JPS6046908A - ＳｉＣ粉末の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPS6046908A JPS6046908A JP58153139A JP15313983A JPS6046908A JP S6046908 A JPS6046908 A JP S6046908A JP 58153139 A JP58153139 A JP 58153139A JP 15313983 A JP15313983 A JP 15313983A JP S6046908 A JPS6046908 A JP S6046908A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- carbon
- felt
- fiber
- sic
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- Granted
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳｉＣ粉末の製造方法に関するものである。
最近、高純度のβ−８ｉＣが注目されている。例えば、
「工業レアメタルＪ Ａ７５（１９８０）第７８〜８１
頁にも紹介されているように、β−３ｉＣは従来からの
微粉末研磨材としての用途のみてなく、種々の充填剤や
更には焼結粉末として利用され、その焼結体は耐熱高強
度材料として注目されている。従ってβ−８ｉＣの品質
は用途によって純度や粒度、粒形なと種々の要求があり
、それに応じた製造法が従来から提供され、実用化され
ている。
「工業レアメタルＪ Ａ７５（１９８０）第７８〜８１
頁にも紹介されているように、β−３ｉＣは従来からの
微粉末研磨材としての用途のみてなく、種々の充填剤や
更には焼結粉末として利用され、その焼結体は耐熱高強
度材料として注目されている。従ってβ−８ｉＣの品質
は用途によって純度や粒度、粒形なと種々の要求があり
、それに応じた製造法が従来から提供され、実用化され
ている。
ところで、例えば耐熱高強度焼結体用の粉末は、直径が
１μｍ以下の微粒子が好ましいが、この様な微粒子の／
’−８ｉＣを製造するために、原料の炭素粉末はそれに
応じた微粉末が使用されていた。
１μｍ以下の微粒子が好ましいが、この様な微粒子の／
’−８ｉＣを製造するために、原料の炭素粉末はそれに
応じた微粉末が使用されていた。
しかしながら、この微粉末は軽いために飛散し−やすく
、環境汚染上問題点があり、また比較的高価でもあった
。
、環境汚染上問題点があり、また比較的高価でもあった
。
そこで本発明は、安価で取扱いが谷易な原料にて種々の
用途に使用できるβ−８ｉＣの粉末を製造する方法に係
り、その特徴は、炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリ
カ粉末とを混合して黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしく
は不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素フェルトもしくは
炭素繊維とシリカ粉末とを反応させてＳｉＣを生成する
工程を含むことにある。
用途に使用できるβ−８ｉＣの粉末を製造する方法に係
り、その特徴は、炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリ
カ粉末とを混合して黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしく
は不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素フェルトもしくは
炭素繊維とシリカ粉末とを反応させてＳｉＣを生成する
工程を含むことにある。
以下に図面を参照しながら本発明の実施例の一つを説明
する。
する。
真空装置１内には高周波誘導加熱される黒鉛製のルツボ
２が配置されており、このルツボ２内に炭素フェルトを
ほぐしたものかもしくは長さ１〜５Ｈ程度の炭素繊維と
シリカ粉末との混合物５が充填されている。炭素繊維は
通常市販されている直径が４〜１０＃！Ｉμｍ程のもの
が使用されるが、炭素フェルトの場合もほぐして使用さ
れるため、フェルト製品としては不良品であるものや、
切断屑でも使用可能である。ぞして真空装置１内を真空
にし、更に必要であれば不活性ガスを充填して１５００
℃〜１９００℃の温度で５分から６０分間程度加熱する
と、繊維状もしくはフェルト状のβ−８ｉＣが生成され
る。つまり、この生成物はもとの炭素の繊維方向に連ら
なりた粒子として得られするが、この粒子同志の結合は
ゆるやかであり、簡単に粉砕されて粉末にすることがで
きる。この様にして得られる粉末の粒度は原材料の繊維
の太さおよび粉砕条件を選定することにより任意に選定
することができ、粒径が０．５μｍから２０μｍ程度の
ものまで得ることができる。従って、例えば耐熱高強度
焼結体用の粉末としては繊維の太さが１μｍ以下の原料
を選定して１μｍ以下の粒子に、研磨材や充Ｊｌとして
使用するときには最大２０４ｍ程度の太さの繊維を選定
して、相応の粒子に粉砕される。
２が配置されており、このルツボ２内に炭素フェルトを
ほぐしたものかもしくは長さ１〜５Ｈ程度の炭素繊維と
シリカ粉末との混合物５が充填されている。炭素繊維は
通常市販されている直径が４〜１０＃！Ｉμｍ程のもの
が使用されるが、炭素フェルトの場合もほぐして使用さ
れるため、フェルト製品としては不良品であるものや、
切断屑でも使用可能である。ぞして真空装置１内を真空
にし、更に必要であれば不活性ガスを充填して１５００
℃〜１９００℃の温度で５分から６０分間程度加熱する
と、繊維状もしくはフェルト状のβ−８ｉＣが生成され
る。つまり、この生成物はもとの炭素の繊維方向に連ら
なりた粒子として得られするが、この粒子同志の結合は
ゆるやかであり、簡単に粉砕されて粉末にすることがで
きる。この様にして得られる粉末の粒度は原材料の繊維
の太さおよび粉砕条件を選定することにより任意に選定
することができ、粒径が０．５μｍから２０μｍ程度の
ものまで得ることができる。従って、例えば耐熱高強度
焼結体用の粉末としては繊維の太さが１μｍ以下の原料
を選定して１μｍ以下の粒子に、研磨材や充Ｊｌとして
使用するときには最大２０４ｍ程度の太さの繊維を選定
して、相応の粒子に粉砕される。
そして、得られた粉末粒子も比較的角が少くて球形に近
いものである。
いものである。
この様に木兄りｊは、原料として炭素微粉末を用いるこ
となく炭素フェルトもしくは炭素繊維を使用し、粒子が
繊維方向に弱く結合した状態で７ｌ−８ｉＣで生成させ
、簡単に粉砕することにょシ任意の大きさの粒子とする
ので、炭素微粉末にょる順境汚染の問題がなく、原料の
取扱いが非常に容易である。そしてこれらの原料は炭素
繊維もしくはフェルト製品としては不良品であるものや
切断屑として廃棄されるものでも使用できるのでコスト
面で有利である。更に原材料の繊維の太さを選定しさえ
すれば簡単な粉砕で任意の粒度のものを得ることができ
、ことに炭素繊維や炭素フェルトから粒径１μｍ以下の
耐熱高強度焼結体用の粉末を簡単に得ることのできる利
点は極めて大きい。従って本発明によれば、安価で取扱
いが容易な原料にて種々の用途に使用できるｆｉ−８ｉ
Ｃの粉末を容易に製造できる方法を提供することができ
る。
となく炭素フェルトもしくは炭素繊維を使用し、粒子が
繊維方向に弱く結合した状態で７ｌ−８ｉＣで生成させ
、簡単に粉砕することにょシ任意の大きさの粒子とする
ので、炭素微粉末にょる順境汚染の問題がなく、原料の
取扱いが非常に容易である。そしてこれらの原料は炭素
繊維もしくはフェルト製品としては不良品であるものや
切断屑として廃棄されるものでも使用できるのでコスト
面で有利である。更に原材料の繊維の太さを選定しさえ
すれば簡単な粉砕で任意の粒度のものを得ることができ
、ことに炭素繊維や炭素フェルトから粒径１μｍ以下の
耐熱高強度焼結体用の粉末を簡単に得ることのできる利
点は極めて大きい。従って本発明によれば、安価で取扱
いが容易な原料にて種々の用途に使用できるｆｉ−８ｉ
Ｃの粉末を容易に製造できる方法を提供することができ
る。
図面は製造工程を示す断面図である。
１・・・真空装！ ２・・・黒鉛製ルツボ３・・・原料
混合物 出願人 ウシオ電機株式会社
混合物 出願人 ウシオ電機株式会社
Claims (1)
- 炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリカ粉末とを混合し
て黒鉛製ルツボに入れ、真空中もしくは不活性ガス雰囲
気中で加熱して炭素フェルトもしくは炭素繊維とシリカ
粉末とを反応させてＳｉＣを生成する工程を含むＳｉＣ
粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153139A JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153139A JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046908A true JPS6046908A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0249244B2 JPH0249244B2 (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=15555859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153139A Granted JPS6046908A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | ＳｉＣ粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046908A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041266B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-05-09 | Advanced Composite Materials Corp. | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom |
| US7083771B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
| US9688583B2 (en) | 2006-03-30 | 2017-06-27 | Advanced Composite Materials, Llc | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58153139A patent/JPS6046908A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041266B1 (en) | 2002-07-10 | 2006-05-09 | Advanced Composite Materials Corp. | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom |
| US7083771B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
| US9688583B2 (en) | 2006-03-30 | 2017-06-27 | Advanced Composite Materials, Llc | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
| JP2013503099A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249244B2 (ja) | 1990-10-29 |
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