JPS6042426B2 - シンチレ−シヨンカメラ - Google Patents
シンチレ−シヨンカメラInfo
- Publication number
- JPS6042426B2 JPS6042426B2 JP53022257A JP2225778A JPS6042426B2 JP S6042426 B2 JPS6042426 B2 JP S6042426B2 JP 53022257 A JP53022257 A JP 53022257A JP 2225778 A JP2225778 A JP 2225778A JP S6042426 B2 JPS6042426 B2 JP S6042426B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillation
- signal
- correction
- wave height
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被検体に投与したＲ１（ｒａｄｉ０ｉｓｔ０
ｐｅ〜放射性同位元素）の分布を測定する際に用いられ
るシンチレーシヨンカメラに関するものである。
ｐｅ〜放射性同位元素）の分布を測定する際に用いられ
るシンチレーシヨンカメラに関するものである。
シンチレーシヨンカメラにおいては、検出器に入射し
た放射線例えばγ線を、そのγ線によつてシンチレータ
に生ずるシンチレーシヨン（発光）を受けて電気信号に
変換し、一方位置計算回路から入射位置が計算されると
ともに、そのシンチレーシヨンからγ線エネルギの波高
弁別をおこない、シンチグラム像を得たいＲＩのエネル
ギに対応する検出波高値のシンチレーシヨンについての
み、ＣＲＴ上の対応位置に輝点を表示させる。例えばテ
クネシウムー９９ｗｌ、（９９７−ｎ、ＴＣ）のＲＩ分
布を得ようとするには、１４０ＫｅＶ±ｌ４ＫｅＶ以内
のγ線エネルギに対応する検出波高値を生じるγ線につ
ぃてのみＣＲＴ（ｃａｔｈ０ｄｅｒａｙｔｕｂｅ〜陰極
線管）上に輝点表示をすることになる。 シンチレーシ
ヨンカメラにおける前記波高弁別”の原理は第１図の如
くである。
た放射線例えばγ線を、そのγ線によつてシンチレータ
に生ずるシンチレーシヨン（発光）を受けて電気信号に
変換し、一方位置計算回路から入射位置が計算されると
ともに、そのシンチレーシヨンからγ線エネルギの波高
弁別をおこない、シンチグラム像を得たいＲＩのエネル
ギに対応する検出波高値のシンチレーシヨンについての
み、ＣＲＴ上の対応位置に輝点を表示させる。例えばテ
クネシウムー９９ｗｌ、（９９７−ｎ、ＴＣ）のＲＩ分
布を得ようとするには、１４０ＫｅＶ±ｌ４ＫｅＶ以内
のγ線エネルギに対応する検出波高値を生じるγ線につ
ぃてのみＣＲＴ（ｃａｔｈ０ｄｅｒａｙｔｕｂｅ〜陰極
線管）上に輝点表示をすることになる。 シンチレーシ
ヨンカメラにおける前記波高弁別”の原理は第１図の如
くである。
入射γ線はシンチレータ１でシンチレーシヨンを発生し
、このシンチレーシヨンが複数個配列された光電子増倍
管（以下「ＰＭＴ」と称する）２で電気信号に変換され
、プリアンブ（前置増幅器）３、波形整形回路−４、を
経て加算回路５で加算的に合成される。この加算回路５
の出力（以下「Ｚ信号」と称する）の波高値はシンチレ
ーシヨン光子の総和に等しく、入射γ線のエネルギに比
例するものである。このＺ信号がシングルチャンネルの
波高分析器（以下ＲＰＨＡョと称する）６で分析され予
定の波高値の信号のみが弁別され、例えばディジタル値
“゜１゛，“゜０゛の形で出力される。ＰＨＡ６のウイ
ドウレベル（波高分析レベル）の設定は外部より±５％
，±１０％というような形で与えられる。また、前記波
形整形回路４の出力は位置計算回路７に与えられ位置計
算回路７で前記シンチレーシヨンの発生した位置が算出
され、この位置信号（例えばＸ位置信号及びＹ位置信号
）と前記ＰＨＡ６の弁別出力でＣＲＴ上の輝点表示が行
なわれる。ところが、実際のシンチレーシヨンカメラに
おいて、同一γ線エヌルギに対し、入射γ線の位置によ
る前記Ｚ信号の波高値は必ずしも一定にならない。
、このシンチレーシヨンが複数個配列された光電子増倍
管（以下「ＰＭＴ」と称する）２で電気信号に変換され
、プリアンブ（前置増幅器）３、波形整形回路−４、を
経て加算回路５で加算的に合成される。この加算回路５
の出力（以下「Ｚ信号」と称する）の波高値はシンチレ
ーシヨン光子の総和に等しく、入射γ線のエネルギに比
例するものである。このＺ信号がシングルチャンネルの
波高分析器（以下ＲＰＨＡョと称する）６で分析され予
定の波高値の信号のみが弁別され、例えばディジタル値
“゜１゛，“゜０゛の形で出力される。ＰＨＡ６のウイ
ドウレベル（波高分析レベル）の設定は外部より±５％
，±１０％というような形で与えられる。また、前記波
形整形回路４の出力は位置計算回路７に与えられ位置計
算回路７で前記シンチレーシヨンの発生した位置が算出
され、この位置信号（例えばＸ位置信号及びＹ位置信号
）と前記ＰＨＡ６の弁別出力でＣＲＴ上の輝点表示が行
なわれる。ところが、実際のシンチレーシヨンカメラに
おいて、同一γ線エヌルギに対し、入射γ線の位置によ
る前記Ｚ信号の波高値は必ずしも一定にならない。
その理由としては、（１）シンチレータ１の発光効率の
不均一、（２）シンチレータ１周辺部での光の反射の影
響、（３）ＰＭＴ２の発光位置に対する出力特性（以下
ＲＰＭＴレスポンスョと称する）の不均一、があげられ
る。
不均一、（２）シンチレータ１周辺部での光の反射の影
響、（３）ＰＭＴ２の発光位置に対する出力特性（以下
ＲＰＭＴレスポンスョと称する）の不均一、があげられ
る。
（３）のＰＭＴレスポンスとは、第２図ａに示すように
一本のＰＭＴ２だけ動作させて、シンチレータ１上でシ
ンチレーシヨン位置を変えた（例えばＸ方向について）
ときの、該ＰＭＴ２の出力（よつてＺ信号）の位置に対
しての関係のことであり、第２図ｂに示すような該ＰＭ
Ｔ２の中心位置（ＸＯ）を頂点とした分布となる。
一本のＰＭＴ２だけ動作させて、シンチレータ１上でシ
ンチレーシヨン位置を変えた（例えばＸ方向について）
ときの、該ＰＭＴ２の出力（よつてＺ信号）の位置に対
しての関係のことであり、第２図ｂに示すような該ＰＭ
Ｔ２の中心位置（ＸＯ）を頂点とした分布となる。
そこで全部のＰＭＴ２が働いている状態ではＺ信号は、
各ＰＭＴ２についてのＰＭＴレスポンスの総和となり、
一般に第３図の様な位置に対して凹凸ねある特性となる
。〔これに前記（１），（２）項の影響もふくめてＺレ
スポンスと呼ぶ〕以上のように、加算回路５から出力さ
れるＺ信号が、位置に対して一様でなく凹凸があると正
確な波高分析ができなくなる。
各ＰＭＴ２についてのＰＭＴレスポンスの総和となり、
一般に第３図の様な位置に対して凹凸ねある特性となる
。〔これに前記（１），（２）項の影響もふくめてＺレ
スポンスと呼ぶ〕以上のように、加算回路５から出力さ
れるＺ信号が、位置に対して一様でなく凹凸があると正
確な波高分析ができなくなる。
前記（１）〜（３）項のうち、特に（３）項の影響が大
きく、この影響を低減するために、従来、下記のような
方法が提案されていた。（１）シンチレータ１とＰＭＴ
２の間の距離を増大しＰＭＴレスポンスを変化させて、
Ｚレスポンスを改善する。
きく、この影響を低減するために、従来、下記のような
方法が提案されていた。（１）シンチレータ１とＰＭＴ
２の間の距離を増大しＰＭＴレスポンスを変化させて、
Ｚレスポンスを改善する。
（２）第４図のようにシンチレータ１とＰＭＴ２の間に
ライトガイド８を挿入しさらにそのライトガイド８に適
当なマスク９をつけて、ＰＭＴレスポンスを光学的に変
化させ、Ｚレスポンスを改善する。
ライトガイド８を挿入しさらにそのライトガイド８に適
当なマスク９をつけて、ＰＭＴレスポンスを光学的に変
化させ、Ｚレスポンスを改善する。
（応用物理学会５１年度予稿集１ｐ−Ｄ−８米国特許３
８１４９３８号および同３７８４８ｍ号など）しかし、
これらの方法は定性的には改善の可能性はあるが、定量
的に補正することは難かしく、現実的でない。
８１４９３８号および同３７８４８ｍ号など）しかし、
これらの方法は定性的には改善の可能性はあるが、定量
的に補正することは難かしく、現実的でない。
本発明は、上記の事情にかんがみなされたもの・で、波
高分析の性能を向上し、入射放射線位置の相違による影
響を受けない、高精度の波高分析を可能とするシンチレ
ーシヨンカメラを提供することを目的とするものてある
。
高分析の性能を向上し、入射放射線位置の相違による影
響を受けない、高精度の波高分析を可能とするシンチレ
ーシヨンカメラを提供することを目的とするものてある
。
すなわち、本発明の特徴は放射線が入射するごとに、そ
の入射位置に応じ、あらかじめ設定した補正量を用いて
波高弁ぺの位置による不規則分布に補正を施こし、Ｚレ
スポンスの凹凸を補正することにある。
の入射位置に応じ、あらかじめ設定した補正量を用いて
波高弁ぺの位置による不規則分布に補正を施こし、Ｚレ
スポンスの凹凸を補正することにある。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す゛る。
第５図において、第１図と同部分には同符号を付して発
明の詳細な説明を省略する。
明の詳細な説明を省略する。
同図において、１０は位置計算回路７からの位置信号出
力をディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器、１１は予め
位置に対応する補正値が記憶されＡ／Ｄ変換器１０の出
力によつて記憶内容がアクセスされるメモｌ八１２はメ
モリ１１に記憶すべき内容を書き込む（あるいは更新す
る）ための書き込み信号発生器で前述のメモリ１９が例
えばＩＣメモリである場合には、アドレスラインにＨ，
Ｌの信号を送信するものである。１３は加算回路５の出
力波高値をディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器、１４
はメモリ１１から読み出された補正値とＡ／Ｄ変換器１
３の出力とを加算するディジタル加算器１４の出力が、
外部よりこの場合ディジタル値で設定されたウィンドウ
レベル内にあるか否かを判定しそれに応じてディジタル
値゜゜１゛，“゜０゛の形の波高弁別出力を発生するデ
ィジタルコンパレータ、１６は位置計算回路７及びディ
ジタルコンパレータ１５の出力によつて輝点表示を行な
うＣＲＴである。
力をディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器、１１は予め
位置に対応する補正値が記憶されＡ／Ｄ変換器１０の出
力によつて記憶内容がアクセスされるメモｌ八１２はメ
モリ１１に記憶すべき内容を書き込む（あるいは更新す
る）ための書き込み信号発生器で前述のメモリ１９が例
えばＩＣメモリである場合には、アドレスラインにＨ，
Ｌの信号を送信するものである。１３は加算回路５の出
力波高値をディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器、１４
はメモリ１１から読み出された補正値とＡ／Ｄ変換器１
３の出力とを加算するディジタル加算器１４の出力が、
外部よりこの場合ディジタル値で設定されたウィンドウ
レベル内にあるか否かを判定しそれに応じてディジタル
値゜゜１゛，“゜０゛の形の波高弁別出力を発生するデ
ィジタルコンパレータ、１６は位置計算回路７及びディ
ジタルコンパレータ１５の出力によつて輝点表示を行な
うＣＲＴである。
このような構成において入射γ線は前述したように位置
計算回路７で入射位置が計算され、Ａ／Ｄ変換器１０で
アナログ入力信号がディジタル出力信号に変換され、例
えば画面を６４×６４にマトリクス分割した各位置に対
応づけされる。
計算回路７で入射位置が計算され、Ａ／Ｄ変換器１０で
アナログ入力信号がディジタル出力信号に変換され、例
えば画面を６４×６４にマトリクス分割した各位置に対
応づけされる。
ところで、各マトリクス位置におけるＺ信号（加算回路
５の出力）の凹凸より、第６図のように各マトリクス位
置に対応する適切な補正量ΔＺに対応する補正値をあら
かじめ実測により求めておき、例えば６４×６４語の記
憶容量のメモリ１１に記憶させておけば、前記入射γ線
ごとにＡ／Ｄ変換器１０から出力信号が発生し、メモリ
１１よりその入射位置に対応する前記補正値が読み出さ
れる。前記Ｚ信号はＡ／Ｄ変換器１３でディジタル信号
に変換され、そのディジタル値がディジタル加算器１４
で前記補正値と加算されて、ディジタルコンパレータ１
５で、この場合ディジタル値で設定されたウィンドウレ
ベルの範囲に入るものについてのみ、ディジタル値゜゜
１゛の波高弁別出力が出る。この波高弁別出力と前記位
置計算回路７の出力によりＣＲＴｌ６の表示が行なわれ
る。また、前記メモｌ川１中の補正値の設定内容は書き
込み信号発生器１２により、必容に応じて外部から書き
替えることができる。このようにして、入射γ線に基づ
く位置信号に応じて各位置に対応する予定の補正量ΔＺ
がＺ信号に加算され、波高分析における位置によるばら
つきが、第６図に示すように効果的に補正されて波高弁
別が行なわれ、入射γ線のエネルギと位置の双方に対す
る分解能が向上する。
５の出力）の凹凸より、第６図のように各マトリクス位
置に対応する適切な補正量ΔＺに対応する補正値をあら
かじめ実測により求めておき、例えば６４×６４語の記
憶容量のメモリ１１に記憶させておけば、前記入射γ線
ごとにＡ／Ｄ変換器１０から出力信号が発生し、メモリ
１１よりその入射位置に対応する前記補正値が読み出さ
れる。前記Ｚ信号はＡ／Ｄ変換器１３でディジタル信号
に変換され、そのディジタル値がディジタル加算器１４
で前記補正値と加算されて、ディジタルコンパレータ１
５で、この場合ディジタル値で設定されたウィンドウレ
ベルの範囲に入るものについてのみ、ディジタル値゜゜
１゛の波高弁別出力が出る。この波高弁別出力と前記位
置計算回路７の出力によりＣＲＴｌ６の表示が行なわれ
る。また、前記メモｌ川１中の補正値の設定内容は書き
込み信号発生器１２により、必容に応じて外部から書き
替えることができる。このようにして、入射γ線に基づ
く位置信号に応じて各位置に対応する予定の補正量ΔＺ
がＺ信号に加算され、波高分析における位置によるばら
つきが、第６図に示すように効果的に補正されて波高弁
別が行なわれ、入射γ線のエネルギと位置の双方に対す
る分解能が向上する。
なお、本発明は上記し且つ図面に示す実施例にのみ限定
されることなく、その要旨を変更しない範囲内で種々変
形して実施することができる。例えば、（１）第７図の
ようにメモリ１１にｚ信号の補正値のかわりにウィンド
ウレベルの位置による補正量ΔＷＬに対応する補正値を
入れておき、これにウイドウレベルの外部設定値をディ
ジタル加算器１７で加算してディジタルコンパレータ１
５に与えることにより、Ｚ信号を補正するかわりにウィ
ンドウレベル設定値を入射位置によつて変えるようにす
る、（２）上記実施例ではＺ信号をＡ／Ｄ変換して、エ
ネルギ弁別をディジタル的におこなうようにしたが、補
正値をＡ／Ｄ変換し、Ｚ信号に対してアナログ的に加算
して、アナログ的にＰＩＩＡ６にかける構成とする、（
３） 更に、上述において補正値を加算するかわりに、
乗算して補正を施こす、など要旨を変更しない範囲で変
形することが可能である。
されることなく、その要旨を変更しない範囲内で種々変
形して実施することができる。例えば、（１）第７図の
ようにメモリ１１にｚ信号の補正値のかわりにウィンド
ウレベルの位置による補正量ΔＷＬに対応する補正値を
入れておき、これにウイドウレベルの外部設定値をディ
ジタル加算器１７で加算してディジタルコンパレータ１
５に与えることにより、Ｚ信号を補正するかわりにウィ
ンドウレベル設定値を入射位置によつて変えるようにす
る、（２）上記実施例ではＺ信号をＡ／Ｄ変換して、エ
ネルギ弁別をディジタル的におこなうようにしたが、補
正値をＡ／Ｄ変換し、Ｚ信号に対してアナログ的に加算
して、アナログ的にＰＩＩＡ６にかける構成とする、（
３） 更に、上述において補正値を加算するかわりに、
乗算して補正を施こす、など要旨を変更しない範囲で変
形することが可能である。
以上述べたように、本発明によれば入射放射線位置の相
違による影響を受けない高精度の波高分析を可能とする
シンチレーシヨンカメラを提供することができる。
違による影響を受けない高精度の波高分析を可能とする
シンチレーシヨンカメラを提供することができる。
第１図は従来装置の一例の構成を示すブロック図、第２
図Ａ，ｂはＰＭＴレスポンスを示す図、第３図及び第４
図は従来提案されているＺレスポンスの補正方法を説明
するための図、第５図は本発明の一実施例の構成を示す
ブロック図、第６図は同実施例における補正の原理を概
念的に説明するための図、第７図は本発明の他の実施例
の構成を示す要部のブロック図である。 １・・・シンチレータ、２・・・光電子増倍管（ＰＭＴ
）、３・・・プリアンプ（前置増幅器）、４・・・波形
整形回路、５・・・加算回路、７・・・位置計算回路、
１０，１３・・・Ａ／Ｄ変換器、１１・・・メモリ、１
２・・・書き込み信号発生器、１４，１７・・・ディジ
タル加算器、１５・・・ディジタルコンパレータ、１６
・・・ＣＲＴ（陰極線管）。
図Ａ，ｂはＰＭＴレスポンスを示す図、第３図及び第４
図は従来提案されているＺレスポンスの補正方法を説明
するための図、第５図は本発明の一実施例の構成を示す
ブロック図、第６図は同実施例における補正の原理を概
念的に説明するための図、第７図は本発明の他の実施例
の構成を示す要部のブロック図である。 １・・・シンチレータ、２・・・光電子増倍管（ＰＭＴ
）、３・・・プリアンプ（前置増幅器）、４・・・波形
整形回路、５・・・加算回路、７・・・位置計算回路、
１０，１３・・・Ａ／Ｄ変換器、１１・・・メモリ、１
２・・・書き込み信号発生器、１４，１７・・・ディジ
タル加算器、１５・・・ディジタルコンパレータ、１６
・・・ＣＲＴ（陰極線管）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放射線により発光するシンチレータと、このシンチ
レータに対応して複数個配列されたシンチレーシヨン検
出用の検出手段と、これら検出手段の出力に基づいてシ
ンチレーシヨンの発生位置を計算しそれに応じた位置信
号を出力する位置計算手段と、前記検出手段の出力を加
算的に合成してエネルギ信号を得る加算手段と、この加
算手段から得られたエネルギ信号のうち予め設定された
波高値の信号を弁別する波高弁別手段と、前記位置計算
手段からの位置信号と前記波高弁別手段からの弁別出力
によつてシンチグラムを形成する像形成手段とを備えた
シンチレーシヨンカメラにおいて、前記位置計算手段の
出力位置信号に応じて予め設定記憶された補正値を前記
位置信号入力に基づいて出力する補正値記憶手段と、こ
の補正値記憶手段で得られる補正値に基づいて前記エネ
ルギ信号の位置によるばらつきに補正を施こす補正手段
とを具備してなるシンチレーシヨンカメラ。 ２ 補正手段は、加算手段から出力されるエネルギ信号
に補正値を加算または乗算する構成であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のシンチレーシヨンカメ
ラ。 ３ 補正手段は、波高弁別手段の弁別波高値に補正値を
加算または乗算する構成であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のシンチレーシヨンカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53022257A JPS6042426B2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | シンチレ−シヨンカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53022257A JPS6042426B2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | シンチレ−シヨンカメラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54115184A JPS54115184A (en) | 1979-09-07 |
| JPS6042426B2 true JPS6042426B2 (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=12077712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53022257A Expired JPS6042426B2 (ja) | 1978-02-28 | 1978-02-28 | シンチレ−シヨンカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042426B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4323977A (en) * | 1979-11-20 | 1982-04-06 | Siemens Gammasonics, Inc. | Non-uniformity energy correction method and apparatus |
| JPS5865584U (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | 株式会社島津製作所 | シンチレ−シヨンカメラ装置 |
| JPS5953998A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | オムロン株式会社 | 大型車両の車種判別装置 |
| US4771766A (en) * | 1986-07-08 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Machida Seisakusho | Guide tube assembly of endoscope |
| JP2631477B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1997-07-16 | 株式会社日立メディコ | シンチレーションカメラ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223756A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat pumping refrigerant circuit |
| JPS5223835A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-23 | Mitsui Shipbuilding Eng | Method of making artificial ice mound protection bank |
-
1978
- 1978-02-28 JP JP53022257A patent/JPS6042426B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223756A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat pumping refrigerant circuit |
| JPS5223835A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-23 | Mitsui Shipbuilding Eng | Method of making artificial ice mound protection bank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54115184A (en) | 1979-09-07 |
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|---|---|---|
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