JPS6048879B2 - イオン発生装置 - Google Patents
イオン発生装置Info
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- JPS6048879B2 JPS6048879B2 JP53027587A JP2758778A JPS6048879B2 JP S6048879 B2 JPS6048879 B2 JP S6048879B2 JP 53027587 A JP53027587 A JP 53027587A JP 2758778 A JP2758778 A JP 2758778A JP S6048879 B2 JPS6048879 B2 JP S6048879B2
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- Japan
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- ion radiation
- ion
- reflective screen
- voltage
- radiation
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は人間の健康にとつて必要な、正しいバ ラン
スのとれた大気イオン濃度、即ち例えば大気汚染のない
海上又は山岳地方の大気中の大気イオン濃度を、それが
破壊された部会の汚染地域、空調を行つている近代ビル
内において回復させんとする装置、特に事務所及びアパ
ート内で使用する空気イオン発生装置であつた、高電圧
源に接続した導電性材料製イオン放射線と、該イオン放
射線から離間され、高電圧源に接続され、イオン放射線
を部分的に囲む反射スクリーンとを具え、該反・射スク
リーンに加わる高電圧を、前記イオン放射線の高電圧と
同一極性とし、接地電圧と前記イオン放射線の高電圧と
の間に定めたイオン発生装置、特に空気イオン化装置に
関するものである。
スのとれた大気イオン濃度、即ち例えば大気汚染のない
海上又は山岳地方の大気中の大気イオン濃度を、それが
破壊された部会の汚染地域、空調を行つている近代ビル
内において回復させんとする装置、特に事務所及びアパ
ート内で使用する空気イオン発生装置であつた、高電圧
源に接続した導電性材料製イオン放射線と、該イオン放
射線から離間され、高電圧源に接続され、イオン放射線
を部分的に囲む反射スクリーンとを具え、該反・射スク
リーンに加わる高電圧を、前記イオン放射線の高電圧と
同一極性とし、接地電圧と前記イオン放射線の高電圧と
の間に定めたイオン発生装置、特に空気イオン化装置に
関するものである。
この種既知のイオン化装置では、イオン放射線・の表
面から電界放出によつて電子は放出され、ガス分子及び
塵埃の上に蓄積する。イオン放射線から凡ゆる方向に放
射される電子又はイオンは、短時間内にイオン化装置の
直ぐそばの支持表面又は保持装置に蓄積される。この望
ましかなざる電荷の蓄積の為、高静電圧が発生し、イオ
ン放射線の周囲に甚た七い電圧降下を生じ電子又はイオ
ンの放出を本質的に低減する。斯る欠点を除去する為、
特公昭40−840吋の対応米国特許第323443訝
明細書記載の空気イオン化装置の反射スクリーンでは、
これでイオン放射線の片側を囲み、かつ反射スクリーン
の一端に1〜1000MΩの抵抗を接続する。
面から電界放出によつて電子は放出され、ガス分子及び
塵埃の上に蓄積する。イオン放射線から凡ゆる方向に放
射される電子又はイオンは、短時間内にイオン化装置の
直ぐそばの支持表面又は保持装置に蓄積される。この望
ましかなざる電荷の蓄積の為、高静電圧が発生し、イオ
ン放射線の周囲に甚た七い電圧降下を生じ電子又はイオ
ンの放出を本質的に低減する。斯る欠点を除去する為、
特公昭40−840吋の対応米国特許第323443訝
明細書記載の空気イオン化装置の反射スクリーンでは、
これでイオン放射線の片側を囲み、かつ反射スクリーン
の一端に1〜1000MΩの抵抗を接続する。
イオン放射線から放射された電子(イオン)のうち、反
射スクリーンに向かう一部で上述の抵抗に電圧降下を生
じさ ノせて、反射スクリーンを残余の電子がそれから
はね返るに要する電位に達せしめる。即ち、反射スクリ
ーンに加わる高電位をイオン放射線の高電位と同一極性
となし、かつその値を接地電位とイオン放射線の高電位
との間に定める。しかし斯る既知の装置は実際上その機
能が制限される。その理由は、一方においては有効な電
圧降下の為に、高電子(イオン)流を反射スクリーンに
向け流すを要し、他方において極めて細いイオン放射線
を必要とする外、反射スクリーンとの間を大きく離間す
る必要がある為である。米国特許第3296491号明
細書記載の荷電エアゾール発生装置では、イオン放射線
の長手方向に沿い液体を流し、次いでイオン放射線の電
圧とは異なる電位の板状又はグリッド状電極によつて飛
散.せしめる。
射スクリーンに向かう一部で上述の抵抗に電圧降下を生
じさ ノせて、反射スクリーンを残余の電子がそれから
はね返るに要する電位に達せしめる。即ち、反射スクリ
ーンに加わる高電位をイオン放射線の高電位と同一極性
となし、かつその値を接地電位とイオン放射線の高電位
との間に定める。しかし斯る既知の装置は実際上その機
能が制限される。その理由は、一方においては有効な電
圧降下の為に、高電子(イオン)流を反射スクリーンに
向け流すを要し、他方において極めて細いイオン放射線
を必要とする外、反射スクリーンとの間を大きく離間す
る必要がある為である。米国特許第3296491号明
細書記載の荷電エアゾール発生装置では、イオン放射線
の長手方向に沿い液体を流し、次いでイオン放射線の電
圧とは異なる電位の板状又はグリッド状電極によつて飛
散.せしめる。
斯る既知の装置は、常にその1つの電極(イオン放射線
又は板/グリッド)を接地しているので、荷電流体の小
滴のみを発生せしめ得る。
又は板/グリッド)を接地しているので、荷電流体の小
滴のみを発生せしめ得る。
斯る既知の装置ではガスイオンを発生させることが不;
可能である。その理由は荷電されたガスイオンの質量が
小さいため対向電極に向つて移動し、そこで放電してし
まう為である。1 本発明の目的は上述した既知の装置の欠点を除 ,去せ
んとするにある。
可能である。その理由は荷電されたガスイオンの質量が
小さいため対向電極に向つて移動し、そこで放電してし
まう為である。1 本発明の目的は上述した既知の装置の欠点を除 ,去せ
んとするにある。
本発明においては、斯る目:1的を達成する為、反射ス
クリーンを絶縁合成樹脂外匣内に収納し、大地から絶縁
し、高電圧源に接続し、反射スクリーンに加わる電圧を
、少なく共3KV,特に5KVないしIOKVに維持す
る。本発明装置においては、比較的小型の反射スク11
リーンを用い、反射スクリーンの機能を発揮させること
ができる。これが為本発明装置は、操作容 イ易な卓上
装置を容易に適用することができる。又出力が極めて小
さな高電圧源を用いることができる。イオン放射線の他
の部材と接触しても、反射スクリーンが他の部材と接触
しても、接触の際直ちに電圧が遮断され、絶対に危険が
ない。イオン放射線又は反射スクリーンと、高電圧源と
の間には、通常、限流抵抗を接続する。又イオン放射線
の放射出力を制御又は安定化することができる。これは
イオン放射線の対向電極の作用を兼ねる反射スクリーン
を、次式による乱されない放射線の周りの自由電位V(
r)よソー層負(一層正)の電位とすることにより比較
的容易に達成することができる。上式中Riはイオン放
射線の直径、Raはイオン放射線周囲の平均補正距離、
VOはイオン放射線の電圧である。
クリーンを絶縁合成樹脂外匣内に収納し、大地から絶縁
し、高電圧源に接続し、反射スクリーンに加わる電圧を
、少なく共3KV,特に5KVないしIOKVに維持す
る。本発明装置においては、比較的小型の反射スク11
リーンを用い、反射スクリーンの機能を発揮させること
ができる。これが為本発明装置は、操作容 イ易な卓上
装置を容易に適用することができる。又出力が極めて小
さな高電圧源を用いることができる。イオン放射線の他
の部材と接触しても、反射スクリーンが他の部材と接触
しても、接触の際直ちに電圧が遮断され、絶対に危険が
ない。イオン放射線又は反射スクリーンと、高電圧源と
の間には、通常、限流抵抗を接続する。又イオン放射線
の放射出力を制御又は安定化することができる。これは
イオン放射線の対向電極の作用を兼ねる反射スクリーン
を、次式による乱されない放射線の周りの自由電位V(
r)よソー層負(一層正)の電位とすることにより比較
的容易に達成することができる。上式中Riはイオン放
射線の直径、Raはイオン放射線周囲の平均補正距離、
VOはイオン放射線の電圧である。
反射スクリーンの反射機能は、簡単に改善することがで
き、この場合には、反射スクリーンの電圧を幾分高める
だけでよい。本発明の好適実施例では、反射スクリーン
を電圧源に接続し、この電圧源の電位を、金属スクリー
ンによりイオン放射線を遮蔽しない場合にイオン放射線
上の電荷により生ずる電界の為に反射スクリーンの出口
領域を形成する端縁位置に生する電位と少く共等しいか
、これより高く定める。本発明の他の好適実施例では、
イオン放射線の高電圧と、反射スクリーンの高電圧とを
調節自在とする。
き、この場合には、反射スクリーンの電圧を幾分高める
だけでよい。本発明の好適実施例では、反射スクリーン
を電圧源に接続し、この電圧源の電位を、金属スクリー
ンによりイオン放射線を遮蔽しない場合にイオン放射線
上の電荷により生ずる電界の為に反射スクリーンの出口
領域を形成する端縁位置に生する電位と少く共等しいか
、これより高く定める。本発明の他の好適実施例では、
イオン放射線の高電圧と、反射スクリーンの高電圧とを
調節自在とする。
反射スクリーンの電圧を5KVとし、イオン放射線の電
圧をIOKVないし15KVとする。空気イオンのみな
らず、低周波変調電界が、人間に対し確実に作用するこ
とは既知である。10Hz周波変調電界が学校の生徒の
記憶力を増し、試験問題に対する解答力を増進すること
も既知てある。
圧をIOKVないし15KVとする。空気イオンのみな
らず、低周波変調電界が、人間に対し確実に作用するこ
とは既知である。10Hz周波変調電界が学校の生徒の
記憶力を増し、試験問題に対する解答力を増進すること
も既知てある。
本発明は空気イオンを発生させるのみならず、交番電界
を発生させることができる構造簡単なイオン化装置を提
供することをも目的とする。
を発生させることができる構造簡単なイオン化装置を提
供することをも目的とする。
斯る目的を達成する為、本発明では反射スクリーンを1
ないし20Hz,特に3ないし12Hzの周波数の上限
値及び下限値の中間値のパルス高電圧源に接続する。イ
オン放射線イオン化装置は、2個の保持器間に架張した
イオン放射線を十分に保護できず、イオン放射線の直径
が小さく (多くの場合50μ以下)、外部からの機械
的影響で損傷し易い欠点がある。
ないし20Hz,特に3ないし12Hzの周波数の上限
値及び下限値の中間値のパルス高電圧源に接続する。イ
オン放射線イオン化装置は、2個の保持器間に架張した
イオン放射線を十分に保護できず、イオン放射線の直径
が小さく (多くの場合50μ以下)、外部からの機械
的影響で損傷し易い欠点がある。
本発明では斯る欠点を除去する為、イオン放射Z線が機
械的に他の部材と接触しても損傷を受けない様に架張す
る。
械的に他の部材と接触しても損傷を受けない様に架張す
る。
これが為本発明装置においては、イオン放射線の磁気保
持器を磁界内に配置し、その磁気保持力をイオン放射線
の牽引強度よりも小さく定める。
持器を磁界内に配置し、その磁気保持力をイオン放射線
の牽引強度よりも小さく定める。
l図面について本発明を説明する。第1図は、本発明イ
オン発生装置の1例を線図的に示す。本例装置は、2個
の収斂板2,3より成る反射スクリーン1と、これら両
収斂板2,3に連結されている断面U字状通路4とを具
える。スクリーン1の縦方向に沿い、2個の保持器6間
にイオン放射線5を架張する。保持器6は外匣の側部(
図示せず)に取付ける。イオン放射線5並にスクリーン
1には、同一極性の高電圧を加える。この目的の為、イ
オン放射線5と、スクリーン1とに共通な−1個の高電
圧発生装置7を設ける。高電圧発生装置7は既知の構成
とし、220Vの交流電圧から20KVまての直流電圧
を発生するものとする。高電圧発生装置7は、加減抵抗
10を経て交流電圧源に接続する。電圧及び電流を測定
する為に、電圧計9及び電流計8を設ける。高電圧発生
装置7から陽イオン又は陰イオンを発生させる必要があ
る場合に応じて正又は負の高電圧をイオン放射線5及び
スクリーン1に加える。スクリーン1の電圧は、高電圧
発生装置7に設けた摺動タップ11を調整して加減し、
イオン放射線5及びスクリーン1に所望の電圧を加える
様にする。イオン放射線5の直径は50μ又はそれ以下
とし、タングステン又はタンタルで製造するのが好適で
ある。イオン放射線のイオン放射能を改善する為、イオ
ン放 /射線5に、セシウム又はバリウムの被覆を施す
か又はトリウム合金線を用いるが、或はこれらの双方を
採用することができる。イオン放射線5のイオン放射能
は、その直径を縮小するがその長さを長くするか、加減
抵抗1を調節してイオン放射線 ι5に加わる電圧を高
めることによつて尚一層改善することができる。電流計
8で、イオン放射線5のイオン放射強度、従つてイオン
発生量を読み取ることができる。スクリーン1には少な
く共、3KV,特に5KVないしIOKVの高電圧を加
える。本発明装置によれば、イオン放射線5の周囲にイ
オンを絶えず発生させ、このイオンをスクリーン1で反
射させて自由空間に移送することができる。第2図に示
す実施例では、スクリーン1の収斂板2,3の頂縁に垂
線12を形成し、これでスクリーンを、合成樹脂外匣壁
(図示せず)に取付けることができる。
オン発生装置の1例を線図的に示す。本例装置は、2個
の収斂板2,3より成る反射スクリーン1と、これら両
収斂板2,3に連結されている断面U字状通路4とを具
える。スクリーン1の縦方向に沿い、2個の保持器6間
にイオン放射線5を架張する。保持器6は外匣の側部(
図示せず)に取付ける。イオン放射線5並にスクリーン
1には、同一極性の高電圧を加える。この目的の為、イ
オン放射線5と、スクリーン1とに共通な−1個の高電
圧発生装置7を設ける。高電圧発生装置7は既知の構成
とし、220Vの交流電圧から20KVまての直流電圧
を発生するものとする。高電圧発生装置7は、加減抵抗
10を経て交流電圧源に接続する。電圧及び電流を測定
する為に、電圧計9及び電流計8を設ける。高電圧発生
装置7から陽イオン又は陰イオンを発生させる必要があ
る場合に応じて正又は負の高電圧をイオン放射線5及び
スクリーン1に加える。スクリーン1の電圧は、高電圧
発生装置7に設けた摺動タップ11を調整して加減し、
イオン放射線5及びスクリーン1に所望の電圧を加える
様にする。イオン放射線5の直径は50μ又はそれ以下
とし、タングステン又はタンタルで製造するのが好適で
ある。イオン放射線のイオン放射能を改善する為、イオ
ン放 /射線5に、セシウム又はバリウムの被覆を施す
か又はトリウム合金線を用いるが、或はこれらの双方を
採用することができる。イオン放射線5のイオン放射能
は、その直径を縮小するがその長さを長くするか、加減
抵抗1を調節してイオン放射線 ι5に加わる電圧を高
めることによつて尚一層改善することができる。電流計
8で、イオン放射線5のイオン放射強度、従つてイオン
発生量を読み取ることができる。スクリーン1には少な
く共、3KV,特に5KVないしIOKVの高電圧を加
える。本発明装置によれば、イオン放射線5の周囲にイ
オンを絶えず発生させ、このイオンをスクリーン1で反
射させて自由空間に移送することができる。第2図に示
す実施例では、スクリーン1の収斂板2,3の頂縁に垂
線12を形成し、これでスクリーンを、合成樹脂外匣壁
(図示せず)に取付けることができる。
通路4内に合成樹脂導管18(第3図)を嵌挿し、これ
に多数の外方に向う隙孔14を設ける。導管18内には
送風機及び/又はエアゾール送給器を収納し、室内にイ
オン空気流又は電気エアゾール流を絶えす維持し得る様
にする。通路4内には発光管の如き光源を収納し、イオ
ン発生器に光源を組合せることもできる。第4図は合成
樹脂外匣17を具える卓上装置を示し、これに光源13
を組合せてある。19は電圧計、20は安全表示灯、1
5はイオン放射線5の電圧調整器、16は光源13を点
滅する為の切換スイッチを示す。
に多数の外方に向う隙孔14を設ける。導管18内には
送風機及び/又はエアゾール送給器を収納し、室内にイ
オン空気流又は電気エアゾール流を絶えす維持し得る様
にする。通路4内には発光管の如き光源を収納し、イオ
ン発生器に光源を組合せることもできる。第4図は合成
樹脂外匣17を具える卓上装置を示し、これに光源13
を組合せてある。19は電圧計、20は安全表示灯、1
5はイオン放射線5の電圧調整器、16は光源13を点
滅する為の切換スイッチを示す。
上述した構成の本発明装置では、陰イオン及び陽イオン
を発生する為に用いることができる。
を発生する為に用いることができる。
この目的の為、切換スイッチを用いてイオン放射線に高
電圧を調節自在のリズムで加えるか又は2個の本発明装
置を合体してイオン放射線に互に異なる極性の電圧を加
えることができる。第5図中5はイオン放射線を示し、
1は円筒状反射スクリーンを示す。
電圧を調節自在のリズムで加えるか又は2個の本発明装
置を合体してイオン放射線に互に異なる極性の電圧を加
えることができる。第5図中5はイオン放射線を示し、
1は円筒状反射スクリーンを示す。
反射スクリーン1には、イオン放射線5の軸線と平行に
延在する出口領域21を設け、その両端縁22,22を
跨ぐ中心角を60゜ないし160゜とするのが好適てあ
る。第6図は、乱されない、即ち反射スクリーンのない
イオン放射線5の周囲の電圧分布曲線を示し、横軸には
イオン放射線5からの距離rをとり、縦軸に6絶対電圧
値IUIをとつた。イオン放射線5から距離rの位置に
は反射スクリーン1のない場合の電圧Uが発生する。本
発明では円筒状金属スクリーンに少なく共電圧Uを加え
る。第5図では、反射スクリーン1に電圧Us加える。
これが為、反フ射スクリーン1には、電圧UよりΔUだ
け大きな電圧が加わる。出口領域21(第5図)よりの
イオン放射は主として、反射スクリーン1の端縁22に
於ける電圧に左右される。
延在する出口領域21を設け、その両端縁22,22を
跨ぐ中心角を60゜ないし160゜とするのが好適てあ
る。第6図は、乱されない、即ち反射スクリーンのない
イオン放射線5の周囲の電圧分布曲線を示し、横軸には
イオン放射線5からの距離rをとり、縦軸に6絶対電圧
値IUIをとつた。イオン放射線5から距離rの位置に
は反射スクリーン1のない場合の電圧Uが発生する。本
発明では円筒状金属スクリーンに少なく共電圧Uを加え
る。第5図では、反射スクリーン1に電圧Us加える。
これが為、反フ射スクリーン1には、電圧UよりΔUだ
け大きな電圧が加わる。出口領域21(第5図)よりの
イオン放射は主として、反射スクリーン1の端縁22に
於ける電圧に左右される。
こ位置においては、仮想円筒スクリーン1及び電界が何
等乱されない場合円筒軸線上にイオン放射線を配置した
スクリーンの他の部分の電圧と同じ電圧が発生する。こ
れが為本発明では、イオン放射線5を円筒軸線から位置
5’にすらすか又は端縁22をイオン放射線5に近付け
る(第5図の点線参照)。反射スクリーン1を金属で構
成する場合には、反射スクリーン1全体に電圧Usを加
える。これが為、端縁22(距離R2)の電圧を、乱さ
れない電界の仮想スクリーン上に或る場所の電圧U。よ
りも電位差ΔU。だけ高くし、同様に反射スクリーン1
の中心領域(距離R,)の電圧を同じ仮想スクリーンの
他の場所の電圧U,より電位差ΔU,だけ高くする。第
6図から明らかな様に、電圧差ΔU2は電圧差ΔU,よ
りも大きい為、反射スクリーン1とイオン放射線5との
間の利用されないイオン流は阻止され、イオン放射能を
改善することができる。第5図示の実施例では、反射ス
クリーン1を2個の直列接続の高オーム抵抗23,24
を経て高電圧源−Uに接続し、高電圧源−Uを調節し、
イオン放射線5を囲む位置の電圧を反射スクリーン1の
位置における乱されない電圧に対応せしめる。
等乱されない場合円筒軸線上にイオン放射線を配置した
スクリーンの他の部分の電圧と同じ電圧が発生する。こ
れが為本発明では、イオン放射線5を円筒軸線から位置
5’にすらすか又は端縁22をイオン放射線5に近付け
る(第5図の点線参照)。反射スクリーン1を金属で構
成する場合には、反射スクリーン1全体に電圧Usを加
える。これが為、端縁22(距離R2)の電圧を、乱さ
れない電界の仮想スクリーン上に或る場所の電圧U。よ
りも電位差ΔU。だけ高くし、同様に反射スクリーン1
の中心領域(距離R,)の電圧を同じ仮想スクリーンの
他の場所の電圧U,より電位差ΔU,だけ高くする。第
6図から明らかな様に、電圧差ΔU2は電圧差ΔU,よ
りも大きい為、反射スクリーン1とイオン放射線5との
間の利用されないイオン流は阻止され、イオン放射能を
改善することができる。第5図示の実施例では、反射ス
クリーン1を2個の直列接続の高オーム抵抗23,24
を経て高電圧源−Uに接続し、高電圧源−Uを調節し、
イオン放射線5を囲む位置の電圧を反射スクリーン1の
位置における乱されない電圧に対応せしめる。
発生するイオン放射は最初は、イオンの大部分がスクリ
ーン円筒に向けて流れる。これが為、高オーム抵抗23
,24で電圧降下が生じ、イオン放射線5と、反射スク
リーン1との間の電界強度を低下するか又は反射スクリ
ーン1の電圧をイオン放射線方向に移し、出口領域21
を通るイオンを増加する。この場合イオン放射全体を中
断する為、高オーム抵抗23,24には電圧降下が生−
じない。第5図では、反射スクリーンの1部を棒25で
示し、これら棒25は高オーム抵抗23を経て高電圧源
−Uの電圧を加える。
ーン円筒に向けて流れる。これが為、高オーム抵抗23
,24で電圧降下が生じ、イオン放射線5と、反射スク
リーン1との間の電界強度を低下するか又は反射スクリ
ーン1の電圧をイオン放射線方向に移し、出口領域21
を通るイオンを増加する。この場合イオン放射全体を中
断する為、高オーム抵抗23,24には電圧降下が生−
じない。第5図では、反射スクリーンの1部を棒25で
示し、これら棒25は高オーム抵抗23を経て高電圧源
−Uの電圧を加える。
反射スクリーンの円筒状部分1は、棒25よりも高電圧
となり、円筒上状部分1に対するイオン影響を軽減させ
ることができる。電源−Uの電圧が−6KVで、イオン
放射線5の電圧が−IOKVの場合、円筒状部分1の電
圧は約−6.3KVとなり、棒25の電圧は−6.2K
Vとなる。4 反射スクリーン1はグリッド状又は中実円筒状に構成す
ることもできる。
となり、円筒上状部分1に対するイオン影響を軽減させ
ることができる。電源−Uの電圧が−6KVで、イオン
放射線5の電圧が−IOKVの場合、円筒状部分1の電
圧は約−6.3KVとなり、棒25の電圧は−6.2K
Vとなる。4 反射スクリーン1はグリッド状又は中実円筒状に構成す
ることもできる。
全部を円筒状に構成する場合には、出口領域21は間隙
て構成する。第7図に示す実施例では、反射スクリーン
1を火花間隙26を経て高電圧源Uschに接続する。
火花間隙26にはコンデンサ27を並列に接続する。イ
オン放射線5は高電圧源UDに接続する。第8図に示す
接続回路では、反射スクリーン1は、並列接続のコンデ
ンサ28及び火花間隙29を経て接地する。火花間隙2
9には抵抗30を直列に接続する。
て構成する。第7図に示す実施例では、反射スクリーン
1を火花間隙26を経て高電圧源Uschに接続する。
火花間隙26にはコンデンサ27を並列に接続する。イ
オン放射線5は高電圧源UDに接続する。第8図に示す
接続回路では、反射スクリーン1は、並列接続のコンデ
ンサ28及び火花間隙29を経て接地する。火花間隙2
9には抵抗30を直列に接続する。
反射スクリーン1は抵抗31を経て高電圧源Uに接続し
て荷電し、高電圧源Uにはイオン放射線5フをも接続す
る。反射スクリーン1にイオン流を放射し、火花間隙2
6又は29の点火又は消滅電圧、コンデンサ27又はコ
ンデンサ28及び抵抗30を選択することにより、反射
スクリーン1を、上限値が約7KV,下限値が5KVの
パルス高電丁圧に維持し、このパルス高電圧を1ないし
20Hz,特に3ないし12Hzの周波数で脈動させる
ことができる。第9,10及び11図に、イオン放射線
5の終端を架張又は保持する為の第3の実施例を示す。
て荷電し、高電圧源Uにはイオン放射線5フをも接続す
る。反射スクリーン1にイオン流を放射し、火花間隙2
6又は29の点火又は消滅電圧、コンデンサ27又はコ
ンデンサ28及び抵抗30を選択することにより、反射
スクリーン1を、上限値が約7KV,下限値が5KVの
パルス高電丁圧に維持し、このパルス高電圧を1ないし
20Hz,特に3ないし12Hzの周波数で脈動させる
ことができる。第9,10及び11図に、イオン放射線
5の終端を架張又は保持する為の第3の実施例を示す。
第9図示の実施例では、永久磁石棒33を、非磁性材料
、特にテフロン製の案内套管34内に挿通する。案内套
管34を金属套管35で囲む。イオン放射線5の終端に
球33を形成し、これを永久磁石棒32によつて吸引保
持する。イオン放射線5に緊張力が加わると、これが球
33に加わり、永久磁石棒32から球33を引離す。永
久磁石棒32の保持力に、案内套管34の厚さを選択す
ることによつて簡単にきめることができ、永久磁石棒3
2が球33を保持する力をイオン放射線5の牽引力より
も小さくすることができる。これが為架張したイオン放
射線5が誤つて他の部材に触れて緊張力が増してもイオ
ン放射線5を切断する惧れはない。第10及び11図に
示す実施例では、イオン放射線5の終端を、円錐状套管
36と円錐体3?との間に保持する。
、特にテフロン製の案内套管34内に挿通する。案内套
管34を金属套管35で囲む。イオン放射線5の終端に
球33を形成し、これを永久磁石棒32によつて吸引保
持する。イオン放射線5に緊張力が加わると、これが球
33に加わり、永久磁石棒32から球33を引離す。永
久磁石棒32の保持力に、案内套管34の厚さを選択す
ることによつて簡単にきめることができ、永久磁石棒3
2が球33を保持する力をイオン放射線5の牽引力より
も小さくすることができる。これが為架張したイオン放
射線5が誤つて他の部材に触れて緊張力が増してもイオ
ン放射線5を切断する惧れはない。第10及び11図に
示す実施例では、イオン放射線5の終端を、円錐状套管
36と円錐体3?との間に保持する。
円錐状套管36と円錐体37とで構成される保持器39
は、永久磁石40に対し、案内套管38内を移動し得る
様にする。保持器39と、永久磁石10との間には、第
10図示の実施例では合成樹脂板41を設ける。合成樹
脂板41の厚さを選択することによつて、保持器39に
加わる永久磁石40の保持力を加減することができる。
円錐状套管36及び円錐体37の何れか一方を磁性材料
の金属で構成すれば、この部材を経て電流をイオン放射
線5に供給することができる。第10図示の実施例では
、金属円錐体37を合成樹脂円錐套管36内に緊締する
。
は、永久磁石40に対し、案内套管38内を移動し得る
様にする。保持器39と、永久磁石10との間には、第
10図示の実施例では合成樹脂板41を設ける。合成樹
脂板41の厚さを選択することによつて、保持器39に
加わる永久磁石40の保持力を加減することができる。
円錐状套管36及び円錐体37の何れか一方を磁性材料
の金属で構成すれば、この部材を経て電流をイオン放射
線5に供給することができる。第10図示の実施例では
、金属円錐体37を合成樹脂円錐套管36内に緊締する
。
第11図示の実施例では、円錐体37′を合成樹脂で構
成し、5円錐套管36′を金属で構成する。イオン放射
線5に電圧を加える為、イオン放射線5の少なく共一端
を保持する保持器39を永久磁石40から距離aだけ離
間して配設する(第10図)。第11図示の実施例では
、保持器39′を永久磁石41’0’に直接々触せしめ
る。この場合には、電流を永久磁石40′及び金属套管
36′を経てイオン放射線5に直接供給することができ
る。上述した本発明の実施態様は、次の通り要約するこ
とができる。
成し、5円錐套管36′を金属で構成する。イオン放射
線5に電圧を加える為、イオン放射線5の少なく共一端
を保持する保持器39を永久磁石40から距離aだけ離
間して配設する(第10図)。第11図示の実施例では
、保持器39′を永久磁石41’0’に直接々触せしめ
る。この場合には、電流を永久磁石40′及び金属套管
36′を経てイオン放射線5に直接供給することができ
る。上述した本発明の実施態様は、次の通り要約するこ
とができる。
1
1特許請求の範囲の項記載の装置において、反射スクリ
ーン1の出口領域21の端縁22を、反射スクリーン1
の残余部分よりもイオン放射線5に近付ける。
ーン1の出口領域21の端縁22を、反射スクリーン1
の残余部分よりもイオン放射線5に近付ける。
2 特許請求の範囲の項、又は前記1項記載の装2置に
おいて、反射スクリーン1と円筒状に構成し、その軸線
をイオン放射線軸線と一致させる。
おいて、反射スクリーン1と円筒状に構成し、その軸線
をイオン放射線軸線と一致させる。
3 前記第2項記載の装置において、イオン放射線5’
を、円筒軸線から出口領域21に向け移冫動せる。
を、円筒軸線から出口領域21に向け移冫動せる。
4 特許請求の範囲の項、前記1ないし3項の何れか1
項記載の装置において、反射スクリーンの1部又は全部
をグリッド状に構成する。
項記載の装置において、反射スクリーンの1部又は全部
をグリッド状に構成する。
5 特許請求の範囲の項記載の装置において、イーオン
放射線の高電圧と、反射スクリーンの高電圧とを調節自
在とする。
放射線の高電圧と、反射スクリーンの高電圧とを調節自
在とする。
6 特許請求の範囲の項、前記1ないし5項の何れか1
項記載の装置において、反射スクリーンを、絶縁合成樹
脂外匣17内に収納し、大地から絶縁する。
項記載の装置において、反射スクリーンを、絶縁合成樹
脂外匣17内に収納し、大地から絶縁する。
7 特許請求の範囲の項、前記第1ないし6項の何れか
1項記載の装置において、反射スクリーン1を、1ない
し20Hz,特に3ないし12Hzの周波数の上限値及
び下限値の中間値のパルス高電 フ圧源に接続する。
1項記載の装置において、反射スクリーン1を、1ない
し20Hz,特に3ないし12Hzの周波数の上限値及
び下限値の中間値のパルス高電 フ圧源に接続する。
8 前記7項記載の装置において、高電圧源と、反射ス
クリーン1との間、又は反射スクリーン1と大地との間
に火花間隙(26;29)を接続〜、該火花間隙と並列
にコンデンサ(27;28)を接続する。
クリーン1との間、又は反射スクリーン1と大地との間
に火花間隙(26;29)を接続〜、該火花間隙と並列
にコンデンサ(27;28)を接続する。
9 特許請求の範囲の項、前記1ないし8項の何れか1
項記載の装置において、イオン放射線5の少なく共一端
を、磁石(33;40)の保持力によつて架張する。
項記載の装置において、イオン放射線5の少なく共一端
を、磁石(33;40)の保持力によつて架張する。
10前記第9項記載の装置において、磁石(33;40
)の保持力をイオン放射線5の牽引強度よりも小さくす
る。
)の保持力をイオン放射線5の牽引強度よりも小さくす
る。
11前記10項又は11項記載の装置において、イオン
放射線5の少なく共一端に、好ましくは球33を形成し
、これを永久磁石32に取付ける。
放射線5の少なく共一端に、好ましくは球33を形成し
、これを永久磁石32に取付ける。
12前記10又は11項記載の装置において、イオン放
射線5の少なく共一端を、円錐套管36と、円錐−(,
:・37との間て保持し、円錐套管36及び/又は円錐
体37を磁化性及び/又は導電性材料て構成する。
射線5の少なく共一端を、円錐套管36と、円錐−(,
:・37との間て保持し、円錐套管36及び/又は円錐
体37を磁化性及び/又は導電性材料て構成する。
13前記12項記載の装置において、イオン放射線5の
円錐保持器の導電部分を磁力によつて、永久磁石40′
に圧接し、通電し得る様にする。
円錐保持器の導電部分を磁力によつて、永久磁石40′
に圧接し、通電し得る様にする。
第1図は本発明イオン発生装置の1例を示す線図、第2
図は本発明装置の他の例を示す断面図、第3図は本発明
装置の導管の1部を示す斜視図、第4図は本発明装置の
卓上装置の1例を示す斜視図、第5図は断面円筒状の反
射スクリーンを具える本発明装置の他の例を示す線図、
第6図は第5図示の装置のイオン放射線の周囲の電圧分
布図、第7図及び8図は反射スクリーンに周波数変調電
圧を発生させる為の接続回路の2例を示す線図、第9,
10及び11図は本発明装置のイオン放射線保持器の3
例を示す断面図である。 1は反射スクリーン、2,3は収斂板、4は断面U字状
通路、5はイオン放射線、6は保持器、7は高電圧接続
回路、8は電流計、9は電圧計、10は加減抵抗、11
は摺動接点、12は垂縁、13は光源、14は隙孔、1
5は電圧調整器、16は光源切換スイッチ、17は合成
樹脂外匣、18は導管、19は電圧計、20は安全表示
器、21は出口領域、22は端縁、23,24は高オー
ム抵抗、25は棒、26は火花間隙、27,28はコン
デンサ、29は火花間隙、30,31は抵抗、32は永
久磁石棒、33は球、案内套管、35は金属套管、36
は 6’は金属套管、37は円錐体、 磁性 管、39,39′は保持器、40,40′は永二
5管、 石、41は合成樹脂板を示す。
図は本発明装置の他の例を示す断面図、第3図は本発明
装置の導管の1部を示す斜視図、第4図は本発明装置の
卓上装置の1例を示す斜視図、第5図は断面円筒状の反
射スクリーンを具える本発明装置の他の例を示す線図、
第6図は第5図示の装置のイオン放射線の周囲の電圧分
布図、第7図及び8図は反射スクリーンに周波数変調電
圧を発生させる為の接続回路の2例を示す線図、第9,
10及び11図は本発明装置のイオン放射線保持器の3
例を示す断面図である。 1は反射スクリーン、2,3は収斂板、4は断面U字状
通路、5はイオン放射線、6は保持器、7は高電圧接続
回路、8は電流計、9は電圧計、10は加減抵抗、11
は摺動接点、12は垂縁、13は光源、14は隙孔、1
5は電圧調整器、16は光源切換スイッチ、17は合成
樹脂外匣、18は導管、19は電圧計、20は安全表示
器、21は出口領域、22は端縁、23,24は高オー
ム抵抗、25は棒、26は火花間隙、27,28はコン
デンサ、29は火花間隙、30,31は抵抗、32は永
久磁石棒、33は球、案内套管、35は金属套管、36
は 6’は金属套管、37は円錐体、 磁性 管、39,39′は保持器、40,40′は永二
5管、 石、41は合成樹脂板を示す。
Claims (1)
- 1 高電圧源に接続した導電性材料製イオン放射線と、
該イオン放射線より離れて該イオン放射線を部分的に囲
むように配設され高電圧源に接続された反射スクリーン
とを有し、上記反射スクリーンに加わる高電位を上記イ
オン放射線の高電位と同一極性となしかつ接地電位と上
記イオン放射線の高電位との間の値に選定したイオン発
生装置において、上記反射スクリーン1は大地から絶縁
され、かつ上記イオン放射線5が金属スクリーンなしに
組立てられたとき該イオン放射線5の電荷により発生す
る電界のため放電領域21の端縁22の場所における電
位に少なくとも等しいか好ましくはそれより高い電位に
接続され、上記反射スクリーンにおける高圧が少なくと
も3000V、好ましくは5000から10000Vで
あることを特徴とするイオン発生装置。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT164177A AT348107B (de) | 1977-03-10 | 1977-03-10 | Vorrichtung zur erzeugung von ionen |
AT1641/77 | 1977-03-10 | ||
AT485177A AT349581B (de) | 1977-07-06 | 1977-07-06 | Vorrichtung zum aufbringen einer spannkraft auf den draht eines ionisators |
AT4851/77 | 1977-07-06 | ||
AT514577A AT384482B (de) | 1977-07-15 | 1977-07-15 | Ionisator |
AT5145/77 | 1977-07-15 | ||
AT6271/77 | 1977-08-30 | ||
AT0627177A AT364423B (de) | 1977-08-30 | 1977-08-30 | Vorrichtung zur erzeugung von gasionen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53112696A JPS53112696A (en) | 1978-10-02 |
JPS6048879B2 true JPS6048879B2 (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=27421590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53027587A Expired JPS6048879B2 (ja) | 1977-03-10 | 1978-03-10 | イオン発生装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6048879B2 (ja) |
CH (1) | CH626706A5 (ja) |
DE (1) | DE2809054A1 (ja) |
FR (1) | FR2383536A1 (ja) |
GB (1) | GB1598957A (ja) |
IT (1) | IT1107132B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT354617B (de) * | 1978-07-06 | 1980-01-25 | Fleck Carl M Dr | Vorrichtung zur erzeugung von ionen |
DE19755681C2 (de) * | 1997-12-15 | 2001-06-28 | Rudolf Weyergans | Vorrichtung zur Luftionisation |
EP2596556B1 (de) | 2010-10-08 | 2015-04-01 | Weyergans, Rudolf | Verfahren und anordnung zur erhöhung der konzentration von negativ-ionen in einem geschlossenen raum |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4847790A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-06 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3296491A (en) * | 1961-09-19 | 1967-01-03 | Martin M Decker | Method and apparatus for producing ions and electrically-charged aerosols |
US3234432A (en) * | 1961-12-28 | 1966-02-08 | Rca Corp | Air ionizer |
GB1305382A (ja) * | 1969-03-07 | 1973-01-31 | ||
US3660656A (en) * | 1970-08-26 | 1972-05-02 | Eastman Kodak Co | Light lock for corona device |
-
1978
- 1978-02-28 CH CH214178A patent/CH626706A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-03-02 DE DE19782809054 patent/DE2809054A1/de active Granted
- 1978-03-09 IT IT67506/78A patent/IT1107132B/it active
- 1978-03-10 GB GB9646/78A patent/GB1598957A/en not_active Expired
- 1978-03-10 FR FR7806997A patent/FR2383536A1/fr active Pending
- 1978-03-10 JP JP53027587A patent/JPS6048879B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4847790A (ja) * | 1971-10-18 | 1973-07-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2809054C2 (ja) | 1989-10-26 |
CH626706A5 (en) | 1981-11-30 |
FR2383536A1 (fr) | 1978-10-06 |
IT1107132B (it) | 1985-11-18 |
JPS53112696A (en) | 1978-10-02 |
GB1598957A (en) | 1981-09-30 |
DE2809054A1 (de) | 1978-09-21 |
IT7867506A0 (it) | 1978-03-09 |
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