JPS6043013B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS6043013B2 JPS6043013B2 JP7631879A JP7631879A JPS6043013B2 JP S6043013 B2 JPS6043013 B2 JP S6043013B2 JP 7631879 A JP7631879 A JP 7631879A JP 7631879 A JP7631879 A JP 7631879A JP S6043013 B2 JPS6043013 B2 JP S6043013B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- sealing
- cap
- collet
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造装置にかゝり、特に半導体
装置におけるパッケージの封止装置の改良に関する。
装置におけるパッケージの封止装置の改良に関する。
半導体装置の一例に第1図に示す如きパッケージ1に半
導体素子を配設して形成してなるものに、第2図に示す
キャップ2を封着して形成されるものがある。
導体素子を配設して形成してなるものに、第2図に示す
キャップ2を封着して形成されるものがある。
第1図はパッケージの斜視図、第2図aはキャップを第
1図のパッケージと同じ角度から視た斜視図、同図をは
同図aと直角方向(図aは俯角、図bは仰角)から視た
斜視図にて示される。そして封着のためのセラミックス
でなるパッケージ1の上面の金属化層1aの構成はW・
メタライズ層、めつきニッケル層(金層が表層)の積層
層にてなり、キャップ2はKOV板2aにてなり前記パ
ッケージの金属化層1aと対向”する部位にめつき金層
と金すゞ層(金8仄すゞ20にてなる箔)2bが設けら
れてなる。上述の如くなる半導体装置の封止は第3図に
概略を側面図によつて示す如き加熱炉3にパッケージと
キャップとを対接せしめて挿入することにより達成され
る。
1図のパッケージと同じ角度から視た斜視図、同図をは
同図aと直角方向(図aは俯角、図bは仰角)から視た
斜視図にて示される。そして封着のためのセラミックス
でなるパッケージ1の上面の金属化層1aの構成はW・
メタライズ層、めつきニッケル層(金層が表層)の積層
層にてなり、キャップ2はKOV板2aにてなり前記パ
ッケージの金属化層1aと対向”する部位にめつき金層
と金すゞ層(金8仄すゞ20にてなる箔)2bが設けら
れてなる。上述の如くなる半導体装置の封止は第3図に
概略を側面図によつて示す如き加熱炉3にパッケージと
キャップとを対接せしめて挿入することにより達成され
る。
上記加熱の一定化と工程の自動化のためにベルトコンベ
ヤ4が設けられ、これにパッケージとキャップとクリッ
プにて加圧挾持せしめて載置し送入される。第4図にク
リップ5によつて挾持されたパッケージ1とキャップ2
との状態を概略の断面図によつて示す。なお、加熱は非
酸化性雰囲気中において行なう必要から加熱炉中にはガ
ス導入管3a)ガス排出管3bとを配し、炉内にNo、
フォーミングガス(Noとルの混合気)ガス、H2等を
流通せしめるとともに、さらに外側(出入口)にはガス
カーテン形成のため配管31、3mを配して炉内へ不所
望の外気の流入の防止と、被処理部材に附着のおそれの
あるリント(ごみ)等の除去とをはかる如くなる。上記
従来の加熱炉方式の封止装置には次にあげる欠点がある
。
ヤ4が設けられ、これにパッケージとキャップとクリッ
プにて加圧挾持せしめて載置し送入される。第4図にク
リップ5によつて挾持されたパッケージ1とキャップ2
との状態を概略の断面図によつて示す。なお、加熱は非
酸化性雰囲気中において行なう必要から加熱炉中にはガ
ス導入管3a)ガス排出管3bとを配し、炉内にNo、
フォーミングガス(Noとルの混合気)ガス、H2等を
流通せしめるとともに、さらに外側(出入口)にはガス
カーテン形成のため配管31、3mを配して炉内へ不所
望の外気の流入の防止と、被処理部材に附着のおそれの
あるリント(ごみ)等の除去とをはかる如くなる。上記
従来の加熱炉方式の封止装置には次にあげる欠点がある
。
すなわち、(1)加熱炉設備の占めるスペースが大きい
。
。
一例の(長さ)×(幅)が圃×0.7mを占める。(2
)加熱炉に消費される電力、使用ガス量が大きく高価で
ある。一例の上記大きさの炉が最低必要であり、これに
用いられる電力は20KVA1ガス流量30001/H
以上である。(3)封止不良率が高い。
)加熱炉に消費される電力、使用ガス量が大きく高価で
ある。一例の上記大きさの炉が最低必要であり、これに
用いられる電力は20KVA1ガス流量30001/H
以上である。(3)封止不良率が高い。
パッケージ、封着用金属部材(またはんだ)、キャップ
の汚れおよび組立工程中に発生する金属部材の酸化によ
り1ぬれョが悪く、完全な気密封止が得にくい。(4)
加熱炉の昇温に時間がか)り、また温度のコントロール
が困難である。
の汚れおよび組立工程中に発生する金属部材の酸化によ
り1ぬれョが悪く、完全な気密封止が得にくい。(4)
加熱炉の昇温に時間がか)り、また温度のコントロール
が困難である。
また、この温度は雰囲気ガスの流量によつても若干支配
される。この発明は上記従来の欠点に対し、これを改良
する半導体装置の製造装置を提供するものてある。この
発明にか)る半導体装置の製造装置は下記の構成要件を
備えて半導体装置のパッケージにキャップを封着する如
くなる。
される。この発明は上記従来の欠点に対し、これを改良
する半導体装置の製造装置を提供するものてある。この
発明にか)る半導体装置の製造装置は下記の構成要件を
備えて半導体装置のパッケージにキャップを封着する如
くなる。
(a)気密になソー端に雰囲気ガスの導入口、他端に排
気口を備えた封止チャンバー。
気口を備えた封止チャンバー。
(b)前記封止チャンバーに内装され一端がパッケージ
の供給部、他端が取出部にして、前記の各々に連接し中
間がパッケージの加熱部になる一連のパッケージ送り封
止ステージ。
の供給部、他端が取出部にして、前記の各々に連接し中
間がパッケージの加熱部になる一連のパッケージ送り封
止ステージ。
(C)集積されたパッケージを前記パッケージ送り封止
ステージに送出するパッケージ送出機構。
ステージに送出するパッケージ送出機構。
(d) 一端がブロック部に形成された針部でなるキー
ヤツプ加重用錘の針部を自在に挿通する垂直の吸引孔を
有し、前記キャップ加重用錘を吸引孔に挿通しブロック
部にて懸架するとともに下面にキャップをその周縁にて
把持するコレットと、前記ブロック部よりも小径の吸引
口を有し.かつ前記吸引口からの吸引により錘が上下す
るための空間部を設けたコレットホルダを含み、前記錘
によりキャップを加圧しつ)揺動せしめる加圧揺動機構
。次にこの発明を一実施例の半導体装置の封止装一置に
つき図面を参照して詳細に説明する。
ヤツプ加重用錘の針部を自在に挿通する垂直の吸引孔を
有し、前記キャップ加重用錘を吸引孔に挿通しブロック
部にて懸架するとともに下面にキャップをその周縁にて
把持するコレットと、前記ブロック部よりも小径の吸引
口を有し.かつ前記吸引口からの吸引により錘が上下す
るための空間部を設けたコレットホルダを含み、前記錘
によりキャップを加圧しつ)揺動せしめる加圧揺動機構
。次にこの発明を一実施例の半導体装置の封止装一置に
つき図面を参照して詳細に説明する。
まず、第5図に示される封止装置の概要を示す上面図に
おいて、11は気密になる封止チャンバーで雰囲気ガス
の導入口11aよりN2または(N29O%,H2lO
%)の混合ガスを上記池ヤンバ内にフローせしめる。1
1bは上記ガスの排出口である。
おいて、11は気密になる封止チャンバーで雰囲気ガス
の導入口11aよりN2または(N29O%,H2lO
%)の混合ガスを上記池ヤンバ内にフローせしめる。1
1bは上記ガスの排出口である。
また10は上記チャンバ内に配された操作台を示す。次
に12は一連になるパッケージ送り封止ステージで、始
端はパッケージの供給部12aになり、予めマガジンに
充填されたパッケージ1,1″・・・をマガジン(図示
省略)より1個づつ所定のインデックスにて前記供給部
12a上に押出し配置する。図中13はパッケージを送
るための押゛し台で1インデックス毎にカム(図示省略
)にて所定長押す。これによりパッケージはステージ1
2上を進行してステージ中間部の加熱部12b上に連設
する。加熱部12bは初めはパッケージの予熱部にて接
合する金属層の溶融温度より低く設けられ、逐次上昇し
て最終の加熱ヘッドないしその1〜2ヘッド前から接合
金属の溶融温度に至する如くなる。そして、最終の加熱
ヘッドにて第5図ないし第9図に示される封着ヘッドに
入る。封着ヘッダー12cは第7図に封着体20が送り
レール(ヒータ台)14上に載つた状態を示す断面図、
第8図に封着ヘッダ部の上面図、第9図に封着ヘッダ部
の要部を側面断面図にて示す如くなる。すなわち、封着
ヘッダーにてパッケージ1はヒータの送りレール14に
て加熱されるとともに上部にキャップ2を載せ、パッケ
ージ上面の金属化層1aがキャップ下面の金すS゛層2
bに接触する如く位置合わせして重合され、かつキャッ
プには加圧用錘15が荷重される(第9図)。また、キ
ャップはコレット16によつて側面が保持され、このコ
レットはコレットホルダ17に支持され平面的にみて第
8図に破線矢印表示する口の字運動をなし封止を行なう
。次に第9図によつて封止部を詳述する。加重用錘15
は針部15aとその上端にブロック部15bとからなり
、この針部が自在に挿通てきる吸引孔16aをコレット
に備えるとともに、ブロック部は吸引孔よりも径大にな
るため吸引孔の上部開孔面に懸架される。また、コレッ
トホルダ内には上記加重用錘が上下するための空間部1
7aが設けられ、減圧導中17bに接続される。減圧に
おいては加重用錘は上昇し、キャップ2をコレット内に
保持する。なお、加重用錘は上昇した際コレットホルダ
内の空間部の内壁の上部に開口した減圧導中を閉塞する
恐れがあるため、ブロック部の頂部を対向する面と全面
で接触しない形に形成するか、または図示の如く頂面に
溝15cを設けて減圧の導通をはかる。コレットはキャ
ップを保持してパッケージに触れるまで下降し、吸引が
解除されて加重用錘の重量がキャップに加重される。こ
の加重は封着されるパッケージの大きさによるも5〜1
0yで満足すべき結果が得られる。上記加重は錘によつ
て加えられるので正確であり、この状態でコレットを揺
動する。なお、この機構については、後に第10図によ
つて詳述する。したがつて、キャップがパッケージ上て
揺動し、両者間の接合材の濡れ性が向上するのて、気密
性と接合強度が満足するものとなる。なお、図ではキャ
ップの供給部は図示を省略したが、一般に用いられるカ
セットにキャップを整列せしめて供給するキャップ供給
機構18により、第8図に示した口の字型のコレット1
6の運動におけるA点、またはB点にて減圧吸着して取
り出せる。カセットは一例のA点に常にキャップを所在
せしめる如く、行および列に変位する。次に上記コレッ
ト揺動機構につき第10図ないし第13図によつて説明
する。第10図はコレット部およびその揺動、駆動(X
,Y,Z方向変位)機構の一部を示す上面図、第11図
は第10図の連続部を示す上面図、第12図は第10図
に示される機構の側面図、第13図は第10図の正面図
を夫々示す。
に12は一連になるパッケージ送り封止ステージで、始
端はパッケージの供給部12aになり、予めマガジンに
充填されたパッケージ1,1″・・・をマガジン(図示
省略)より1個づつ所定のインデックスにて前記供給部
12a上に押出し配置する。図中13はパッケージを送
るための押゛し台で1インデックス毎にカム(図示省略
)にて所定長押す。これによりパッケージはステージ1
2上を進行してステージ中間部の加熱部12b上に連設
する。加熱部12bは初めはパッケージの予熱部にて接
合する金属層の溶融温度より低く設けられ、逐次上昇し
て最終の加熱ヘッドないしその1〜2ヘッド前から接合
金属の溶融温度に至する如くなる。そして、最終の加熱
ヘッドにて第5図ないし第9図に示される封着ヘッドに
入る。封着ヘッダー12cは第7図に封着体20が送り
レール(ヒータ台)14上に載つた状態を示す断面図、
第8図に封着ヘッダ部の上面図、第9図に封着ヘッダ部
の要部を側面断面図にて示す如くなる。すなわち、封着
ヘッダーにてパッケージ1はヒータの送りレール14に
て加熱されるとともに上部にキャップ2を載せ、パッケ
ージ上面の金属化層1aがキャップ下面の金すS゛層2
bに接触する如く位置合わせして重合され、かつキャッ
プには加圧用錘15が荷重される(第9図)。また、キ
ャップはコレット16によつて側面が保持され、このコ
レットはコレットホルダ17に支持され平面的にみて第
8図に破線矢印表示する口の字運動をなし封止を行なう
。次に第9図によつて封止部を詳述する。加重用錘15
は針部15aとその上端にブロック部15bとからなり
、この針部が自在に挿通てきる吸引孔16aをコレット
に備えるとともに、ブロック部は吸引孔よりも径大にな
るため吸引孔の上部開孔面に懸架される。また、コレッ
トホルダ内には上記加重用錘が上下するための空間部1
7aが設けられ、減圧導中17bに接続される。減圧に
おいては加重用錘は上昇し、キャップ2をコレット内に
保持する。なお、加重用錘は上昇した際コレットホルダ
内の空間部の内壁の上部に開口した減圧導中を閉塞する
恐れがあるため、ブロック部の頂部を対向する面と全面
で接触しない形に形成するか、または図示の如く頂面に
溝15cを設けて減圧の導通をはかる。コレットはキャ
ップを保持してパッケージに触れるまで下降し、吸引が
解除されて加重用錘の重量がキャップに加重される。こ
の加重は封着されるパッケージの大きさによるも5〜1
0yで満足すべき結果が得られる。上記加重は錘によつ
て加えられるので正確であり、この状態でコレットを揺
動する。なお、この機構については、後に第10図によ
つて詳述する。したがつて、キャップがパッケージ上て
揺動し、両者間の接合材の濡れ性が向上するのて、気密
性と接合強度が満足するものとなる。なお、図ではキャ
ップの供給部は図示を省略したが、一般に用いられるカ
セットにキャップを整列せしめて供給するキャップ供給
機構18により、第8図に示した口の字型のコレット1
6の運動におけるA点、またはB点にて減圧吸着して取
り出せる。カセットは一例のA点に常にキャップを所在
せしめる如く、行および列に変位する。次に上記コレッ
ト揺動機構につき第10図ないし第13図によつて説明
する。第10図はコレット部およびその揺動、駆動(X
,Y,Z方向変位)機構の一部を示す上面図、第11図
は第10図の連続部を示す上面図、第12図は第10図
に示される機構の側面図、第13図は第10図の正面図
を夫々示す。
図中、10は操作台、16はコレット、12cは封着ヘ
ッダー(前記はいずれも既述)、また、22cはコレッ
ト揺動用カムレバで前後進する コレットヘッドの移動
用シャフトを移動す るためのもの、22sはコレット
揺動用スプリング、第13図 破線矢印のカムレバによ
りコレットを左右 動するための補助に用いられ、コレ
ットを ストッパーに押しつけておくものである。
ッダー(前記はいずれも既述)、また、22cはコレッ
ト揺動用カムレバで前後進する コレットヘッドの移動
用シャフトを移動す るためのもの、22sはコレット
揺動用スプリング、第13図 破線矢印のカムレバによ
りコレットを左右 動するための補助に用いられ、コレ
ットを ストッパーに押しつけておくものである。
たとえば、揺動用ローラをカムに押しつけ てもよい
。32cは封着ヘッダ前進、後退用カムレバ、32sは
封着ヘッダ前進、後退用スプリング、42cは封着ヘッ
ダ上下用カムレバ、42sは封着ヘッダ上下用スプリン
グ、 を夫々示す。
。32cは封着ヘッダ前進、後退用カムレバ、32sは
封着ヘッダ前進、後退用スプリング、42cは封着ヘッ
ダ上下用カムレバ、42sは封着ヘッダ上下用スプリン
グ、 を夫々示す。
また図中にキャップ供給機構18の概略を破線表示した
。この装置による封止工程は次の如く行なわれる。
。この装置による封止工程は次の如く行なわれる。
まず、送りレール上をパッケージ1に押されて進行し、
中間の加熱部12bにて加熱され封止用ろう材の溶融温
度に保たれる。コレット16はカセットに整列収納され
たキャップ2を減圧吸着して取り出し、これを前記加熱
されたパッケージ上に搬送し載置する。そして、コレッ
ト内の加重用錘15が加重された状態にて揺動し封着を
達成する。この発明にか)る製造装置にはきわめてコン
パクトに、かつ使用ガス、電力とも少量にできる利点が
ある。
中間の加熱部12bにて加熱され封止用ろう材の溶融温
度に保たれる。コレット16はカセットに整列収納され
たキャップ2を減圧吸着して取り出し、これを前記加熱
されたパッケージ上に搬送し載置する。そして、コレッ
ト内の加重用錘15が加重された状態にて揺動し封着を
達成する。この発明にか)る製造装置にはきわめてコン
パクトに、かつ使用ガス、電力とも少量にできる利点が
ある。
すなわち、従来の一例の折置との比は占有スペースにお
いて約1イ(従来?×0.7m)(以下括弧内に従来を
示す)、稼動における使用ガス量において1000e/
H以下(3000e/H)、使用電力0.5KW(16
KW)と顕著な利点がある。次にはんだ封止において、
単に加圧する従来においては濡れの悪いところ、すなわ
ち汚れ、酸化等のあるところがそのま)エアリークとな
るが、この発明によれば蓋または容器をスクラブするこ
とにより汚れ、酸化物等を封止部分から1はじき出すョ
作用があるため封止不良が著減する。さらに、この発明
の装置によれば封止における雰囲気コントロールが安定
する利点もある。
いて約1イ(従来?×0.7m)(以下括弧内に従来を
示す)、稼動における使用ガス量において1000e/
H以下(3000e/H)、使用電力0.5KW(16
KW)と顕著な利点がある。次にはんだ封止において、
単に加圧する従来においては濡れの悪いところ、すなわ
ち汚れ、酸化等のあるところがそのま)エアリークとな
るが、この発明によれば蓋または容器をスクラブするこ
とにより汚れ、酸化物等を封止部分から1はじき出すョ
作用があるため封止不良が著減する。さらに、この発明
の装置によれば封止における雰囲気コントロールが安定
する利点もある。
第1図は半導体装置のパッケージの斜視図、第2図aは
半導体装置のキャップの斜視図、同図bは図aと直角方
向から視た斜視図、第3図は封止装置の概要を示す側面
図、第4図は治具による封止を説明するための断面図、
第5図以後はこの発明にか)る封止装置にか)り、第5
図は概要を示す上面図、第6図は側面図、第7図は封着
ヘッダの断面図、第8図は封着ヘッダの上面図、第9図
は封着ヘッダの要部を示す断面図、第10図は封止ヘッ
ダ部の上面図、第11図は第10図の連続5部分を示す
上面図、第12図は第10図に示される機構の側面図、
第13図は第10図に示される機構の正面図てある。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。1,1″・・・・・・半導体装置のパッケー
ジ、1a・・・0・・・半導体装置のパッケージ上面の
金属化層、2・・・・・・半導体装置のキャップ、10
・・・・・・操作台、11・・・封止チャンバー、11
a・・・・・封止チャンバーの雰囲気ガス導入口、11
b・・・・・封止チャンバーの排気口、12・・・・・
・パッケージ送り封止ステージ、12a・・・・封止ス
テージのパッケージ供給部、12b・・・・・・封止ス
テージの加熱部、12c・・・・・・封止ステージの封
着ヘッダー、14・・・・・・送りレール(ヒータ台)
、15・・・・・加圧用錘、15a・・・・・・加圧用
錘の針部、15b・・・・・・加圧用錘のブロック図、
15c・・・・・・加圧用錘頂部の溝、16・・・・・
・コレット、16a・・・・コレットの吸引口、17・
・・コレットホルダ、17a・・・・コレットホルダの
空間部、17b・・・・・・コレットホルダの減圧導中
、18・・・・・・キャップ供給機構、22c・・・・
・・コレット揺動用カムレバ、22s・・・・・・コレ
ット揺動用スプリング、32c・・・・・・封着ヘッダ
前進、後退用カムレバ、32s・・・・・・封着ヘッダ
前進、後退用スプリング、42c・・・・・・封着ヘッ
ダー上下用カムレバ、42s・・・・・・封着ヘッダ上
下用スプリング。
半導体装置のキャップの斜視図、同図bは図aと直角方
向から視た斜視図、第3図は封止装置の概要を示す側面
図、第4図は治具による封止を説明するための断面図、
第5図以後はこの発明にか)る封止装置にか)り、第5
図は概要を示す上面図、第6図は側面図、第7図は封着
ヘッダの断面図、第8図は封着ヘッダの上面図、第9図
は封着ヘッダの要部を示す断面図、第10図は封止ヘッ
ダ部の上面図、第11図は第10図の連続5部分を示す
上面図、第12図は第10図に示される機構の側面図、
第13図は第10図に示される機構の正面図てある。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。1,1″・・・・・・半導体装置のパッケー
ジ、1a・・・0・・・半導体装置のパッケージ上面の
金属化層、2・・・・・・半導体装置のキャップ、10
・・・・・・操作台、11・・・封止チャンバー、11
a・・・・・封止チャンバーの雰囲気ガス導入口、11
b・・・・・封止チャンバーの排気口、12・・・・・
・パッケージ送り封止ステージ、12a・・・・封止ス
テージのパッケージ供給部、12b・・・・・・封止ス
テージの加熱部、12c・・・・・・封止ステージの封
着ヘッダー、14・・・・・・送りレール(ヒータ台)
、15・・・・・加圧用錘、15a・・・・・・加圧用
錘の針部、15b・・・・・・加圧用錘のブロック図、
15c・・・・・・加圧用錘頂部の溝、16・・・・・
・コレット、16a・・・・コレットの吸引口、17・
・・コレットホルダ、17a・・・・コレットホルダの
空間部、17b・・・・・・コレットホルダの減圧導中
、18・・・・・・キャップ供給機構、22c・・・・
・・コレット揺動用カムレバ、22s・・・・・・コレ
ット揺動用スプリング、32c・・・・・・封着ヘッダ
前進、後退用カムレバ、32s・・・・・・封着ヘッダ
前進、後退用スプリング、42c・・・・・・封着ヘッ
ダー上下用カムレバ、42s・・・・・・封着ヘッダ上
下用スプリング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体装置のパッケージにキャップを封着する下記
構成要件の半導体装置の製造装置。 (a)気密になり雰囲気ガスの導入口と排気口を備えた
封止チャンバ。 (b)前記封止チャンバに内装され、一端がパッケージ
の供給部、他端が取出部にして前記各部の中間に加熱部
を有するパッケージ送り封止ステージ。 (c)集積されたパッケージを前記パッケージ送り封止
ステージに送出するパッケージ送出機構。 (d)一端がブロック部に形成された針部でなるキャッ
プ加重用錘の針部を自在に挿通する垂直の吸引孔を有し
、前記キャップ加重用錘を吸引孔に挿通しブロック部に
て懸架するとともに下面にキャップをその周縁にて把持
するコレットと、前記ブロック部よりも小径の吸引口を
有しかつ前記吸引口からの吸引により錘が上下するため
の空間部を設けたコレットホルダを含み前記錘によりキ
ャップを加圧しつゝ揺動せしめる封着機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7631879A JPS6043013B2 (ja) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7631879A JPS6043013B2 (ja) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS561548A JPS561548A (en) | 1981-01-09 |
JPS6043013B2 true JPS6043013B2 (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=13602013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7631879A Expired JPS6043013B2 (ja) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6043013B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0763078B2 (ja) * | 1985-09-24 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の封止装置 |
-
1979
- 1979-06-19 JP JP7631879A patent/JPS6043013B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS561548A (en) | 1981-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5192582A (en) | Procedure for processing joints to be soldered | |
KR101707577B1 (ko) | 가열 용융 처리 장치 및 가열 용융 처리 방법 | |
US20130175323A1 (en) | Serial thermal linear processor arrangement | |
US6427898B2 (en) | Solder bump forming method and apparatus | |
CN105679686B (zh) | 半导体装置的制造方法及接合组装装置 | |
US6818543B2 (en) | Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor | |
JP3617188B2 (ja) | はんだ付方法 | |
CN104517860B (zh) | 接合组装装置 | |
JP3011694B2 (ja) | ダイボンディング装置 | |
US8274161B2 (en) | Flux-free chip to substrate joint serial linear thermal processor arrangement | |
JPS6043013B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
CN116190281B (zh) | 一种半导体固晶机工艺处理运输轨道 | |
US4320865A (en) | Apparatus for attachment of die to heat sink | |
EP3782710A1 (en) | Pure formic acid gas supplying device, pure-formic-acid-gas-supplied soldering system, and method for supplying pure formic acid gas | |
KR900000205B1 (ko) | 결속상태가 개선된 반도체 장치의 제조장치 | |
KR920005799B1 (ko) | 반도체 장치의 제조장치 | |
KR101036131B1 (ko) | 진공 리플로우 장치 | |
US3543393A (en) | Method of forming rectifier stacks | |
JPH06232132A (ja) | バンプ形成装置 | |
JPS5925232A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3807487B2 (ja) | 半導体素子の装着装置 | |
JPS6063937A (ja) | 電子部品の組立装置 | |
KR100252316B1 (ko) | 리드 프레임의 코팅장치 | |
JP3778426B2 (ja) | 半導体素子の装着装置 | |
JPS5976434A (ja) | 還元装置 |