、活性水素当量105、数平均分子量420、軟化点
70℃のノボラックをブチルセロソルブアセテートに溶
解し50重量%の溶液(ニジたもの30重量部、及びト
リスジメチルアミノメチルフェノールのノボラック塩0
.01重量部よりなるエポキシ樹脂組成物(二、数平均
分子量s、oooのポリアミドイミド樹脂をN−メチル
−2ピロリドンに溶解し、固形分20重量%とじた溶液
150重量部を加え、更に銀粉240重量部を配合し、
三本ロールで混練し銀ペーストを得る。この銀ペースト
を直径3インチのシリコーンウェハーの裏面にスクリー
ン印刷機で塗布する。次に80℃、40分乾燥し溶剤を
揮発させ樹脂塗布面をタックフリーにする。25℃で一
定期間放置後、スクライバ−でシリコーンウニ 22− バーを2 i+it角に個片化し半導体チップとする。
この樹脂塗布面は室温では安定であり数ケ月保存しても
殆んど変化しない。このチップの樹脂塗布面を200℃
(ユ加熱したリードフレーム上(二約10秒押付は再活
性化し粘着させる。更(ユ210℃、40分オーブン中
で加熱し硬化させる。硬化物の性能は第1表の通りであ
る。ペースト付チップをマウントするまでの放置時間(
二対する接着強度/350℃の関係を第1図(二示す。
殆んど変化しない。このチップの樹脂塗布面を200℃
(ユ加熱したリードフレーム上(二約10秒押付は再活
性化し粘着させる。更(ユ210℃、40分オーブン中
で加熱し硬化させる。硬化物の性能は第1表の通りであ
る。ペースト付チップをマウントするまでの放置時間(
二対する接着強度/350℃の関係を第1図(二示す。
比較例
エポキシ当量190、数平均分子it 370、加水分
解性クロル基800ppmのビスフェノールAのジグリ
シジールエーテルタイプの液状エポキシ樹脂20重量部
、ジンアンジアミド1重置部、トリス(ジメチルアミノ
メチル)フェノールのノボラック塩0.01重量%より
なる樹脂組成物に銀粉78重量部を混入して、三本ロー
ルで均一(二なるまで混練し銀ペーストを得る。
解性クロル基800ppmのビスフェノールAのジグリ
シジールエーテルタイプの液状エポキシ樹脂20重量部
、ジンアンジアミド1重置部、トリス(ジメチルアミノ
メチル)フェノールのノボラック塩0.01重量%より
なる樹脂組成物に銀粉78重量部を混入して、三本ロー
ルで均一(二なるまで混練し銀ペーストを得る。
次(−得られた銀ペーストを直径3インチのウェハーの
裏面にスクリーン印刷機でコーティングする。これを8
0℃で30分間乾燥したがコート表面はタックが残り、
そのためチップを重ねて保管出来ないなどの欠点があり
、実用上不十分なものであった。
裏面にスクリーン印刷機でコーティングする。これを8
0℃で30分間乾燥したがコート表面はタックが残り、
そのためチップを重ねて保管出来ないなどの欠点があり
、実用上不十分なものであった。
そこで乾燥条件を更(=強くすること、例えば150℃
、15分間硬化を行うことにより、液状樹脂を半硬化の
状態へと進めること(二よりコート面はタックフリーと
なった。室温で一定期間放置後スクライバーでシリコー
ンウェハーを2n角に個片化しチップとする。この半導
体チップのコート面を200℃(=加熱したリードフレ
ーム上(−約10秒押しつけペーストを溶融し粘着させ
る。次(二これを200℃オーブン中40分間で硬化を
完了させる。
、15分間硬化を行うことにより、液状樹脂を半硬化の
状態へと進めること(二よりコート面はタックフリーと
なった。室温で一定期間放置後スクライバーでシリコー
ンウェハーを2n角に個片化しチップとする。この半導
体チップのコート面を200℃(=加熱したリードフレ
ーム上(−約10秒押しつけペーストを溶融し粘着させ
る。次(二これを200℃オーブン中40分間で硬化を
完了させる。
硬化物の性能は第1表の通りである。
タックフリーの半硬化状態のペースト付テップをマウン
トするまでの放置時間に対する接着強度/350℃の関
係を第1図(−示す。
トするまでの放置時間に対する接着強度/350℃の関
係を第1図(−示す。
第1表かられかるように、実施例の銀ペーストはクロル
イオンが極めて少ない。しかもこの値はICチップ上の
アルミニウム電極の腐食と直接(=相関性があり、実用
上の信頼性が著しく高いものである。また350℃の高
温C二於ける接着力が比較例C二比し顕著に高い。この
ことは実装時マウント工程後(−ワイヤーボンディング
を高温で行う際十分なマウント強度を保持するので好ま
しい。
イオンが極めて少ない。しかもこの値はICチップ上の
アルミニウム電極の腐食と直接(=相関性があり、実用
上の信頼性が著しく高いものである。また350℃の高
温C二於ける接着力が比較例C二比し顕著に高い。この
ことは実装時マウント工程後(−ワイヤーボンディング
を高温で行う際十分なマウント強度を保持するので好ま
しい。
第1図かられかるように、実施例に於いてはタックフリ
ーにしたペースト付チップを25℃、3ケ月放置後もマ
ウント強度の低Fは殆んどみとめられず、すぐれた保存
性を有している。これに対し比較例に於いては約1ケ月
で殆んど接着不能となり保存性不良である。
ーにしたペースト付チップを25℃、3ケ月放置後もマ
ウント強度の低Fは殆んどみとめられず、すぐれた保存
性を有している。これに対し比較例に於いては約1ケ月
で殆んど接着不能となり保存性不良である。
このように実施例は比較例(二比し実用上の特性上(二
於いて明らか(−優れたものである。
於いて明らか(−優れたものである。
25−
第 1 表 銀ペースト硬化物の性能
26−
第1図はタックフリー(ニした銀ペースト付半導体チッ
プの保存性を示すものである。 保存性は350’C1−於けるマウント強度の変化でめ
た。なお実線は実施例、破線は比較例である。 特許出願人 住友ベークライト株式会社 27 − 第1図 0 30 60 90 板1日数、(日)(繁酌
プの保存性を示すものである。 保存性は350’C1−於けるマウント強度の変化でめ
た。なお実線は実施例、破線は比較例である。 特許出願人 住友ベークライト株式会社 27 − 第1図 0 30 60 90 板1日数、(日)(繁酌
Claims (4)
- (1)(A) 可溶可融性の固形のエポキシ樹脂40〜
90重量%及び熱可塑性ポリイミド系樹脂10〜60重
量%よりなる耐熱性樹脂組成物5〜30重量部、 但)銀粉70〜95重量部及び (C) 溶剤 よりなる導電性接着剤を分割前のシリコーンウェハーC
二塗布した後、溶剤を揮発させ粘着性がなくなるまで乾
燥し1次いでチップ(二分割し、更(二得られた個々の
チップの樹脂塗布面を加熱したリードフレーム上(=圧
着させ硬化させることを特長とする半導体チップのマウ
ント方法。 - (2)固形のエポキシ樹脂はいずれも軟化点60℃以上
の固形のエポキシ化ノボラック、固形ノボラック及び硬
化促進剤よりなるものである特許請求の範囲第(1)項
記載のマウント方法。 - (3)耐熱性樹脂組成物は加水分解性クロル基が300
ppm以下である特許請求の範囲第(1)項または第
(2)項記載のマウント方法。 - (4)熱可塑性ポリイミド系樹脂はポリアミドイミド樹
脂及び/またはポリエステルイミド樹脂である特許請求
の範囲第(1)項、第(2)項または第(3)項記載の
マウント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58156486A JPH0754811B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | チップのマウント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58156486A JPH0754811B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | チップのマウント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6049635A true JPS6049635A (ja) | 1985-03-18 |
JPH0754811B2 JPH0754811B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=15628807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58156486A Expired - Lifetime JPH0754811B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | チップのマウント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0754811B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62151458A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Nippon Koudoshi Kogyo Kk | 耐湿耐熱性樹脂組成物 |
JPH04501635A (ja) * | 1989-09-05 | 1992-03-19 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | 再生修理可能エポキシダイ取り付け接着剤 |
JP2008172242A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | ウエハコーティング用の高伝導性組成物 |
JP2011202015A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 導電性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2012158631A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法及び該組成物の硬化物を有する半導体装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5212459A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-31 | Shoei Chemical Ind Co | Heattproof electrically conductive adhesives for ic chips |
JPS5313645A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method of adhesion using electrically conductive adhesive |
JPS5419363A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Sharp Corp | Die bonding method of semiconductor devices |
JPS5478491A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-22 | Murata Manufacturing Co | Conductive paste |
JPS54113253A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-04 | Hitachi Ltd | Bonding method of semiconductor pellet |
JPS5516054A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Heat-resistant coating composition |
JPS5634169A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Magnetic head support mechanism of rotating arm type |
JPS58112335A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58156486A patent/JPH0754811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5212459A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-31 | Shoei Chemical Ind Co | Heattproof electrically conductive adhesives for ic chips |
JPS5313645A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method of adhesion using electrically conductive adhesive |
JPS5419363A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Sharp Corp | Die bonding method of semiconductor devices |
JPS5478491A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-22 | Murata Manufacturing Co | Conductive paste |
JPS54113253A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-04 | Hitachi Ltd | Bonding method of semiconductor pellet |
JPS5516054A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Heat-resistant coating composition |
JPS5634169A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Magnetic head support mechanism of rotating arm type |
JPS58112335A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-04 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子固定用接着フイルム |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62151458A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | Nippon Koudoshi Kogyo Kk | 耐湿耐熱性樹脂組成物 |
JPH04501635A (ja) * | 1989-09-05 | 1992-03-19 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | 再生修理可能エポキシダイ取り付け接着剤 |
JP2008172242A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | ウエハコーティング用の高伝導性組成物 |
KR101467416B1 (ko) * | 2007-01-10 | 2014-12-01 | 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 | 웨이퍼 코팅용 고도전성 조성물 |
JP2011202015A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 導電性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2012158631A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、それを用いたダイアタッチ方法及び該組成物の硬化物を有する半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0754811B2 (ja) | 1995-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI302931B (en) | Resin paste for die-bounding and use thereof | |
JP5761639B2 (ja) | 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム | |
US20080308225A1 (en) | Adhesive composition suitable to be applied by screen printing | |
EP1252966B1 (en) | Hardening flux, soldering resist, semiconductor package reinforced by hardening flux, semiconductor device and method of producing semiconductor package and semiconductor device | |
JPH01165654A (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
JP4780041B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2003221573A (ja) | 接合材料及びこれを用いた半導体装置 | |
JPS601221A (ja) | 導電性樹脂ペ−スト | |
JPH07126489A (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
JPS6049635A (ja) | チップのマウント方法 | |
JPH01113423A (ja) | 熱硬化性絶縁樹脂ペースト | |
US7025852B2 (en) | Connecting material and mounting method which uses same | |
JPH0511365B2 (ja) | ||
JP4242019B2 (ja) | 導電性樹脂組成物 | |
JPS63159422A (ja) | 半導体用絶縁樹脂ペ−スト | |
JPS6049636A (ja) | チップのマウント方法 | |
JPH09263683A (ja) | 導電性エポキシ樹脂組成物 | |
JP2589892B2 (ja) | ダイ接着用接着剤組成物 | |
JP2001085824A (ja) | 電子部品実装用接合剤およびこれを用いた電子部品の実装方法 | |
JPH0456849B2 (ja) | ||
JPS63161015A (ja) | 導電性樹脂ペ−スト | |
JPH03192178A (ja) | ダイボンディング用接着シート | |
JPS6329886B2 (ja) | ||
JP2017145290A (ja) | 接着剤組成物、それからなる接着剤シート、それらの硬化物および半導体装置 | |
JPH02288019A (ja) | 異方性導電フィルム |