JPS6046908A - ＳｉＣ粉末の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPS6046908A JPS6046908A JP58153139A JP15313983A JPS6046908A JP S6046908 A JPS6046908 A JP S6046908A JP 58153139 A JP58153139 A JP 58153139A JP 15313983 A JP15313983 A JP 15313983A JP S6046908 A JPS6046908 A JP S6046908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- carbon
- felt
- fiber
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳｉＣ粉末の製造方法に関するものである。
最近、高純度のβ−８ｉＣが注目されている。例えば、
「工業レアメタルＪ Ａ７５（１９８０）第７８〜８１
頁にも紹介されているように、β−３ｉＣは従来からの
微粉末研磨材としての用途のみてなく、種々の充填剤や
更には焼結粉末として利用され、その焼結体は耐熱高強
度材料として注目されている。従ってβ−８ｉＣの品質
は用途によって純度や粒度、粒形なと種々の要求があり
、それに応じた製造法が従来から提供され、実用化され
ている。
「工業レアメタルＪ Ａ７５（１９８０）第７８〜８１
頁にも紹介されているように、β−３ｉＣは従来からの
微粉末研磨材としての用途のみてなく、種々の充填剤や
更には焼結粉末として利用され、その焼結体は耐熱高強
度材料として注目されている。従ってβ−８ｉＣの品質
は用途によって純度や粒度、粒形なと種々の要求があり
、それに応じた製造法が従来から提供され、実用化され
ている。
ところで、例えば耐熱高強度焼結体用の粉末は、直径が
１μｍ以下の微粒子が好ましいが、この様な微粒子の／
’−８ｉＣを製造するために、原料の炭素粉末はそれに
応じた微粉末が使用されていた。
１μｍ以下の微粒子が好ましいが、この様な微粒子の／
’−８ｉＣを製造するために、原料の炭素粉末はそれに
応じた微粉末が使用されていた。
しかしながら、この微粉末は軽いために飛散し−やすく
、環境汚染上問題点があり、また比較的高価でもあった
。
、環境汚染上問題点があり、また比較的高価でもあった
。
そこで本発明は、安価で取扱いが谷易な原料にて種々の
用途に使用できるβ−８ｉＣの粉末を製造する方法に係
り、その特徴は、炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリ
カ粉末とを混合して黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしく
は不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素フェルトもしくは
炭素繊維とシリカ粉末とを反応させてＳｉＣを生成する
工程を含むことにある。
用途に使用できるβ−８ｉＣの粉末を製造する方法に係
り、その特徴は、炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリ
カ粉末とを混合して黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしく
は不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素フェルトもしくは
炭素繊維とシリカ粉末とを反応させてＳｉＣを生成する
工程を含むことにある。
以下に図面を参照しながら本発明の実施例の一つを説明
する。
する。
真空装置１内には高周波誘導加熱される黒鉛製のルツボ
２が配置されており、このルツボ２内に炭素フェルトを
ほぐしたものかもしくは長さ１〜５Ｈ程度の炭素繊維と
シリカ粉末との混合物５が充填されている。炭素繊維は
通常市販されている直径が４〜１０＃！Ｉμｍ程のもの
が使用されるが、炭素フェルトの場合もほぐして使用さ
れるため、フェルト製品としては不良品であるものや、
切断屑でも使用可能である。ぞして真空装置１内を真空
にし、更に必要であれば不活性ガスを充填して１５００
℃〜１９００℃の温度で５分から６０分間程度加熱する
と、繊維状もしくはフェルト状のβ−８ｉＣが生成され
る。つまり、この生成物はもとの炭素の繊維方向に連ら
なりた粒子として得られするが、この粒子同志の結合は
ゆるやかであり、簡単に粉砕されて粉末にすることがで
きる。この様にして得られる粉末の粒度は原材料の繊維
の太さおよび粉砕条件を選定することにより任意に選定
することができ、粒径が０．５μｍから２０μｍ程度の
ものまで得ることができる。従って、例えば耐熱高強度
焼結体用の粉末としては繊維の太さが１μｍ以下の原料
を選定して１μｍ以下の粒子に、研磨材や充Ｊｌとして
使用するときには最大２０４ｍ程度の太さの繊維を選定
して、相応の粒子に粉砕される。
２が配置されており、このルツボ２内に炭素フェルトを
ほぐしたものかもしくは長さ１〜５Ｈ程度の炭素繊維と
シリカ粉末との混合物５が充填されている。炭素繊維は
通常市販されている直径が４〜１０＃！Ｉμｍ程のもの
が使用されるが、炭素フェルトの場合もほぐして使用さ
れるため、フェルト製品としては不良品であるものや、
切断屑でも使用可能である。ぞして真空装置１内を真空
にし、更に必要であれば不活性ガスを充填して１５００
℃〜１９００℃の温度で５分から６０分間程度加熱する
と、繊維状もしくはフェルト状のβ−８ｉＣが生成され
る。つまり、この生成物はもとの炭素の繊維方向に連ら
なりた粒子として得られするが、この粒子同志の結合は
ゆるやかであり、簡単に粉砕されて粉末にすることがで
きる。この様にして得られる粉末の粒度は原材料の繊維
の太さおよび粉砕条件を選定することにより任意に選定
することができ、粒径が０．５μｍから２０μｍ程度の
ものまで得ることができる。従って、例えば耐熱高強度
焼結体用の粉末としては繊維の太さが１μｍ以下の原料
を選定して１μｍ以下の粒子に、研磨材や充Ｊｌとして
使用するときには最大２０４ｍ程度の太さの繊維を選定
して、相応の粒子に粉砕される。
そして、得られた粉末粒子も比較的角が少くて球形に近
いものである。
いものである。
この様に木兄りｊは、原料として炭素微粉末を用いるこ
となく炭素フェルトもしくは炭素繊維を使用し、粒子が
繊維方向に弱く結合した状態で７ｌ−８ｉＣで生成させ
、簡単に粉砕することにょシ任意の大きさの粒子とする
ので、炭素微粉末にょる順境汚染の問題がなく、原料の
取扱いが非常に容易である。そしてこれらの原料は炭素
繊維もしくはフェルト製品としては不良品であるものや
切断屑として廃棄されるものでも使用できるのでコスト
面で有利である。更に原材料の繊維の太さを選定しさえ
すれば簡単な粉砕で任意の粒度のものを得ることができ
、ことに炭素繊維や炭素フェルトから粒径１μｍ以下の
耐熱高強度焼結体用の粉末を簡単に得ることのできる利
点は極めて大きい。従って本発明によれば、安価で取扱
いが容易な原料にて種々の用途に使用できるｆｉ−８ｉ
Ｃの粉末を容易に製造できる方法を提供することができ
る。
となく炭素フェルトもしくは炭素繊維を使用し、粒子が
繊維方向に弱く結合した状態で７ｌ−８ｉＣで生成させ
、簡単に粉砕することにょシ任意の大きさの粒子とする
ので、炭素微粉末にょる順境汚染の問題がなく、原料の
取扱いが非常に容易である。そしてこれらの原料は炭素
繊維もしくはフェルト製品としては不良品であるものや
切断屑として廃棄されるものでも使用できるのでコスト
面で有利である。更に原材料の繊維の太さを選定しさえ
すれば簡単な粉砕で任意の粒度のものを得ることができ
、ことに炭素繊維や炭素フェルトから粒径１μｍ以下の
耐熱高強度焼結体用の粉末を簡単に得ることのできる利
点は極めて大きい。従って本発明によれば、安価で取扱
いが容易な原料にて種々の用途に使用できるｆｉ−８ｉ
Ｃの粉末を容易に製造できる方法を提供することができ
る。
図面は製造工程を示す断面図である。
１・・・真空装！ ２・・・黒鉛製ルツボ３・・・原料
混合物 出願人 ウシオ電機株式会社
混合物 出願人 ウシオ電機株式会社
Claims (1)
- 炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリカ粉末とを混合し
て黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしくは不活性ガス雰囲
気中で加熱して炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリカ
粉末とを反応させてＳｉＣを生成する工程を含むＳｉＣ
粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153139A JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153139A JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046908A true JPS6046908A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0249244B2 JPH0249244B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=15555859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153139A Granted JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046908A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041266B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-05-09 | Advanced Composite Materials Corp. | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom |
| US7083771B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
| US9688583B2 (en) | 2006-03-30 | 2017-06-27 | Advanced Composite Materials, Llc | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58153139A patent/JPS6046908A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041266B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-05-09 | Advanced Composite Materials Corp. | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom |
| US7083771B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
| US9688583B2 (en) | 2006-03-30 | 2017-06-27 | Advanced Composite Materials, Llc | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249244B2 (ja) | 1990-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4079459B2 (ja) | 黒鉛発泡物質及びその製造方法 | |
| FI68604B (fi) | Framstaellning av kubisk bornitrid ur pulveraktig hexagonal bonitrid utan katalyt | |
| TW364894B (en) | Process for producing high purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal | |
| CN101544851B (zh) | 一种金属结合剂空心球形超硬复合材料及其制造方法 | |
| EP0719609A3 (en) | Process for the preparation of a non porous getter material with high porosity as well as the material thus obtained | |
| JPS584450B2 (ja) | ハンドウタイノ カクサンド−ピングシヨリヨウノ コタイノリンガンユウゲンブツタイオヨビ ソノセイゾウホウ | |
| US4605542A (en) | Process for producing silicon carbide whisker | |
| JPS6046908A (ja) | ＳｉＣ粉末の製造方法 | |
| JP2018135223A (ja) | セラミック複合材料の製造方法及びセラミック部材の製造方法 | |
| US3010839A (en) | Method of making silicon monoxide articles | |
| EP0005359A1 (en) | Method for making beta silicon carbide | |
| JP2000203955A (ja) | ダイヤモンド―炭化ケイ素複合焼結体の製造方法 | |
| JP2010261088A (ja) | 繊維強化Ａｌ複合材料 | |
| JPH0226862A (ja) | シリカ焼結体の製造方法 | |
| JPH0628250B2 (ja) | 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| EP0179670A2 (en) | Production of silicon carbide cobweb whiskers | |
| TWI784239B (zh) | 以環保碳黑結合矽源製備碳化矽系統及其方法 | |
| JP6261384B2 (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
| JP2820865B2 (ja) | 石英ガラス発泡体の製造方法 | |
| JPH05279002A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JPH03201577A (ja) | Ｂｉ―Ｓｂ―Ｔｅ―Ｓｅ系熱電半導体材料の製法 | |
| KR20230079075A (ko) | 흑색 석영 유리 및 그 제조 방법 | |
| GB2054540A (en) | A sintered silicon carbide product and a process for producing the same | |
| JPS6278114A (ja) | ジルコニア粉末の製造方法 | |
| JPS63201010A (ja) | 超微粒炭化けい素粉末の製造法 |