JPS6045490B2 - テ−プ端検出回路 - Google Patents
テ−プ端検出回路Info
- Publication number
- JPS6045490B2 JPS6045490B2 JP11024579A JP11024579A JPS6045490B2 JP S6045490 B2 JPS6045490 B2 JP S6045490B2 JP 11024579 A JP11024579 A JP 11024579A JP 11024579 A JP11024579 A JP 11024579A JP S6045490 B2 JPS6045490 B2 JP S6045490B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- detection circuit
- sensor
- end detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビデオテープレコーダ（以下ＶＴＲと称す）の
テープ端検出回路に関する。
テープ端検出回路に関する。
最近急速に普及しつつある家庭用ＶＴＲのテープ端の検
出は、テープ上に設けられた箔の電気伝導度変化を利用
した非接触型センサを用いることが一般化しつつある。
出は、テープ上に設けられた箔の電気伝導度変化を利用
した非接触型センサを用いることが一般化しつつある。
そこで本発明の目的は、テープ上に設けられた箔の電気
伝導度変化をトランスの１次２次側コイルの結合係数変
化に用い、温度安定性の良い差動アンプの発振回路を使
用すると共に、ＣＭＯＳとトランジスタを用いた簡単な
構成の検波回路を用いて、発振の有無を論理的に判定し
、テープの始端および終端を検出するテープ端検出回路
を提供することである。以下図に従い本発明の一実施例
を説明する。
伝導度変化をトランスの１次２次側コイルの結合係数変
化に用い、温度安定性の良い差動アンプの発振回路を使
用すると共に、ＣＭＯＳとトランジスタを用いた簡単な
構成の検波回路を用いて、発振の有無を論理的に判定し
、テープの始端および終端を検出するテープ端検出回路
を提供することである。以下図に従い本発明の一実施例
を説明する。
回路構成を第１図に示す。Ｔはセンサ用トランスで第２
図に示すような構造を有している。このトラ・ンスは図
の様に３端子構成で、コイルｔｌ、を２の巻き方向は逆
になつている。Ｃ２は共振タンク用コンデンサであり、
トランジスタＱ、、Ｑ。による差動増幅回路とトランジ
スタＱ３によるエミッタフォロア回路が発振回路段を構
成し、トランジスタ）Ｑ３のエミッタ電位はＶＤＤＩ２
になる直流電位に設定される。コンデンサＣｌと抵抗Ｒ
、は差動増幅回路とセンサ用トランスとの間で正帰還回
路を構成している。α〜Ｑ６は検波回路段を構成するＣ
ＭＯＳインバータとトランジスタでＲ７は負帰還クおよ
び電圧供給用抵抗で、Ｄ、はトランジスタＱ６のベース
・エミッタ間に接続された帰還用ダイオ−ドである。Ｃ
ＭＯＳインバータＱ。Ｑ５は増幅器として動作し、トラ
ンジスタＱ６のコレクタにはＣＭＯＳインバータＱ４と
ｑのゲート入力信号の正の半サイクルの信号が半波整流
波形として表われる。この信号をコンデンサＣ３で平滑
しトランジスタＱ７をインバータとして動作させる構成
となつている。今通常のテープ走行状態にあると、セン
サ用トランスＴの結合係数は第１の状態にあつて差動増
幅回路は発振状態にある。したがつてＣＭＳＯインバー
タ回路Ｑ４，Ｑ５の出力に接続されたトランジスタ９と
ダイオードＤ１と抵抗Ｒ２により、ＣＭＯＳインバータ
回路Ｑ４，Ｑ５は増幅器として動作し、前記トランジス
タＱ６がＣ級増幅器として動作する結果、そのコレクタ
にはＣＭＯＳインバータ回路Ｑ４，Ｑ．に印加した発振
出力信号の半波整流信号が出力される。そしてこの出力
がコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３，Ｒ４により平滑されて、
バッファ用トランジスタＱ７を論理動作させ、その出力
を“Ｌ゛の状態とする。また第２図に示す通り、テープ
１の始端あるいは終端に設けられた箔冫２がセンサ用ト
ランスＴの前方を通過すると、センサ用トランスＴの結
合係数は第２の状態となり発振は停止する。その結果検
波回路段の出力は無くなり、トランジスタＱ７の出力ぱ
゜Ｈ゛となり論理的なテープ端検出が行なわれることに
なる。なおＣＭＯＳインバータＱ４，Ｑ５のゲートは、
帰還抵抗Ｒ７のため直流的に■Ｃ，Ｊ２に維持され、こ
れと同電位のトランジスタＱ３のエミッタに直流的に結
合されているため、ゲート間容量による信号の蓄積が起
きることはない。以上説明した本発明のテープ端検出回
路は、非接触型の３端子センサと、温度および電源電圧
変動に対し安定性の高い差動増幅回路による発振回・路
と、ＣＭＯＳのゲート容量による信号の蓄積を防止した
エミッタフォロア回路とＣＭＯＳインバータ回路との組
合せとにより、簡単なＩＣ回路にして、しかも安定性が
高く応答の速いテープ端検出が行なえるものである。
図に示すような構造を有している。このトラ・ンスは図
の様に３端子構成で、コイルｔｌ、を２の巻き方向は逆
になつている。Ｃ２は共振タンク用コンデンサであり、
トランジスタＱ、、Ｑ。による差動増幅回路とトランジ
スタＱ３によるエミッタフォロア回路が発振回路段を構
成し、トランジスタ）Ｑ３のエミッタ電位はＶＤＤＩ２
になる直流電位に設定される。コンデンサＣｌと抵抗Ｒ
、は差動増幅回路とセンサ用トランスとの間で正帰還回
路を構成している。α〜Ｑ６は検波回路段を構成するＣ
ＭＯＳインバータとトランジスタでＲ７は負帰還クおよ
び電圧供給用抵抗で、Ｄ、はトランジスタＱ６のベース
・エミッタ間に接続された帰還用ダイオ−ドである。Ｃ
ＭＯＳインバータＱ。Ｑ５は増幅器として動作し、トラ
ンジスタＱ６のコレクタにはＣＭＯＳインバータＱ４と
ｑのゲート入力信号の正の半サイクルの信号が半波整流
波形として表われる。この信号をコンデンサＣ３で平滑
しトランジスタＱ７をインバータとして動作させる構成
となつている。今通常のテープ走行状態にあると、セン
サ用トランスＴの結合係数は第１の状態にあつて差動増
幅回路は発振状態にある。したがつてＣＭＳＯインバー
タ回路Ｑ４，Ｑ５の出力に接続されたトランジスタ９と
ダイオードＤ１と抵抗Ｒ２により、ＣＭＯＳインバータ
回路Ｑ４，Ｑ５は増幅器として動作し、前記トランジス
タＱ６がＣ級増幅器として動作する結果、そのコレクタ
にはＣＭＯＳインバータ回路Ｑ４，Ｑ．に印加した発振
出力信号の半波整流信号が出力される。そしてこの出力
がコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３，Ｒ４により平滑されて、
バッファ用トランジスタＱ７を論理動作させ、その出力
を“Ｌ゛の状態とする。また第２図に示す通り、テープ
１の始端あるいは終端に設けられた箔冫２がセンサ用ト
ランスＴの前方を通過すると、センサ用トランスＴの結
合係数は第２の状態となり発振は停止する。その結果検
波回路段の出力は無くなり、トランジスタＱ７の出力ぱ
゜Ｈ゛となり論理的なテープ端検出が行なわれることに
なる。なおＣＭＯＳインバータＱ４，Ｑ５のゲートは、
帰還抵抗Ｒ７のため直流的に■Ｃ，Ｊ２に維持され、こ
れと同電位のトランジスタＱ３のエミッタに直流的に結
合されているため、ゲート間容量による信号の蓄積が起
きることはない。以上説明した本発明のテープ端検出回
路は、非接触型の３端子センサと、温度および電源電圧
変動に対し安定性の高い差動増幅回路による発振回・路
と、ＣＭＯＳのゲート容量による信号の蓄積を防止した
エミッタフォロア回路とＣＭＯＳインバータ回路との組
合せとにより、簡単なＩＣ回路にして、しかも安定性が
高く応答の速いテープ端検出が行なえるものである。
第１図は本発明の一実施例になるテープ端検出回路の図
、第２図Ａ，Ｂはセンサ用トランスの構造、およびテー
プ端検出状態を示す図、第２図Ｃはトランスの巻線方向
を示す図である。 Ｔ・・・・・・センサ用トランス、Ｑｌ，Ｑ２，Ｑ３・
・・・・・発振回路段を構成するトランジスタ、Ｑ４，
Ｑ５，Ｑ６・・検波段を構成するＣＭＯＳインバータお
よびトランジスタ。
、第２図Ａ，Ｂはセンサ用トランスの構造、およびテー
プ端検出状態を示す図、第２図Ｃはトランスの巻線方向
を示す図である。 Ｔ・・・・・・センサ用トランス、Ｑｌ，Ｑ２，Ｑ３・
・・・・・発振回路段を構成するトランジスタ、Ｑ４，
Ｑ５，Ｑ６・・検波段を構成するＣＭＯＳインバータお
よびトランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １次および２次巻線を有し、テープ上に配置された
箔による上記両巻線間の結合度変化を検出する非接触型
の３端子センサと、該３端子センサの出力状態により発
振状態と発振停止状態とになる発振回路と、該発振回路
の出力を検波する検波回路と、検波回路の出力によりＯ
Ｎ、ＯＦＦする切換回路とより構成されたことを特徴と
するテープ端検出回路。 ２ 上記発振回路が上記センサとの間で共振回路を構成
するコンデンサと、発振増幅用の差動増幅回路と、該差
動増幅回路の第１の出力端と上記センサとの間に接続さ
れた正帰還回路と、上記差動増幅回路の第２の出力端に
接続されたエミッタフォロア回路とで構成されたことを
特徴とする請求の範囲第１項記載のテープ端検出回路。 ３ 上記検波回路がＣＭＯＳインバータ回路と、その出
力に接続されたトランジスタと、そのトランジスタのベ
ース・エミッタ間に接続されたダイオードと、上記エミ
ッタと上記ＣＭＯＳインバータ回路の入力端間に接続さ
れた帰還回路とで構成されたことを特徴とする請求の範
囲第１項あるいは第２項記載のテープ端検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024579A JPS6045490B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | テ−プ端検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024579A JPS6045490B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | テ−プ端検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5637842A JPS5637842A (en) | 1981-04-11 |
| JPS6045490B2 true JPS6045490B2 (ja) | 1985-10-09 |
Family
ID=14530782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11024579A Expired JPS6045490B2 (ja) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | テ−プ端検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045490B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149879U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | ||
| JPH0414954Y2 (ja) * | 1986-10-08 | 1992-04-03 |
-
1979
- 1979-08-31 JP JP11024579A patent/JPS6045490B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149879U (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | ||
| JPH0414954Y2 (ja) * | 1986-10-08 | 1992-04-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5637842A (en) | 1981-04-11 |
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