JPS6042848A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、多層配線構造ン有する半導体装置の製造方法
に関するものである。。

従来、多層配線ｗ＃造の半導体装置の製造において層間
の絶縁層に回路上所望の導通孔を開孔し゛た後第二の配
線層を形成するあたり、絶縁膜の開孔の周縁部′の傾斜
が急峻であるために、第二の配線層が段切れするという
欠点を有していた。

この発明は、層間絶縁膜に開孔した後間孔部に段差を埋
める金属層を形成する工程を追加することにより上記欠
点を解消し、歩留よく品質の安定した半導体装置の製造
方法を提供するものである。

不発ｑすは、多層配線構造を有する半導体装置の製造方
法において、第一の配線層を形成する工程と層間の絶縁
膜を設は絶縁膜に所望の導通孔を開孔する工程と導通孔
を開孔するために用いたホトレジストの上から金属層ヲ
被着し該ホトレジストを用いたり７トオ７法により開孔
部に金属ｒ￥ｉを残す工程と、第二の配線層を形成する
工程からなることを特徴とする。

次に本発明を実施例によシ説明する。

第１図乃至第３図は従来の製造方法であり第１図はシリ
コン４根１上の熱酸化膜２上に第一の配線層３．３′を
形成し５、第一の配線層上（Ｃ層間の絶縁膜４を形成し
た＼ところである。第２図は、該絶縁膜４に所望の導通
孔５，５′を開孔したところであり、ａ％３図は、第二
の配線層６を形成して多層配會省遺ン光成したとζりで
ある。

しかしながら、従来の製造方法によれば、絶縁膜の開化
部５．５′の周縁部の傾斜７　、７’、　７”、げが急
峻で、第４図に示す様に第二の配線層６が傾斜部で段切
れ８を発生することがあシ半導体装置の法留シ及び、品
質に長大な影４１１を与えていた。

上記欠点を解消するため、本発明においては、従来方法
と同様第＝の配線層３を形成し層間の絶縁膜４を形成し
た後、該絶縁膜に導通孔５，５′を開孔し、ホトレジス
ト９　、９’、　９“を残し、た状態にする（第５図）
。１−かる後、層間絶縁膜４の膜厚にほぼ等し、い厚さ
を有する金Ｉ！Ａ層１０を被着する（第６図）。次に、
前述のホトレジスト９．９’。

９〜用いてリフトオフ方式を実施するととＫよシ、開孔
部以外の金属層はホトレジストと共に除去され開化部に
のみ金に層１１．１１’が残る（第７図）。

その後、第二の配線層１２を形成することにより開孔部
で段切れの可能性のない多階配線構造の半導体装ｆ［を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々従来の製造方法の工程順断面図
、第５図乃至第８図は各々本発明の実施例の製造方法の
工程断面図、である。 なお図において、１・・・・・・シリコン基板、２・・
・・・・熱酸化シリコン渓、３，３“・・・・・・第一
の配線金属層、４・・・・・・層間絶縁膜、５　、５’
−・・・・・導通用開孔部、６゜１２・・・・・・第二
の配線金属層、７　、７’、　７’、　７何・・・・・
開孔部の傾斜、８・・・・・・段切れ、９・・・・・・
ホトレジスト、１０・・・・・・金属層、１１　、１１
’・・・・・・開孔部に残る１６の金属層、である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において第
   一の配線層を形成する工程と、層間の絶縁膜を設は絶縁
   膜に所望の導通孔を開孔する工程と、導通孔を開孔する
   ために用いたホトレジストの上から金属層を被着しホト
   レジストを用いたり７トオ７法で開孔部に金属層を残す
   工程と、第二の配線層を形成する工程からなることを特
   徴とする半導体装置の製造方法。